JPH0243707B2 - - Google Patents
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- JPH0243707B2 JPH0243707B2 JP57217898A JP21789882A JPH0243707B2 JP H0243707 B2 JPH0243707 B2 JP H0243707B2 JP 57217898 A JP57217898 A JP 57217898A JP 21789882 A JP21789882 A JP 21789882A JP H0243707 B2 JPH0243707 B2 JP H0243707B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/53—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone involving the removal of at least part of the materials of the treated article, e.g. etching, drying of hardened concrete
- C04B41/5338—Etching
- C04B41/5353—Wet etching, e.g. with etchants dissolved in organic solvents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/91—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics involving the removal of part of the materials of the treated articles, e.g. etching
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
- H05K2203/1105—Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
- H05K3/181—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
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- Ceramic Products (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は粗面化のためにアルカリ金属水酸化物
溶液で処理し、次いでこのように処理された材料
を加熱し、引き続き化学メツキ及び場合により電
気メツキすることによりセラミツク材料を接着強
固に金属化する方法に関する。
溶液で処理し、次いでこのように処理された材料
を加熱し、引き続き化学メツキ及び場合により電
気メツキすることによりセラミツク材料を接着強
固に金属化する方法に関する。
非導電性対象物を金属化するために化学的金属
化法を使用することは公知である。しかしなが
ら、十分大きな接着強度を得るためには、この対
象物の表面を機械的又は化学的に粗面にする必要
がある。このことはプラスチツクにおいては主に
表面の酸性酸化的溶解により行なわれる。
化法を使用することは公知である。しかしなが
ら、十分大きな接着強度を得るためには、この対
象物の表面を機械的又は化学的に粗面にする必要
がある。このことはプラスチツクにおいては主に
表面の酸性酸化的溶解により行なわれる。
電気工学中、特に電子工学においてかなり長時
間セラミツク材、例えば酸化アルミニウム、酸化
ベリリウム、フエライト、チタン酸バリウム並び
に石英又は硼珪酸塩を使用してきた。エナメルペ
イントも含むこれら対象物の表面は酸化的に腐食
されないので、従来の方法では粗面化することが
できない。
間セラミツク材、例えば酸化アルミニウム、酸化
ベリリウム、フエライト、チタン酸バリウム並び
に石英又は硼珪酸塩を使用してきた。エナメルペ
イントも含むこれら対象物の表面は酸化的に腐食
されないので、従来の方法では粗面化することが
できない。
酸化アルミニウム−セラミツクの粗面化のため
の公知法はアルカリ金属水酸化物の溶融物中でこ
の種の対象物を処理することである。このような
溶融物中に対象物を入れることにより表面は十分
に溶け、こうして粗面となり、メタルイオンを芽
晶させることにより相応して活性化させた後、接
着強固な化学的金属化が可能となる。
の公知法はアルカリ金属水酸化物の溶融物中でこ
の種の対象物を処理することである。このような
溶融物中に対象物を入れることにより表面は十分
に溶け、こうして粗面となり、メタルイオンを芽
晶させることにより相応して活性化させた後、接
着強固な化学的金属化が可能となる。
この方法の欠点は対象物を溶融物から引き出し
た後、非常に多くのアルカリ金属水酸化物を伴出
するという事実である。更に、この腐食性の溶融
物は白金以外のすべての公知の坩堝材料を強く腐
食する。更に、溶融物は作業中に増々セラミツク
材料の表面から溶出したアルミニウムに富み、こ
のことは融点の上昇、従つて高いエネルギーを導
入しなければならないようになる。
た後、非常に多くのアルカリ金属水酸化物を伴出
するという事実である。更に、この腐食性の溶融
物は白金以外のすべての公知の坩堝材料を強く腐
食する。更に、溶融物は作業中に増々セラミツク
材料の表面から溶出したアルミニウムに富み、こ
のことは融点の上昇、従つて高いエネルギーを導
入しなければならないようになる。
従つて、本発明の課題は不必要な伴出による損
失を回避し、更にエネルギーを節約する方法でセ
ラミツク材料を接着強固に金属化することを可能
とする方法を見い出すことである。
失を回避し、更にエネルギーを節約する方法でセ
ラミツク材料を接着強固に金属化することを可能
とする方法を見い出すことである。
この課題は冒頭に記載した種類の方法により解
決し、この方法は材料を温度80〜120℃でアルカ
リ金属水酸化物飽和水溶液で処理し、引き続き
300〜600℃に加熱することよりなる。
決し、この方法は材料を温度80〜120℃でアルカ
リ金属水酸化物飽和水溶液で処理し、引き続き
300〜600℃に加熱することよりなる。
この方法の特別な実施態様は、材料をアルカリ
金属水酸化物処理後、500℃で加熱することより
なる。
金属水酸化物処理後、500℃で加熱することより
なる。
本発明による方法は公知法にくらべて、工業的
に非常に費用のかかるアルカリ金属水酸化物溶融
物を使用せずに粗面工程を可能とする利点を有す
る。
に非常に費用のかかるアルカリ金属水酸化物溶融
物を使用せずに粗面工程を可能とする利点を有す
る。
本発明により担持させたアルカリ金属水酸化物
の量は次の加熱工程の際に表面の化学的溶解に使
用される量に実質的に一致し、これによりそれ以
上の不利な表面腐食は行なわれないというもう一
つの利点がある。こうして、場合により処理の後
まで付着しているアルカリ金属水酸化物は非常に
僅かな量であるために洗浄工程は容易であるので
アルカリ金属水酸化物及び洗浄水の節約につなが
る。
の量は次の加熱工程の際に表面の化学的溶解に使
用される量に実質的に一致し、これによりそれ以
上の不利な表面腐食は行なわれないというもう一
つの利点がある。こうして、場合により処理の後
まで付着しているアルカリ金属水酸化物は非常に
僅かな量であるために洗浄工程は容易であるので
アルカリ金属水酸化物及び洗浄水の節約につなが
る。
更に、特開昭47−11652号公報にはアルカリ金
属水酸化物の溶融物を使用しない方法が開示され
ている。ところがこの方法によれば、セラミツク
を希アルカリ金属水酸化物溶液で予め清浄化し、
水洗した後、濃金属水酸化物溶液で処理し、更に
水を除去するために温度170℃に加熱し、引き続
き318℃〜約1000℃、有利に450℃〜約500℃の温
度に加熱している。
属水酸化物の溶融物を使用しない方法が開示され
ている。ところがこの方法によれば、セラミツク
を希アルカリ金属水酸化物溶液で予め清浄化し、
水洗した後、濃金属水酸化物溶液で処理し、更に
水を除去するために温度170℃に加熱し、引き続
き318℃〜約1000℃、有利に450℃〜約500℃の温
度に加熱している。
一方、本発明においては材料を予め清浄化する
ことなく、第１の工程で低い温度、すなわち80〜
120℃で処理し、引き続き第２の工程で300℃〜
600℃に加熱する。従つて、本発明による方法は
煩わしい前清浄化の処置を回避すると共に、十分
に低い温度によりエネルギーを倹約するという利
点を有している。
ことなく、第１の工程で低い温度、すなわち80〜
120℃で処理し、引き続き第２の工程で300℃〜
600℃に加熱する。従つて、本発明による方法は
煩わしい前清浄化の処置を回避すると共に、十分
に低い温度によりエネルギーを倹約するという利
点を有している。
更にその効果を見ると、本発明による方法は工
業的に優れており、意外にも接着強度約３〜５
Kg／インチ（Inch＝25.40mm）でセラミツク材料
上に金属層を生ぜしめる。
業的に優れており、意外にも接着強度約３〜５
Kg／インチ（Inch＝25.40mm）でセラミツク材料
上に金属層を生ぜしめる。
本発明の実施例において得られた接着強度５
Kg／インチ（＝1.9685Kg／cm）は公知技術で得ら
れた接着強度1.072〜1.429Kg／cm（特開昭47−
11652号明細書第２項下段右欄、第13行参照）に
くらべても十分に大きい。
Kg／インチ（＝1.9685Kg／cm）は公知技術で得ら
れた接着強度1.072〜1.429Kg／cm（特開昭47−
11652号明細書第２項下段右欄、第13行参照）に
くらべても十分に大きい。
本発明による方法は酸化アルミニウム、酸化ベ
リリウム、フエライト、チタン酸バリウム、石
英、珪酸塩等を基礎とするセラミツク材料の金属
化法に非常に好適である。
リリウム、フエライト、チタン酸バリウム、石
英、珪酸塩等を基礎とするセラミツク材料の金属
化法に非常に好適である。
アルカリ金属水酸化物溶液としては水酸化ナト
リウム及び水酸化カリウムの水溶液を使用するこ
とができ、該溶液は飽和濃度を示すのが有利であ
る。
リウム及び水酸化カリウムの水溶液を使用するこ
とができ、該溶液は飽和濃度を示すのが有利であ
る。
本発明による方法の実施は本発明において使用
すべき溶液で金属化する材料を浸漬、洗浄又は湿
潤させることにより行なわれる。処理時間は溶液
の濃度及び材料の表面粗面度により、約10秒〜２
分間である。
すべき溶液で金属化する材料を浸漬、洗浄又は湿
潤させることにより行なわれる。処理時間は溶液
の濃度及び材料の表面粗面度により、約10秒〜２
分間である。
引き続き行なわれる部材の乾燥は非常に短時
間、例えば室温で放置、軽い加熱又は送気を行な
うだけでよく、更に引き続き相応する炉、有利に
いわゆるトンネル窯中で加熱する。この際、温度
は約300〜600℃、有利に500℃であり、反応時間
を加熱度により選択し、約２〜30分である。
間、例えば室温で放置、軽い加熱又は送気を行な
うだけでよく、更に引き続き相応する炉、有利に
いわゆるトンネル窯中で加熱する。この際、温度
は約300〜600℃、有利に500℃であり、反応時間
を加熱度により選択し、約２〜30分である。
処理した部材をなお付着するアルカリを除去す
るために洗浄する場合、該アルカリが非常に少量
であるので自体公知法で非常にわずかな洗浄水を
使用して行なうことができる。
るために洗浄する場合、該アルカリが非常に少量
であるので自体公知法で非常にわずかな洗浄水を
使用して行なうことができる。
本発明により処理した部材の活性化及び化学的
金属化はこのために常用の活性剤及び浴を使用し
て公知で実施される。
金属化はこのために常用の活性剤及び浴を使用し
て公知で実施される。
本発明による金属化セラミツク材料は電気工学
に使用される。
に使用される。
次に実施例につき本発明を詳細に説明する。
例
平坦な表面を有する薄板の形の酸化アルミニウ
ムセラミツクからなる担体を水100ｇ中に水酸化
カリウム178ｇを含有し、温度100℃を示す水酸化
カリウム水溶液中に１分間浸積する。
ムセラミツクからなる担体を水100ｇ中に水酸化
カリウム178ｇを含有し、温度100℃を示す水酸化
カリウム水溶液中に１分間浸積する。
室温で空気流中で短時間乾燥させた後、担体を
トンネル窯中で20分間500℃に加熱し、これによ
りセラミツク表面に付着するアルカリと酸化アル
ミニウムとの反応を惹起し、これは酸化アルミニ
ウムの溶出に導びく。引き続き、水で洗浄するこ
とにより場合によりなお付着しているアルカリ残
分を除去すると、次の金属化の準備が整う。
トンネル窯中で20分間500℃に加熱し、これによ
りセラミツク表面に付着するアルカリと酸化アル
ミニウムとの反応を惹起し、これは酸化アルミニ
ウムの溶出に導びく。引き続き、水で洗浄するこ
とにより場合によりなお付着しているアルカリ残
分を除去すると、次の金属化の準備が整う。
このためにはパラジウムを基礎とする活性剤溶
液を用いてこの担体を活性化し、次いで化学銅浴
を使用して金属化する。
液を用いてこの担体を活性化し、次いで化学銅浴
を使用して金属化する。
析出した金属層は剥離テストで接着強度５Kg／
インチ（インチ＝25.40mm）を示した。
インチ（インチ＝25.40mm）を示した。
金属層は所望であれば常用の銅浴又はニツケル
浴により電気メツキで補強することもできる。
浴により電気メツキで補強することもできる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 粗面化のためにアルカリ金属水酸化物溶液で
処理し、次いでこのように処理された材料を加熱
し、引き続き化学メツキ及び場合により電気メツ
キすることによりセラミツク材料を接着強固に金
属化する方法において、この材料を温度80〜120
℃でアルカリ金属水酸化物飽和水溶液で処理し、
引き続き300〜600℃に加熱することを特徴とする
セラミツク材料を接着強固に金属化する方法。 ２ 材料をアルカリ金属水酸化物処理の後、500
℃に加熱する特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE31503993 | 1981-12-15 | ||
| DE19813150399 DE3150399A1 (de) | 1981-12-15 | 1981-12-15 | Verfahren zur haftfesten metallisierung von keramischen materialien |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58104079A JPS58104079A (ja) | 1983-06-21 |
| JPH0243707B2 true JPH0243707B2 (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=6149190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57217898A Granted JPS58104079A (ja) | 1981-12-15 | 1982-12-14 | セラミツク材料の固着金属化法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4766017A (ja) |
| JP (1) | JPS58104079A (ja) |
| DE (1) | DE3150399A1 (ja) |
| FR (1) | FR2518084B1 (ja) |
| GB (1) | GB2112023B (ja) |
| IE (1) | IE53849B1 (ja) |
| IT (1) | IT1156138B (ja) |
| SE (1) | SE460900B (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6052594A (ja) * | 1983-09-01 | 1985-03-25 | Showa Denko Kk | セラミックス粒子の突起を有する金属コ−ト方法 |
| DE3345353A1 (de) * | 1983-12-15 | 1985-08-29 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Verfahren und metallisierung einer keramikoberflaeche |
| DE3402494A1 (de) * | 1984-01-25 | 1985-07-25 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur metallbeschichtung von piezokeramischen werkstuecken |
| US4574095A (en) | 1984-11-19 | 1986-03-04 | International Business Machines Corporation | Selective deposition of copper |
| US4647477A (en) * | 1984-12-07 | 1987-03-03 | Kollmorgen Technologies Corporation | Surface preparation of ceramic substrates for metallization |
| EP0185967A3 (en) * | 1984-12-10 | 1988-08-03 | Kollmorgen Corporation | Process for avoiding blister formation in electroless metallization of ceramic substrates |
| DE3523956A1 (de) * | 1985-07-04 | 1987-01-08 | Licentia Gmbh | Verfahren zur chemischen metallisierung eines elektrisch schlecht leitenden traegerkoerpers aus einem anorganischen material |
| DE3672441D1 (de) * | 1985-10-15 | 1990-08-09 | Nec Corp | Metallisiertes keramiksubstrat und herstellungsverfahren. |
| DE3601834A1 (de) * | 1986-01-20 | 1987-07-23 | Schering Ag | Verfahren zur haftfesten metallisierung von keramischen materialien |
| JPH0726205B2 (ja) * | 1986-08-15 | 1995-03-22 | 松下電工株式会社 | 窒化アルミセラミック配線基板の製法 |
| FR2679225B1 (fr) * | 1991-07-19 | 1993-12-24 | Electronique Piezo Electricite | Dissolution controlee du quartz. |
| US5849170A (en) * | 1995-06-19 | 1998-12-15 | Djokic; Stojan | Electroless/electrolytic methods for the preparation of metallized ceramic substrates |
| JP3530149B2 (ja) | 2001-05-21 | 2004-05-24 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法及び半導体装置 |
| JP5509997B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2014-06-04 | 宇部興産株式会社 | 光変換用セラミック複合体の製造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3690921A (en) * | 1970-12-07 | 1972-09-12 | Ibm | Method for strongly adhering a metal film on ceramic substrates |
-
1981
- 1981-12-15 DE DE19813150399 patent/DE3150399A1/de active Granted
-
1982
- 1982-12-13 GB GB08235407A patent/GB2112023B/en not_active Expired
- 1982-12-14 SE SE8207148A patent/SE460900B/sv not_active IP Right Cessation
- 1982-12-14 IE IE2964/82A patent/IE53849B1/en not_active IP Right Cessation
- 1982-12-14 JP JP57217898A patent/JPS58104079A/ja active Granted
- 1982-12-14 IT IT24724/82A patent/IT1156138B/it active
- 1982-12-15 FR FR828221017A patent/FR2518084B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-07-07 US US06/882,637 patent/US4766017A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2518084A1 (fr) | 1983-06-17 |
| US4766017A (en) | 1988-08-23 |
| SE460900B (sv) | 1989-12-04 |
| JPS58104079A (ja) | 1983-06-21 |
| IE822964L (en) | 1983-06-15 |
| SE8207148L (sv) | 1983-06-16 |
| DE3150399A1 (de) | 1983-07-21 |
| IT8224724A0 (it) | 1982-12-14 |
| SE8207148D0 (sv) | 1982-12-14 |
| IT1156138B (it) | 1987-01-28 |
| FR2518084B1 (fr) | 1990-10-26 |
| GB2112023A (en) | 1983-07-13 |
| IE53849B1 (en) | 1989-03-15 |
| DE3150399C2 (ja) | 1988-09-15 |
| GB2112023B (en) | 1986-04-09 |
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