JPH0244257B2 - Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho - Google Patents
Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizohoInfo
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- JPH0244257B2 JPH0244257B2 JP1750187A JP1750187A JPH0244257B2 JP H0244257 B2 JPH0244257 B2 JP H0244257B2 JP 1750187 A JP1750187 A JP 1750187A JP 1750187 A JP1750187 A JP 1750187A JP H0244257 B2 JPH0244257 B2 JP H0244257B2
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- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 12
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 8
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 8
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 6
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は光機能材料、半導体材料等として有用
な新規化合物であるInSaZnMgO5で示される六方
晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法に
関する。 従来技術 従来（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され、知られてい
る。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10、及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
な新規化合物であるInSaZnMgO5で示される六方
晶系の層状構造を有する化合物及びその製造法に
関する。 従来技術 従来（Yb3+Fe3+O3）oFe2+O（ｎは整数を表わ
す）で示される六方晶系の層状構造を有する化合
物は、本出願人によつて合成され、知られてい
る。 YbFe2O4、Yb2Fe3O7、Yb3Fe4O10、及び
Yb4Fe5O13の六方晶系としての格子定数、YbO1.5
層、FeO1.5層、Fe2O2.5層の単位格子内における
層数を示すと表−１の通りである。
【表】
【表】
これらの化合物は酸化鉄（FeO）１モルに対し
て、YbFeO3がｎ（ｎ：１、２、３、…）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
て、ｎ＝1/2で、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe3+の
代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（Zn2+＋
Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提供する
にある。 発明の構成 本発明の化合物はInGaZnMgO5で示され、イ
オン結晶モデルでは、In3+（Ga3+Zn2+）
Mg2+O5 2-として記述され、その構造はInO1.5層、
（GaZn）O2.5層及びMgO層の積層によつて形成
されており、著しい構造異方性を持つていること
がその特徴の一つである。 Zn2+はGa3+と共に（GaZn）O2.5層を作り、
Mg2+はMgO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は以下の通りである。 ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝22.30±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びＸ線に対
する相対反射強度Ｉ（％）を表−２に示す。
て、YbFeO3がｎ（ｎ：１、２、３、…）モルの
割合で化合していると考えられる層状構造を持つ
化合物である。 発明の目的 本発明は前記（YbFeO3）oFeOの化学式におい
て、ｎ＝1/2で、Yb3+の代わりにIn3+を、Fe3+の
代わりにGa3+を、Fe2+の代わりに（Zn2+＋
Mg2+）を置きかえられた新規化合物を提供する
にある。 発明の構成 本発明の化合物はInGaZnMgO5で示され、イ
オン結晶モデルでは、In3+（Ga3+Zn2+）
Mg2+O5 2-として記述され、その構造はInO1.5層、
（GaZn）O2.5層及びMgO層の積層によつて形成
されており、著しい構造異方性を持つていること
がその特徴の一つである。 Zn2+はGa3+と共に（GaZn）O2.5層を作り、
Mg2+はMgO層を作つている。六方晶系としての
格子定数は以下の通りである。 ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝22.30±0.01（Å） この化合物の面指数（hkl）、面間隔（ｄ（Å））
（dpは実測値、dcは計算値を示す〕及びＸ線に対
する相対反射強度Ｉ（％）を表−２に示す。
【表】
【表】
【表】
この化合物は光機能材料、半導体材料及び触媒
材料などとして利用し得られる。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。 この化合物は次の方法で製造し得られる。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛いらうに酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシウム
あるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対１対１になるように混合して、
該混合物を600℃以上のもとで、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはインジウム及びガリウムが各々
３価状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２価状態
より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱する
ことによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
等と共に充分混合する。 これらの混合割合は、In、Ga、Zn及びMgの割
合が原子比で１対１対１対１の割合である。この
割合がはずれると目的とする化合物の単一相が得
られない。この混合物を大気中あるいは酸化性雰
囲気中もしくはIn及びGaが各々３価イオン状態、
Zn及びMgが各々２価状態から還元され得ない程
度の還元雰囲気中で600℃以上で加熱する。加熱
時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度に制約はない。加熱終了後０℃に急冷
するかあるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られた化合物の粉末は無色で、粉末Ｘ線回折法
によると結晶構造を有することがわかつた。その
結晶構造は層状構造であり、InO1.5層、（Ga、
Zn）O2.5層、及びMgO層の積み重ねによつて形
成されている。 実施例 純度99.99％以上のIn2O3粉末、純度99.9％以上
のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対２対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1300℃に設
定された炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はInSaZnMgO5の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp（Å）
及び相対反射強度を測定した。その結果は前記表
−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝22.30±0.001（Å） であつた。 上記の格子定数及び表−２の各反射（hkl）よ
り算出した面間隔（dc（Å））は実測の面間隔（dp
（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
材料などとして利用し得られる。 蛍光体、半導体用の素子としての利用が挙げら
れる。 この化合物は次の方法で製造し得られる。 金属インジウムあるいは酸化インジウムもしく
は加熱により酸化インジウムに分解される化合物
と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしくは
加熱により酸化ガリウムに分解される化合物と、
金属亜鉛いらうに酸化亜鉛もしくは加熱により酸
化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシウム
あるいは酸化マグネシウムもしくは加熱により酸
化マグネシウムに分解される化合物とを、インジ
ウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割合が
原子比で１対１対１対１になるように混合して、
該混合物を600℃以上のもとで、大気中、酸化性
雰囲気中あるいはインジウム及びガリウムが各々
３価状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２価状態
より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱する
ことによつて製造し得られる。 本発明に用いる出発物質は市販の物をそのまま
使用してもよいが、化学反応を速やかに進行させ
るためには粒径が小さい方がよく、特に10μｍ以
下であることが好ましい。また、光機能材料、半
導体材料として用いる場合には不純物の混入をき
らうので、純度の高い物が好ましい。この原料を
そのままあるいはアルコール類もしくはアセトン
等と共に充分混合する。 これらの混合割合は、In、Ga、Zn及びMgの割
合が原子比で１対１対１対１の割合である。この
割合がはずれると目的とする化合物の単一相が得
られない。この混合物を大気中あるいは酸化性雰
囲気中もしくはIn及びGaが各々３価イオン状態、
Zn及びMgが各々２価状態から還元され得ない程
度の還元雰囲気中で600℃以上で加熱する。加熱
時間は数時間もしくはそれ以上である。加熱の際
の昇温速度に制約はない。加熱終了後０℃に急冷
するかあるいは大気中に急激に引き出せばよい。
得られた化合物の粉末は無色で、粉末Ｘ線回折法
によると結晶構造を有することがわかつた。その
結晶構造は層状構造であり、InO1.5層、（Ga、
Zn）O2.5層、及びMgO層の積み重ねによつて形
成されている。 実施例 純度99.99％以上のIn2O3粉末、純度99.9％以上
のGa2O3粉末、試薬特級のZnO及び試薬特級の
MgO粉末をモル比で１対１対２対２の割合に秤
量し、めのう乳鉢内でエタノールを加えて約30分
間混合し、平均粒径数μｍの微粉状混合物を得
た。この混合物を白金管内に封入し、1300℃に設
定された炉内に入れ、３日間加熱し、その後試料
を炉外に取り出し、室温まで急速に冷却した。 得られた試料はInSaZnMgO5の単一相であり、
粉末Ｘ線回折法によつて各反射の面間隔dp（Å）
及び相対反射強度を測定した。その結果は前記表
−２の通りであつた。 六方晶系としての格子定数は ａ＝3.300±0.001（Å） ｃ＝22.30±0.001（Å） であつた。 上記の格子定数及び表−２の各反射（hkl）よ
り算出した面間隔（dc（Å））は実測の面間隔（dp
（Å））と極めてよく一致している。 発明の効果 本発明は光機能材料、半導体材料及び触媒とし
て有用な新規化合物を提供する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ InGaZnMgO5で示される六方晶系の層状構
造を有する化合物。 ２ 金属インジウムあるいは酸化インジウムもし
くは加熱により酸化インジウムに分解される化合
物と、金属ガリウムあるいは酸化ガリウムもしく
は加熱により酸化ガリウムに分解される化合物
と、金属亜鉛あるいは酸化亜鉛もしくは加熱によ
り酸化亜鉛に分解される化合物と、金属マグネシ
ウムあるいは酸化マグネシウムもしくは加熱によ
り酸化マグネシウムに分解される化合物とを、イ
ンジウム、ガリウム、亜鉛及びマグネシウムの割
合が原子比で１対１対１対１になるように混合し
て、該混合物を600℃以上のもとで、大気中、酸
化性雰囲気中あるいはインジウム及びガリウムが
各々３価状態、亜鉛及びマグネシウムが各々２価
状態より還元されない程度の還元雰囲気中で加熱
することを特徴とするInGaZnMgO5で示される
六方晶系の層状構造を有する化合物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1750187A JPH0244257B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1750187A JPH0244257B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63185819A JPS63185819A (ja) | 1988-08-01 |
| JPH0244257B2 true JPH0244257B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=11945738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1750187A Expired - Lifetime JPH0244257B2 (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | Ingaznmgo5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244257B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3947575B2 (ja) * | 1994-06-10 | 2007-07-25 | Ｈｏｙａ株式会社 | 導電性酸化物およびそれを用いた電極 |
-
1987
- 1987-01-28 JP JP1750187A patent/JPH0244257B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63185819A (ja) | 1988-08-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |