JPH0465461U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0465461U JPH0465461U JP10877290U JP10877290U JPH0465461U JP H0465461 U JPH0465461 U JP H0465461U JP 10877290 U JP10877290 U JP 10877290U JP 10877290 U JP10877290 U JP 10877290U JP H0465461 U JPH0465461 U JP H0465461U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffusion layer
- gate
- depth
- anode
- channel stopper
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
第１図は本案の一実施例の略断面図、第２図は
従来の一例の略断面図である。 １……Ｎ型半導体基板、２……アノード拡散層
、３……Ｐゲート拡散層、４……チヤネルストツ
パー拡散層、５……カソード拡散層。
従来の一例の略断面図である。 １……Ｎ型半導体基板、２……アノード拡散層
、３……Ｐゲート拡散層、４……チヤネルストツ
パー拡散層、５……カソード拡散層。
Claims (1)
- 半導体基板の表面に、アノード拡散層と、Ｐゲ
ート拡散層と、Ｐゲート拡散層の一部に設けられ
たカソード拡散層と、Ｐゲート拡散層とアノード
拡散層との間に設けられたチヤネルストツパー拡
散層とを形成し、チヤネルストツパー拡散層の拡
散深さをＰゲート拡散層の深さ以上としたスイツ
チング素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10877290U JPH0465461U (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10877290U JPH0465461U (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0465461U true JPH0465461U (ja) | 1992-06-08 |
Family
ID=31855894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10877290U Pending JPH0465461U (ja) | 1990-10-16 | 1990-10-16 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0465461U (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562668A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Nec Corp | Planar type thyristor |
-
1990
- 1990-10-16 JP JP10877290U patent/JPH0465461U/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS562668A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Nec Corp | Planar type thyristor |