JPH0243720B2 - Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan - Google Patents
HandotaishoryosekieigarasuseiroshinkanInfo
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- JPH0243720B2 JPH0243720B2 JP15777082A JP15777082A JPH0243720B2 JP H0243720 B2 JPH0243720 B2 JP H0243720B2 JP 15777082 A JP15777082 A JP 15777082A JP 15777082 A JP15777082 A JP 15777082A JP H0243720 B2 JPH0243720 B2 JP H0243720B2
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は半導体を熱処理する際に使用される石
英ガラス製炉芯管の改良に関するものである。 従来から半導体製造用に、例えば拡散用あるい
は気相蒸着用等には石英ガラスが使用されてい
る。これらは、一般に高純度品として透明石英ガ
ラス製である。不透明石英ガラスも一部には使用
されているが、本来不純物が多いため失透を起し
易く、又、気孔を石英ガラス１cm3当り10万個以上
も含んでいるものであるため赤外線の透過効率が
悪く、かえつて加熱ムラを生じ易い。一方、透明
石英ガラスは高純度品であるため不透明石英ガラ
スと比較して失透は起しにくいが、赤外線の透過
率が良好すぎるため発熱体の発熱ムラがそのまゝ
加熱ムラとなるという欠点を有していた。 本発明は石英ガラス自体の耐熱性、耐蝕性等を
活用し、更にはこれに改良を加えることによつて
均熱性を改善し、熱変形の少ない、かつ長寿命の
半導体処理用石英ガラス製炉芯管を提供するもの
のである。 即ち、石英ガラス中に包含する気泡の量を石英
ガラス１cm3当り２〜９×10-3cm3とし、かつその気
孔の直径が15〜100μｍのものとするものである。 このような石英ガラスを得るには比較的透明な
原料を使用し、かつ適当な気泡が包含せしめられ
るような溶融法によることが必要であるが、この
範囲の気泡性および気泡量を存在せしめることに
よつてその赤外線透過率を著しく低下せしめるこ
となく均熱性が改善されたものとなり、更にOH
濃度を200ppm以下とすることによつて耐熱強度
を向上させることができる。気泡の量が石英ガラ
ス１cm3当り９×10-3cm3以上では赤外線透過率が低
下し温度ムラが生じ易くなり、又、２×10-3cm3以
下の場合も赤外線透過率が良好すぎて温度ムラが
生じ易い。 又、気孔径についてもその直径が15μｍ以下の
細かいものばかりであると気泡の量を石英ガラス
１cm3当り２〜９×10-3cm3の範囲とするためには気
泡の数が極端に多くなり、赤外線の透過率が低下
する。気泡径が100μｍ以上の場合は逆に赤外線
の透過率が良くなりすぎ赤外線の分散効果が低下
し発熱ムラが加熱ムラに直接反映し易くなる。
又、OH濃度は低ければ低い程熱間変形が少なく
なるが、上述の範囲内で気泡が存在する場合には
200ppm以下程度迄存在しても著しい強度低下は
認められない。 本発明の石英ガラスを得るには、高純度の石英
ガラス原料を回転容器において内面から加熱溶融
することによつて得られる。この場合、原料粒
度、回転数、溶融温度、溶融時間等を調整するこ
とにより任意の気泡径あるいは気泡量を有する石
英ガラスが得られる。 又、OH濃度を200ppm以下とするには溶融法
によつても達成できるが、OH濃度の高い石英ガ
ラスを高温において真空脱ガス処理を行つてもよ
い。 表１に本発明の石英ガラスおよび比較のための
石英ガラスについて、各気泡量についての均熱特
性を示す。均熱性テストは発熱体の均熱加熱領域
における石英ガラス管内の温度差を測定したもの
である。
英ガラス製炉芯管の改良に関するものである。 従来から半導体製造用に、例えば拡散用あるい
は気相蒸着用等には石英ガラスが使用されてい
る。これらは、一般に高純度品として透明石英ガ
ラス製である。不透明石英ガラスも一部には使用
されているが、本来不純物が多いため失透を起し
易く、又、気孔を石英ガラス１cm3当り10万個以上
も含んでいるものであるため赤外線の透過効率が
悪く、かえつて加熱ムラを生じ易い。一方、透明
石英ガラスは高純度品であるため不透明石英ガラ
スと比較して失透は起しにくいが、赤外線の透過
率が良好すぎるため発熱体の発熱ムラがそのまゝ
加熱ムラとなるという欠点を有していた。 本発明は石英ガラス自体の耐熱性、耐蝕性等を
活用し、更にはこれに改良を加えることによつて
均熱性を改善し、熱変形の少ない、かつ長寿命の
半導体処理用石英ガラス製炉芯管を提供するもの
のである。 即ち、石英ガラス中に包含する気泡の量を石英
ガラス１cm3当り２〜９×10-3cm3とし、かつその気
孔の直径が15〜100μｍのものとするものである。 このような石英ガラスを得るには比較的透明な
原料を使用し、かつ適当な気泡が包含せしめられ
るような溶融法によることが必要であるが、この
範囲の気泡性および気泡量を存在せしめることに
よつてその赤外線透過率を著しく低下せしめるこ
となく均熱性が改善されたものとなり、更にOH
濃度を200ppm以下とすることによつて耐熱強度
を向上させることができる。気泡の量が石英ガラ
ス１cm3当り９×10-3cm3以上では赤外線透過率が低
下し温度ムラが生じ易くなり、又、２×10-3cm3以
下の場合も赤外線透過率が良好すぎて温度ムラが
生じ易い。 又、気孔径についてもその直径が15μｍ以下の
細かいものばかりであると気泡の量を石英ガラス
１cm3当り２〜９×10-3cm3の範囲とするためには気
泡の数が極端に多くなり、赤外線の透過率が低下
する。気泡径が100μｍ以上の場合は逆に赤外線
の透過率が良くなりすぎ赤外線の分散効果が低下
し発熱ムラが加熱ムラに直接反映し易くなる。
又、OH濃度は低ければ低い程熱間変形が少なく
なるが、上述の範囲内で気泡が存在する場合には
200ppm以下程度迄存在しても著しい強度低下は
認められない。 本発明の石英ガラスを得るには、高純度の石英
ガラス原料を回転容器において内面から加熱溶融
することによつて得られる。この場合、原料粒
度、回転数、溶融温度、溶融時間等を調整するこ
とにより任意の気泡径あるいは気泡量を有する石
英ガラスが得られる。 又、OH濃度を200ppm以下とするには溶融法
によつても達成できるが、OH濃度の高い石英ガ
ラスを高温において真空脱ガス処理を行つてもよ
い。 表１に本発明の石英ガラスおよび比較のための
石英ガラスについて、各気泡量についての均熱特
性を示す。均熱性テストは発熱体の均熱加熱領域
における石英ガラス管内の温度差を測定したもの
である。
【表】
又、表２にOH濃度に関する熱間変形の状態を
示す。比較テスト条件は表２に示すOH濃度を有
する石英ガラス管を1400℃、４時間加熱した時の
管のつぶれの状態で比較したもので、長径ａと短
径ｂとの比で表わした。
示す。比較テスト条件は表２に示すOH濃度を有
する石英ガラス管を1400℃、４時間加熱した時の
管のつぶれの状態で比較したもので、長径ａと短
径ｂとの比で表わした。
【表】
なお使用した石英ガラスはいずれもその気泡径
および気泡量はほゞ同じものを使用した。 このように本発明のような気泡およびOH濃度
を有する石英ガラス管は均熱性が向上し、かつ熱
変形も少ない長寿命のものとして得られる。
および気泡量はほゞ同じものを使用した。 このように本発明のような気泡およびOH濃度
を有する石英ガラス管は均熱性が向上し、かつ熱
変形も少ない長寿命のものとして得られる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 石英ガラス中に包含する気泡の直径が15〜
100μｍであつて、かつ石英ガラス１cm3当りにお
ける気泡の全体積が２〜９×10-3cm3であることを
特徴とする半導体処理用石英ガラス製炉芯管。 ２ 石英ガラス中のOH濃度が200ppm以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体処理用石英ガラス製炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15777082A JPH0243720B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15777082A JPH0243720B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295270A Division JPH0633240B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体処理用石英ガラス製炉芯管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950096A JPS5950096A (ja) | 1984-03-22 |
| JPH0243720B2 true JPH0243720B2 (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=15656921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15777082A Expired - Lifetime JPH0243720B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243720B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0657612B2 (ja) * | 1987-05-14 | 1994-08-03 | 信越石英株式会社 | 合成石英ガラス管およびその製造方法 |
| JPH0692276B2 (ja) * | 1988-02-03 | 1994-11-16 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
| JPH0764673B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1995-07-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 石英ルツボの製造方法 |
| JP3011866B2 (ja) * | 1994-11-30 | 2000-02-21 | 信越石英株式会社 | 枚葉式ウエーハ熱処理装置 |
| US5651827A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same |
| JP4398527B2 (ja) | 1998-05-25 | 2010-01-13 | 信越石英株式会社 | シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスるつぼ |
| US20060281623A1 (en) | 2005-06-10 | 2006-12-14 | General Electric Company | Free-formed quartz glass ingots and method for making the same |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15777082A patent/JPH0243720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5950096A (ja) | 1984-03-22 |
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