JPS5946026A - 試料位置測定方法 - Google Patents
試料位置測定方法Info
- Publication number
- JPS5946026A JPS5946026A JP57157005A JP15700582A JPS5946026A JP S5946026 A JPS5946026 A JP S5946026A JP 57157005 A JP57157005 A JP 57157005A JP 15700582 A JP15700582 A JP 15700582A JP S5946026 A JPS5946026 A JP S5946026A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- wafer
- mark
- electron beam
- scanning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/304—Controlling tubes by information coming from the objects or from the beam, e.g. correction signals
- H01J37/3045—Object or beam position registration
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P95/00—Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、電子ビーム露光装麿等における光学系と試料
との位置合わせ法に係わり、ｔｈテに電子ビーム走査で
試料位置を測定する方法の改良に関する。
との位置合わせ法に係わり、ｔｈテに電子ビーム走査で
試料位置を測定する方法の改良に関する。
電子ビーム露光装置において光学系と試料とを位置合わ
せする忙は、従来試料台上にウェハ（試料）を載置し、
ウェハ上に形成されたマークを電子ビームで走査してマ
ーク位置の検出を行い、この検出′ｈ１報に基づいてウ
ェノ・位置を測定する。そして、この測定された位置情
報を基にウェハ位置或いは光学系を補正するようにして
いる。このようＶＣ１ｉ１子ビーム走査でウェハ位置を
測定する嚇合、試料台上のウェハの設置精度から十分大
きな位置合わせ用マークを探索する必要があり、マーク
及びマーク探紫のだめの電子ビーム照射により、ウェハ
内のチップの欠損を生じる虞れがあった。
せする忙は、従来試料台上にウェハ（試料）を載置し、
ウェハ上に形成されたマークを電子ビームで走査してマ
ーク位置の検出を行い、この検出′ｈ１報に基づいてウ
ェノ・位置を測定する。そして、この測定された位置情
報を基にウェハ位置或いは光学系を補正するようにして
いる。このようＶＣ１ｉ１子ビーム走査でウェハ位置を
測定する嚇合、試料台上のウェハの設置精度から十分大
きな位置合わせ用マークを探索する必要があり、マーク
及びマーク探紫のだめの電子ビーム照射により、ウェハ
内のチップの欠損を生じる虞れがあった。
上記チップの欠損を防止するには、ウェノ・上の位置合
わせ用マークのサイズを小さくシ、このマークをダイシ
ングライン等の非回路領域に形成し、該領域の範囲内で
電子ビームを走査するようにすればよいが、この場合ウ
ェハの設置精度を極めて高く（±４０μｌｒＬ以内）し
なければならない。このような設置精度を機械的な位置
決め機構によって実現するには、その機構に多大な負担
がかかり、かつ十分な精度を得ることは困難である。こ
のため、前記チップの欠相全確実には防止できないのが
現状であった。また、このような問題は、試料としてマ
スクを用いる場合にも同様に伝えることである。
わせ用マークのサイズを小さくシ、このマークをダイシ
ングライン等の非回路領域に形成し、該領域の範囲内で
電子ビームを走査するようにすればよいが、この場合ウ
ェハの設置精度を極めて高く（±４０μｌｒＬ以内）し
なければならない。このような設置精度を機械的な位置
決め機構によって実現するには、その機構に多大な負担
がかかり、かつ十分な精度を得ることは困難である。こ
のため、前記チップの欠相全確実には防止できないのが
現状であった。また、このような問題は、試料としてマ
スクを用いる場合にも同様に伝えることである。
本発明の目的は、マーク位ｔη１１の検出のための電子
ビーム走査によるチップの大川等を招くことなく、被露
光試料の位１ハ′を８度良く測定することができ、電子
ビーム露光装置の光学系と試料との位置合わせ等に有効
な試料位１６泪ｊ１宇方法を提供することにある。
ビーム走査によるチップの大川等を招くことなく、被露
光試料の位１ハ′を８度良く測定することができ、電子
ビーム露光装置の光学系と試料との位置合わせ等に有効
な試料位１６泪ｊ１宇方法を提供することにある。
本発明の骨子は、試料のエツジ検出により試料位置の粗
い測定を行ったのち、位１６合わせ用マークを宙、子ビ
ームで走査することにある。
い測定を行ったのち、位１６合わせ用マークを宙、子ビ
ームで走査することにある。
試料として半導体ウニ／−を用いる場合、ウェハにＶま
通常オリエンテーションフラットが付加されているから
、このオリエンテーションフラットを基準としてウエノ
飄のエツジＭｌ（分音。１王子ビームで走査することに
より、ウエノ・イ＼γ１【′ｔの柑い湘］定が可能であ
る。ここで、エツジ検出には、ウェハのフラット而と傾
斜面との反射電子信号の強度差を利用する方法、或いは
エツジで面過するビーム電流を利用する方法を用いれば
よい。
通常オリエンテーションフラットが付加されているから
、このオリエンテーションフラットを基準としてウエノ
飄のエツジＭｌ（分音。１王子ビームで走査することに
より、ウエノ・イ＼γ１【′ｔの柑い湘］定が可能であ
る。ここで、エツジ検出には、ウェハのフラット而と傾
斜面との反射電子信号の強度差を利用する方法、或いは
エツジで面過するビーム電流を利用する方法を用いれば
よい。
オリエンテーションフラットの数１１ｔＡ ＰＩのエツ
ジ位１１を検出を行うことにより、ウェノ・の同転及び
Ｘ方向位置が測定される。次いで、オリエンテーション
フラット以外のエツジを１点以」三検出することにより
、ウェノ・のＹ方向位置が測定される。かくして、ウェ
ノＳ装置が±４０〔μ７ｎ、 ）のＡ１１度で測定され
ることが確認された。したがって、上記測定されたウェ
ノ・の大略位置ｆＫ：基にマーク位置検出、例えばウェ
／％上に形成した位１゛Ｎ合わせマークを電子ビームで
％８０〔μｍ〕程度走査し、その反対電子信号を検出す
ることにより必ずマーク信号を得ることがきる。そして
、得られた信号を、例えばＡＤ変換して、計Ｗ ｎＱ等
で解析することにより、高精度のマーク位１ｄ゛が測定
出来る。このため、ダイシングライン内に設置されたマ
ークでも、ダイシングライン内の電子ビーム走査によシ
容易にマーク位置検出が可能となる。
ジ位１１を検出を行うことにより、ウェノ・の同転及び
Ｘ方向位置が測定される。次いで、オリエンテーション
フラット以外のエツジを１点以」三検出することにより
、ウェノ・のＹ方向位置が測定される。かくして、ウェ
ノＳ装置が±４０〔μ７ｎ、 ）のＡ１１度で測定され
ることが確認された。したがって、上記測定されたウェ
ノ・の大略位置ｆＫ：基にマーク位置検出、例えばウェ
／％上に形成した位１゛Ｎ合わせマークを電子ビームで
％８０〔μｍ〕程度走査し、その反対電子信号を検出す
ることにより必ずマーク信号を得ることがきる。そして
、得られた信号を、例えばＡＤ変換して、計Ｗ ｎＱ等
で解析することにより、高精度のマーク位１ｄ゛が測定
出来る。このため、ダイシングライン内に設置されたマ
ークでも、ダイシングライン内の電子ビーム走査によシ
容易にマーク位置検出が可能となる。
本発明はこのような点に清目し、試料台上に載置され電
子ビーム露光に供される試料上に形成されたマークラミ
子ビームで走査し、マーク位置の検出により試料の位置
を測定する試料位１を測定方法において、予め上記試料
のエツジ部分を電子ビームで走査し上記試料の大略位置
を測定し、この測定情報に基づき上記試料上のマーりを
電子ビームで走査してマーク位置を検出するようにした
方法である。
子ビーム露光に供される試料上に形成されたマークラミ
子ビームで走査し、マーク位置の検出により試料の位置
を測定する試料位１を測定方法において、予め上記試料
のエツジ部分を電子ビームで走査し上記試料の大略位置
を測定し、この測定情報に基づき上記試料上のマーりを
電子ビームで走査してマーク位置を検出するようにした
方法である。
本発明によれば、試料のエツジ部分における電子ビーム
走査により試料の大略位置を測定しているので、機械的
位置決め機構で実現し得る試料の設置精度よりも高い精
度（±４０μｍ以内）で試料位置を容易に測定すること
ができる。
走査により試料の大略位置を測定しているので、機械的
位置決め機構で実現し得る試料の設置精度よりも高い精
度（±４０μｍ以内）で試料位置を容易に測定すること
ができる。
したがって、位置合わせ用マークのサイズを小さくしこ
のマークをダイシングライン等の非回路領域に入れたと
しても、該領域の範囲内での甫、子ビーム走査によりマ
ーク位置を確実に検出することができる。このため、被
露光試料の位置を精度良く測定することができ、かつマ
ーク位置検出のだめの電子ビーム走査に起因するチップ
欠損の発生等を確実に防止することができる。さらに、
試料台への［幾械的な位置決め機構の簡略化をはかるこ
ともできる。また、上記した理由から電子ビーム露光装
置の光学系と試料との位置合わせ等に絶大なる効果を発
揮する。
のマークをダイシングライン等の非回路領域に入れたと
しても、該領域の範囲内での甫、子ビーム走査によりマ
ーク位置を確実に検出することができる。このため、被
露光試料の位置を精度良く測定することができ、かつマ
ーク位置検出のだめの電子ビーム走査に起因するチップ
欠損の発生等を確実に防止することができる。さらに、
試料台への［幾械的な位置決め機構の簡略化をはかるこ
ともできる。また、上記した理由から電子ビーム露光装
置の光学系と試料との位置合わせ等に絶大なる効果を発
揮する。
第１図は本発明の一実施例方法に使用する石。
子ビーム心元装置′面を示す概略症（ＩＱ図である。図
中１は電子銃で、この出、子銃１から発射されだＮｔ、
子ビームｆｄ各種電磁しンズ２．ブランキング用偏向
板３及び走査用偏向用板４を介してウェハ（試料）５上
に照射される。ウェハ５は後述するカセット６内に収容
保持されており、このカセット６はテーブル７上に載１
１６される。テーブル７は駆動回路８によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に４動せられ
る。そして、このテーブル７の千多４山位置はレーザ測
長器９により高梢変に測定されるものとなっている。ま
た、偏向板３，４は割算機１ｏによりそれぞれの印加重
圧を制御されるものとなっている。
中１は電子銃で、この出、子銃１から発射されだＮｔ、
子ビームｆｄ各種電磁しンズ２．ブランキング用偏向
板３及び走査用偏向用板４を介してウェハ（試料）５上
に照射される。ウェハ５は後述するカセット６内に収容
保持されており、このカセット６はテーブル７上に載１
１６される。テーブル７は駆動回路８によりＸ方向（紙
面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に４動せられ
る。そして、このテーブル７の千多４山位置はレーザ測
長器９により高梢変に測定されるものとなっている。ま
た、偏向板３，４は割算機１ｏによりそれぞれの印加重
圧を制御されるものとなっている。
ｒ＋７＋ 配電子ビーム１［Ｃ射によるウェハ５がらの
反射電子は固体センサからなる電子検出器１１で検出さ
れ、この検出信号は増１隔器１２を介してアナログ・デ
ジタル・コン／６−タ（以下Ａ、／ｌｌと略記する＞Ｉ
Ｊに送ｈ４される。／／）） ７ 、？を介してデジタ
ル化された信号はメモリ１４に記憶される。そして、メ
モリ１４の市側會イ青報がｉ；ＩＬ！ ４バ・１０にて
１昨析さｔ＋、、後述する如く位１ｉｔ：４データが得
られるものとなっている。
反射電子は固体センサからなる電子検出器１１で検出さ
れ、この検出信号は増１隔器１２を介してアナログ・デ
ジタル・コン／６−タ（以下Ａ、／ｌｌと略記する＞Ｉ
Ｊに送ｈ４される。／／）） ７ 、？を介してデジタ
ル化された信号はメモリ１４に記憶される。そして、メ
モリ１４の市側會イ青報がｉ；ＩＬ！ ４バ・１０にて
１昨析さｔ＋、、後述する如く位１ｉｔ：４データが得
られるものとなっている。
前記カセット６は第２図にその千面図を、第３図にその
断面図を示す如く、ウェハ５のエツジ検出可能な１１゛
４造となっている。すなわち、ウェハ５のエツジ部分の
上方にはＫ ２１ ａ ＋ ２ ｌ ｂ ＋２１ｃ、２
１ｄがそれぞれ設けられている。つまり、ウェハ５のオ
リエンテーションフラット側に窓２１ａ、２１ｂが設け
られ、それ以外の２個所に窓２１ ｅ ＋ ２１ ｄが
設けらカ、ている。
断面図を示す如く、ウェハ５のエツジ検出可能な１１゛
４造となっている。すなわち、ウェハ５のエツジ部分の
上方にはＫ ２１ ａ ＋ ２ ｌ ｂ ＋２１ｃ、２
１ｄがそれぞれ設けられている。つまり、ウェハ５のオ
リエンテーションフラット側に窓２１ａ、２１ｂが設け
られ、それ以外の２個所に窓２１ ｅ ＋ ２１ ｄが
設けらカ、ている。
そして窓２１ａ、２１ｂでは電子ビームをＸ方向に走査
してエツジ検出を行い、窓２１ｃ。
してエツジ検出を行い、窓２１ｃ。
２１ｄでｔｉ電子ビームをＹ方向に走査してエツジ検出
を行うものとなっている。なお、ウェハ５上にはそのダ
イシングライン上にＬ形Ｖ＃ｌＶからなる位１σ合わせ
用マーク２２が複数個形成されている。
を行うものとなっている。なお、ウェハ５上にはそのダ
イシングライン上にＬ形Ｖ＃ｌＶからなる位１σ合わせ
用マーク２２が複数個形成されている。
次に、上述した装置を用いたウェハ位置測定方法を説明
する。
する。
まず、カセット６をテーブル７上の所定位置に固定し、
テーブル７を所定位置に保持する。
テーブル７を所定位置に保持する。
次いで、ウェハ５のエツジ部分を電子ビームで走査し、
ウェハ５の大略位置を検出する。ここで、エツジ検出に
おいては、反射重子信号のレベル及び波形により、ウェ
ハ上の走査、エツジ部の走査及びウェハ外の走査等の検
知が町目ヒであり、ウェハ５の機械的設置σ誤差が数〔
調〕あってもエツジ検出可能である。電子ビームをエツ
ジ部分で走査したときの反射電子信号波形は、第４図に
示す如くエツジ部分の段差によりそのレベルが異なり、
これにより反射電子信号波形からエツジ位置が検出され
る。
ウェハ５の大略位置を検出する。ここで、エツジ検出に
おいては、反射重子信号のレベル及び波形により、ウェ
ハ上の走査、エツジ部の走査及びウェハ外の走査等の検
知が町目ヒであり、ウェハ５の機械的設置σ誤差が数〔
調〕あってもエツジ検出可能である。電子ビームをエツ
ジ部分で走査したときの反射電子信号波形は、第４図に
示す如くエツジ部分の段差によりそのレベルが異なり、
これにより反射電子信号波形からエツジ位置が検出され
る。
このようなエツジ検出操作ｔ Ａｉｌ記カ上カセット６
２１ ａ ｔ 〜＋ ２ ｉ ｄの４個７−ｙｒでそれ
ぞれ行うことによって、ウェノ・５０回転及びＸ、Ｙ方
向位置、つまりウェハ５の大略位置が測定される。次い
で、この測定情報を基にウェノ・５」二のＬ形マーク１
３を重子ビームで８０〔μｍ〕、ｘｙＸ方向それぞれ走
査することによって、マーク位置を０．０１ ［μｍ〕
の精度で検出することができる。ここで、ウェハ５のエ
ツジとマーク２２の配置位置との関係は予め定められて
いるので、ウェハ５の大略位置が判れば、上記８０［μ
？π〕程度のビーム走査でもマーク位置が検出できるの
である。そして、マーク２２の数個所の位１１′り検出
を行うことにより、ウェノ・５０位ミル高精度に測定さ
れることになる。また、この６１１１定されたウェハ位
置を基準として前記テーブル７０位ｉｔ或いは偏向板４
の偏向峨圧忙袖止することによシ、光学系とウェハ５と
の尚精度な位１准合わせが可能となる。
２１ ａ ｔ 〜＋ ２ ｉ ｄの４個７−ｙｒでそれ
ぞれ行うことによって、ウェノ・５０回転及びＸ、Ｙ方
向位置、つまりウェハ５の大略位置が測定される。次い
で、この測定情報を基にウェノ・５」二のＬ形マーク１
３を重子ビームで８０〔μｍ〕、ｘｙＸ方向それぞれ走
査することによって、マーク位置を０．０１ ［μｍ〕
の精度で検出することができる。ここで、ウェハ５のエ
ツジとマーク２２の配置位置との関係は予め定められて
いるので、ウェハ５の大略位置が判れば、上記８０［μ
？π〕程度のビーム走査でもマーク位置が検出できるの
である。そして、マーク２２の数個所の位１１′り検出
を行うことにより、ウェノ・５０位ミル高精度に測定さ
れることになる。また、この６１１１定されたウェハ位
置を基準として前記テーブル７０位ｉｔ或いは偏向板４
の偏向峨圧忙袖止することによシ、光学系とウェハ５と
の尚精度な位１准合わせが可能となる。
かくして本実施例方法によれば、エツジ部分における電
子ビーム定歪によりウェハ５の大略位置を検出している
ので、ウェハ５のダイシングライン青の非回路領域に形
成した小さなマーク２２を、微小範囲の電子ビーム走査
により確実に検出することができる。このため、マーク
位置検出のための′電子ビーム走査に上るチップ欠損を
招くことなく、ウェハ５の位置を精度良く４川定するこ
とができる。また、カセット６の４’４ｔｔ造としては
前記第２図に示した如〈従来カセットに窓２１ａ、〜、
２１ｄを設けるのみでよく、簡易に実施し得る等の利点
がある。
子ビーム定歪によりウェハ５の大略位置を検出している
ので、ウェハ５のダイシングライン青の非回路領域に形
成した小さなマーク２２を、微小範囲の電子ビーム走査
により確実に検出することができる。このため、マーク
位置検出のための′電子ビーム走査に上るチップ欠損を
招くことなく、ウェハ５の位置を精度良く４川定するこ
とができる。また、カセット６の４’４ｔｔ造としては
前記第２図に示した如〈従来カセットに窓２１ａ、〜、
２１ｄを設けるのみでよく、簡易に実施し得る等の利点
がある。
なお、本発明は上述し〆こ実施例に限定をノ］、るもの
ではなく、その要旨を逸脱しない面重量で、（１ｉ１々
変形して実施することができる。例えば、ｉｉＪ記カセ
、トに設けた窓の裏Ｖ、は４１間に１）」φるものでは
なく、仕様に応じて適宜変更することができる。また、
カセットの構造もウェハのエツジ部分を電子ビーム走査
で検出できる構造であれば、適官変［豆用能である。さ
らに、ウェハ上に形成するマークの形状や１１ｄ数等も
仕様に＋、Ｌ、してｊＪ宜定めればよい。また、エツジ
検出によりその大略位１ｉ′！：が検出できるものであ
れば、マスクに適用することも可能である。
ではなく、その要旨を逸脱しない面重量で、（１ｉ１々
変形して実施することができる。例えば、ｉｉＪ記カセ
、トに設けた窓の裏Ｖ、は４１間に１）」φるものでは
なく、仕様に応じて適宜変更することができる。また、
カセットの構造もウェハのエツジ部分を電子ビーム走査
で検出できる構造であれば、適官変［豆用能である。さ
らに、ウェハ上に形成するマークの形状や１１ｄ数等も
仕様に＋、Ｌ、してｊＪ宜定めればよい。また、エツジ
検出によりその大略位１ｉ′！：が検出できるものであ
れば、マスクに適用することも可能である。
第１図は本発明の一実施例方法に使用したγｉ子ビーム
露光装置：を示す概略構成図、第２図は、上記装置１″
ｆに用いたカセットを拡大して示す平面図、第３図は？
Ｉｒ；２図の矢袂Ａ−Ａ断面図、第４図は上記実施例方
法の作用を説明するためのものでエツジ検出時の反＠電
子信号波形ｆＫ−承す模式図である。 １・・・電子銃、２・・・電磁レンズ、３．４・・・偏
向板、５・・・ウェハ（試料）、６・・・カセット、７
・・テーブル（試料台）８・・駆動回路、９・・・レー
ザ測長器、１０・・・計算機、１ノ・・・電子検出器、
１２・・・増幅器、１３・・・アナログ・デジタル・コ
ンバータ（Ａ／Ｔ） ）、Ｊ ４ ・・・メモリ、２１
ａ、〜２１ｄ・・・窓、２２・・・位置合わせ用マーク
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦一 働 第２図 ―Ａ 第３図 第４図
露光装置：を示す概略構成図、第２図は、上記装置１″
ｆに用いたカセットを拡大して示す平面図、第３図は？
Ｉｒ；２図の矢袂Ａ−Ａ断面図、第４図は上記実施例方
法の作用を説明するためのものでエツジ検出時の反＠電
子信号波形ｆＫ−承す模式図である。 １・・・電子銃、２・・・電磁レンズ、３．４・・・偏
向板、５・・・ウェハ（試料）、６・・・カセット、７
・・テーブル（試料台）８・・駆動回路、９・・・レー
ザ測長器、１０・・・計算機、１ノ・・・電子検出器、
１２・・・増幅器、１３・・・アナログ・デジタル・コ
ンバータ（Ａ／Ｔ） ）、Ｊ ４ ・・・メモリ、２１
ａ、〜２１ｄ・・・窓、２２・・・位置合わせ用マーク
。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦一 働 第２図 ―Ａ 第３図 第４図
Claims (3)
- （１）試料台上に載置され、電子ビーム露光に供される
試料上に形成されたマークを電子ビームで走査し、マー
ク位置の検出により試料の位置を測定する試料位置測定
方法において、予め前記試料のエツジ部分を電子ビーム
で走査し上記試料の大略位置を測定し、この測定情報に
基づき前記試料上のマークを電子ビームで走査してマー
ク位置を検出することを特徴とする試料位置測定方法。 - （２） 前記試料は、オリエンテーションフラットが
形成された半導体ウェハからなるものであることを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の試料位置測定方法。 - （３） 前記試料はカセット内に収容保持されたもの
であり、上記カセットは電子ビーム走査により前記試料
のエツジ部分が検出可能な構造であることを特徴とする
特許請求の節回ｐｒｆ１項又は第２項記載の試料位置測
定方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157005A JPS5946026A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 試料位置測定方法 |
| US06/527,486 US4558225A (en) | 1982-09-09 | 1983-08-29 | Target body position measuring method for charged particle beam fine pattern exposure system |
| DE8383108508T DE3369557D1 (en) | 1982-09-09 | 1983-08-29 | Target body position measuring method for charged particle beam fine pattern exposure system |
| EP83108508A EP0105185B1 (en) | 1982-09-09 | 1983-08-29 | Target body position measuring method for charged particle beam fine pattern exposure system |
| DD83254710A DD212580A5 (de) | 1982-09-09 | 1983-09-09 | Verfahren zum messen der tatsaechlichen stellung eines zielkoerpers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157005A JPS5946026A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 試料位置測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5946026A true JPS5946026A (ja) | 1984-03-15 |
Family
ID=15640091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157005A Pending JPS5946026A (ja) | 1982-09-09 | 1982-09-09 | 試料位置測定方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4558225A (ja) |
| EP (1) | EP0105185B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5946026A (ja) |
| DD (1) | DD212580A5 (ja) |
| DE (1) | DE3369557D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6212126A (ja) * | 1985-07-09 | 1987-01-21 | Toshiba Mach Co Ltd | ウエハ位置検出法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6010730A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Toshiba Corp | 半導体ウエハの位置合わせ方法 |
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