JPS6130664A - 真空装置の駆動方法 - Google Patents
真空装置の駆動方法Info
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- JPS6130664A JPS6130664A JP15035884A JP15035884A JPS6130664A JP S6130664 A JPS6130664 A JP S6130664A JP 15035884 A JP15035884 A JP 15035884A JP 15035884 A JP15035884 A JP 15035884A JP S6130664 A JPS6130664 A JP S6130664A
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 abstract description 10
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、クライオポンプを使用してチャンバ内を高真
空に排気し、被蒸着物に薄膜を形成する蒸着方法に関す
る。
空に排気し、被蒸着物に薄膜を形成する蒸着方法に関す
る。
（ロ）従来技術
従来、この棟蒸着方法は、１台のクライオポンプを使用
してチャンバ内を高真空に排気し、被蒸着物に薄膜を形
成する方法である。
してチャンバ内を高真空に排気し、被蒸着物に薄膜を形
成する方法である。
この方法に使用される多ライオポンプは排気プロセスが
多リーンであり、しかも、液体窒素を使用しないので維
持費が安く、このような品質上及び経済上の理由で、蒸
着方法に多く使用されている。
多リーンであり、しかも、液体窒素を使用しないので維
持費が安く、このような品質上及び経済上の理由で、蒸
着方法に多く使用されている。
一方、クライオポンプは、例えば活性炭等からなるＮ２
、Ｈｅ 、Ｎｅ用吸着面と、金属からなる）１２０、
Ｎ２．０□、’、Ａ’ｒ等用の極低温の壁面に、ガス分
子を凝結させることによって排気作用を行うので、必要
な排気能力を維持させるには周期的に運転を中止し、前
記壁面を室温に戻して凝結したガス分子を除去する、所
謂再生を行わなければならない。特にスパッタ法ではＡ
ｒを１０’ ｔｏｒｒ程流しながら行うので特に能力の
低下が著しい。
、Ｈｅ 、Ｎｅ用吸着面と、金属からなる）１２０、
Ｎ２．０□、’、Ａ’ｒ等用の極低温の壁面に、ガス分
子を凝結させることによって排気作用を行うので、必要
な排気能力を維持させるには周期的に運転を中止し、前
記壁面を室温に戻して凝結したガス分子を除去する、所
謂再生を行わなければならない。特にスパッタ法ではＡ
ｒを１０’ ｔｏｒｒ程流しながら行うので特に能力の
低下が著しい。
ところが、従来の蒸着方法ではクライオポンプは１台で
あるため、排気時間を短縮して生産効率の向上を図るに
は自ずと限界があると共に、再生期間中は蒸着すること
ができす、その間作業を停止しなければならないという
問題があった。
あるため、排気時間を短縮して生産効率の向上を図るに
は自ずと限界があると共に、再生期間中は蒸着すること
ができす、その間作業を停止しなければならないという
問題があった。
また、蒸着中にクライオポンプの能力が低下し 、でも
、適当な処置が取れず、その結果製品不良が発生すると
いう問題があった。
、適当な処置が取れず、その結果製品不良が発生すると
いう問題があった。
（ハ）目的
本発明はこのような問題点を解決し、生産効率の向上を
図ることができると共に、蒸着中にクライオポンプの能
力が低下し、異常が発生するのを未然に防ぐことができ
る蒸着方法を提供することを目的とする。
図ることができると共に、蒸着中にクライオポンプの能
力が低下し、異常が発生するのを未然に防ぐことができ
る蒸着方法を提供することを目的とする。
（ニ）構成
そこで、本発明の特徴とする処は、チャンバ内に被蒸着
物をセットし、その後クライオポンプを使用して該チャ
ンバ内を高真空に排気し、被蒸着物に薄膜を形成する蒸
着方法において、前記チャンバに２台のクライオポンプ
が接続され、一方のクライオポンプが再生中は他方のク
ライオポンプが運転し、クライオポンプの再生中を除い
て双方のクライオポンプが同時運転するように片肺運転
と同時運転を交互に繰り返し、前記クライオポンプの同
時運転時には、蒸着直前に一方のクライオポンプ用のバ
ルブを閉じるようにして、連続的に被蒸着物に薄膜を形
成する点にある。
物をセットし、その後クライオポンプを使用して該チャ
ンバ内を高真空に排気し、被蒸着物に薄膜を形成する蒸
着方法において、前記チャンバに２台のクライオポンプ
が接続され、一方のクライオポンプが再生中は他方のク
ライオポンプが運転し、クライオポンプの再生中を除い
て双方のクライオポンプが同時運転するように片肺運転
と同時運転を交互に繰り返し、前記クライオポンプの同
時運転時には、蒸着直前に一方のクライオポンプ用のバ
ルブを閉じるようにして、連続的に被蒸着物に薄膜を形
成する点にある。
（ホ）実施例
以下、図示の実施例に基づき本発明を詳説する。
第１図は本発明の一実施例の原理を示すブロック図であ
る。同図において、■はチャンバであり、内部に被蒸着
物をセットした後、高真空状態に排気される。２はチャ
ンバ１内を荒引きするための油回転ポンプであり、バル
ブ３ａを介してチャンバ１に接続されている。４及び５
は、バルブ３ｂ、３ｃを介してチャンバ１にそれぞれ接
続される２台のクライオポンプであり、荒引きされた前
記チャンバ１内がこのクライオポンプ４．５によって高
真空に排気される。６はクライオポンプ４．５の切り換
えを制御するコントローラである。
る。同図において、■はチャンバであり、内部に被蒸着
物をセットした後、高真空状態に排気される。２はチャ
ンバ１内を荒引きするための油回転ポンプであり、バル
ブ３ａを介してチャンバ１に接続されている。４及び５
は、バルブ３ｂ、３ｃを介してチャンバ１にそれぞれ接
続される２台のクライオポンプであり、荒引きされた前
記チャンバ１内がこのクライオポンプ４．５によって高
真空に排気される。６はクライオポンプ４．５の切り換
えを制御するコントローラである。
しかして、前記クライオポンプ４．５は第２図に示すよ
うに、一方のクライオポンプ４又は５が再生中は他方の
クライオポンプ５又は４が運転し、再生中のクライオポ
ンプ４又は５の運転が再開されると同時に前記運転中の
クライオポンプ５又は４が停止して再生が開始される。
うに、一方のクライオポンプ４又は５が再生中は他方の
クライオポンプ５又は４が運転し、再生中のクライオポ
ンプ４又は５の運転が再開されると同時に前記運転中の
クライオポンプ５又は４が停止して再生が開始される。
そして、前記クライオポンプ４．５の再生中を除いて双
方のクライオポンプ４．５が同時運転するように片肺運
転と同時運転が交互に繰り返される。
方のクライオポンプ４．５が同時運転するように片肺運
転と同時運転が交互に繰り返される。
また、前記クライオポンプ４．５の同時運転時には、蒸
着直前に一方のクライオポンプ４又は５のバルブが閉じ
られる。
着直前に一方のクライオポンプ４又は５のバルブが閉じ
られる。
次に、蒸着方法を説明する。
まず、チャンバ１内に被蒸着物をセットした後、バルブ
３ａを開放すると共にバルブ３ｂ、３Ｃを閉鎖する。そ
して、油回転ポンプ２で例えば１Ｏ−１ｔｏｒｒ程度ま
で荒引きする。次に、バルブ３ｂ、３Ｃを開放すると共
にバルブ３ａを閉鎖し、双方のクライオポンプ４．５の
同時運転にて本引きが行われ、例えば１０−５〜１Ｏ−
６ｔｏｒｒの高真空領域で蒸着が行われる。
３ａを開放すると共にバルブ３ｂ、３Ｃを閉鎖する。そ
して、油回転ポンプ２で例えば１Ｏ−１ｔｏｒｒ程度ま
で荒引きする。次に、バルブ３ｂ、３Ｃを開放すると共
にバルブ３ａを閉鎖し、双方のクライオポンプ４．５の
同時運転にて本引きが行われ、例えば１０−５〜１Ｏ−
６ｔｏｒｒの高真空領域で蒸着が行われる。
この同時運転時には、薄膜（蒸着層）形成の均一化を図
るために、蒸着直前に一方のバルブ３ｂ又は３ｃを閉じ
るようにする。
るために、蒸着直前に一方のバルブ３ｂ又は３ｃを閉じ
るようにする。
前記クライオポンプ４．５は、その排気能力が維持でき
る間、続けて使用される。通常、クライオポンプ４．５
の連続運転可能時間は約５０時間であるので、コントロ
ーラ６にその時間を予め設定しておくと共に、その動作
タイミングを再生時間分だけずらせである。そして、一
方のクライオポンプ４又は５の累積運転時間が前記設定
時間に達すると、バルブ３ｂ又は３ｃが閉鎖しで、クラ
イオポンプ４又は５が停止ｌニジ、他方のクライオポン
プ５又は４による片肺運転に入る。その間、前記クライ
オポンプ４又は５の再生が行われる。
る間、続けて使用される。通常、クライオポンプ４．５
の連続運転可能時間は約５０時間であるので、コントロ
ーラ６にその時間を予め設定しておくと共に、その動作
タイミングを再生時間分だけずらせである。そして、一
方のクライオポンプ４又は５の累積運転時間が前記設定
時間に達すると、バルブ３ｂ又は３ｃが閉鎖しで、クラ
イオポンプ４又は５が停止ｌニジ、他方のクライオポン
プ５又は４による片肺運転に入る。その間、前記クライ
オポンプ４又は５の再生が行われる。
次いで、クライオポンプ４又は５の再生が終了すると、
閉鎖中のバルブ３ｂ又は３ｃが開放すると共に開放中の
バルブ３０又は３ｂが閉鎖して、他方のクライオポンプ
５又は４が停止して再生に入ると共に、前記クライオポ
ンプ４又は５による片肺運転が行われる。そして、他方
のタライオボンブ５又は４の再生が終了すると、閉鎖中
のバルブ３０又は３ｂが開放して再び双方のクライオポ
ンプ４．５の同時運転が行われる。
閉鎖中のバルブ３ｂ又は３ｃが開放すると共に開放中の
バルブ３０又は３ｂが閉鎖して、他方のクライオポンプ
５又は４が停止して再生に入ると共に、前記クライオポ
ンプ４又は５による片肺運転が行われる。そして、他方
のタライオボンブ５又は４の再生が終了すると、閉鎖中
のバルブ３０又は３ｂが開放して再び双方のクライオポ
ンプ４．５の同時運転が行われる。
このように、クライオポンプ４．５の片肺運転及び同時
運転が第２図に示すように一定の周期をもって繰り返し
行われ、連続的に被蒸着物に薄膜が形成される。
運転が第２図に示すように一定の周期をもって繰り返し
行われ、連続的に被蒸着物に薄膜が形成される。
また、クライオポンプ４．５の再生時間は、通常８時間
程度であり、クライオポンプ４．５の連続運転時間より
も短く、一方のクライオポンプ４又は５の排気能力が予
想よりも早く低下しても、再生の終了した他方のクライ
オポンプ４又は５が運転中であるので蒸着作業の停止す
る膚がない。
程度であり、クライオポンプ４．５の連続運転時間より
も短く、一方のクライオポンプ４又は５の排気能力が予
想よりも早く低下しても、再生の終了した他方のクライ
オポンプ４又は５が運転中であるので蒸着作業の停止す
る膚がない。
なお、上述の実施例において、コントローラ６は時間に
よってクライオポンプ４．５の切り換え制御を行ってい
るが、クライオポンプ内の温度又は圧力等の測定値に基
づいて制御するようになすも可能である。
よってクライオポンプ４．５の切り換え制御を行ってい
るが、クライオポンプ内の温度又は圧力等の測定値に基
づいて制御するようになすも可能である。
（へ）効果
本発明は、以上詳述した構成にて所期の目的を有効に達
成した。特にチャンバに２台のクライオポンプが接続さ
れ、一方のクライオポンプが再生中は他方のクライオポ
ンプが運転し、クライオポンプの再生中を除いて双方の
クライオポンプが同時運転するように片肺運転と同時運
転を交互に繰り返す方法であるから、従来のようにクラ
イオポンプを再生するために作業を停止させる必要がな
く、連続運転が可能となって生産効率の向上を図ること
ができる。
成した。特にチャンバに２台のクライオポンプが接続さ
れ、一方のクライオポンプが再生中は他方のクライオポ
ンプが運転し、クライオポンプの再生中を除いて双方の
クライオポンプが同時運転するように片肺運転と同時運
転を交互に繰り返す方法であるから、従来のようにクラ
イオポンプを再生するために作業を停止させる必要がな
く、連続運転が可能となって生産効率の向上を図ること
ができる。
また、蒸着中に一方のクライオポンプの能力が低下して
も、再生された他方のクライオポンプを使用することが
できるので、蒸着精度の優れた製品を提供することが可
能となる。
も、再生された他方のクライオポンプを使用することが
できるので、蒸着精度の優れた製品を提供することが可
能となる。
さらに、前記クライオポンプの同時運転時には、蒸着直
前までは両方のポンプで真空引を行い、蒸着直前に一方
のクライオポンプ用のバルブを閉じるようにして、連続
的に被蒸着物に薄膜を形成する方法であるから、従来に
比べて排気時間が短縮され、一段と生産効率の向上を図
ることができる。
前までは両方のポンプで真空引を行い、蒸着直前に一方
のクライオポンプ用のバルブを閉じるようにして、連続
的に被蒸着物に薄膜を形成する方法であるから、従来に
比べて排気時間が短縮され、一段と生産効率の向上を図
ることができる。
第１図は本発明の一実施例の原理を示すブロック図、第
２図はクライオポンプの動作タイミングを示す説明図で
ある。 １・・・チャンバ、４・・・クライオポンプ。
２図はクライオポンプの動作タイミングを示す説明図で
ある。 １・・・チャンバ、４・・・クライオポンプ。
Claims (1)
- （１）チャンバ内に被蒸着物をセットし、その後クライ
オポンプを使用して該チャンバ内を高真空に排気し、被
蒸着物に薄膜を形成する蒸着方法において、前記チャン
バに２台のクライオポンプが接続され、一方のクライオ
ポンプが再生中は他方のクライオポンプが運転し、クラ
イオポンプの再生中を除いて双方のクライオポンプが同
時運転するように片肺運転と同時運転を交互に繰り返し
、前記クライオポンプの同時運転時には、蒸着直前に一
方のクライオポンプ用のバルブを閉じるようにして、連
続的に被蒸着物に薄膜を形成することを特徴とする蒸着
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15035884A JPH0245698B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | Shinkusochinokudohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15035884A JPH0245698B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | Shinkusochinokudohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6130664A true JPS6130664A (ja) | 1986-02-12 |
| JPH0245698B2 JPH0245698B2 (ja) | 1990-10-11 |
Family
ID=15495239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15035884A Expired - Lifetime JPH0245698B2 (ja) | 1984-07-18 | 1984-07-18 | Shinkusochinokudohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0245698B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02284725A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-22 | Tdk Corp | 金型の表面処理方法及び装置 |
| EP0806499A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for fabricating semiconductor |
| EP2060662A2 (de) | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Forschungsverbund Berlin E.V. | MBE-Einrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
| EP2264224A1 (en) * | 2009-06-18 | 2010-12-22 | Riber | Apparatus for depositing a thin film of material on a substrate and regeneration process for such an apparatus |
-
1984
- 1984-07-18 JP JP15035884A patent/JPH0245698B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02284725A (ja) * | 1989-04-25 | 1990-11-22 | Tdk Corp | 金型の表面処理方法及び装置 |
| EP0806499A1 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for fabricating semiconductor |
| US6206969B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-03-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for fabricating semiconductor |
| EP2060662A2 (de) | 2007-11-16 | 2009-05-20 | Forschungsverbund Berlin E.V. | MBE-Einrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
| EP2060662A3 (de) * | 2007-11-16 | 2010-05-19 | Forschungsverbund Berlin E.V. | MBE-Einrichtung und Verfahren zu deren Betrieb |
| EP2264224A1 (en) * | 2009-06-18 | 2010-12-22 | Riber | Apparatus for depositing a thin film of material on a substrate and regeneration process for such an apparatus |
| WO2010146130A1 (en) * | 2009-06-18 | 2010-12-23 | Riber | Apparatus for depositing a thin film of material on a substrate and regeneration process for such an apparatus |
| CN102803579A (zh) * | 2009-06-18 | 2012-11-28 | 瑞必尔 | 用于在基片上沉积材料薄膜的装置和用于该装置的再生方法 |
| US8858713B2 (en) | 2009-06-18 | 2014-10-14 | Riber | Apparatus for depositing a thin film of material on a substrate and regeneration process for such an apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0245698B2 (ja) | 1990-10-11 |
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