JPS5950096A - 半導体処理用石英ガラス製炉芯管 - Google Patents
半導体処理用石英ガラス製炉芯管Info
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- JPS5950096A JPS5950096A JP15777082A JP15777082A JPS5950096A JP S5950096 A JPS5950096 A JP S5950096A JP 15777082 A JP15777082 A JP 15777082A JP 15777082 A JP15777082 A JP 15777082A JP S5950096 A JPS5950096 A JP S5950096A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 38
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- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/002—Crucibles or containers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/09—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould
- C03B19/095—Other methods of shaping glass by fusing powdered glass in a shaping mould by centrifuging, e.g. arc discharge in rotating mould
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体を熱処理する際に使用される石英ガラス
製炉芯管の改良に関するものである。
製炉芯管の改良に関するものである。
従来から半導体製造用に、例えば拡散用あるいは気相蒸
着用等には石英ガラスが使用されている。これらは一般
に高純度品として透明石英ガラス製である。不透明石英
ガラスも一部には使用されているが、本来不純物が多い
ため失透を起し易く、又、気孔を石英ガラスｌ ｃ４当
りＩ１１万個以上も含んでいるものであるため赤外線の
透過効率が悪く、かえって加熱ムラを生じ易い。
着用等には石英ガラスが使用されている。これらは一般
に高純度品として透明石英ガラス製である。不透明石英
ガラスも一部には使用されているが、本来不純物が多い
ため失透を起し易く、又、気孔を石英ガラスｌ ｃ４当
りＩ１１万個以上も含んでいるものであるため赤外線の
透過効率が悪く、かえって加熱ムラを生じ易い。
一方、透明石英ガラスは高純度品であるため不透明石英
ガラスと比較して失透は起しにくいが、赤外線の透過率
が良好すぎるため発熱体の発熱ムラがそのま＼加熱ムラ
となるという欠点を有していた。
ガラスと比較して失透は起しにくいが、赤外線の透過率
が良好すぎるため発熱体の発熱ムラがそのま＼加熱ムラ
となるという欠点を有していた。
本発明は石英ガラス自体の耐熱性、耐蝕性等を活用し、
更にはこれに改良を加えるととによって均熱性を改善し
、熱変形の少ない、かつ長寿命の半導体処理用石英ガラ
ス製炉芯管を提供するものである。
更にはこれに改良を加えるととによって均熱性を改善し
、熱変形の少ない、かつ長寿命の半導体処理用石英ガラ
ス製炉芯管を提供するものである。
即ち、石英ガラス中に包含する気泡の量を石英ガラス１
ｃ−当９２〜９ Ｘ １１３−” ｃｌとし、かつその
気孔の直径が１５〜１００μｍのものとするものである
。
ｃ−当９２〜９ Ｘ １１３−” ｃｌとし、かつその
気孔の直径が１５〜１００μｍのものとするものである
。
このような石英ガラスを得るには比較的透明な慮料を使
用し、かつ適当な気泡が包含せしめられるような溶融法
によることが必要であるが、この範囲の気泡径および気
泡量を存在せしめることによってその赤外線透過率を著
しく低下せしめることなく均熱性が改善されたものとな
り、更にＯＨ濃度を２００ ｐｐｍ以下とすることによ
って耐熱強度を向上させることができる。気泡の量が石
英ガラスｌ ｃａ当り９ Ｘ １０−”ｃｒ１以上では
赤外線透過率が低下１一温度ムラが生じ易くなシ、又、
２ Ｘ 、１０−８−以下の場合も赤外線透過率が
良好すぎて温度ムラが生じ易い。
用し、かつ適当な気泡が包含せしめられるような溶融法
によることが必要であるが、この範囲の気泡径および気
泡量を存在せしめることによってその赤外線透過率を著
しく低下せしめることなく均熱性が改善されたものとな
り、更にＯＨ濃度を２００ ｐｐｍ以下とすることによ
って耐熱強度を向上させることができる。気泡の量が石
英ガラスｌ ｃａ当り９ Ｘ １０−”ｃｒ１以上では
赤外線透過率が低下１一温度ムラが生じ易くなシ、又、
２ Ｘ 、１０−８−以下の場合も赤外線透過率が
良好すぎて温度ムラが生じ易い。
又、気孔径についてもその直径が１５μｍ以下の４１１
１かいものばかシであると気泡の量を石英ガラス１ｄ当
シ２〜９ Ｘ １０−”ｔＪの範囲とするためには気泡
の数が極端に多くなシ、赤外線の透過率が低下する。気
泡径がｉｏｏμｍ以上の場合は逆に赤外線の透過率が良
くなシすぎ赤外線の分散効果が低下し発熱ムラが加熱ム
ラに直接反映し易く々る。又、 ＯＨ濃度は低ければ低
い程熱間変形が少なくなるが、上述の範囲内で気泡が存
在。
１かいものばかシであると気泡の量を石英ガラス１ｄ当
シ２〜９ Ｘ １０−”ｔＪの範囲とするためには気泡
の数が極端に多くなシ、赤外線の透過率が低下する。気
泡径がｉｏｏμｍ以上の場合は逆に赤外線の透過率が良
くなシすぎ赤外線の分散効果が低下し発熱ムラが加熱ム
ラに直接反映し易く々る。又、 ＯＨ濃度は低ければ低
い程熱間変形が少なくなるが、上述の範囲内で気泡が存
在。
する場合には２１） ｌ） ｐｐｍ以下程度迄存在して
も著しい強度低下は認められない。
も著しい強度低下は認められない。
本発明の石英ガラスを得るには、高純度の石英ガラス原
料を回転容器において内面から加熱溶融することによっ
て得られる。この場合、原料粒度９回転数、溶融温度、
溶融時間等を調整することにより任意の気泡径あるいは
気泡量を有する石英ガラスが得られる。
料を回転容器において内面から加熱溶融することによっ
て得られる。この場合、原料粒度９回転数、溶融温度、
溶融時間等を調整することにより任意の気泡径あるいは
気泡量を有する石英ガラスが得られる。
又％ＯＨ濃度を２１）Ｏｐｐｍ以下とするには溶融法に
よっても達成できるが、倒濃度の高い石英ガラスを高温
において真空脱ガス処理を行ってもよい。
よっても達成できるが、倒濃度の高い石英ガラスを高温
において真空脱ガス処理を行ってもよい。
表１に本発明の石英ガラスおよび比較のための石英ガラ
スについて、各気泡量についての均熱特性を示す。均熱
性テストは発熱体の均熱加熱領域における石英ガラス管
内の温度差を測定したものである。
スについて、各気泡量についての均熱特性を示す。均熱
性テストは発熱体の均熱加熱領域における石英ガラス管
内の温度差を測定したものである。
表 １
又、表２にＯＨ濃度に関する熱間変形の状態を示す。比
較テスト条件は表２に示すＯＨ濃度を有する石英ガラス
管を１４００℃、４時間加熱した時の管のつぶれの状態
で比較したもので、長径（ａ）と短径の）との比で表わ
した。
較テスト条件は表２に示すＯＨ濃度を有する石英ガラス
管を１４００℃、４時間加熱した時の管のつぶれの状態
で比較したもので、長径（ａ）と短径の）との比で表わ
した。
なお使用した石英ガラスはいずれもその気泡径および気
泡量ははソ同じものを使用した。
泡量ははソ同じものを使用した。
このように本発明のような気泡およびＯＨ濃度を有する
石英ガラス管は均熱性が向上し、かつ熱変形も少ない長
寿命のものとして得られる。
石英ガラス管は均熱性が向上し、かつ熱変形も少ない長
寿命のものとして得られる。
発明者 青 木 優
発 明 者 佐 貝 和 義発明者 安 部
茂 （５）
茂 （５）
Claims (2)
- （１）石英ガラス中に包含する気泡の直径が１５〜１０
０μｍであって、かつ石英ガラスｌｉ当シにおける気泡
の全体積が２〜９ＸｌＯ”’−であることを特徴とする
半導体処理用石英カラ・ス製炉芯管。 - （２）石英カラス中の叩濃度が２００ ｐｐｍ以下であ
ることを特徴とする特許請求の範囲第一項記載の半導体
処理用石英ガラス製炉芯管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15777082A JPH0243720B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15777082A JPH0243720B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3295270A Division JPH0633240B2 (ja) | 1991-08-23 | 1991-08-23 | 半導体処理用石英ガラス製炉芯管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950096A true JPS5950096A (ja) | 1984-03-22 |
| JPH0243720B2 JPH0243720B2 (ja) | 1990-10-01 |
Family
ID=15656921
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15777082A Expired - Lifetime JPH0243720B2 (ja) | 1982-09-10 | 1982-09-10 | Handotaishoryosekieigarasuseiroshinkan |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0243720B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63282134A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fukushima Shinetsu Sekiei:Kk | 合成石英ガラス管およびその製造方法 |
| JPH01197381A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
| JPH03208880A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-12 | Mitsubishi Materials Corp | 石英ルツボの製造方法 |
| EP0715342A3 (en) * | 1994-11-30 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Device for the heat treatment of single disks and method for producing a reactor vessel therefor |
| US5651827A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same |
| EP1020546A4 (en) * | 1998-05-25 | 2001-10-10 | Shinetsu Quartz Prod | QUARTZ-GLASS-POT FOR DRAWING SILICON MONOCRYSTALS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| TWI419849B (zh) * | 2005-06-10 | 2013-12-21 | 通用電機股份有限公司 | 自由成型的石英玻璃塊及其製法 |
-
1982
- 1982-09-10 JP JP15777082A patent/JPH0243720B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63282134A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-18 | Fukushima Shinetsu Sekiei:Kk | 合成石英ガラス管およびその製造方法 |
| JPH01197381A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Mitsubishi Metal Corp | シリコン単結晶引上げ用石英ルツボ |
| JPH03208880A (ja) * | 1990-01-10 | 1991-09-12 | Mitsubishi Materials Corp | 石英ルツボの製造方法 |
| EP0715342A3 (en) * | 1994-11-30 | 1996-10-16 | Heraeus Quarzglas | Device for the heat treatment of single disks and method for producing a reactor vessel therefor |
| US5651827A (en) * | 1996-01-11 | 1997-07-29 | Heraeus Quarzglas Gmbh | Single-wafer heat-treatment apparatus and method of manufacturing reactor vessel used for same |
| EP1020546A4 (en) * | 1998-05-25 | 2001-10-10 | Shinetsu Quartz Prod | QUARTZ-GLASS-POT FOR DRAWING SILICON MONOCRYSTALS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF |
| US6797061B2 (en) | 1998-05-25 | 2004-09-28 | Shin Etsu Quartz Products Co., Ltd. | Quartz glass crucible for pulling up silicon single crystal and production method therefor |
| TWI419849B (zh) * | 2005-06-10 | 2013-12-21 | 通用電機股份有限公司 | 自由成型的石英玻璃塊及其製法 |
| US9290404B2 (en) | 2005-06-10 | 2016-03-22 | Momentive Performance Materials Inc. | Free-formed quartz glass ingots and method for making same |
| DE102005057194B4 (de) * | 2005-06-10 | 2020-11-12 | General Electric Co. | Verfahren zur Herstellung eines Quarzglasgussblocks |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0243720B2 (ja) | 1990-10-01 |
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