JPH0244250B2 - Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho - Google Patents
Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizohoInfo
- Publication number
- JPH0244250B2 JPH0244250B2 JP4115887A JP4115887A JPH0244250B2 JP H0244250 B2 JPH0244250 B2 JP H0244250B2 JP 4115887 A JP4115887 A JP 4115887A JP 4115887 A JP4115887 A JP 4115887A JP H0244250 B2 JPH0244250 B2 JP H0244250B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- scandium
- gallium
- zinc
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Catalysts (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用
な新規化合物であるScGaZn2MgO6で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法
に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
な新規化合物であるScGaZn2MgO6で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法
に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
【表】
【表】
これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
てYbFeO3がｎ（ｎ＝１、２、３、…）モルの割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
て、ｎ＝1/3に相当し、Yb3+の代わりにSc3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（2Zn2+
＋Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。 発明の構成 本発明の化合物はScGaZn2MgO6で示され、イ
オン結晶モデルでは、Sc3+（Ga3+、Zn2+）
Mg2+Zn2+O6 2-として記述され、その構造は、
ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、MgO層およびZnO
層の積層によつて形成されており、著しい構造異
方性を持つていることが特徴の一つである。 Zn2+の半数はGa3+と共に（Ga、Zn）O2.5層を
作り、残りの半数のZn2+はZnO層を、Mg2+は
MgO層を作つている。六方晶系としての格子定
数は以下の通りである。 ａ＝3.271±0.001（Å） ｃ＝41.14±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びＸ線に対
する相対反射強度（Ｉ％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
てYbFeO3がｎ（ｎ＝１、２、３、…）モルの割
合で化合していると考えられる層状構造を持つ化
合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
て、ｎ＝1/3に相当し、Yb3+の代わりにSc3+を、
Fe3+の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（2Zn2+
＋Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提供す
るにある。 発明の構成 本発明の化合物はScGaZn2MgO6で示され、イ
オン結晶モデルでは、Sc3+（Ga3+、Zn2+）
Mg2+Zn2+O6 2-として記述され、その構造は、
ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、MgO層およびZnO
層の積層によつて形成されており、著しい構造異
方性を持つていることが特徴の一つである。 Zn2+の半数はGa3+と共に（Ga、Zn）O2.5層を
作り、残りの半数のZn2+はZnO層を、Mg2+は
MgO層を作つている。六方晶系としての格子定
数は以下の通りである。 ａ＝3.271±0.001（Å） ｃ＝41.14±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びＸ線に対
する相対反射強度（Ｉ％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムも
しくは加熱により酸化スカンジウムに分解される
化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムも
しくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネ
シウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
スカンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウム
の割合が原子比で１対１対２対１になるように混
合して、該混合物を600℃以上の温度で、大気中、
酸化性雰囲気中あるいはスカンジウム及びガリウ
ムが各々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウム
が各々２価イオン状態より還元されない程度の還
元雰囲気中で加熱することによつて製造し得られ
る。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
と共に充分混合する。 これらの混合割合は、Sc、Ga、Zn及びMgの
割合が原子比で１対１対２対１の割合である。こ
の割合がはずれると目的とする化合物の単一相が
得られない。この混合物を大気中あるいは酸化性
雰囲気中もしくはScおよびGaが各々３価イオン
状態、Zn及びMgが各々２価イオン状態から還元
され得ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終
了後０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、
粉末Ｘ線回折法によると結晶構造を有することが
わかつた。その結晶構造は層状構造であり、
ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、ZnO層及びMgO層
の積み重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のSc2O3粉末、純度99.99％以
上のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1450℃に設
定された炉内に入れ、８日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はScGaZn2MgO6単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp及び相
対反射強度を測定した。その結果は前記表−２の
通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.271±0.001（Å） ｃ＝41.14±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の各反射（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウムも
しくは加熱により酸化スカンジウムに分解される
化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムも
しくは加熱により酸化ガリウムに分解される化合
物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱に
より酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネ
シウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱に
より酸化マグネシウムに分解される化合物とを、
スカンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウム
の割合が原子比で１対１対２対１になるように混
合して、該混合物を600℃以上の温度で、大気中、
酸化性雰囲気中あるいはスカンジウム及びガリウ
ムが各々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウム
が各々２価イオン状態より還元されない程度の還
元雰囲気中で加熱することによつて製造し得られ
る。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
と共に充分混合する。 これらの混合割合は、Sc、Ga、Zn及びMgの
割合が原子比で１対１対２対１の割合である。こ
の割合がはずれると目的とする化合物の単一相が
得られない。この混合物を大気中あるいは酸化性
雰囲気中もしくはScおよびGaが各々３価イオン
状態、Zn及びMgが各々２価イオン状態から還元
され得ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加
熱する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終
了後０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、
粉末Ｘ線回折法によると結晶構造を有することが
わかつた。その結晶構造は層状構造であり、
ScO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、ZnO層及びMgO層
の積み重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のSc2O3粉末、純度99.99％以
上のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対４対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1450℃に設
定された炉内に入れ、８日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はScGaZn2MgO6単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp及び相
対反射強度を測定した。その結果は前記表−２の
通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.271±0.001（Å） ｃ＝41.14±0.01（Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の各反射（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ScGaZn2MgO6で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 ２ 金属スカンジウムあるいは酸化スカンジウム
もしくは加熱により酸化スカンジウムに分解され
る化合物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウム
もしくは加熱により酸化ガリウムに分解される化
合物と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱
により酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグ
ネシウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱
により酸化マグネシウムに分解される化合物と
を、スカンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシ
ウムの割合が原子比で１対１対２対１になるよう
に混合して、該混合物を600℃以上の温度で、大
気中、酸化性雰囲気中あるいはスカンジウム及び
ガリウムが各々３価イオン状態、亜鉛及びマグネ
シウムが各々２価イオン状態より還元されない程
度の還元雰囲気中で加熱することを特徴とする
ScGaZn2MgO6で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115887A JPH0244250B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4115887A JPH0244250B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63210020A JPS63210020A (ja) | 1988-08-31 |
| JPH0244250B2 true JPH0244250B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=12600611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4115887A Expired - Lifetime JPH0244250B2 (ja) | 1987-02-24 | 1987-02-24 | Scgazn2mgo6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244250B2 (ja) |
-
1987
- 1987-02-24 JP JP4115887A patent/JPH0244250B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63210020A (ja) | 1988-08-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |