JPH0244316A - 補助容量付液晶表示装置 - Google Patents
補助容量付液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH0244316A JPH0244316A JP63194420A JP19442088A JPH0244316A JP H0244316 A JPH0244316 A JP H0244316A JP 63194420 A JP63194420 A JP 63194420A JP 19442088 A JP19442088 A JP 19442088A JP H0244316 A JPH0244316 A JP H0244316A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- auxiliary
- conductor
- display device
- transparent electrode
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶表示装置に係り、特に補助容量の形成に好
適な液晶表示装置に係る。
適な液晶表示装置に係る。
液晶表示装置は、薄型低消費電力の平面デイスプレィと
して製品化が進展している。このなかで、アクティブマ
トリクス型はコンクラストが高く、大型化の点で有利で
あり、まず小型品が実用化されるに至っている。
して製品化が進展している。このなかで、アクティブマ
トリクス型はコンクラストが高く、大型化の点で有利で
あり、まず小型品が実用化されるに至っている。
ＬＣＤの用途は通常のＴＶ、デイスプレィの外に、高精
細化して投射拡大する用途もある。この場合１強い光を
使うため、スイッチング素子の温度上昇も起ることから
、オフ電流が増加し、正常な保持機能がなくなる。また
温度上昇や劣化により、液晶の抵抗低下も起り、同様な
現象が発生する、これを防止するため、構造上の対策と
して、古くから補助容量を設けることが知られており、
その一方法が、特開昭６１−１３２２８号公報に述べら
れている。
細化して投射拡大する用途もある。この場合１強い光を
使うため、スイッチング素子の温度上昇も起ることから
、オフ電流が増加し、正常な保持機能がなくなる。また
温度上昇や劣化により、液晶の抵抗低下も起り、同様な
現象が発生する、これを防止するため、構造上の対策と
して、古くから補助容量を設けることが知られており、
その一方法が、特開昭６１−１３２２８号公報に述べら
れている。
以下第８図においてその基本構成を説明する。
スイッチング素子２がマトリクス状に配置され、走査線
３、信号線４で接続されている。信号端子５から入った
信号は、走査端子６から入った信号によりスイッチング
素子２がオン状態になることにより、信号が画素用透明
電極１１に印加され、液晶を駆動する。この時、絶縁膜
を介して下に埋め込まれた補助用透明電極１２との間に
液晶容量の数倍以上補助容量が形成され、電荷の損失を
補償することになる０画素用透明電極１２は表示領域の
外部で補助導体１０と接続され電位が固定されている。
３、信号線４で接続されている。信号端子５から入った
信号は、走査端子６から入った信号によりスイッチング
素子２がオン状態になることにより、信号が画素用透明
電極１１に印加され、液晶を駆動する。この時、絶縁膜
を介して下に埋め込まれた補助用透明電極１２との間に
液晶容量の数倍以上補助容量が形成され、電荷の損失を
補償することになる０画素用透明電極１２は表示領域の
外部で補助導体１０と接続され電位が固定されている。
この構造において、表示領域が例ば１０インチ以上と大
きくなった場合１画素用透明電極１２における電位降下
が起り、補助導体１０との接続部から遠い部分では、補
助容量への充電あるいは放電が不完全になってしまう。
きくなった場合１画素用透明電極１２における電位降下
が起り、補助導体１０との接続部から遠い部分では、補
助容量への充電あるいは放電が不完全になってしまう。
したがって、この構造では大きなＬＣＤは駆動できなく
なる。
なる。
上記従来技術は、補助容量透明電極における電位降下の
点に配慮がされておらず、大型化した場合の駆動能力に
問題があった。
点に配慮がされておらず、大型化した場合の駆動能力に
問題があった。
本発明の目的は、補助容量透明電極における電位降下を
効果的に防止する手段を提供するにある。
効果的に防止する手段を提供するにある。
本発明の目的は、表示領域内にも補助導体を設け、かつ
補助容量用透明電極とを効果的に接続するため、中間導
体を設けることにより達成される。
補助容量用透明電極とを効果的に接続するため、中間導
体を設けることにより達成される。
中間導体は補助容量用透明電極と良好にコンタクトし、
また中間導体は補助導体とも良好にコンタクトするにれ
によって補助容量用透明電極と補助導体は良好にコンタ
クトされることになり。
また中間導体は補助導体とも良好にコンタクトするにれ
によって補助容量用透明電極と補助導体は良好にコンタ
クトされることになり。
補助容量用透明電極による電位降下は防止されることに
なる。
なる。
以下本発明の実施例を第１図において説明する。
基本的な構成は先の第８図と同様であるが、補助導体１
０は走査線と平行に設けられている。補助容量透明電極 導体１３を介して低抵抗の補助導体１０に接続されてい
る。補助導体１０は各画素に延長されているため、どの
画素においても補助容量９は正常に動作する。
０は走査線と平行に設けられている。補助容量透明電極 導体１３を介して低抵抗の補助導体１０に接続されてい
る。補助導体１０は各画素に延長されているため、どの
画素においても補助容量９は正常に動作する。
次にさらに本発明による補助容量の具体的な製法と構造
を説明する。第２図は第１図におけるＡ−Ａ’断面図を
示す。ガラス板１上に多結晶シリコン１４が形成される
。このとき、本発明の特徴である中間導体１３を同時に
形成する。これは多結晶シリコン１４と同一材料を用い
る。ゲート絶縁膜１５、ゲート１６を形成し、イオン注
入法でｎ土層のソース・ドレインを形成する。この時同
時に中間導体１３もｎ÷化し、低抵抗化する。熱処理し
て注入したイオンを活性化する。中間導体１３の上に補
助導体１０を形成し、４００〜４５０℃でシンタリング
してコンタクトを取る。
を説明する。第２図は第１図におけるＡ−Ａ’断面図を
示す。ガラス板１上に多結晶シリコン１４が形成される
。このとき、本発明の特徴である中間導体１３を同時に
形成する。これは多結晶シリコン１４と同一材料を用い
る。ゲート絶縁膜１５、ゲート１６を形成し、イオン注
入法でｎ土層のソース・ドレインを形成する。この時同
時に中間導体１３もｎ÷化し、低抵抗化する。熱処理し
て注入したイオンを活性化する。中間導体１３の上に補
助導体１０を形成し、４００〜４５０℃でシンタリング
してコンタクトを取る。
この補助導体は例ばアルミニウムで、第１図の走査線３
と同時に形成することができる。次に補助容量用透明電
極１２として、ＩＴＯを形成し、中間導体１３にコンタ
クトさ−せる。この上に層間絶縁膜１７を形成する。ス
イッチング素子２のソース・ドレインにコンタクト窓を
開け、信号電極５を形成する。この上に画素用透明ｔｉ
ｌｌをＩＴＯで形成し、補助容量を持つアクティブマト
リクス基板が完成する。この過程において、層間絶縁膜
１７は約４００℃で形成されるが、この熱処理が、埋れ
込まれたＩＴＯ−多結晶シリコン−ＡＱのコンタクト部
分に作用する。しかし、多結晶シリコン−ＡＱのコンタ
クトはこの程度の熱処理では良好な方向に変化し、ＩＴ
Ｏ−多結晶シリコンのコンタクト状態もほとんど劣化し
ない。したがって完成した後の補助容量の動作は正常な
ものとなる。
と同時に形成することができる。次に補助容量用透明電
極１２として、ＩＴＯを形成し、中間導体１３にコンタ
クトさ−せる。この上に層間絶縁膜１７を形成する。ス
イッチング素子２のソース・ドレインにコンタクト窓を
開け、信号電極５を形成する。この上に画素用透明ｔｉ
ｌｌをＩＴＯで形成し、補助容量を持つアクティブマト
リクス基板が完成する。この過程において、層間絶縁膜
１７は約４００℃で形成されるが、この熱処理が、埋れ
込まれたＩＴＯ−多結晶シリコン−ＡＱのコンタクト部
分に作用する。しかし、多結晶シリコン−ＡＱのコンタ
クトはこの程度の熱処理では良好な方向に変化し、ＩＴ
Ｏ−多結晶シリコンのコンタクト状態もほとんど劣化し
ない。したがって完成した後の補助容量の動作は正常な
ものとなる。
第３図はこの様な補助容量構造を持つアクティブマトリ
クス基板の全体構成を示す。補助導体１０は１表示領域
内部から表示領域周辺に沿って外部に引き出される。
クス基板の全体構成を示す。補助導体１０は１表示領域
内部から表示領域周辺に沿って外部に引き出される。
第４図は本発明の異なる実施例を示す。基本的には第２
図と同様な構造であるが、中間導体１３に補助導体１０
と補助容量用透明電極１２が同時にコンタクトされてい
るが、前者の上に後者が重なる構造となっており、両者
が二重の形態でコンタクトされている点に特徴があり、
中間導体１３に異常があっても所定のコンタクトが取れ
る構造である。
図と同様な構造であるが、中間導体１３に補助導体１０
と補助容量用透明電極１２が同時にコンタクトされてい
るが、前者の上に後者が重なる構造となっており、両者
が二重の形態でコンタクトされている点に特徴があり、
中間導体１３に異常があっても所定のコンタクトが取れ
る構造である。
第５図は、異なるスイッチング素子２（正スタガ構造）
に本発明を適用した構造を示す。ソース・ドレインとな
る多結晶シリコン１４と同時に中間導体１３を形成する
。この後、能動層１８とゲート絶縁膜１５を形成する。
に本発明を適用した構造を示す。ソース・ドレインとな
る多結晶シリコン１４と同時に中間導体１３を形成する
。この後、能動層１８とゲート絶縁膜１５を形成する。
ここで、ゲート電極１９を別途形成し、この時点で同時
に補助導体１０を形成する。次に補助容量用透明電極１
２を形成し、層間絶縁膜１７を形成し、コンタクト窓を
開けた後、信号電極５を形成し、画素用透明電極１１を
形成する。スイッチング素子の構造が変っても、以上の
プロセスで本発明を同様に実施できる。
に補助導体１０を形成する。次に補助容量用透明電極１
２を形成し、層間絶縁膜１７を形成し、コンタクト窓を
開けた後、信号電極５を形成し、画素用透明電極１１を
形成する。スイッチング素子の構造が変っても、以上の
プロセスで本発明を同様に実施できる。
第６図は本発明の異なる実施例を示す。第８図と同様、
表示領域内の信号線と平行な方向に補助導体１０が設置
されている。Ｂ−Ｂ’の断面は第２図と同一である。
表示領域内の信号線と平行な方向に補助導体１０が設置
されている。Ｂ−Ｂ’の断面は第２図と同一である。
第７図は本発明の異なる実施例を示す。アクティブマト
リクス基板に走査回路２ｏと信号回路２１が内蔵された
構成である。補助導体１０は走査回路２０及び信号回路
２１と表示領域との間に設置され、外部に引き出されて
いる。
リクス基板に走査回路２ｏと信号回路２１が内蔵された
構成である。補助導体１０は走査回路２０及び信号回路
２１と表示領域との間に設置され、外部に引き出されて
いる。
以上述べた実施例では中間導体として多結晶シリコン、
スイッチング素子として多結晶シリコンＭＯ３ＦＥＴを
述べたが、非晶質、単結晶を用いた場合も同様に適用で
きる。また中間導体としては金、白金等酸化されにくい
金属、金属間化合物、酸化物導電体が適用でき、補助動
体としては、タングステン、モリブデン、チタン等の低
抵抗金属の外、金属間化合物、酸化物導電体も使用でき
る。
スイッチング素子として多結晶シリコンＭＯ３ＦＥＴを
述べたが、非晶質、単結晶を用いた場合も同様に適用で
きる。また中間導体としては金、白金等酸化されにくい
金属、金属間化合物、酸化物導電体が適用でき、補助動
体としては、タングステン、モリブデン、チタン等の低
抵抗金属の外、金属間化合物、酸化物導電体も使用でき
る。
本発明によれば、補助容量透明電極と補助導体とを良好
にコンタクトでき、大型ＬＣＤにおいても正常な補助容
量の効果を実現できる。
にコンタクトでき、大型ＬＣＤにおいても正常な補助容
量の効果を実現できる。
第１図及び第６図は本発明による画素部分の平面構成図
、第２図、第４図、第５図は本発明による画素部分の断
面図、第３図及び第７図は本発明によるアクティブマト
リクス基板平面図、第８図は従来技術による画素部分の
平面構成図を示す。 ２・・・スイッチング素子、１１・・・画素用透明電極
、１２・・・補助容量用透明電極、１３・・・中間導体
、１ｏ・・・補助導体、１７・・・層間絶縁膜。
、第２図、第４図、第５図は本発明による画素部分の断
面図、第３図及び第７図は本発明によるアクティブマト
リクス基板平面図、第８図は従来技術による画素部分の
平面構成図を示す。 ２・・・スイッチング素子、１１・・・画素用透明電極
、１２・・・補助容量用透明電極、１３・・・中間導体
、１ｏ・・・補助導体、１７・・・層間絶縁膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、補助容量を形成した液晶表示装置において、補助容
量用透明電極と、これを外部に接続するための補助導体
との間に、第２の導体を介在させ、電気的接続を成すこ
とを特徴とする補助容量付液晶表示装置。 ２、請求の範囲第１項において、補助容量用透明電極は
酸化スズ系透明電極、補助導体は金属膜、あるいは、抵
抗抗導体、第２の導体は半導体層であることを特徴とす
る補助容量付液晶表示装置。 ３、請求の範囲第１項または第２項において、補助容量
用透明電極は酸化スズ・インジウム、補助導体はアルミ
ニウム、第２の導体はシリコンであることを特徴とする
補助容量付液晶表示装置。 ４、請求の範囲第１項、第２項、または第３項において
、第２の導体であるシリコン膜は、表示装置を駆動する
スイッチング素子を構成する単結晶、多結晶又は非晶質
シリコンであることを特徴とする補助容量付液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194420A JPH0244316A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 補助容量付液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63194420A JPH0244316A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 補助容量付液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0244316A true JPH0244316A (ja) | 1990-02-14 |
Family
ID=16324308
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63194420A Pending JPH0244316A (ja) | 1988-08-05 | 1988-08-05 | 補助容量付液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0244316A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06194690A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 液晶ライトバルブ及びそれを用いた投射型ディスプレイ |
| US5574582A (en) * | 1992-04-10 | 1996-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Active matrix liquid crystal display panel with scanning electrodes acting as capacitor electrode and black matrix |
-
1988
- 1988-08-05 JP JP63194420A patent/JPH0244316A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5574582A (en) * | 1992-04-10 | 1996-11-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Active matrix liquid crystal display panel with scanning electrodes acting as capacitor electrode and black matrix |
| JPH06194690A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-07-15 | Hitachi Ltd | 液晶ライトバルブ及びそれを用いた投射型ディスプレイ |
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