JPH0242710A - 静電接合治具 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は静電接合治具、特に主表面に電気的回路の形成
された半導体材料の機械的強度の向上及び取扱いの容易
化を図るために該半導体材料に絶縁体材料を静電的に接
着させる静電接合治具における電圧印加機構の改善に関
する。

［従来の技術］ 半導体材料に対し、熱膨張係数の近接した高温で固体電
解質として作用する結晶化ガラス又はガラス等の絶縁体
材料を重ね合せて４００℃前後に昇温加熱し、絶縁体材
料側を負として両材料の間に約１０００Ｖの電圧を印加
して強固に接合する静電接合方法（特公昭５３−２８７
４７号公報）が周知であり、近年ではウェハ同士の静電
接合なども試行されている。

第４図に従来方法に係る半導体ウェハと絶縁体ウェハと
を静電接合するためのセツティング図を示す。

図において、主表面１ａに不図示の電気回路が形成され
た半導体ウェハ１上に絶縁材としてガラスウェハ２が載
置されており、該両材料１および２はそれぞれ平滑仕上
げされた接合面１ｂおよび２ｂにて重ね合されている。

前記ガラスウェハ２の電圧印加面２ａ上にはさらに接合
治具３が載置されており、該接合治具３は電源４から印
加される負の電圧をガラスウェハ２の電圧印加面２ａ全
体にわたって均等に加えるためガラスウェハ電圧印加面
２ａよりも大きな接合面３ａを有している。

以上のごとくセツティングされた後、４００℃前後にま
で前記両材料を加熱した状態で半導体ウェハ１の主表面
１ａと接合治具３との間に電圧を印加することによって
強固な接合作用が得られることになる。

［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、こうした従来の静電接合する方法を実施
した場合、接合サンプルの平面図を示した第５図（Ａ）
より明らかなように接合不良域１００が頻繁に発生し、
完成半導体製品の歩留りの悪化をもたらすという問題が
あった。

同図（Ｂ）は接合サンプルの側断面を示し、接合不良域
１００は接合界面における半導体ウェハ１の局部的な突
出として現れ、主表面１ａ側からも観察できることが理
解される。

こうした接合不良域１００の発生状況につき本発明者ら
が調査したところによれば、前記第４図の従来機構を用
いる限り、２００℃〜４５０℃の加熱温度でかつ電圧を
絶縁破壊域にまで昇圧させていれば何らかの形で接合不
良域１００が発生してしまうことが判明した。

逆にいえば、加熱温度が４５０℃を上回る値に設定され
ればこうした製品不良は生じ得ないことになるのである
が、半導体ウェハには熱拡散や蒸着技術により複数の電
気的回路が形成されてい名ため、４５０℃を超える温度
と絶縁破壊域に達する電圧を長時間印加して接合するこ
とは製造される半導体製品の特性および信頼性劣化をも
たらし、また半導体製品の低コスト化の面からも好適と
はいえない。

接合不良域１００の生成過程を第６図を参照しつつ説明
する。

同図（Ａ）は電圧印加前の半導体ウェハ１とガラスウェ
ハ２との接合部断面を部分的に示し、両材料１および２
の接合面１ｂおよび２ｂは全体として少なくとも３個以
上の接触点Ｃ１で接している。

次にこうした状態から電［４により半導体ウェハ１と接
合治具３との間に電圧を印加すると、接合面１ｂおよび
２ｂ間全面にわたって瞬時に静電力が作用し、同図（Ｂ
）のごとく接触点Ｃ１を起点として静電接合作用が進行
し、これによって生ずる新たな接触点Ｃ２から更に接合
作用が展開し、こうして次々と新しい接触点から静電接
合が進んでいく。

ところが、前記接触点Ｃｌ−Ｃ２間の距離は半導体ウェ
ハ１側とガラスウェハ２側とで異なることなどから、静
電接合作用終了時に同図（Ｃ）に示すごとく剛性の低い
半導体ウェハ１側に局部的な突状の歪みとして、また場
合によっては半導体ウェハ１の亀裂として観察される接
合不良域１００が生じてしまう。また、接触点Ｃ１およ
びＣ２が接合面１ｂおよび２ｂのより周縁部に存在する
場合、接合不良域１００は接合面の中央部に極めて大き
な面積で形成されてしまうことともなる。

他方、簡単な観察によって検知し得ないような小さな接
合不良域が点在した場合にはこうした微小不領域は検査
工程においても看過され易く、製造・市販される半導体
製品の信頼性が著しく損われてしまう。

なお、本発明者らの調査結果によると、前記接合不良域
１００の発生は接合するウェハの口径増大に比例して顕
著となること、および該接合不良域の有無判断を特開昭
５８−１４８９４９５号公報に開示された静電接合の際
に流れる電流のモニタ図の良否から検知することは極め
て困難であることが判明した。

発明の目的 本発明は上記従来の課題に鑑みなされたものであり、そ
の目的は半導体材料と絶縁体材料との静電接合の際にお
ける接合不良域の発生を最小限に抑制し、製造される半
導体完成品の信頼性を向上させるとともに低コスト化を
実現可能な新規な静電接合治具を提供することにある。

［背景技術］ 接合不良域の発生は、前記第４図に示すごとくガラスウ
ェハの電圧印加面２ａよりも大きな面積を有する接合治
具３を載置して電圧印加が行われるために半導体ウェハ
１の接合面１ａとガラスウェハ２の接合面２ａとの間に
おいてその全域にわたってほぼ瞬時に静電力が作用して
しまい、この結果前記両材料の接合面における静電接合
が不規則に進行することに起因している。

半導体ウェハ１とガラスウェハ２とは一応重ね合せ状態
にあるとはいえ、他の半導体ウェハ１上にガラスウェハ
２を単純に載置しただけであるからその接合面１ｂと２
ｂとは全面にわたって完全密着しているわけではない。

こうした状態のままでその全域にわたって瞬間的な電圧
印加がなされれば必然的に接合状態のばらつきが生じて
しまう。

そこで、本発明では接合作用面から最も重要な極めて狭
い部位を電圧印加の起点とし、そこを確実に押えてから
徐々にその末端に向けて静電接合作用を広げていけばこ
うした接合不良は最小限に抑制できることを見出した。

すなわち、電圧印加における静電力がガラスウェハ２の
中央部から周縁部に規則的に進行させるという構成をと
った。

少なくとも電圧印加開始時には中央部のみに静電力を作
用させ、その後の時間の経過と共に徐々に周縁部に拡大
させることによって接合不良域の生成を確実に抑制でき
るということに着眼したものである。

この発案の効果を確認すべく、本発明者らはまず前記第
４図に係る接合治具３を改良して電圧印加開始時には半
導体ウェハ１とガラスウェハ２との接合面中央部のみに
静電力が作用すなわちガラスウェハ２の電圧印加面２ｂ
、中央部のみに接する面積の小さな接合治具を用い、静
電接合が中央部から周縁部に向けて実際に進行していく
事実を次のような実験により把握した。

第７図にそのセツティング図を示し、半導体ウェハ１と
ガラスウェハ２とを温度３６０℃、電圧８００ｖで静電
接合させるというものである。

ここで、上記着眼点に基づきガラスウェハ２の電圧印加
面２ａに電源４からの電圧を印加するための静電接合治
具５は、図より明らかなようにそのガラスウェハ２への
当接面５ａが約４Ｉｌｌ１２程度の極めて細い円柱状に
形成されており、この静電接合治具５がガラスウェハ２
の電圧印加面２ａ中央部に載置されている。なお、この
静電接合治具５はステンレス材からなり、また半導体ウ
ェハ１は口径７６．２ｍｍ（３インチ）、厚さ４５０μ
ｍのＮ導電型のシリコンが用いられている。

この状態から電源４により接合治具５を介してガラスウ
ェハ２の電圧印加面２ａに約５分間電圧を印加したとこ
ろ、半導体ウェハ１とガラスウェハ２との接合面１ｂお
よび２ｂは接合治具５の当接位置に対応する中央域にお
いて接合不良域が生じることなく極めて良好に静電接合
されていることを確認した。そして、更に電圧印加時間
を延長することにより周縁部に近いところまで問題なく
所望の接合がなされることを見出した。

ところが、この方法においては接合治具５の径が極めて
小さいために、これらの中央部に載置しただけではその
周縁部に向うに従って静電接合作用は弱小化する傾向が
必然的に生じ、完全に両部材１および２の接合面１ｂお
よび２ｂ周端部にまで良好な接合作用を持続進行させる
ことは不可能である。

また、半導体ウェハとガラスウェハとの口径がより大き
な場合などでは中央部に置かれた狭小接合治具からの静
電接合作用が周端部にまで伝播して接合作用が完了する
までの時間が長びき、迅速に周縁部までの静電接合を終
了させることが困難になるという問題がある。

なお、この第７図に係る装置の課題を考慮した時、接合
治具５の接触面５ａの面積を大きくすることで静電接合
に費す時間を多少短縮でき、中央部から周縁部に至る接
合作用を良好に遂行し得るのではないかとの推測も可能
である。しかしながら、前記接合面５ａの外径が３０Ｉ
ＩＩＩＩｌ程度を超えると逆に該接合治具の中央部に小
さな接合不良域が生じ易くなるため適当ではない。

以上のような実験結果に鑑み本発明者らは半導体ウェハ
とガラスウェハとの静電接合を接合不良域の発生を確実
に排除しつつ短時間で必ず中央部から周縁部に向かって
進行完了させるという課題を念頭におき、次述の如くし
て絶縁体ウェハの電圧印加面と接する部分の面積が時間
の経過に伴って中央部から周縁部へと拡大させる構成と
し、そのための作動機構を備えた２つの型式の静電接合
治具を発案したものである。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために本発明は、絶縁体ウェハの電
圧印加面に対する電圧印加をその中央部に所定の小径を
もって開始し、時間の経過と共に該中央部から周縁部に
向けて拡大としたことにある。

本願請求項（１）に記載の発明に係る静電接合治具は、
半導体ウェハ上に載置された絶縁体ウェハに対して電圧
を印加し、両者を静電接合させるための静電接合治具に
おいて、 前記絶縁体ウェハの電圧印加血中央部に対向して近接配
置される中央部電極と、 前記中央部電極を包囲するようリング状に形成された少
なくとも一の周縁部電極と、 絶縁体ウェハに対する電圧印加の際に時間の経過に伴な
って該絶縁体ウェハの電圧印加面への当接電極を中央部
電極から周縁部電極へと移行切替する電極駆動機構と、
を含むことを特徴とする。

また、請求項（２）に記載の発明に係る静電接合治具は
、半導体ウェハ上に載置された絶縁体ウェハに対して電
圧を印加し、両者を静電接合させるための静電接合治具
において、 電圧印加時に生じる静電力により前記絶縁体ウェハの電
圧印加面に吸引接触することのない間隙をもって該絶縁
体ウェハ上方に保持された金属性ダイヤフラムと、 電圧印加の際に前記ダイヤフラムが絶縁体ウェハの電圧
印加面に当接する領域を時間の経過に伴なってその中央
部から周縁部へと拡大していくようダイヤフラムを加圧
するための圧力調整手段と、を含むことを特徴とする。

以下、その具体的な詳細構成を説明する。

本願請求項（１）記載の発明に係る静電接合治具は、絶
縁体ウェハの電圧印加面中央に載置される中央部電極と
、該中央電極を取り巻くリング状に形成された導電材か
らなる少なくとも１の周縁部電極とからなり、更に電圧
印加に際して時間の経過と共に絶縁体ウェハの電圧印加
面への当接電極を中央部電極から周縁部電極へと移行切
替するための電極駆動機構を含む。

そして、電圧印加に際しては前述のごとくまず前記中央
部電極のみが絶縁体ウェハの電圧印加面に当接操作され
、その後時間の経過と共により外側の周縁部電極を絶縁
体ウェハの電圧印加面に接触させていく。このとき、接
合不良域の発生を防ぐためには中央から周縁という電極
の操作方向は守らなければならないが、より外側の周縁
部電極が接触操作された時にはその内側にある電極は必
ずしも絶縁体ウェハと接触させておく必要はない。

また、上記各電極を切替駆動操作する駆動機構としては
機械的または電気的いずれの手段をも使用可能である。

次に、請求項（２）に記載の発明に係る静電接合治具は
、上記第１型式のように複数個の独立駆動される電極で
はなく、電圧印加によりその撓み量が増加して絶縁体ウ
ェハの電圧印加面への接触領域が中央部から周縁部へと
拡大していくような可撓性金属材料からなる単一のダイ
ヤフラムを用いる。

このダイヤフラムは電圧印加時に絶縁体ウェハとの間に
発生する静電引力によって絶縁体ウェハに接してしまう
ことのない所定間隙を介して保持されている。

そして、本型式の発明においてもダイアフラムに圧力を
印加するための手段が設けられ、これによって電圧印加
開始時には前記ダイアフラムが絶縁体ウェハの電圧印加
開始時間に所定の狭小面積をもって接するように所定の
圧力をダイアフラムに加え、時間の経過と共にダイアフ
ラムと電圧印加面との接触面積を中央部から周縁部に向
けて拡大せてゆくことができる。

［作用］ 以上のごとく構成される本発明によれば、電圧印加の際
に中央電極またはダイヤフラムの中央部分のみが絶縁体
ウェハの電圧印加に所定の狭小な外接円の径をもって接
しているに過ぎない。したがって、接合面に作用する静
電力はほぼ中央部に集中し、静電接合される領域は中央
部から徐々に周縁部に向って進行していく。しかし、接
合面の中央部には電界が作用しないため、静電接合が周
縁部に向って進行する速度は律速されていくことになる
。

そして、本願請求項（１）記載の発明によれば、中央部
電極の外側にある周縁部電極が電圧印加面と接すること
により、また請求項（２）記載の発明においては、ダイ
ヤフラムに加える圧力を増し電圧印加面と接するダイヤ
フラムの面積を増大させることにより静電接合のなされ
る領域の周縁部への進行が再び増長される。

そして、更に時間が経過するに伴って第１型式の発明に
おいては更に外側の周縁部電極を電圧印加面と接するよ
うにし、また第２型式の発明においては更にダイヤフラ
ムに加える圧力を増して電圧印加面と接するダイヤフラ
ム面積をより拡大させていくことで接合不領域を生じさ
せることなく良好な静電接合領域を周端部にまで−通り
完遂させることができる。

なお、静電接合が−通り周縁部にまで至ったと判断され
れば、製造される半導体製品の特性に悪影響を及ぼさな
い範囲で電圧を上げてより信頼性の高い静電接合を得る
ようにしてもよいことはいうまでもない。

［発明の効果コ 以上説明したように本発明によれば、半導体ウェハに静
電接合をされる絶縁体ウェハの電圧印加面に対する接触
領域が電圧印加開始時間の経過に伴って中央部から周縁
部に向けて拡大させていく構成としたので、半導体ウェ
ハと絶縁体ウェハとの接合界面における気泡状あるいは
半導体ウェハの局部的な凸部あるいは亀裂などとして観
察される接合不領域の発生は最小限に抑制され、極めて
信頼性の高い半導体製品を得ることができる。

さらに、半導体ウェハと絶縁体ウェハとの静電接合に費
やす時間も、従来方法のようにただ受動的に周縁部に広
がるのを待つというものではないために大幅に短縮でき
、製造される半導体製品のコストに影響を及ぼすことも
ない。

［実施例］ 以下、図面に基づき本発明の好適な実施例を説明する。

第１図は本発明の第１型式に係る静電接合治具を用いて
半導体ウェハと絶縁材であるガラスウェハとを静電接合
する際における電圧印加開始前のセツティング状態を示
し、同図（Ａ）は正面図、第（Ｂ）はそのＩ−１＝断面
である。

図において、ステンレス材料からなる正の電極板３０上
に該電極板３０と電気的接続をなすようシリコンウェハ
１０が載置されている。口径が７６．２１１１ｍ（３イ
ンチ）、厚さが４５０．ｃｚｍのＮ伝導型シリコンウェ
ハ１０はその主表面１０ａ上に複数個形成された不図示
の電気回路を含む。

他方、口径が約７６．２ｍｍ５厚さがＩＬＩｌｆｆｌの
バイレックスガラスウェハ２０はその接合面２０ｂが前
記シリコンウェハ１０の接合面１０ｂと重合するよう載
置されている。

本実施例において特徴的なことは、上記のごとくセット
された被接合材料への電圧印加を同心円状に配設された
複数の電極の切替駆動によって電圧印加面の中央部から
周縁部へと時間の経過と共に電圧印加領域を拡大させて
いく構成にある。

すなわち、前記重合されたシリコンウェハ１０およびパ
イレックスガラスウェハ２０上方には直径１０ｍｍの円
柱状中央部電極３１、該中央部電極、を取り巻くようリ
ング状に形成された第１周内部電極３２および該第１周
内部電極３２のさらに外側に形成された第２周内部電極
３３からなる三段構成の同心円状電極部が配設されてい
る。前記３個の各電極はいずれもステンレス材が用いら
れ、この内箱１および周縁部電極には該３個の電極に電
源５０から負の電圧を供給する耐熱リード線３１０〜３
３ｃを接続するための孔部３２ｓおよび３３ｓが形成さ
れている。

前記３個の同心状電極３１〜３３の中央部にはそれぞれ
の電極と係合するつば部３０１〜３０３が形成された単
一の軸８０が貫設されている。

軸８０の上方部にはねじ歯車８８が切られており、また
その上端部はコイルバネ２０１を介して支持板２００に
弾力固定されている。

前記軸８０のねじ歯車８８側方でレバー９０にて操作さ
れる歯車８９が噛合する。レバー９０を図の矢印方向に
操作すると歯車８９が反時計方向に回転して軸８０を下
方に移動させ、操作量に応じて各つば部３０１〜３０３
と係合する中央部電極３１〜３３がパイレックスガラス
ウェハ２０の電圧印加面２０ａと当接されることになる
。また、レバー９０を逆方向に操作すれば同様にその操
作量に応じて各電極３１〜３３が上方に移動することに
なる。

次に動作を説明する。

まず、電圧印加開始時は既述の理由から中央部電極３１
のみをパイレックスガラスウェハ２０の電圧印加面２０
ａに当接させるのであるが、これはレバー９０を図の矢
印方向に所定量移動操作することによって軸８０が下方
に移動し、それまで該軸８０のつば部３０１によって電
圧印加面２０ａから非接触状態に保持されていた中央部
電極３１が鉛直方向に低下移動し、つば部３０１による
保持から外れて図のように電圧印加面２０ａ上に載置す
る形になる。

この結果、電源５０より約１ｏｏｏｖの電圧が中央部電
極３１からパイレックスガラスウェハの電圧印加面２０
ａに供給され、シリコンウェハ１０とパイレックスガラ
スウェハ２０とはその中央部から静電接合がなされ、徐
々に周縁部に向けて進む。

なお、この時第１周縁部電極３２と第２周縁部電極３３
とはそれぞれ軸８０のつば部３０２および３０３にて電
圧印加面２０ａに接することなきよう保持されている。

そして、約１分間が経過すると接合不良域は中央部電極
３１の面３１ａよりもかなり大きくなっている。この状
態から再びレバー９０を同方向に操作し、軸８０をより
下方に移動させることによって第１周縁部電極３２を電
圧印加面２４に接触させて、静電力の作用する領域を広
げ、さらに接合領域を拡大していく。このときも第２周
縁部電極３３はっは部３０３にて保持されており、電圧
印加面２０ｇとは非接触状態にある。

さらに約１分間経過後、接合領域は接合不良域を生成す
ることなくほぼ周縁部近傍にまで進行している。そして
、更にレバー９０を操作して軸８０を下方に移動させ、
第２周内部電極３３の面３３ａを電圧印加面２４に接触
させることにより静電接合作用は完全に両材料の接合面
周端部にまで行き渡り、電圧印加開始から約３分以内に
滞りなく静電接合が終了することになる。

なお、本実施例では電極駆動機構として歯車を用いた機
械的方法を示したが、同様の作用を果すものであれば他
の機械的方法あるいは電気的方法も使用可能であること
はいうまでもない。

また、図示例では口径３インチのシリコンウェハ１０と
パイレックスガラスウェハ２０との組合せを被接合材と
して採用したが、こうした寸法に特に限定される必要は
なく、材料の大きさに応じて中央部電極および周縁部電
極の形状や大きさ、そして周縁部電極の数を適宜変更可
能である。

第２図に本発明に係る第２型式の静電接合治具を用いて
上記第１実施例同様シリコンウェハ１０とパイレックス
ガラスウェハ２０との静電接合工程を示す。同図（Ａ）
は電圧変化前、（Ｂ）は電圧印加開始時、そして（Ｃ）
は電圧印加終了時の状態をそれぞれ示す。なお、静電接
合時の温度、ｍ１５０より印加される電圧および正の電
極板の材料、形状等については前記第１一実施例と同様
であるためその説明を省略する。

本実施例において特徴的なことは、第１実施例における
複数の同心円状電極の代りに単一のダイアフラムベロー
をパイレックスガラスウェハ２０の電圧印加面２０ａへ
の電圧供給手段として用いたことにある。すなわち同図
（Ａ）において、重合された半導体ウェハ１０とパイレ
ックスガラスウェハ２０上方にその距離Ｊｌ　−１ａｕ
ｉを隔てて厚さ５０μｍのステンレス材からなるダイア
フラムベロー４１が配設されており、該ダイアフラムベ
ロー４１は外径１００ｍｍ、肉厚約２．５ｍｍのステン
レス材からなるパイル９５に設けたつば部９６に溶接固
定されている。

同図（Ａ）の電圧印加前の状態において、ダイアフラム
ベロー４１は電圧印加面２０ａに接することなく上述の
ごとく距離１−１ｆｆｌ麿を隔てて保持されており、こ
れによって電源５０より１口００ｖの電圧が印加されて
も静電力の作用によりダイアフラムベロー４１とパイレ
ックスガラスウェハ２０の電圧印加面２０ａとが接触す
ることはない。

こうした状態から次に同図（Ｂ）の電圧印加開始状態に
移行し、パイル９５を介してダイアフラムベロー４１に
対して電圧印加面２０ａと約直径ｄｌ＝１０ｍｍで接す
るよう不図示の圧力調整弁により１ｋｇ−ｆ／ｃｍ２の
圧力Ｐｉを加えていく。

この結果、シリコンウェハ１０とパイレックスガラスウ
ェハ２０との接合領域は接合不良域を生ずることのなく
中央部から徐々に周縁部に向う。

そして、ダイアフラムベロー４１に加える圧力を増して
行き、電圧変化開始後約２分経過後の同図（Ｃ）におけ
る電圧印加終了時点では圧力調整弁によりダイアフラム
ベロー４１に約４ｋｇ−ｆ／ｃＩ０２の圧力Ｐ２が加え
られた状態となり、ダイアフラムベロー４１と電圧印加
面２０ａとの接触部が直径ｄ２−約７０ｍａとなるよう
操作した。この結果、接合不良域が生成されることなく
完全に周縁部に至るまで完璧な静電接合達成できること
を確認した。

以上説明したように、上記両実施例に係る本発明の静電
接合治具により、比較的短時間で接合不良時の発生を招
くことなく信頼性の高い半導体ウェハと絶縁体ウェハと
の静電接合が実現できる。

第３図に本発明の前記第１型式に係る静電接合治具の変
型例を示す。なお、図中第１実施例と同等の構成要素に
は同一符号を付し、その説明を省略する。

本実施例において特徴的なことは、第１実施例のように
時間の経過と共に電極を切替え駆動操作するのでなく、
同心円状に配列された複数段の電極は予め絶縁体ウェハ
上に載置状態におき、電極そのもののを移動させること
なく電圧印加対象となる電極を中央部から周縁部へと時
間の経過と共にスイッチ操作で切り替えていく構成にあ
る。

すなわち、図において第１実施例同様中央部電極３１゛
、第１および第２周縁部電極３２′および３３′が同心
円状に組み合された電圧印加手段が配設されているが、
これらは電圧印加開始前に既にパイレックスガラスウェ
ハ２０上に直接載置状態にある。もちろん材質は同様に
ステンレスである。そして、これら各電極３１゛〜３３
′はそれぞれ約２ＩＩ１１の間隙をもって互いに電気的
に絶縁されている。

この状態から、電圧印加開始時には中央部電極３１″に
のみ負の電圧が印加されるようスイッチＳ１を入れ、所
定の時間が経過すると共にスイッチＳ２、スイッチＳ３
を順にオンしてゆき、中央から周縁部に向って静電接合
を行わせていく。

従って、前記第１実施例では本発明の第１型式の静電接
合治具が中央電極と周縁部電極とを順次ガラスウェハに
接触させるための作動機構を備えるように記載したが、
本実施例のように電圧変化に先立ちガラスウェハの電圧
印加面に中央部電極とすべての周縁部電極とを載置状態
におき、電圧変化に際しては電気的方法による簡単な切
替で静電接合作用を拡大していくように構成しても接合
不良域の発生を確実に抑制でき、短時間で静電接合作用
を完了できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１型式に係る静電接合治具を用いて
行う静電接合の第１実施例を示す正面図および平面図、 第２図は本発明の第２型式に係る静電接合治具を用いて
行う静電接合の第２実施例を示す工程図、第３図は本発
明の第１形式に係る静電接合治具の変型例を示す図、 第４図は従来の静電接合治具を用いたセツティング図、 第５図は従来の静電接合治具を用いて静電接合したサン
プルの平面図および正面図、 第６図は問題となる接合不良域が生成される原因を示す
説明図、 第７図は本発明の静電接合治具に至る着眼点を示す静電
接合のセツティング図である。 １０　・・・　半導体ウェハ １０ｂ　・・・　半導体ウェハの静電接合面２０　・・
・　ガラスウェハ ２０ａ　　・・・　ガラスウェハの電圧印加面２０ｂ　
　・・・　ガラスウェハの静電接合面３０　・・・　正
の電極板 ３１　・・・　中央部電極 ３２．３３　・・・　周縁部電極 ４１　・・・　金属ダイアフラムベロー５０　・・・　
電源 ８０・・・軸 ９０　・・・　レバー ９５　・・・　バイブ １００　　・・・　接合不良域 ２００　・・・　支持板 ２０１　・・・　コイルバネ 木戸か第２型人り琳り胛電持合方Ｊｒ溺・・２行う静Ｃ
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Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体ウェハ上に載置された絶縁体ウェハに対し
   て電圧を印加し、両者を静電接合させるための静電接合
   治具において、 前記絶縁体ウェハの電圧印加面中央部に対向して近接配
   置される中央部電極と、 前記中央部電極を包囲するようリング状に形成された少
   なくとも一の周縁部電極と、 絶縁体ウェハに対する電圧印加の際に時間の経過に伴な
   って該絶縁体ウェハの電圧印加面への当接電極を中央部
   電極から周縁部電極へと移行切替する電極駆動機構と、
   を含むことを特徴とする静電接合治具。
2. （２）半導体ウェハ上に載置された絶縁体ウェハに対し
   て電圧を印加し、両者を静電接合させるための静電接合
   治具において、 電圧印加時に生じる静電力により前記絶縁体ウェハの電
   圧印加面に吸引接触することのない間隙をもって該絶縁
   体ウェハ上方に保持された金属性ダイヤフラムと、 電圧印加の際に前記ダイヤフラムが絶縁体ウェハの電圧
   印加面に当接する領域を時間の経過に伴なってその中央
   部から周縁部へと拡大していくようダイヤフラムを加圧
   するための圧力調整手段と、を含むことを特徴とする静
   電接合治具。