JPH0348130B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0348130B2 JPH0348130B2 JP62018917A JP1891787A JPH0348130B2 JP H0348130 B2 JPH0348130 B2 JP H0348130B2 JP 62018917 A JP62018917 A JP 62018917A JP 1891787 A JP1891787 A JP 1891787A JP H0348130 B2 JPH0348130 B2 JP H0348130B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- oxide
- lutetium
- heating
- gallium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Catalysts (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用
な新規化合物であるLuGaZnMgO5で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法
に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、FeO2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。
な新規化合物であるLuGaZnMgO5で示される六
方晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法
に関する。 従来技術 従来、（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され知られている。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、FeO2.5層の単位格子内における層
数を示すと表−１の通りである。
【表】
これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
てYbFeO3がｎ（ｎ＝１、２、３、……）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
てｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにLu3+を、
Fe3+、の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに
（Zn2+＋Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提
供するにある。 発明の構成 本発明の化合物はLuGaZnMgO5で示され、イ
オン結晶モデルではLu3+（Ga3+、Zn2+）
Mg2+O5 2-として記述され、その構造は、LuO1.5
層、（Ga、Zn）O2.5層およびMgO層の積層によ
つて形成されており、著しい構造異方性を持つて
いることが特徴の一つである。 Zn2+はGa3+と共に（Ga、Zn）O2.5層を作り、
Mg2+はMgO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は以下の通りである。 ａ＝3.367±0.01 （Å） ｃ＝21.91±0.01 （Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びＸ線に対
する相対反射強度（％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
てYbFeO3がｎ（ｎ＝１、２、３、……）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
てｎ＝1/2に相当し、Yb3+の代わりにLu3+を、
Fe3+、の代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに
（Zn2+＋Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提
供するにある。 発明の構成 本発明の化合物はLuGaZnMgO5で示され、イ
オン結晶モデルではLu3+（Ga3+、Zn2+）
Mg2+O5 2-として記述され、その構造は、LuO1.5
層、（Ga、Zn）O2.5層およびMgO層の積層によ
つて形成されており、著しい構造異方性を持つて
いることが特徴の一つである。 Zn2+はGa3+と共に（Ga、Zn）O2.5層を作り、
Mg2+はMgO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は以下の通りである。 ａ＝3.367±0.01 （Å） ｃ＝21.91±0.01 （Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
〔dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びＸ線に対
する相対反射強度（％）を表−２に示す。 この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料として有用なものである。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。
【表】
【表】
この化合物は次の方法によつて製造し得られ
る。 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしく
は加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシウム
あるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、ルテチ
ウム、ガイウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対１対１になるように混合して、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはルテチウム及びガリウムが各々
３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２
価イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気
中で加熱することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混合をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
と共に充分混合する。 これらの混合割合は、Lu、Ga、Zn及びMgの
割合が原子比で１対１対１対１の割合である。こ
の割合がはずれると目的とする化合物の単一相が
得られない。この混合物を大気中あるいは酸化性
雰囲気中もしくはLu及びGaが各々３価イオン状
態、Zn及びMgが各々２価イオン状態から還元さ
れ得ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終
了後０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、
粉末Ｘ線回折法によると結晶構造を有することが
わかつた。その結晶構造は層状構造であり、
LuO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、及びMgO層の積み
重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のLu2O3粉末、純度99.99％以
上のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対２対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1300℃に設
定された炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はLuGaZuMgO5の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp及び相
対反射強度を測定した。その結果は前記表−２の
通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.367±0.001 （Å） ｃ＝21.91±0.01 （Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の各反射（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
る。 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもしく
は加熱により酸化ルテチウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシウム
あるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、ルテチ
ウム、ガイウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対１対１になるように混合して、
該混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはルテチウム及びガリウムが各々
３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２
価イオン状態より還元されない程度の還元雰囲気
中で加熱することによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混合をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
と共に充分混合する。 これらの混合割合は、Lu、Ga、Zn及びMgの
割合が原子比で１対１対１対１の割合である。こ
の割合がはずれると目的とする化合物の単一相が
得られない。この混合物を大気中あるいは酸化性
雰囲気中もしくはLu及びGaが各々３価イオン状
態、Zn及びMgが各々２価イオン状態から還元さ
れ得ない程度の還元雰囲気中で600℃以上で加熱
する。加熱時間は数時間もしくはそれ以上であ
る。加熱の際の昇温速度には制約はない。加熱終
了後０℃に急冷するかあるいは大気中に急激に引
き出せばよい。得られた化合物の粉末は無色で、
粉末Ｘ線回折法によると結晶構造を有することが
わかつた。その結晶構造は層状構造であり、
LuO1.5層、（Ga、Zn）O2.5層、及びMgO層の積み
重ねによつて形成されている。 実施例 純度99.99％以上のLu2O3粉末、純度99.99％以
上のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対２対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1300℃に設
定された炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はLuGaZuMgO5の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp及び相
対反射強度を測定した。その結果は前記表−２の
通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.367±0.001 （Å） ｃ＝21.91±0.01 （Å） であつた。 上記の格子定数および表−２の各反射（hkl）
より算出した面間隔（dc（Å））は、実測の面間隔
（dp（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ LuGaZnMgO5で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 ２ 金属ルテチウムあるいは酸化ルテチウムもし
くは加熱により酸化ルテチウムに分解される化合
物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしく
は加熱により酸化ガリウムに分解される化合物
と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱によ
り酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシ
ウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱によ
り酸化マグネシウムに分解される化合物とを、ル
テチウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割
合が原子比で１対１対１対１になるように混合し
て、外混合物を600℃以上の温度で、大気中、酸
化性雰囲気中あるいはルテチウム及びガリウムが
各々３価イオン状態、亜鉛及びマグネシウムが
各々２価イオン状態より還元されない程度の還元
雰囲気中で加熱することを特徴とする
LuGaZnMgO5で示される六方晶系の層状構造を
有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891787A JPS63185814A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1891787A JPS63185814A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185814A JPS63185814A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0348130B2 true JPH0348130B2 (ja) | 1991-07-23 |
Family
ID=11984962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1891787A Granted JPS63185814A (ja) | 1987-01-29 | 1987-01-29 | ＬｕＧａＺｎＭｇＯ↓５で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63185814A (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS606890A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Mitsubishi Electric Corp | 高温金属検出器 |
| JPS606889A (ja) * | 1983-06-24 | 1985-01-14 | Toshiba Corp | Ｘ線ｃｔ装置用シンチレ−シヨン方式検出器の製造方法 |
-
1987
- 1987-01-29 JP JP1891787A patent/JPS63185814A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63185814A (ja) | 1988-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |