JPH0243754A - マスキングテープ及びこれを使用した半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、半導体素子の製造に適したマスキングテー
プと、そのマスキングテープを使用した半導体素子の製
造方法に関する。

［従来の技術］ ダイオードを例にして従来の半導体素子の製造方法につ
いて説明する。

個々のダイオードチップをシリコンウェハから分割して
得る方法として従来から種々の方法があるが、その一つ
の方法として、ここでは第３図に示すようにマスキング
テープを使用した分割方法について説明する。

マスキングテープ１は、同図（ａ）に示すようにフィル
ム２上に選択的に残存した感光性樹脂材３を有し、この
感光性樹脂材３上に離型紙４を貼付けた３層構造を備え
ている。このマスキングテープ１は、同図（ｂ）に示す
ように離型紙４を剥した後、あらかじめ台板５に貼付け
であるシリコンウェハ６に感光性樹脂材３０面を下側に
して貼付ける。

次に、同図（Ｃ）に示すように、上側のフィルム２を剥
すことによりシリコンウェハ６上には選択的に感光性樹
脂材３が残存する。

次に、同図（ｄ）に示すように残存する感光性樹脂材３
の上方からシリコンウェハ６に対して研磨材７を吹付け
、いわゆるサンド・ブラスト・カット法により感光性樹
脂材３の付着していない部分のシリコンウェハ６を除去
して個々に分割する。

その後、マスキング材としての感光性樹脂材３と、シリ
コンウェハ６を貼付けている台板５との接着材を溶剤で
溶かして個々のダイオードチップを得る。

ところで、上記のような方法で分割したダイオードチッ
プ８のうち、ロットによっては、第４図に示すように上
面の肩の部分に環状欠損部９が形成されるものがある。

このようなダイオードチップ８を良品として使用すると
、上面の面積が小さくなったり、その後の工程でのエツ
チング処理で不都合が生しる。

上記のような環状欠損部９の生じる原因は種々研究の結
果、以下のようなものであることが判明した。

すなわち、第５図に示すようにシリコンウェハ６の表面
にマスキング材である感光性樹脂材３を転写したときに
、その感光性樹脂材３自体の下面の肩部が削れ、いわゆ
る肩だれ３ａの発生していると、サンド・ブラスト・カ
ットを実施した場合、それらの肩だれ３ａの部分にも研
磨材が廻り込むために、シリコンウェハ６にも環状欠損
部９が形成されてしまうことである。

上記のマスキングテープの肩だれ３ａの形成過程を第６
図の基づいてさらに詳細に説明する。

先ず、同図（ａ）に示すように、厚さ２５〜３０μｍの
透明フィルム２０の上に感光性樹脂材２１を約１５０μ
ｍの厚さで塗布する。

次に、ガラスなとのマスク２２を前記フィルム２０の下
方に位置させて紫外線ランプ２３等の光源から紫外線を
照射し、前記の感光性樹脂材２１に光学反応部２１ａと
未反応部２１ｂを生成し、同図（ｂ）に示すようにフォ
トリソ技術により必要部分のみの分割された感光性樹脂
材２４を残存させる。

この時の現像処理時に、分割された感光性樹脂材２４の
上方肩部に肩だれ２４ａが発生する。

従来では、この肩だれ２４ａがある側に離型紙２５を貼
付けて３層構造のマスキングテープを得ている。

この従来のマスキングテープを使用する場合、離型紙２
５を剥し、肩だれ２４ａ＠を下にして前記のシンコンウ
ェハ６に貼付けて研磨材を吹付けるため、前記の肩だれ
２４ａの部分にも吹付けられた研磨材が廻り込み、その
部分が削られて分割されたダイオードチップに第４図及
び第５図に示したような環状欠損部９が形成されてしま
っていた。

［発明が解決しようとする課題］ 上記のように従来のマスキングテープては、残存する感
光性樹脂材に肩だれかあり、しかも肩だれのある方の離
型紙２５を剥してサンド・ブラスト・カットを実施して
いるので、ダイオードチップ等の分割された半導体チッ
プに環状欠損部を生しさせてしまうという課題があった
。

［発明の目的］ この発明は、上記のような課題を解決するためになされ
たもので、感光性樹脂材に肩だれかあっても使用上影響
のないマスキングテープを得ること及びこのマスキング
テープを使用して分割された半導体チップに環状欠損部
が生じない半導体素子の製造方法を提供することを目的
とする。

［課題を解決するための手段］ この発明に係るマスキングテープ及びこれを使用した半
導体素子の製造方法は、マスキング材である中間層の感
光性樹脂材と、これに接着するフィルムとの粘着力より
も感光性樹脂材と、これに接着するトレーシングペーパ
ー等からなるシート材との粘着力の方が大きくなるよう
にしたマスキングテープ及びこのマスキングテープのフ
ィルム側を剥してシリコンウェハ上に貼付け、サンド・
ブラスト・カット法で個々の半導体チップに分割するよ
うにしたものである。

［作用］ 中間層の感光性樹脂材に対するフィルムとシート材との
粘着力の相違により、フィルム側がシート材よりも剥が
れ易くなり、フィルム側をシリコンウェハ上に貼付ける
ことで、感光性樹脂材に必然的に形成される肩だれの影
響をサンド・ブラスト・カット時に受けないようになる
結果、分割された個々の半導体チップに環状欠損部が形
成されない。

［実施例］ 以下に、この発明の一実施例を説明する。

先ず、この発明のマスキングテープを第１図を参照して
説明する。

同図（ａ）、（ｂ）に示す工程は従来と同様であり、従
来のマスキングテープ製作工程を示す第６図（ａ）、（
ｂ）と同一部分には同一符号が付しである。

そこで、第１図（Ｃ）に示すように、フィルム２０上に
フォトリソ技術によって残存した感光性樹脂材２４の上
面に、適度の凹凸があるシート材２５を貼付ける。この
場合のシート材２５としては、例えば半透明のトレーシ
ングペーパー（４０ｇ／ｍ”程度）が好適である。シー
ト材２５の表面が適度に荒れていると、感光性樹脂材２
４との接着力が向上して好ましい。

また、マスキング材である感光性樹脂材２４０両面に貼
付けであるフィルム２０及びシート材２５の粘着力は、
感光性樹脂材２４の肩だれ２４ａのある方に貼付けられ
ているシート材２５の方が、前記感光性樹脂材２４の下
面に貼付けであるフィルム２４の粘着力よりも強くなる
ように配慮している。

次に、この上記のマスキングテープを使用したシリコン
ウェハの分割方法を第２図を参照して説明する。

先ず、同図（ａ）に示すように、あらかじめ台板２７上
に接着材２８を介して固定されたシリコンウェハ２６に
対して、３層構造であるマスキンクテープのフィルム２
０の側を剥して貼付ける。

次に、トレーシングペーパー等からなるシート材２５の
側、上方から研磨材としての微粉末を吹付け、同図（ｂ
）に示すように、個々の半導体チップ２９に分割する。

なお、上記のサンド・ブラスト・カットを実施するに当
り、上部のシート材２５は、剥しても良いし、また、特
に剥さなくてもトレーシングペーパーのように薄い紙で
あるため、研磨材としての微粉末の吹付けにより破れて
除去され、その分割作業に同等影響を与えない。

その後の工程は、従来と同様に溶剤により接着材２８を
溶かし、台板２７から個々の半導体チップ２９を分離す
る。

こうして得られた半導体チップ２９には、従来のような
環状欠損部が全く形成されず、エツチング工程等の以後
の工程での不都合を解消し、チップ面積の縮小に伴う電
気的特性の欠陥等を生じさせない。

［発明の効果］ この発明は、上記のように構成したので、マスキングテ
ープの粘着力の弱いフィルム側を剥してシリコンウェハ
上に貼付けてサンド・ブラスト・カットを実施すること
ができ、マスキング材である感光性樹脂材の上方に肩だ
れが形成されていても分割された半導体チップには何等
、環状欠損部が形成されることがないなどの優れた効果
がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、この発明のマスキン
グテープの製作工程図、第２図（ａ）。 （ｂ）は、上記マスキングテープを使用してシリコンウ
ェハを個々の半導体チップに分割する方法を示す工程図
、第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）。 （ｄ）は、従来のマスキングテープを使用した半導体チ
ップの分割方法を示す工程図、第４図は、従来法による
分割方法で形成された半導体チップ従来のマスキングテ
ープの製作工程図である。 ２０　・　・ ・フィルム ２４・拳 ・感光性樹脂材 ２４ａ　　・ ・肩だれ ２５　ト シート材

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、フィルム上に塗布した感光性樹脂材をフォトリソ技
   術で選択的に残し、この感光性樹脂材上にシート部材を
   貼付けた３層構造のマスキングテープにおいて、前記フ
   ィルムと感光性樹脂材との粘着力よりも当該感光性樹脂
   材と前記シート部材との粘着力の方が大きくしてあるこ
   とを特徴とするマスキングテープ。 ２、シリコンウェハの一方の主面に選択的に感光性樹脂
   材が残存するマスキングテープを貼付けて、前記シリコ
   ンウェハ上に転写された感光性樹脂材の上方から微粉末
   を吹付けてシリコンウェハを半導体チップに分割する半
   導体素子の製造方法において、前記感光性樹脂材の肩だ
   れの無い側をシリコンウェハに貼付けて微粉末を吹付け
   てシリコンウェハを半導体チップに分割することを特徴
   とする半導体素子の製造方法。