JPH0246062Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0246062Y2 JPH0246062Y2 JP1985136894U JP13689485U JPH0246062Y2 JP H0246062 Y2 JPH0246062 Y2 JP H0246062Y2 JP 1985136894 U JP1985136894 U JP 1985136894U JP 13689485 U JP13689485 U JP 13689485U JP H0246062 Y2 JPH0246062 Y2 JP H0246062Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base material
- printed wiring
- conductor
- wiring board
- porous
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
「考案の目的」
本考案はプリント配線基板の考案に係り、誘電
率が極めて低く、しかも取扱いないし機器設定が
安定したプリント配線基板を提供し、機器の高速
化を図ろうとするものである。
率が極めて低く、しかも取扱いないし機器設定が
安定したプリント配線基板を提供し、機器の高速
化を図ろうとするものである。
産業上の利用分野
電子機器用などのプリント配線基板。
従来の技術
プリント配線基板は複雑な導線の接続、配設に
代わるものとして電子機器などに広く用いられて
いるが、このような従来の基板はエポキシ基材、
ガラスエポキシ基材、セラミツク基材などに対し
電気回路を構成する導電体を直接に形成したもの
が一般的である。
代わるものとして電子機器などに広く用いられて
いるが、このような従来の基板はエポキシ基材、
ガラスエポキシ基材、セラミツク基材などに対し
電気回路を構成する導電体を直接に形成したもの
が一般的である。
なおポリイアミド樹脂やポリエステル樹脂など
のフレキシブル性基材面に前記回路形成導電体を
直接に接着したものもある。
のフレキシブル性基材面に前記回路形成導電体を
直接に接着したものもある。
考案が解決しようとする問題点
ところで近時においてはガリウム砒素ICなど
の超高速素子が開発され、上記のようなプリント
配線板においても高速化が課題となつており、伝
播時間遅延は材料の誘導率に影響され、機器を高
速化するためには基材における誘電率が小さいこ
とが要請されるけれども、上述したような従来の
ものにおいてはこの誘電率が４〜７（at1MHz）と
相当に大きく、このような要請に充分即応し難
い。
の超高速素子が開発され、上記のようなプリント
配線板においても高速化が課題となつており、伝
播時間遅延は材料の誘導率に影響され、機器を高
速化するためには基材における誘電率が小さいこ
とが要請されるけれども、上述したような従来の
ものにおいてはこの誘電率が４〜７（at1MHz）と
相当に大きく、このような要請に充分即応し難
い。
「考案の構成」
問題点を解決するための手段
所要の機械的強度を有する基材面に空隙率70％
以上のポリテトラフロオロエチレン樹脂の多孔質
膜を介して電気回路を形成する導電体をテトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロピレン共重合体
の融着層により接着形成したことを特徴とするプ
リント配線基板。
以上のポリテトラフロオロエチレン樹脂の多孔質
膜を介して電気回路を形成する導電体をテトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロピレン共重合体
の融着層により接着形成したことを特徴とするプ
リント配線基板。
作 用
ポリテトラフルオロエチレン樹脂による多孔質
膜は空隙率70％以上としたものを用いることによ
り、その誘電率が1.1〜1.3（at1MHz）と頗る小で、
このような誘電率の小さい多孔質膜を介して電気
回路を形成する導電体を接着形成することにより
信号伝達速度を充分に高速化しガリウム砒素IC
その他の超高速素子などと相俟つて信号速度の早
い回路が形成される。
膜は空隙率70％以上としたものを用いることによ
り、その誘電率が1.1〜1.3（at1MHz）と頗る小で、
このような誘電率の小さい多孔質膜を介して電気
回路を形成する導電体を接着形成することにより
信号伝達速度を充分に高速化しガリウム砒素IC
その他の超高速素子などと相俟つて信号速度の早
い回路が形成される。
基板においてプリント配線基板としての強度や
安定性を得しめ、その取扱ないし電子機器に対す
る設定を適切化する。
安定性を得しめ、その取扱ないし電子機器に対す
る設定を適切化する。
テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロピレ
ン共重合体による接着により好ましい耐薬品性を
もつた接着をなし、しかも連続多孔質ポリテトラ
フルオロエチレン樹脂膜の気孔組織を損なうこと
なしに安定な接着を得しめ、温度変化による回路
特性変化も少ない基板となる。
ン共重合体による接着により好ましい耐薬品性を
もつた接着をなし、しかも連続多孔質ポリテトラ
フルオロエチレン樹脂膜の気孔組織を損なうこと
なしに安定な接着を得しめ、温度変化による回路
特性変化も少ない基板となる。
実施例
本考案によるものの具体的な実施態様を添付図
面に示すものについて説明すると、第１、２図に
示すように所要の機械的強度を得るための基材２
面に接着層５によりポリテトラフルオロエチレン
樹脂の多孔質膜１を接着し、該多孔質膜１に電気
回路を形成する導電体３を接着形成したもんであ
つて、前記基材２としてはセラミツク、紙フエノ
ール、ガラスエポキシ、紙エポキシ、ガラス布ポ
リイミド、ポリイミド、ポリエステルなどの所要
の剛性、機械的強度をもつたものを用いることが
でき、回路形成導電体３としては第１図に示すよ
うな銅その他の金属箔層３ａ或いは第２図に示す
ように蒸着あるいはスパツタリング層３ｂの何れ
でもよい。又接着層４，５はテトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロピレン共重合体（FEP）
を用いることによりポリテトラフルオロエチレン
樹脂多孔質化膜の組織を損なうことが少なく、又
温度変化によつて回路特性に影響を来すことの少
ない製品が得られる。前記FEPによる接着は該
FEPが溶剤などで溶解しないことから加熱融着
法で有効になされる。
面に示すものについて説明すると、第１、２図に
示すように所要の機械的強度を得るための基材２
面に接着層５によりポリテトラフルオロエチレン
樹脂の多孔質膜１を接着し、該多孔質膜１に電気
回路を形成する導電体３を接着形成したもんであ
つて、前記基材２としてはセラミツク、紙フエノ
ール、ガラスエポキシ、紙エポキシ、ガラス布ポ
リイミド、ポリイミド、ポリエステルなどの所要
の剛性、機械的強度をもつたものを用いることが
でき、回路形成導電体３としては第１図に示すよ
うな銅その他の金属箔層３ａ或いは第２図に示す
ように蒸着あるいはスパツタリング層３ｂの何れ
でもよい。又接着層４，５はテトラフルオロエチ
レン−ヘキサフルオロピレン共重合体（FEP）
を用いることによりポリテトラフルオロエチレン
樹脂多孔質化膜の組織を損なうことが少なく、又
温度変化によつて回路特性に影響を来すことの少
ない製品が得られる。前記FEPによる接着は該
FEPが溶剤などで溶解しないことから加熱融着
法で有効になされる。
このような基材２と回路形成導電体３との間に
形成されるポリテトラフルオロエチレンの多孔質
膜１はその若干例が第３図と第４図に示される如
くであつて、ポリテトラフルオロエチレン樹脂フ
イルムを圧延又は延伸の何れか一方又は双方によ
り加工することにより多数の微小結節部１１間が
無数の微細繊維１２によつてくもの巣状に連結さ
れた組織となり、このような微細繊維１２間の孔
隙１３は0.02μｍにも達する微細なもので樹脂質
自体の撥水性とも相俟つて水のような液体分を透
過せしめない非透水性のものであり、後工程で使
用されるエツチング液に充分耐え得るものであ
る。その空隙率は70％以上、一般的には80％以上
で、92〜93％にも達する程のものであるが上記し
たような微細繊維組織によつて前記基材２上にテ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロピレン共
重合体（FEP）の融着による接着層５により安
定に接着することができる。又その蒸着あるいは
スパツタリングによる導電体３ｂを上記したよう
な多孔質膜１の非層に対し薄く充実化した層を形
成し得る。或いは他の樹脂によるラミネート又は
コーテイングによる接着材４を薄く表面に形成
し、フイブリル化多孔質膜１の基本特質を損なう
ことなしに、しかも導電体３の好ましい接着を図
ることができる。このようにして基材２上に形成
されたフイブリル化多孔質膜１における誘電率は
上記したような空隙率やフイブリル化の程度によ
つて若干の差があるとしても概略1.1〜1.3（at1M
Hz）であり、上記した従来の配線基板用基材より
も大幅に小さいものであつて、このように誘電率
の小さい多孔質膜１を用いることにより該プリン
ト配線基板の信号伝達速度を高速化することがで
き、前述したような超高速素子等と組合わせるこ
とにより全体とてい信号速度の早い電気回路を構
成することができる。
形成されるポリテトラフルオロエチレンの多孔質
膜１はその若干例が第３図と第４図に示される如
くであつて、ポリテトラフルオロエチレン樹脂フ
イルムを圧延又は延伸の何れか一方又は双方によ
り加工することにより多数の微小結節部１１間が
無数の微細繊維１２によつてくもの巣状に連結さ
れた組織となり、このような微細繊維１２間の孔
隙１３は0.02μｍにも達する微細なもので樹脂質
自体の撥水性とも相俟つて水のような液体分を透
過せしめない非透水性のものであり、後工程で使
用されるエツチング液に充分耐え得るものであ
る。その空隙率は70％以上、一般的には80％以上
で、92〜93％にも達する程のものであるが上記し
たような微細繊維組織によつて前記基材２上にテ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロピレン共
重合体（FEP）の融着による接着層５により安
定に接着することができる。又その蒸着あるいは
スパツタリングによる導電体３ｂを上記したよう
な多孔質膜１の非層に対し薄く充実化した層を形
成し得る。或いは他の樹脂によるラミネート又は
コーテイングによる接着材４を薄く表面に形成
し、フイブリル化多孔質膜１の基本特質を損なう
ことなしに、しかも導電体３の好ましい接着を図
ることができる。このようにして基材２上に形成
されたフイブリル化多孔質膜１における誘電率は
上記したような空隙率やフイブリル化の程度によ
つて若干の差があるとしても概略1.1〜1.3（at1M
Hz）であり、上記した従来の配線基板用基材より
も大幅に小さいものであつて、このように誘電率
の小さい多孔質膜１を用いることにより該プリン
ト配線基板の信号伝達速度を高速化することがで
き、前述したような超高速素子等と組合わせるこ
とにより全体とてい信号速度の早い電気回路を構
成することができる。
「考案の効果」
以上説明したような本考案によるときは基材上
に空隙率70％以上であるポリテトラフルオロエチ
レン樹脂の多孔質膜を介して回路形成導電体を形
成することにより信号伝達速度を高速化したプリ
ント配線基板を提供し、又その取扱いないし機器
内設定を容易且つ的確化し、しかもFEPによる
接着でポリテトラフルオロエチレン多孔質樹脂組
織を完全状態に維持せしめたものとなし、又回路
特性を向上し、近時開発された超高速素子などと
相俟つて電気機器の性能を有効に向上し得るもの
であるから工業的にその効果の大きい考案であ
る。
に空隙率70％以上であるポリテトラフルオロエチ
レン樹脂の多孔質膜を介して回路形成導電体を形
成することにより信号伝達速度を高速化したプリ
ント配線基板を提供し、又その取扱いないし機器
内設定を容易且つ的確化し、しかもFEPによる
接着でポリテトラフルオロエチレン多孔質樹脂組
織を完全状態に維持せしめたものとなし、又回路
特性を向上し、近時開発された超高速素子などと
相俟つて電気機器の性能を有効に向上し得るもの
であるから工業的にその効果の大きい考案であ
る。
図面は本考案の実施態様を示すものであつて、
第１図と第２図はそれぞれ本考案によるプリント
配線基板の部分的断面図、第３図と第４図はその
ポリテトラフルオロエチレン樹脂多孔質化膜の繊
維形状を夫々示した顕微鏡写真である。 然してこれらの図面において、１はポリテトラ
フルオロエチレン樹脂多孔質化膜、２は基材、３
は電気回路を形成する導電体、４，５は接着層、
１１は微小結節部、１２は微細繊維、１３は孔隙
を示すものである。
第１図と第２図はそれぞれ本考案によるプリント
配線基板の部分的断面図、第３図と第４図はその
ポリテトラフルオロエチレン樹脂多孔質化膜の繊
維形状を夫々示した顕微鏡写真である。 然してこれらの図面において、１はポリテトラ
フルオロエチレン樹脂多孔質化膜、２は基材、３
は電気回路を形成する導電体、４，５は接着層、
１１は微小結節部、１２は微細繊維、１３は孔隙
を示すものである。
Claims (1)
- 所要の機械的強度を有する基材面に空隙率70％
以上のポリテトラフロオロエチレン樹脂の多孔質
膜を介して電気回路を形成する導電体をテトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロピレン共重合体
の融着層により接着形成したことを特徴とするプ
リント配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985136894U JPH0246062Y2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985136894U JPH0246062Y2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6245863U JPS6245863U (ja) | 1987-03-19 |
| JPH0246062Y2 true JPH0246062Y2 (ja) | 1990-12-05 |
Family
ID=31040435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985136894U Expired JPH0246062Y2 (ja) | 1985-09-09 | 1985-09-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246062Y2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60225750A (ja) * | 1984-04-24 | 1985-11-11 | 株式会社 潤工社 | プリント基板 |
-
1985
- 1985-09-09 JP JP1985136894U patent/JPH0246062Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6245863U (ja) | 1987-03-19 |
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