JPH0246609A - 酸化錫膜を有するガラス板の製造方法 - Google Patents
酸化錫膜を有するガラス板の製造方法Info
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- JPH0246609A JPH0246609A JP19713388A JP19713388A JPH0246609A JP H0246609 A JPH0246609 A JP H0246609A JP 19713388 A JP19713388 A JP 19713388A JP 19713388 A JP19713388 A JP 19713388A JP H0246609 A JPH0246609 A JP H0246609A
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- JP
- Japan
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- tin oxide
- glass plate
- tin
- oxide film
- solution
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、良質な酸化錫膜を有するガラス板を安価に生
産性よく製造する方法に関するものである。
産性よく製造する方法に関するものである。
［従来の技術］
ＣＶＤ法（化学的気相蒸着法）やスプレー法によりフッ
素を含む酸化錫膜を形成することは従来から行なわれて
いる。しかしながら、これらの既存の方法では、透過率
が高く、抵抗値が低い良質の酸化錫膜は得られなかった
。その改善のために、スズ原子に対してフッ素原子をｌ
Ｏ〜８０ａｔ％含有する水溶液を４００〜８００℃のガ
ラス体表面に噴霧する方法（特開昭６１−８３６５０号
公報）等が提案されている。
素を含む酸化錫膜を形成することは従来から行なわれて
いる。しかしながら、これらの既存の方法では、透過率
が高く、抵抗値が低い良質の酸化錫膜は得られなかった
。その改善のために、スズ原子に対してフッ素原子をｌ
Ｏ〜８０ａｔ％含有する水溶液を４００〜８００℃のガ
ラス体表面に噴霧する方法（特開昭６１−８３６５０号
公報）等が提案されている。
かかる方法では比較的低抵抗のものが得られ、その特性
向上が図られているものの、まだ十分ではなかった。
向上が図られているものの、まだ十分ではなかった。
［発明が解決しようとする課題］
このように、様々な方法が提案されているものの、さら
に比抵抗が低（、透過率の高い酸化錫膜が求められてい
る。
に比抵抗が低（、透過率の高い酸化錫膜が求められてい
る。
本発明は、２ｘ１０“３Ω・Ｃｍ以下の低抵抗、高透過
率の酸化錫膜をスプレー法で安価に生産性良く製造でき
る方法を提供することを目的として成されたものである
。
率の酸化錫膜をスプレー法で安価に生産性良く製造でき
る方法を提供することを目的として成されたものである
。
［課題を解決するための手段］
本発明は、上述の目的に基づいて鋭意研究の結果成され
たものであり、高温のガラス板上に錫化合物及びフッ素
化合物を含む溶液をスプレーして熱分解によりフッ素を
含む酸化錫膜を形成せしめる方法において、スプレー時
のガラス板温度を４００℃〜６５０℃の範囲内とし、か
つスプレーする溶液が錫を酸化錫換算で２０〜２００
ｇ／ｆｉ含み、又、該溶液中のＦｌＳｎ比が１．５〜５
．５であることを特徴とする酸化錫膜を有するガラス板
の製造方法を提供するものである。
たものであり、高温のガラス板上に錫化合物及びフッ素
化合物を含む溶液をスプレーして熱分解によりフッ素を
含む酸化錫膜を形成せしめる方法において、スプレー時
のガラス板温度を４００℃〜６５０℃の範囲内とし、か
つスプレーする溶液が錫を酸化錫換算で２０〜２００
ｇ／ｆｉ含み、又、該溶液中のＦｌＳｎ比が１．５〜５
．５であることを特徴とする酸化錫膜を有するガラス板
の製造方法を提供するものである。
本発明においてガラス板上にスプレーする溶液は、フッ
素源としてフッ素化合物、及び錫源として錫化合物を含
むものである。かかるフッ素化合物は特に限定されない
が、弗化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）、弗化水素アンモニ
ウム（ＮＨ４Ｆ）、弗化水素カリウム（ＮＨ４ＨＦｉ）
、弗化水素（ＨＦ）、トリクロロモノフルオロメタン（
ＣＣ１３Ｆ）、モノクロロジフルオロメタン（ＣＨＣＩ
Ｆｉ）、ジクロロジフルオロメタン（ＣＧＩ□Ｆり、
トリクロロトリフルオロエタン（ＣＧＩＦ、−ＣＣＩ
□Ｆ）、ジクロロテトラフルオロエタン（Ｃ（：ＩＦ！
−ＣＧＩＦ２）等が使用できる。又、これらのうち２種
以上を用いてもよい。
素源としてフッ素化合物、及び錫源として錫化合物を含
むものである。かかるフッ素化合物は特に限定されない
が、弗化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）、弗化水素アンモニ
ウム（ＮＨ４Ｆ）、弗化水素カリウム（ＮＨ４ＨＦｉ）
、弗化水素（ＨＦ）、トリクロロモノフルオロメタン（
ＣＣ１３Ｆ）、モノクロロジフルオロメタン（ＣＨＣＩ
Ｆｉ）、ジクロロジフルオロメタン（ＣＧＩ□Ｆり、
トリクロロトリフルオロエタン（ＣＧＩＦ、−ＣＣＩ
□Ｆ）、ジクロロテトラフルオロエタン（Ｃ（：ＩＦ！
−ＣＧＩＦ２）等が使用できる。又、これらのうち２種
以上を用いてもよい。
錫化合物としては熱分解により酸化錫となり得る化合物
であれば特に限定されないが、塩化第２錫５水塩（Ｓｎ
Ｃ１４・５ＨａＯ）、塩化第１錫（ＳｎＣ１ｚ・ｚｕ２
ｏ）、テトラエトキシ錫（Ｓｎ（ＯＣＪｓ）４）、テト
ライソプロポキシ錫（Ｓｎ （ＯＣｓＨｙ）−）、テト
ラ−ノルマル−ブトキシ錫（Ｓｎ（ＱＣ４Ｈ，）４）、
アセチルアセトン錫（ｓｎ（ｃ４ｕ９）ｚ（ｃｓＨｙｏ
ｚ）ｚ）、ジブトキシ錫（Ｓｎ （ｎ−ＯＣＪｓ） ２
）、テトラ−１−アミロキシ錫（Ｓｎ（ｉ−ＯＣｓＨ＋
＋）４） 、ビスアセチルアセトナート錫（Ｓｎ （Ｃ
ＨｓＣＯ） ４（ＣＨ） り等が使用できる。又、これ
らのうち２種以上を用いてもよい。
であれば特に限定されないが、塩化第２錫５水塩（Ｓｎ
Ｃ１４・５ＨａＯ）、塩化第１錫（ＳｎＣ１ｚ・ｚｕ２
ｏ）、テトラエトキシ錫（Ｓｎ（ＯＣＪｓ）４）、テト
ライソプロポキシ錫（Ｓｎ （ＯＣｓＨｙ）−）、テト
ラ−ノルマル−ブトキシ錫（Ｓｎ（ＱＣ４Ｈ，）４）、
アセチルアセトン錫（ｓｎ（ｃ４ｕ９）ｚ（ｃｓＨｙｏ
ｚ）ｚ）、ジブトキシ錫（Ｓｎ （ｎ−ＯＣＪｓ） ２
）、テトラ−１−アミロキシ錫（Ｓｎ（ｉ−ＯＣｓＨ＋
＋）４） 、ビスアセチルアセトナート錫（Ｓｎ （Ｃ
ＨｓＣＯ） ４（ＣＨ） り等が使用できる。又、これ
らのうち２種以上を用いてもよい。
又、スプレー溶液は、水（蒸留水）、上記錫化合物、フ
ッ素化合物以外に、かかる化合物の溶解度を向上させる
ために、メチルアルコール、エチルアルコール、トルエ
ン、アセトン、ベンゼン、イソプロピルアルコール、ブ
チルアルコール、ｎ−ヘキサン、塩化メチレン、酢酸エ
チル、酢酸メチル、プロピオン酸、酢酸等の中から１種
又は２種以上を含んでいてもよい。
ッ素化合物以外に、かかる化合物の溶解度を向上させる
ために、メチルアルコール、エチルアルコール、トルエ
ン、アセトン、ベンゼン、イソプロピルアルコール、ブ
チルアルコール、ｎ−ヘキサン、塩化メチレン、酢酸エ
チル、酢酸メチル、プロピオン酸、酢酸等の中から１種
又は２種以上を含んでいてもよい。
本発明におけるスプレー溶液は原子比でスズに対するフ
ッ素の割合（Ｆ／Ｓｎ）が１．５〜５．５の溶液である
。この範囲内であれば、比抵抗２．０×１０−３Ω・ｃ
ｍ以下の酸化錫膜が容易に得られるからである。特にＦ
／Ｓｎが３〜４．５であると比抵抗３．ＯＸｌ０−’Ω
・ｃｍ以下が得られるので好ましい。
ッ素の割合（Ｆ／Ｓｎ）が１．５〜５．５の溶液である
。この範囲内であれば、比抵抗２．０×１０−３Ω・ｃ
ｍ以下の酸化錫膜が容易に得られるからである。特にＦ
／Ｓｎが３〜４．５であると比抵抗３．ＯＸｌ０−’Ω
・ｃｍ以下が得られるので好ましい。
又、スプレー溶液は錫を酸化錫換算で２００ｇ／ｇ、以
下、好ましくは １００ｇ／β以下、特に８０ｇ／ｌ．
以下であると、低比抵抗、低へイズの酸化錫膜が得られ
るので好ましい。低濃度であれば、錫同志の凝集が起こ
りに（（、スプレー液滴が小さくなる可能性があり、低
へイズに寄与しているためと考えられる。しかしあまり
濃度が低いと必要な酸化錫被膜を形成するために要する
スプレー液量が多くなりガラスリボン温度の低下をもた
らして耐久性を損う危険性があるので２０ｇ／ｇ 、特
に２５ｇ／４２以上が好ましい。
下、好ましくは １００ｇ／β以下、特に８０ｇ／ｌ．
以下であると、低比抵抗、低へイズの酸化錫膜が得られ
るので好ましい。低濃度であれば、錫同志の凝集が起こ
りに（（、スプレー液滴が小さくなる可能性があり、低
へイズに寄与しているためと考えられる。しかしあまり
濃度が低いと必要な酸化錫被膜を形成するために要する
スプレー液量が多くなりガラスリボン温度の低下をもた
らして耐久性を損う危険性があるので２０ｇ／ｇ 、特
に２５ｇ／４２以上が好ましい。
本発明において酸化錫膜が形成されるガラス板としては
透明性、耐久性、光学的特性、電気的特性等の点から、
ソーダライムシリケートガラス板、アルミノシリケート
ガラス板、硼珪酸塩ガラス板、リチウムアルミノシリケ
ートガラス板などのアルカリ含有ガラス板、低アルカリ
含有ガラス板、あるいは無アルカリガラス板、石英ガラ
ス板などが好ましい。
透明性、耐久性、光学的特性、電気的特性等の点から、
ソーダライムシリケートガラス板、アルミノシリケート
ガラス板、硼珪酸塩ガラス板、リチウムアルミノシリケ
ートガラス板などのアルカリ含有ガラス板、低アルカリ
含有ガラス板、あるいは無アルカリガラス板、石英ガラ
ス板などが好ましい。
ソーダライムシリケートガラス板などのアルカリ含有ガ
ラス板、低アルカリ含有ガラス板を本発明の酸化錫膜を
形成する基板として用いる場合には、該アルカリ含有ガ
ラス板の表面のアルカリ成分が酸化錫膜に溶出してヘイ
ズ（ｆｌｋす）が発生しない様に、上記アルカリ含有ガ
ラス板の酸化錫膜形成面側に、ＳｉＯ□、 Ａｌ２Ｏ５
，ＺｒＯ□なとの酸化物を主体とするアルカリバリヤー
膜を形成しておくこともできるが、かかるアルカリバリ
ヤー膜なしでも十分低抵抗が得られるので、特に必要は
ない。
ラス板、低アルカリ含有ガラス板を本発明の酸化錫膜を
形成する基板として用いる場合には、該アルカリ含有ガ
ラス板の表面のアルカリ成分が酸化錫膜に溶出してヘイ
ズ（ｆｌｋす）が発生しない様に、上記アルカリ含有ガ
ラス板の酸化錫膜形成面側に、ＳｉＯ□、 Ａｌ２Ｏ５
，ＺｒＯ□なとの酸化物を主体とするアルカリバリヤー
膜を形成しておくこともできるが、かかるアルカリバリ
ヤー膜なしでも十分低抵抗が得られるので、特に必要は
ない。
又、本発明者は、ソーダライムシリケートガラス板（通
常のフロートガラス板）の上面、下面にそれぞれ上述の
溶液をスプレーし、フッ素を含む酸化錫膜を形成したと
ころフロートガラス板上゛面〉フロートガラス板下面の
順に優れた性能（低比抵抗）を有していることを見出し
た。フロートガラス板上面の酸化錫膜が低比抵抗である
のは、フロートガラス板のようなアリカリ含有ガラス板
に酸化錫膜を形成する過程において、 Ｎａ＊０＋ Ｆｘ −＝ ２ＮａＦ↑÷イ０□↑Ｎａｚ
Ｏ＋２ＮＨＪ→２ＮａＨＦｚ Ｔ ＋２Ｎ）Ｉｓ Ｔ
＋ ＨＯｘ Ｔの様な反応により、表板表面のアルカリ
イオンの飛散、クリーニング及びエツチングが同時に起
っている為と考えられる。又、フロートガラス下面の酸
化錫膜が低抵抗を示さないのは、該フロートガラス下面
はフロートバスにおいて溶融金属錫と接していたため多
量の金属錫が比較的多（付着しており、錫は上記の様な
反応はしないため、表面に多量のアルカリイオンが存在
したまま酸化錫膜が形成されるからであると考えられる
。（実施例■参照） 従って、本発明においては、フロートガラス板上面にフ
ッ素を含む酸化錫膜を形成することが好ましく、フロー
トバスから取り出され、移送されつつあるガラスリボン
上面に上記スプレー溶液をスプレーすると、特に、安価
で生産性よく、アルカリバリヤー膜なしでも低抵抗の酸
化錫膜を有するガラス板を製造することができる。
常のフロートガラス板）の上面、下面にそれぞれ上述の
溶液をスプレーし、フッ素を含む酸化錫膜を形成したと
ころフロートガラス板上゛面〉フロートガラス板下面の
順に優れた性能（低比抵抗）を有していることを見出し
た。フロートガラス板上面の酸化錫膜が低比抵抗である
のは、フロートガラス板のようなアリカリ含有ガラス板
に酸化錫膜を形成する過程において、 Ｎａ＊０＋ Ｆｘ −＝ ２ＮａＦ↑÷イ０□↑Ｎａｚ
Ｏ＋２ＮＨＪ→２ＮａＨＦｚ Ｔ ＋２Ｎ）Ｉｓ Ｔ
＋ ＨＯｘ Ｔの様な反応により、表板表面のアルカリ
イオンの飛散、クリーニング及びエツチングが同時に起
っている為と考えられる。又、フロートガラス下面の酸
化錫膜が低抵抗を示さないのは、該フロートガラス下面
はフロートバスにおいて溶融金属錫と接していたため多
量の金属錫が比較的多（付着しており、錫は上記の様な
反応はしないため、表面に多量のアルカリイオンが存在
したまま酸化錫膜が形成されるからであると考えられる
。（実施例■参照） 従って、本発明においては、フロートガラス板上面にフ
ッ素を含む酸化錫膜を形成することが好ましく、フロー
トバスから取り出され、移送されつつあるガラスリボン
上面に上記スプレー溶液をスプレーすると、特に、安価
で生産性よく、アルカリバリヤー膜なしでも低抵抗の酸
化錫膜を有するガラス板を製造することができる。
本発明において、酸化錫膜形成用スプレー溶液がスプレ
ーされる時のガラス板の温度は４００〜６５０℃、特に
５００〜６００℃程度が好ましい。６５０℃以上の温度
ではガラス板に高温のため凹凸が生じるので好ましくな
い。４００℃以下では、十分な低抵抗の酸化錫膜が得ら
れないので好ましくない。
ーされる時のガラス板の温度は４００〜６５０℃、特に
５００〜６００℃程度が好ましい。６５０℃以上の温度
ではガラス板に高温のため凹凸が生じるので好ましくな
い。４００℃以下では、十分な低抵抗の酸化錫膜が得ら
れないので好ましくない。
上記したフロート法板ガラス製造プロセスに適用する場
合には、フロートバスから出た直後あるいは徐冷炉の入
口付近でガラスリボン面に酸化錫膜形成用溶液をスプレ
ーするのが好ましい。スプレーガンはガラスリボンの上
方的１０〜１００ｃｍの高さに１個又は複数個配置し、
ガラスリボンの巾方向に走行させるか、あるいは揺動運
動させてスプレーを行う。
合には、フロートバスから出た直後あるいは徐冷炉の入
口付近でガラスリボン面に酸化錫膜形成用溶液をスプレ
ーするのが好ましい。スプレーガンはガラスリボンの上
方的１０〜１００ｃｍの高さに１個又は複数個配置し、
ガラスリボンの巾方向に走行させるか、あるいは揺動運
動させてスプレーを行う。
［実施例］
■基板品種
５ｎＣ１４・５ＨＪ ４００ｇをメタノール２．７１ｆ
ｆとＨＣｌ１９５＋ｎｊ２に溶解し、別にＮＨ４Ｆ １
６５ｇを水３９０＋ｎＪ２に溶解し、２液を混合して溶
液１ （Ｆ／Ｓｎ（原子比）；３．９．錫含有量酸化錫
換算で５２ ｓｎｏ、 ｇ／４ ）を調整した。フロー
ト法によって得られたソーダライムシリケートガラス板
の上面、下面、低アルカリガラス板（アルカリイオン７
ｗｔ％以下）上面をそれぞれアルコールで軽く洗浄し、
上記溶液１で、基板温度５５０℃でスプレーし、酸化錫
膜を形成した。各膜の比低抗値はソーダライムシリケー
トガラス板上面の膜が３．４ ＸＩＯ”’Ω・ｃｍ 、
ソーダライムシリケートガラス板下面の膜が７．８ Ｘ
ｌ０−’Ω・ＣＩＩ＋、低アルカリガラス板が４、ＯＸ
、ｌＯ−’Ω’ｃｍであった。
ｆとＨＣｌ１９５＋ｎｊ２に溶解し、別にＮＨ４Ｆ １
６５ｇを水３９０＋ｎＪ２に溶解し、２液を混合して溶
液１ （Ｆ／Ｓｎ（原子比）；３．９．錫含有量酸化錫
換算で５２ ｓｎｏ、 ｇ／４ ）を調整した。フロー
ト法によって得られたソーダライムシリケートガラス板
の上面、下面、低アルカリガラス板（アルカリイオン７
ｗｔ％以下）上面をそれぞれアルコールで軽く洗浄し、
上記溶液１で、基板温度５５０℃でスプレーし、酸化錫
膜を形成した。各膜の比低抗値はソーダライムシリケー
トガラス板上面の膜が３．４ ＸＩＯ”’Ω・ｃｍ 、
ソーダライムシリケートガラス板下面の膜が７．８ Ｘ
ｌ０−’Ω・ＣＩＩ＋、低アルカリガラス板が４、ＯＸ
、ｌＯ−’Ω’ｃｍであった。
■基板温度
５ｎＣ１４・５Ｈｚ０６５３ｇをメタノール ２．７１
４２ ＨＣｌ２９０ｍ１２に溶解し、別にＮＨ４Ｆ ２
７０ｇを水５９０ｎｌに溶解し、２液を混合して溶液２
（Ｆ／５ｎ＝３．９、錫含有量酸化錫換算で７８ｇ
ＳｎＯ□ｇ／β）を調整した。ソーダライムシリケート
ガラス板上面をアルコールで軽く洗浄し、基板温度を５
００℃、５３０℃、５５０℃で溶液２をスプレーし、酸
化錫膜を形成した。これらの膜の比抵抗とへイズを図１
９図２に示す。
４２ ＨＣｌ２９０ｍ１２に溶解し、別にＮＨ４Ｆ ２
７０ｇを水５９０ｎｌに溶解し、２液を混合して溶液２
（Ｆ／５ｎ＝３．９、錫含有量酸化錫換算で７８ｇ
ＳｎＯ□ｇ／β）を調整した。ソーダライムシリケート
ガラス板上面をアルコールで軽く洗浄し、基板温度を５
００℃、５３０℃、５５０℃で溶液２をスプレーし、酸
化錫膜を形成した。これらの膜の比抵抗とへイズを図１
９図２に示す。
■フッ素量（Ｆ／Ｓｎ （原子比））
錫含有量が酸化錫換算で７８ ＳｎＯ□ｇ、ｌであって
、Ｆ／Ｓｎを約１．３〜５．２まで変えた溶液を４種類
（表１参照）上記■、■と同様の手順で用意した。ソー
ダライムシリケートガラス板上面をアルコールで軽く洗
浄し、基板温度５５０℃で、この４種類の溶液をそれぞ
れスプレーして酸化錫膜を形成した。これらの膜の比抵
抗を図３に示す。
、Ｆ／Ｓｎを約１．３〜５．２まで変えた溶液を４種類
（表１参照）上記■、■と同様の手順で用意した。ソー
ダライムシリケートガラス板上面をアルコールで軽く洗
浄し、基板温度５５０℃で、この４種類の溶液をそれぞ
れスプレーして酸化錫膜を形成した。これらの膜の比抵
抗を図３に示す。
表１
表２
■錫濃度
Ｆ／Ｓｎ：３．９で錫含有量が酸化錫換算で５２ｇ／β
、７８ｇ／β、１０４ ｇ／βの３種類（表２参照）の
溶液を上記■、■と同様の手順で用意した。ソーダライ
ムシリケートガラス板上面をアルコールで軽く洗浄し、
基板温度５５０℃で、これらの溶液をそれぞれスプレー
して酸化錫膜を形成した。
、７８ｇ／β、１０４ ｇ／βの３種類（表２参照）の
溶液を上記■、■と同様の手順で用意した。ソーダライ
ムシリケートガラス板上面をアルコールで軽く洗浄し、
基板温度５５０℃で、これらの溶液をそれぞれスプレー
して酸化錫膜を形成した。
これらの膜の比抵抗とへイズを図４、図５に示す。
［効果］
本発明によれば、３ Ｘ １０−’Ω・Ｃｍ程度の非常
に低比抵抗、高透過率の酸化錫膜を容易に提供すること
ができる。
に低比抵抗、高透過率の酸化錫膜を容易に提供すること
ができる。
又、フロートバスから移送されつつあるガラスリボン上
面にスプレーすることによってもかかる良質な酸化錫膜
付きガラス板を連続的に生産性よく、安価に大面積で製
造することが可能となる。
面にスプレーすることによってもかかる良質な酸化錫膜
付きガラス板を連続的に生産性よく、安価に大面積で製
造することが可能となる。
かかる大面積の酸化錫膜付きガラス板は建築用、例えば
、電磁波遮蔽窓、低放射率（Ｌｏｗ−Ｅ）ガラス窓等の
用途に最適である。
、電磁波遮蔽窓、低放射率（Ｌｏｗ−Ｅ）ガラス窓等の
用途に最適である。
又、必ずしも大面積である必要のない用途、例えば、液
晶表示用等のデイスプレー基板、太陽電池用透明導電基
板、太陽電池瓦用透明導電ガラス等の用途にも最適であ
る。
晶表示用等のデイスプレー基板、太陽電池用透明導電基
板、太陽電池瓦用透明導電ガラス等の用途にも最適であ
る。
第１図は本発明の方法によって形成された酸化錫膜の基
板温度と比抵抗の関係、第２図は基板温度とへイズの関
係、第３図はスプレー溶液中のＦ／Ｓｎ （原子比）と
比抵抗の関係、第４図はスプレー溶液中の錫濃度と比抵
抗の関係、第５図はスプレー溶液中の錫濃度とヘイズの
関係を示す図である。 へイス゛ （’／、ン に邑十記ρ、（ｎｃＮ−） 第 図 ；スジ３（／イμｂ 厚３−に ヘイズ′（・た） ｌ：１−抵ａ（ユ・儒）
板温度と比抵抗の関係、第２図は基板温度とへイズの関
係、第３図はスプレー溶液中のＦ／Ｓｎ （原子比）と
比抵抗の関係、第４図はスプレー溶液中の錫濃度と比抵
抗の関係、第５図はスプレー溶液中の錫濃度とヘイズの
関係を示す図である。 へイス゛ （’／、ン に邑十記ρ、（ｎｃＮ−） 第 図 ；スジ３（／イμｂ 厚３−に ヘイズ′（・た） ｌ：１−抵ａ（ユ・儒）
Claims (1)
- （１）高温のガラス板上に錫化合物及びフッ素化合物を
含む溶液をスプレーして熱分解によりフッ素を含む酸化
錫膜を形成せしめる方法において、スプレー時のガラス
板温度を４００℃〜６５０℃の範囲内とし、かつスプレ
ーする溶液が錫を酸化錫換算で２０〜２００ｇ／ｌ含み
、又、該溶液中のＦ／Ｓｎ比が１．５〜５．５であるこ
とを特徴とする酸化錫膜を有するガラス板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19713388A JPH0246609A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 酸化錫膜を有するガラス板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19713388A JPH0246609A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 酸化錫膜を有するガラス板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246609A true JPH0246609A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16369302
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19713388A Pending JPH0246609A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 酸化錫膜を有するガラス板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246609A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012098731A1 (ja) * | 2011-01-17 | 2012-07-26 | シャープ株式会社 | 透明導電膜およびその成膜方法 |
| JP2019192437A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | トヨタ自動車株式会社 | 燃料電池セパレータ、アンチモンドープ酸化スズ及びその製造方法、並びに、燃料電池セパレータの製造方法 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19713388A patent/JPH0246609A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012098731A1 (ja) * | 2011-01-17 | 2012-07-26 | シャープ株式会社 | 透明導電膜およびその成膜方法 |
| JP2012150904A (ja) * | 2011-01-17 | 2012-08-09 | Sharp Corp | 透明導電膜 |
| JP2019192437A (ja) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | トヨタ自動車株式会社 | 燃料電池セパレータ、アンチモンドープ酸化スズ及びその製造方法、並びに、燃料電池セパレータの製造方法 |
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