JPH0245698B2 - Shinkusochinokudohoho - Google Patents
ShinkusochinokudohohoInfo
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- JPH0245698B2 JPH0245698B2 JP15035884A JP15035884A JPH0245698B2 JP H0245698 B2 JPH0245698 B2 JP H0245698B2 JP 15035884 A JP15035884 A JP 15035884A JP 15035884 A JP15035884 A JP 15035884A JP H0245698 B2 JPH0245698 B2 JP H0245698B2
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- chamber
- cryopumps
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- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 claims description 18
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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Description
【発明の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本発明は、クライオポンプを使用してチヤンバ
内を高真空に排気し、蒸着やスパツタリングで薄
膜を形成する真空装置を駆動する方法に関する。
内を高真空に排気し、蒸着やスパツタリングで薄
膜を形成する真空装置を駆動する方法に関する。
＜従来の技術＞
以下の説明では蒸着によつて薄膜を形成するも
のとする。
のとする。
従来のこの種の真空装置は、１台のクライオポ
ンプを使用してチヤンバ内を高真空に排気し、被
蒸着物に薄膜を形成するようになつている。
ンプを使用してチヤンバ内を高真空に排気し、被
蒸着物に薄膜を形成するようになつている。
クライオポンプは、排気プロセスがクリーンで
あり、しかも液体窒素を使用しないので維持費が
安いので、品質上及び経済上の理由からこの種の
装置に多く使用されている。
あり、しかも液体窒素を使用しないので維持費が
安いので、品質上及び経済上の理由からこの種の
装置に多く使用されている。
クライオポンプは、例えば活性炭等からなる
H2、He、Ne用吸着面と、金属からなるH2O、
N2、O2、Ar等用の極低温の壁面にガス分子を凝
結させることによつて排気作用を行うもので、必
要な排気能力を維持させるためには周期的に運転
を中止し、前記壁面を室温に戻して凝結したガス
分子を除去する、いわゆる再生を行わなければな
らない。特に、スパツタ法では10-3torr程度のAr
を流しながら行うので特に能力の低下が著しい。
H2、He、Ne用吸着面と、金属からなるH2O、
N2、O2、Ar等用の極低温の壁面にガス分子を凝
結させることによつて排気作用を行うもので、必
要な排気能力を維持させるためには周期的に運転
を中止し、前記壁面を室温に戻して凝結したガス
分子を除去する、いわゆる再生を行わなければな
らない。特に、スパツタ法では10-3torr程度のAr
を流しながら行うので特に能力の低下が著しい。
＜発明が解決しようとする課題＞
ところが、従来の真空装置ではクライオポンプ
は１台であるため、排気時間を短縮して生産効率
の向上を図るには自ずと限界があるとともに、再
生時間中は蒸着することができず、その間作業を
停止しなければならないという問題があつた。
は１台であるため、排気時間を短縮して生産効率
の向上を図るには自ずと限界があるとともに、再
生時間中は蒸着することができず、その間作業を
停止しなければならないという問題があつた。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、
生産効率の向上を図ることができるとともに、蒸
着中にクライオポンプの能力が低下し、異常が発
生するのを未然に防止することができる真空装置
の駆動方法を提供することを目的としている。
生産効率の向上を図ることができるとともに、蒸
着中にクライオポンプの能力が低下し、異常が発
生するのを未然に防止することができる真空装置
の駆動方法を提供することを目的としている。
＜課題を解決するための手段＞
本発明に係る真空装置の駆動方法は、薄膜形成
対象物がセツトされるチヤンバと、このチヤンバ
に接続される２台のクライオポンプとを有する真
空装置を駆動する方法であつて、２台のクライオ
ポンプを同時に運転してチヤンバ内を高真空にし
た後に一方のクライオポンプの運転を停止し、こ
の停止と略同時に薄膜形成作業を開始し、運転中
のクライオポンプの再生が必要になつた時点で、
停止中のクライオポンプの運転を再開すると同時
に他方のクライオポンプの再生を開始し、再生が
終了したならば運転中のクライオポンプの再生が
必要になるまで運転を停止して１つのクライオポ
ンプのみを運転するようになつている。
対象物がセツトされるチヤンバと、このチヤンバ
に接続される２台のクライオポンプとを有する真
空装置を駆動する方法であつて、２台のクライオ
ポンプを同時に運転してチヤンバ内を高真空にし
た後に一方のクライオポンプの運転を停止し、こ
の停止と略同時に薄膜形成作業を開始し、運転中
のクライオポンプの再生が必要になつた時点で、
停止中のクライオポンプの運転を再開すると同時
に他方のクライオポンプの再生を開始し、再生が
終了したならば運転中のクライオポンプの再生が
必要になるまで運転を停止して１つのクライオポ
ンプのみを運転するようになつている。
＜作用＞
２台のクライオポンプを同時に運転してチヤン
バ内を高真空にした後に、一方のクライオポンプ
の運転を停止し、この停止と略同時に薄膜形成作
業を開始する。
バ内を高真空にした後に、一方のクライオポンプ
の運転を停止し、この停止と略同時に薄膜形成作
業を開始する。
運転中のクライオポンプの再生が必要になつた
時点で、停止中のクライオポンプの運転を再開す
ると同時に、再生が必要になつたクライオポンプ
の再生を開始する。この再生が終了したならば、
運転中のクライオポンプの再生が必要になるまで
運転を停止して１つのクライオポンプのみを運転
する。
時点で、停止中のクライオポンプの運転を再開す
ると同時に、再生が必要になつたクライオポンプ
の再生を開始する。この再生が終了したならば、
運転中のクライオポンプの再生が必要になるまで
運転を停止して１つのクライオポンプのみを運転
する。
＜実施例＞
以下、図面を参照して本発明に係る一実施例を
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例に係る真空装置の駆
動方法の原理を示すブロツク図、第２図は真空装
置の駆動方法のタイミングチヤートである。
動方法の原理を示すブロツク図、第２図は真空装
置の駆動方法のタイミングチヤートである。
第１図においては１はチヤンバであり、当該チ
ヤンバ１は内部に被蒸着物をセツトすることがで
きるようになつている。かかるチヤンバ１には、
バルブ３ａを介して油回転ポンプ２が接続されて
いる。この油回転ポンプ２は、チヤンバ１の内部
を荒引きされる。
ヤンバ１は内部に被蒸着物をセツトすることがで
きるようになつている。かかるチヤンバ１には、
バルブ３ａを介して油回転ポンプ２が接続されて
いる。この油回転ポンプ２は、チヤンバ１の内部
を荒引きされる。
また、チヤンバ１には、２台のクライオポンプ
４，５がバルブ３ｂ，３ｃを介して接続されてい
る。なお、クライオポンプ４，５には再生時に用
いるバルブ３ｄ，３ｅが接続されている。また、
図面中６は、クライオポンプ４，５の能力に応じ
た運転サイクルでクライオポンプ４，５の切り換
えを制御するコントローラである。
４，５がバルブ３ｂ，３ｃを介して接続されてい
る。なお、クライオポンプ４，５には再生時に用
いるバルブ３ｄ，３ｅが接続されている。また、
図面中６は、クライオポンプ４，５の能力に応じ
た運転サイクルでクライオポンプ４，５の切り換
えを制御するコントローラである。
次に、かかる構成の真空装置を駆動する方法に
ついて第２図を参照しつつ説明する。なお、第２
図においてクライオポンプの再生運転は、破線で
もつて示すものとする。
ついて第２図を参照しつつ説明する。なお、第２
図においてクライオポンプの再生運転は、破線で
もつて示すものとする。
T0〜T1
まず、チヤンバ１の内部に被蒸着物をセツト
した後、バルブ３ａを開放して油回転ポンプ２
で、例えば10-1torr程度まで荒引きを行う。
した後、バルブ３ａを開放して油回転ポンプ２
で、例えば10-1torr程度まで荒引きを行う。
T1〜T2
T1においてバルブ３ａを閉止するとともに、
バルブ３ｂ，３ｃを開放して２台のクライオポ
ンプ４，５を運転し、例えば10-5〜10-6torr程
度の本引きを行う。
バルブ３ｂ，３ｃを開放して２台のクライオポ
ンプ４，５を運転し、例えば10-5〜10-6torr程
度の本引きを行う。
T2〜T3
T2においてバルブ３ｃが閉止され、クライ
オポンプ５の運転が停止される。従つて、チヤ
ンバ１の真空引きは、クライオポンプ４のみで
行われる。これ以降、チヤンバ１内部の圧力は
一定値、例えば10-5〜10-6torrを保つ。そし
て、蒸着作業はチヤンバ１内部の圧力が安定し
たT2以後に開始される。
オポンプ５の運転が停止される。従つて、チヤ
ンバ１の真空引きは、クライオポンプ４のみで
行われる。これ以降、チヤンバ１内部の圧力は
一定値、例えば10-5〜10-6torrを保つ。そし
て、蒸着作業はチヤンバ１内部の圧力が安定し
たT2以後に開始される。
T3〜T4
T3において、バルブ３ｂが閉止されると同
時にバルブ３ｄ及び３ｃが開放される。すなわ
ち、運転中のクライオポンプ４は、チヤンバ１
との接続を絶たれて再生運転に移行し、停止中
であつたクライオポンプ５が運転を再開するの
である。そして、T4においてバルブ３ｄが閉
止され、クライオポンプ４の再生運転は停止す
る。
時にバルブ３ｄ及び３ｃが開放される。すなわ
ち、運転中のクライオポンプ４は、チヤンバ１
との接続を絶たれて再生運転に移行し、停止中
であつたクライオポンプ５が運転を再開するの
である。そして、T4においてバルブ３ｄが閉
止され、クライオポンプ４の再生運転は停止す
る。
T4〜T5
T3において運転を再開したクライオポンプ
５は、T5まで運転を続行する。すなわち、T4
〜T5の間は、クライオポンプ５のみでチヤン
バ１の真空引きが行われているのである。
５は、T5まで運転を続行する。すなわち、T4
〜T5の間は、クライオポンプ５のみでチヤン
バ１の真空引きが行われているのである。
T5〜T6
T5において、バルブ３ｂ及び３ｅが開放さ
れ、かつバルブ３ｃが閉止される。すなわち、
停止中のクライオポンプ４が運転を再開し、か
つクライオポンプ５が再生運転に移行するので
ある。
れ、かつバルブ３ｃが閉止される。すなわち、
停止中のクライオポンプ４が運転を再開し、か
つクライオポンプ５が再生運転に移行するので
ある。
T6〜T7
T6においてクライオポンプ５の再生運転が
停止され、停止状態に移行する。
停止され、停止状態に移行する。
このようにして、クライオポンプ４，５は、
同時に再生運転を行うことなく、運転→再生運
転→停止のサイクルを繰り返して、チヤンバ１
内部の圧力を一定に保持する。
同時に再生運転を行うことなく、運転→再生運
転→停止のサイクルを繰り返して、チヤンバ１
内部の圧力を一定に保持する。
なお、上記実施例では、コントローラ６は時間
によつてクライオポンプ４，５の切り換え制御を
しているが、クライオポンプ４，５の温度、圧力
等の測定値に基づいて制御するようにしてもよ
い。
によつてクライオポンプ４，５の切り換え制御を
しているが、クライオポンプ４，５の温度、圧力
等の測定値に基づいて制御するようにしてもよ
い。
また、上記実施例では蒸着によつて薄膜を形成
するとしたが、本発明がこれに限定されるわけで
はなく、スパツタリング等の他の手法によること
も可能である。
するとしたが、本発明がこれに限定されるわけで
はなく、スパツタリング等の他の手法によること
も可能である。
＜発明の効果＞
本発明に係る真空装置の駆動方法は、２台のク
ライオポンプを同時に運転してチヤンバ内を高真
空にした後に一方のクライオポンプの運転を停止
し、この停止と略同時に薄膜形成作業を開始し、
運転中のクライオポンプの再生が必要になつた時
点で、停止中のクライオポンプの運転を再開する
と同時に他方のクライオポンプの再生を開始し、
再生が終了したならば運転中のクライオポンプの
再生が必要になるまで運転を停止して１つのクラ
イオポンプのみを運転するように構成されてい
る。
ライオポンプを同時に運転してチヤンバ内を高真
空にした後に一方のクライオポンプの運転を停止
し、この停止と略同時に薄膜形成作業を開始し、
運転中のクライオポンプの再生が必要になつた時
点で、停止中のクライオポンプの運転を再開する
と同時に他方のクライオポンプの再生を開始し、
再生が終了したならば運転中のクライオポンプの
再生が必要になるまで運転を停止して１つのクラ
イオポンプのみを運転するように構成されてい
る。
従つて、従来のようにクライオポンプの再生の
ために蒸着作業を中断させる必要がないので、連
続運転が可能になり生産効率の向上を図ることが
できる。
ために蒸着作業を中断させる必要がないので、連
続運転が可能になり生産効率の向上を図ることが
できる。
また、蒸着作業中に運転中のクライオポンプに
異常が発生しても、停止中のクライオポンプの運
転を再開することで、作業を中断することなく蒸
着精度に優れた製品を提供することが可能にな
る。
異常が発生しても、停止中のクライオポンプの運
転を再開することで、作業を中断することなく蒸
着精度に優れた製品を提供することが可能にな
る。
さらに、蒸着作業前に２台のクライオポンプを
同時に運転して本引きを行うので、蒸着作業の開
始に必要な段取り時間を短縮することができ、一
段と生産効率の向上を図ることができる。
同時に運転して本引きを行うので、蒸着作業の開
始に必要な段取り時間を短縮することができ、一
段と生産効率の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例に係る真空装置の駆
動方法の原理を示すブロツク図、第２図は真空装
置の駆動方法のタイミングチヤートである。 １……チヤンバ、４，５……クライオポンプ。
動方法の原理を示すブロツク図、第２図は真空装
置の駆動方法のタイミングチヤートである。 １……チヤンバ、４，５……クライオポンプ。
Claims (1)
- １ 薄膜形成対象物がセツトされるチヤンバと、
このチヤンバに接続される２台のクライオポンプ
とを有する真空装置の駆動方法において、２台の
クライオポンプを同時に運転してチヤンバ内を高
真空にした後に一方のクライオポンプの運転を停
止し、この停止と略同時に薄膜形成作業を開始
し、運転中のクライオポンプの再生が必要になつ
た時点で、停止中のクライオポンプの運転を再開
すると同時に他方のクライオポンプの再生を開始
し、再生が終了したならば運転中のクライオポン
プの再生が必要になるまで運転を停止して１つの
クライオポンプのみを運転することを特徴とする
真空装置の駆動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15035884A JPH0245698B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | Shinkusochinokudohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15035884A JPH0245698B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | Shinkusochinokudohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130664A JPS6130664A (ja) | 1986-02-12 |
| JPH0245698B2 true JPH0245698B2 (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=15495239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15035884A Expired - Lifetime JPH0245698B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | Shinkusochinokudohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245698B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH072987B2 (ja) * | 1989-04-25 | 1995-01-18 | ティーディーケイ株式会社 | 金型の表面処理方法及び装置 |
| JP3555717B2 (ja) | 1996-05-09 | 2004-08-18 | シャープ株式会社 | 半導体製造方法 |
| DE102007054851A1 (de) | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Createc Fischer & Co. Gmbh | MBE-Einrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
| DK2264224T3 (da) * | 2009-06-18 | 2012-07-23 | Riber | Apparat til anbringelse af en tynd film af et materiale på et substrat og re-genereringsfremgangsmåde for et sådant apparat |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP15035884A patent/JPH0245698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6130664A (ja) | 1986-02-12 |
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