JPH0245702B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、特に光学的なビデイオ・デイスク等
反射膜を形成する場合に最適に採用できる被処理
物のメタライジング方法及びそれを実施する装置
を提供するのにある。

近時、レコード再生系に代わる新しい形態とし
てビデイオ・デイスク再生系が注目視されつつあ
る。

ところでビデイオ・デイスク・システムとして
はデイスクに記録された信号を再生する場合の相
違から、デイスクに直接、ピツクアツプが接触す
ることによつてデイスクに記録された信号を再生
する接触式と、デイスクに直接、ピツクアツプが
接触しないで信号を再生する非接触式とがある。
前者にはデイスクに信号溝を形成して、この溝を
電極の付いたスタイラスで追従することにより静
電容量変化をとらえる溝付静電容量方式によるも
の、又は複数のピツト列が信号としてデイスクの
表面にうず巻状に形成されて、このピツト列を電
極の付いたスタイラスで追従しその静電容量変化
をとらえる溝なし静電容量方式によるもの等があ
り、後者にはデイスクに記録されたうず巻状のピ
ツト列に例えば半導体レーザを照射してその反射
光を読み取る光学式ビデイオ・デイスク方式に代
表される。

ところで光学式ビデイオ・デイスク・システム
におけるデイスクは通常、デイスク表面にはピツ
トは形成されていない。即ち透明なプラスチツ
ク、例えば透過率の高いアクリル樹脂や塩化ビニ
ール樹脂を用いてインジエクシヨン或いはコンプ
レツシヨン等の方法でプラスチツク成型すること
により表面にピツトが形成されたデイスク製作基
板を先ず成型し、次いで半体レーザ等を照射した
場合の反射効率を向上するために、デイスク製作
基板の表面に、例えばアルミニウムの反射膜をピ
ツト形状を崩さずに極く薄く形成し、さらにその
表面に透明なプラスチツク保護層を形成すること
によつて製造される。両面デイスクにおいては一
般にこのようにして製造された片面デイスク背中
合せに接着することによつて形成されている。

ところで上記反射膜を形成するのには、化学め
つき法、電気めつき法、蒸着法、スパツタリング
法等が考えられるが、無公害な点とピツト形状を
崩さずに反射効率を向上させるために、蒸着法、
スパツタリング法が普及しつつある。

蒸着法、スパツタリング法を実施するのには、
気密性と公害面とを考慮して真空室を必要とし、
これには従来行われているものとしてバツチ法と
半連続法とがある。

バツチ法とは第１図に示すように、例えば真空
ベルジヤＡ内にデイスク製作基板１を放射状に数
段、配置してからドアバルブＢを閉め、その後、
真空ポンプ等を用いて前記ベルジヤＡ内を排気
し、真空にした後に、アルミニウム等の処理金属
１８を加熱することによつて気化し、被処理物と
してのデイスク製作基板１にアルミニウムを蒸着
させる方法をいう。

しかし蒸着法においては、メタライジングを行
う毎に被処理物を真空ベルジヤＡ内に入れたり出
したりするのにドアＢを開かなければならないの
で真空ベルジヤＡの気密性が維持できず、真空ベ
ルジヤＡ内を再び真空にするために時間がかかる
こと、および被処理物を真空ベルジヤＡ内にセツ
トするのに手間がかかることから生産能率が悪
く、コスト高になつていた。

他面、半連続法とは、第２図に示すように、気
密を維持するためのドア付の室Ｃ，Ｅを、中間に
位置するメタライジング室Ｄ前後にバルブＦ，Ｇ
を介して連続して設け、そして前記室Ｃ内にスト
ツクされている被処理物としてのデイスク製作基
板を用いてメタライジング室Ｄ内に順次搬送し、
メタライジング室Ｄ内においてアルミニウム等の
処理金属１８を気化する等して被処理物としての
デイスク製作基板１にアルミニウムを蒸着させ
る。そして開いているバルブＧを通つて室Ｅ内に
処理後の被処理物を搬送し、それからバルブＦ，
Ｇを閉じ、前記室Ｃ，Ｅのドアを開き、室Ｃには
未処理のデイスク製作基板１を取り入れ、他面室
Ｅから処理後のデイスク製作基板１を取り出す方
法である。

しかし半連続方法は、被処理物としてのデイス
ク製作基板１にメタライジングを行うのに被処理
物が、室Ｃ、メタライジング室Ｄ、室Ｅへと順次
移動することになるから、１バツチ内では連続と
なるが、バツチ間では不連続となる。また室Ｃ、
メタライジング室Ｄ、室Ｅの真空状態を維持する
のにバルブＦ，Ｇが必要となり、不連続時間を短
縮するには真空ポンプも大容量となる。このため
設備費がかかるとともにバツチ式同様に処理時間
がかかり、コスト高となつていた。

本発明は上述の如き点に鑑みてなされたもので
ありその目的とするところは、被処理物としての
製作基板を大気中から連続して複数の真空室内に
搬送させることにより、パレツトに設けたシーリ
ング用膨出部の何れかを複数の前記真空室間を接
続する全ての連絡通路に必ず次々と接触させると
いう一種の弁機能によつて数個の真空室内を処理
工程が進行するのにつれて大気圧から高真空に
次々に気密化し、もつて多量の製作基板を連続し
てメタライジングし、生産能率を向上させてコス
トが低廉な被処理物のメタライジング方法および
装置を提供するのにある。

以下本特定発明を実施するのに使用する装置と
ともに第３図乃至第８図に従つて説明する。

１は被処理物としてその表面にアルミニウム等
の金属がメタライジングされるべきドーナツ状の
デイスク製作基板で、このデイスク製作基板１は
例えば半導体レーザ等の透過率が高い透明なアク
リル樹脂や塩化ビニール樹脂を用いてコンプレツ
シヨンやインジエクシヨンによつて成型される。

２は被処理物としてのデイスク製作基板１を例
えば前後両側面に縦型に着脱自在に装着して、連
続して配置された後記入口側予備真空室３、イオ
ン洗浄室４、高真空室５、メタライジング室６、
出口側予備真空室７，８の各真空室内に連続又は
間欠的に搬送されるパレツトで、このパレツト２
は軸長方向の前後両側面にデイスク製作基板１が
装着される凹面部２Ａ，２Ａがその大部分を占め
るように形成され、さらに後部には進行方向に対
して直交方向の断面形状が後記入口側予備真空室
３、イオン洗浄室、高真空室５、メタライジング
室６、出口側予備真空室７，８の各真空室内に通
ずる各真空室間を接続する通路と酷似形状のシー
リング用膨出部２Ｂ，２Ｂを前記凹面部２Ａ，２
Ａと連設している。

なおパレツト２は、第６図に示すように、両面
に凹面部２Ａ，２Ａが形成されるとともに前後両
端にシーリング用膨出部２Ｂ，２Ｂ；２Ｂ，２Ｂ
を設けたもの、また第７図および第８図に示すよ
うに片面のみにデイスク製作基板装置用の凹面部
２Ａを設け、シーリング用膨出部２Ａを後端又は
前後両端に設ける等、種々のものが考えられる。

またパレツト２の搬送手段は、連続してガイド
枠にて支持されたパレツト２を油圧シリンダ等の
受圧で順次、押込むか、或いはベルトコンベア、
ローラコンベア、チエンコンベア等の従来の搬送
手段を用いて行う。

入口側真空予備室３、イオン洗浄室４、高真空
室５、メタライジング室６、出口側真空予備室
７，８から成る複数個の真空室間は連絡通路９，
１０，１１，１２，１３によつて連続して接続さ
れ、しかも前記入口側予備真空室３と出口側予備
真空室８のそれぞれ入口側および出口側には入口
側通路１４と出口側通路１５が形成され、運転時
には大気と略等しく設定される。この入口側通路
１４、出口側通路１５、および前記連絡通路９，
１０，１１，１２，１３のパレツト２の進行方向
に対し直交方向の断面形状は、搬送するパレツト
２のシーリング用膨出部２Ｂ，２Ｂが次々に接触
して搬送方向に位置する通路および之に通ずる真
空室をシーリングして一種の弁機能により大気圧
に近い入口側予備真空室３から略中程に位置する
高真空室５、メタライジング室６へと処理工程が
進むにつれて高真空状態にするためにシーリング
用膨出部２Ｂ，２Ｂの断面形状と酷似形状で僅か
に大きく形成されている。また入口側予備真空室
３、イオン洗浄室４、高真空室５、メタライジン
グ室６、出口側予備真空室７，８は真空ポンプ
（図示せず）等に接続されて該真空室内を真空に
するための排気口３Ａ，４Ａ，５Ａ，６Ａ，７
Ａ，８Ａが形成されている。１６，１７はイオン
洗浄室４内に設けられた１対のイオン洗浄電極、
１８は前記メタライジング室６内に配置された処
理金属、例えばアルミニウムである。

上記装置を用いて本願特定発明を実施するのに
は、先ずアクリル樹脂のような透過度の高いプラ
スチツクにてうず巻き状のピツトを表面に成型さ
れたデイスク製作基板１，１をパレツト２の両面
に形成された凹面部２Ａ，２Ａに装着する。この
場合凹面部２Ａ，２Ａにはデイスク製作基板１，
１の中心に設けたスピンドル挿通孔１Ａ，１Ａ内
に挿通されるスピンドル２A₁，２A₁が挿入され
ることにより容易にデイスク製作基板１，１をパ
レツト２に装着できる。

そして先ず第１工程として油圧シリンダ（図示
せず）等の連続的又は間欠的な受圧を受けて、デ
イスク製作基板１，１を装着し且つ連続して配置
されたパレツト２は後続するものに押圧されるこ
とによつて入口側通路１４内に押込まれていく。
入口側通路１４の断面形状はパレツト２の進行方
向に対して直交方向の断面形状と酷似形状で僅か
に大きく形成されているのでパレツト２が入口側
通路１４内に押込まれていくに従いパレツト２の
シーリング用膨出部２Ｂ，２Ｂが次々に入口側通
路１４の内壁に接触して閉塞することにより、一
種の弁機能を発揮する。従つて入口側通路１４に
通ずる入口側予備真空室３は真空ポンプ（図示せ
ず）等で排気され真空状態となる。この場合、１
つのパレツト２が入口側予備真空室３内に完全に
収容されると、後続のパレツト２のシーリング用
膨出部２Ｂ，２Ｂが入口側通路１４を閉塞するの
で入口側予備真空室３は常時、真空状態となる。

第２工程としてパレツト２のシーリング用膨出
部２Ｂ，２Ｂと近似形状で僅かに大きい断面形状
を有する通路９にシーリング用膨出部２Ｂ，２Ｂ
が接触しながら気密を維持してパレツト２は順次
イオン洗浄室４内に搬送される。従つて、イオン
洗浄室４内に搬送されたパレツト２に装着されて
いるデイスク製作基板１，１は特定ガスを流入し
ながら真空排気されている定真空下においてイオ
ン洗浄電極１６，１７間に高電圧を印加すること
によつてイオン洗浄される。この場合、通路９内
には後続のパレツト２のシーリング用膨出部２
Ｂ，２Ｂが接触し、しかも真空ポンプ（図示せ
ず）にて排気されているからイオン洗浄室４内は
前記入口側予備真空室３よりも高真空状態を維持
してイオン洗浄が速やかに行われるとともに後記
の処理金属のメタライジング効果を高めることが
できる。

その後、第３工程として最初のパレツト２は通
路１０から高真空室５内に搬送されてくる。この
高真空室５においては真空ポンプ（図示せず）等
を用いて排気がされるとともに通路１０内は後続
のパレツト２のシーリング用膨出部２Ｂ，２Ｂが
接触して閉塞され、さらには大気と接する入口側
通路１４から入口側予備真空室３、イオン洗浄室
４と２つの真空室を経ているから高真空室５は前
段の２つの真空室よりも高真空状態になつてい
る。

ここにおいてデイスク製作基板１が高真空室を
通過することはそのデイスク製作基板１の表面付
着ガスを除去できる作用があり、後記のメタライ
ジング効果をさらに高めることができるからであ
る。

更に第４工程として、最初のパレツト２は通路
１１を径てメタライジング室６内に搬送されて来
る。このメタライジング６内は、前部に通路１１
を介して前記高真空室５が、また後部には通路１
２，１３を経て２つの出口側予備真空室７，８が
連続して設けられ、そのうえそれぞれ真空ポンプ
（図示せず）によつて排気が行われているから、
前記高真空室５と同様、高真空となつている。

次に、この高真空下でのメタライジング室６内
に不活性ガス、例えばアルゴン（Ar）を送入し
て、同雰囲気の下に高電圧又は高周波電圧が処理
金属、例えばアルミニウム１８に印加されること
により放電が行われると、Ar⁺が発生し、これが
陰極としての処理金属１８、即ちアルミニウムに
衝突することによつて表面の原子をたたき出し、
アクリル樹脂にて成型された陽極部としてのデイ
スク製作基板１，１の表面に極めて薄いアルミニ
ウムの膜が形成される。即ちスパツタリングによ
り処理金属の薄膜がデイスク製作基板１，１に形
成できる。この場合、アルミニウムの膜の厚さは
500Å〜2000Å程度であり、デイスク製作基板１，
１の表面に形成された信号としてのピツト列の形
状はアルミニウム膜によつて埋められて状が崩れ
ることはない。

第５工程として、メタライジング室６において
スパツタリングによりメタライジングされたデイ
スク製作基板１，１は通路１２，１３を介して接
続されている２つの出口側予備真空室７，８を経
て出口側通路１５からパレツト２とともに搬送さ
れることにより被処理物としてのデイスク製作基
板１のメタライジングが完了する。この場合、メ
タライジング室６に通ずる２つの通路１２，１３
には後続のパレツト２，２のシーリング用膨出部
２Ｂ，２Ｂ；２Ｂ，２Ｂが接触して閉塞されるた
め、また出口側通路１５には先行するパレツト２
のシーリング用膨出部２Ｂ，２Ｂが接触している
ため、出口側予備真空室７，８の排気を行えば、
この出口側予備真空室７，８を真空状態に維持で
きるとともにメタライジング室６を高真空に維持
できる。なお、上記メタライジング室６での被処
理物のメタライジングをスパツタリングによつて
行うように説明したけれども、その他、真空蒸着
によつてもメタライジングが行える。なお上記実
施例ではデイスク製作基板１をメタライジングし
て光学式なデイスクを製作する場合を説明した
が、本願発明の方法および装置は之に限ることな
く被処理物としての製作基板がプリント基板であ
る場合にはマスク等を用いてプリント基板を被う
とともにパレツト２に装着すればプリント基板の
パターン部分をメタライジングして形成できるほ
か、半導体、IC等の電子部品のメタライジング
処理にも応用できる。

上述のように本発明は、従来の半連続法のよう
にメタライジング室を仕切る特別のバルブを設け
なくてもパレツトとこれが通り抜ける連絡通路を
介して連続して設けた数個の真空室の全ての連絡
通路に対してパレツトのシーリング用膨出部の何
れかが次々と接触することにより、複数の真空室
内を処理工程が進行するにつれて気密化して次第
に高真空にできるので、被処理物としてのデイス
ク等の製作基板を大気中からこれらの真空室内に
パレツトを用いて順次、搬送するだけで多量の製
作基板をメタライジングすることができる。

従つて生産能率が向上し、しかも設備費も安く
コストを低廉にできる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は従来のメタライジング法
としての、バツジ法と半連続法を示す断面図、第
３図は本特定発明を実施するのに使用する装置を
示す側面図、第４図は同じく原理を示す説明用の
水平断面図、第５図は同じくパレツトと、製作基
板と通路とを示す斜面図、第６図乃至第８図は同
じくパレツトのいくつかの変化例である。 １……デイスク製作基板、２……パレツト、２
Ａ……凹面部、２Ｂ……シーリング用膨出部、３
……入口側真空予備室、４……イオン洗浄室、５
……高真空室、６……メタライジング室、７，８
……出口側真空予備室、９，１０，１１，１２，
１３……通路、１４……入口側通路、１５……出
口側通路。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ シーリング膨出部を有するパレツトに被処理
   物としての製作基板を着脱自在に装着する工程
   と、複数の前記真空室内に前記製作基板をパレツ
   トと一緒に搬送することにより前記シーリング膨
   出部にて複数の前記真空室を真空状態にシーリン
   グしながらメタライジングする工程とを含む被処
   理物のメタライジング方法において、複数の前記
   真空室を予備真空室、洗浄室、高真空室、メタラ
   イジング室にて形成するとともに該真空室間を連
   絡通路で接続し前記シーリング用膨出部の進行方
   向に直交する断面形状を前記連絡通路に対し断面
   酷似形状に形成することにより必ず全ての連絡通
   路に該シーリング用膨出部の何れかが常時、接触
   してシーリングしながら前記真空室内を真空状態
   下でメタライジングする工程を含むことを特徴と
   した被処理物のメタライジング方法。 ２ 連続して接続される複数の真空室と、被処理
   物としての製作基板が着脱自在に装着され、シー
   リング用膨出部が形成されたパレツトとから成る
   被処理物のメタライジング装置において、複数の
   前記真空室を予備真空室、洗浄室、高真空室、メ
   タライジング室にて形成するとともに複数の前記
   真空室間を連絡通路を介して接続し、前記パレツ
   トは進行方向に直交する前記シーリング用膨出部
   の断面形状を前記連絡通路に対して酷似形状に形
   成し、かつ大部分を前記製作基板が装着される凹
   面部が占めるように形成し、複数の前記真空室お
   よび前記連絡通路内を連続して前記パレツトを搬
   送する時に、必ず全ての連絡通路に前記シーリン
   グ用膨出部の何れかが常時、接触してシーリング
   することにより複数の前記真空室を搬送につれて
   真空状態下で前記製作基板にメタライジングする
   ことを特徴としたメタライジング装置。