JPS5929421A - マスクの製作方法 - Google Patents
マスクの製作方法Info
- Publication number
- JPS5929421A JPS5929421A JP57140045A JP14004582A JPS5929421A JP S5929421 A JPS5929421 A JP S5929421A JP 57140045 A JP57140045 A JP 57140045A JP 14004582 A JP14004582 A JP 14004582A JP S5929421 A JPS5929421 A JP S5929421A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- mask
- substrate
- sapphire substrate
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はマスク製作方法、とくにイオンビーム露光用マ
スク製作方法に関するものである。
スク製作方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子の微細化にともガい、リングラフィ技術の微
細化が進められている。その中でイオンビーム露光は、
電子ビームのような散乱がないこと、Ｘ線と異なりコリ
メート可能な像源があることから、微細加工用リングラ
フィとして注目されている。しかし、マスクを用いるイ
オンビーム露光では、マスクの製作方法とその精度が問
題となる。第１図にマスクの１例を示す。通常マスクは
Ｓｉ基板１上にＳｉＯ２膜２を形成し、たとえば人Ｕ薄
膜を用いて所定図形３を形成した後、 Ｓｉ基板１を裏
面よりエツチングすることにより製作される。このよう
なマスクを用いてイオンビーム露光を行う場合、ＳｉＯ
２膜２中での多重散乱（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｓｅａ−ｔ
ｔｅｒｉｎｇ）により解像度が制限される。またこの多
重散乱の効果を最小に抑えるために、５ｉＯｚ膜２を薄
くシ、マスクとウェハー間の距離を小さくする必要があ
るが、光学的な限界が存在する。多重散乱を防ぐだめに
、５１０２膜２に代えてＳｉ単結晶薄膜を用いることも
可能であるが、薄いＳｉ単結晶をエツチングにより形成
することは困難である。
細化が進められている。その中でイオンビーム露光は、
電子ビームのような散乱がないこと、Ｘ線と異なりコリ
メート可能な像源があることから、微細加工用リングラ
フィとして注目されている。しかし、マスクを用いるイ
オンビーム露光では、マスクの製作方法とその精度が問
題となる。第１図にマスクの１例を示す。通常マスクは
Ｓｉ基板１上にＳｉＯ２膜２を形成し、たとえば人Ｕ薄
膜を用いて所定図形３を形成した後、 Ｓｉ基板１を裏
面よりエツチングすることにより製作される。このよう
なマスクを用いてイオンビーム露光を行う場合、ＳｉＯ
２膜２中での多重散乱（ｍｕｌｔｉｐｌｅ ｓｅａ−ｔ
ｔｅｒｉｎｇ）により解像度が制限される。またこの多
重散乱の効果を最小に抑えるために、５ｉＯｚ膜２を薄
くシ、マスクとウェハー間の距離を小さくする必要があ
るが、光学的な限界が存在する。多重散乱を防ぐだめに
、５１０２膜２に代えてＳｉ単結晶薄膜を用いることも
可能であるが、薄いＳｉ単結晶をエツチングにより形成
することは困難である。
発明の目的
本発明は上述した問題点を解決するもので、本発明は多
重散乱のないマスクの製作方法を提供せんとするもので
ある。
重散乱のないマスクの製作方法を提供せんとするもので
ある。
発明の構成
本発明は、所定材料の基板上に異結晶薄膜を成長させ、
前記薄膜上に金属で所定図形を形成した後、前記図形部
の基板を選択除去する工程をそなえだマスクの製作方法
である。
前記薄膜上に金属で所定図形を形成した後、前記図形部
の基板を選択除去する工程をそなえだマスクの製作方法
である。
実施例の説明
第２図に本発明の実施例を示す。サファイヤ基板４上に
厚さ０．５μｍのＳｉ単結晶薄膜５を成長させる。次に
、リフトオフあるいはドライエツチングによシ人Ｕ蒸着
膜を用いて所定図形６を形成する（第２図（ａ））。最
後にサファイヤ基板４の一部、すなわち、前記図形６の
部分を熱リン酸を用いて選択的にエツチングする（第２
図Φ））。ことで、このエツチング液はＳｉを溶解しな
いので、Ｓｉ薄膜５はエツチングされずに残存する。そ
して、周辺に残されたサファイヤ基板４が枠体となる。
厚さ０．５μｍのＳｉ単結晶薄膜５を成長させる。次に
、リフトオフあるいはドライエツチングによシ人Ｕ蒸着
膜を用いて所定図形６を形成する（第２図（ａ））。最
後にサファイヤ基板４の一部、すなわち、前記図形６の
部分を熱リン酸を用いて選択的にエツチングする（第２
図Φ））。ことで、このエツチング液はＳｉを溶解しな
いので、Ｓｉ薄膜５はエツチングされずに残存する。そ
して、周辺に残されたサファイヤ基板４が枠体となる。
このマスクを用いてイオンビーム露光を行えば、入射イ
オンは＆中をチャネリングにより通過するので散乱がな
く解像度がよい。Ｓｉ薄膜５とサファイヤ基板４との界
面付近でＳｉ薄膜６の結晶性が悪く、イオンが散乱され
る場合には、サファイヤ基板４をエツチングで除去した
後、 Ｓｉ薄膜５をＱ・１〜α２μｍエツチングして、
その結晶性の悪い部分を除去すればよい。この製作法を
用いれば、イオンの透過部となるＳｉ薄膜５は、エピタ
キシャル成長で形成するだめ、薄膜を精度よく形成でき
、しかもサファイヤ基板４のエツチングにＳｉ薄膜５は
エッチされないような選択性のあるエツチング液を用い
ることによｐ、Ｓｉ薄膜５はそのまま残存する。
オンは＆中をチャネリングにより通過するので散乱がな
く解像度がよい。Ｓｉ薄膜５とサファイヤ基板４との界
面付近でＳｉ薄膜６の結晶性が悪く、イオンが散乱され
る場合には、サファイヤ基板４をエツチングで除去した
後、 Ｓｉ薄膜５をＱ・１〜α２μｍエツチングして、
その結晶性の悪い部分を除去すればよい。この製作法を
用いれば、イオンの透過部となるＳｉ薄膜５は、エピタ
キシャル成長で形成するだめ、薄膜を精度よく形成でき
、しかもサファイヤ基板４のエツチングにＳｉ薄膜５は
エッチされないような選択性のあるエツチング液を用い
ることによｐ、Ｓｉ薄膜５はそのまま残存する。
上記実施例では、基板としてサファイヤ、単結晶薄膜と
してＳｉを用いた場合について述べだが、基板、単結晶
薄膜とも別の材料を用いることができるのはいう壕でも
ない。たとえば、基板としてＧａＡｓ、単結晶薄膜とし
て髄の組み合せが可能である。さらに基板としてＧａＡ
ｓ、単結晶薄膜としてｃｒ＆人１人ＳやＩｎｅａＡｓを
用いるというように、２元化合物と３元化合物との組み
合せでも可能である。
してＳｉを用いた場合について述べだが、基板、単結晶
薄膜とも別の材料を用いることができるのはいう壕でも
ない。たとえば、基板としてＧａＡｓ、単結晶薄膜とし
て髄の組み合せが可能である。さらに基板としてＧａＡ
ｓ、単結晶薄膜としてｃｒ＆人１人ＳやＩｎｅａＡｓを
用いるというように、２元化合物と３元化合物との組み
合せでも可能である。
薄膜上に所定図形を形成する材料としては、イオン阻止
能の大きいものであればよ（、Ａｕ以外にＰｔ、 Ａｇ
などの重金属を用いることができる。
能の大きいものであればよ（、Ａｕ以外にＰｔ、 Ａｇ
などの重金属を用いることができる。
発明の効果
以上に述べたように、本発明は所定材料の基板上に異結
晶薄膜を成長させ、前記薄膜上に金属で所定図形を形成
した後、前記図形部の前記基板を選択除去する工程をそ
なえたマスクの製作方法であって、本発明によシ、多重
散乱のない、解像度の高いイオンビーム露光用マスクを
、高精度かつ容易に製作することができる。
晶薄膜を成長させ、前記薄膜上に金属で所定図形を形成
した後、前記図形部の前記基板を選択除去する工程をそ
なえたマスクの製作方法であって、本発明によシ、多重
散乱のない、解像度の高いイオンビーム露光用マスクを
、高精度かつ容易に製作することができる。
第１図は従来例によるマスクの断面図、第２図（ＩＬ）
、 （ｂ）は本発明によるマスクの製作方法を示す工程
断面図である。 ４・・・・・・サファイヤ基板、５・・・・・・Ｓｉ単
結晶、６・・・・・・ムＵパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１０
Ｃ 第１図 第２図
、 （ｂ）は本発明によるマスクの製作方法を示す工程
断面図である。 ４・・・・・・サファイヤ基板、５・・・・・・Ｓｉ単
結晶、６・・・・・・ムＵパターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１０
Ｃ 第１図 第２図
Claims (1)
- （１）所定材料の基板上に異結晶薄膜を成長させ、前記
薄膜上に金属で所定図形を形成した後、前記基板の中心
部分を選択除去することを特徴とするマスクの製作方法
。 翰）基板がザファイヤ基板で、薄膜がシリコン単結晶膜
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のマ
スクの製作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140045A JPS5929421A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | マスクの製作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57140045A JPS5929421A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | マスクの製作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5929421A true JPS5929421A (ja) | 1984-02-16 |
Family
ID=15259692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57140045A Pending JPS5929421A (ja) | 1982-08-11 | 1982-08-11 | マスクの製作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5929421A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005321070A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nok Corp | 密封装置 |
-
1982
- 1982-08-11 JP JP57140045A patent/JPS5929421A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005321070A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Nok Corp | 密封装置 |
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