JPH0246726A - 真空装置の真空度改善方法 - Google Patents
真空装置の真空度改善方法Info
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- JPH0246726A JPH0246726A JP19722788A JP19722788A JPH0246726A JP H0246726 A JPH0246726 A JP H0246726A JP 19722788 A JP19722788 A JP 19722788A JP 19722788 A JP19722788 A JP 19722788A JP H0246726 A JPH0246726 A JP H0246726A
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- Japan
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- vacuum
- gas
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- molecules
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- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は真空技術に用いられる真空装置の真空度改善方
法に関するものである。
法に関するものである。
［従来の技術］
従来、大気解故後の真空装置の真空度を上げるためには
、排気中の真空装置をヒータ等で数時間から数十時間加
熱するベーキング法が用いられている。また、ベーキン
グを行うことができない装置の場合には、真空排気した
まま長時間待つという方法がとられている。
、排気中の真空装置をヒータ等で数時間から数十時間加
熱するベーキング法が用いられている。また、ベーキン
グを行うことができない装置の場合には、真空排気した
まま長時間待つという方法がとられている。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら従来の方法によれば、ベーキングを行う装
置の場合、例えば真空装置の内壁に吸着しているト１２
０等の分子を脱離させ、真空装置の真空度を上昇させる
には、真空装置全体を１００°Ｃ以上の温度で数時間か
ら数十時間ベーキング覆る必要があった。ベーキング中
、およびベーキング後に装置温度が十分下るまでの間は
真空装置を使用することができないため、従来の方法に
よってベーキングを行った場合には十数時間から数十時
間の間、真空装置の使用が不可能となっていた。
置の場合、例えば真空装置の内壁に吸着しているト１２
０等の分子を脱離させ、真空装置の真空度を上昇させる
には、真空装置全体を１００°Ｃ以上の温度で数時間か
ら数十時間ベーキング覆る必要があった。ベーキング中
、およびベーキング後に装置温度が十分下るまでの間は
真空装置を使用することができないため、従来の方法に
よってベーキングを行った場合には十数時間から数十時
間の間、真空装置の使用が不可能となっていた。
一方、オーリングや光学ガラス窓を有するために高温で
のベーキングができない装置や、複数の真空室を持つ真
空装置の試料導入室などでベーキングを行わない真空装
置の場合には、真空度の改善が難しかった。また、ベー
キングができない装置の場合には真空排気したまま真空
度の上昇を待つが、これによる時間の損失も大きかった
。
のベーキングができない装置や、複数の真空室を持つ真
空装置の試料導入室などでベーキングを行わない真空装
置の場合には、真空度の改善が難しかった。また、ベー
キングができない装置の場合には真空排気したまま真空
度の上昇を待つが、これによる時間の損失も大きかった
。
本発明は以上述べたような従来の問題点を解決するため
になされたもので、従来よりも短時間で真空度を高める
ことができると共に、到達真空度をより高くすることの
可能な真空装置の真空度改善方法を提供することを目的
とする。
になされたもので、従来よりも短時間で真空度を高める
ことができると共に、到達真空度をより高くすることの
可能な真空装置の真空度改善方法を提供することを目的
とする。
［課題を解決するための手段］
本発明は、真空装置内に０２ガスまたは不活性ガスを供
給しながら排気し、次いでガス供給を止めて真空装置内
を排気することを特徴とする真空装置の真空度改善方法
、および上記工程の後、ざらに真空装置のベーキングを
行うことを特徴とする真空装置の真空度改善方法である
。
給しながら排気し、次いでガス供給を止めて真空装置内
を排気することを特徴とする真空装置の真空度改善方法
、および上記工程の後、ざらに真空装置のベーキングを
行うことを特徴とする真空装置の真空度改善方法である
。
本発明における不活性ガスとしては、例えばＮ２ガスや
Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
［作用］
第１の発明によれば、まず真空排気中の真空装置内に０
２ガスまたは不活性ガスを供給しながら排気する。この
時真空装置内壁に０２ガス分子または不活性ガス分子が
衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁面に吸着した８２
０分子の脱離を促進させる。Ｎ２０分子と置換して０２
分子または不活性ガス分子が吸着・脱離吸着する場合も
ある。
２ガスまたは不活性ガスを供給しながら排気する。この
時真空装置内壁に０２ガス分子または不活性ガス分子が
衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁面に吸着した８２
０分子の脱離を促進させる。Ｎ２０分子と置換して０２
分子または不活性ガス分子が吸着・脱離吸着する場合も
ある。
すなわら不活性ガスや０２によって真空装置内壁の脱水
を行っていることになる。次にガス供給を止めてｔＪ１
気すると、真空装置内壁に吸着している不活性ガスや０
２はト１２０に比べて脱離し易いため真空度は容易に上
昇し、高真空領域であれば本方法を用いない場合よりも
約１桁高い真空度が短時間で得られる。従って、ベーキ
ングを行わなくても、ある程度の高真空は短時間で達成
される。
を行っていることになる。次にガス供給を止めてｔＪ１
気すると、真空装置内壁に吸着している不活性ガスや０
２はト１２０に比べて脱離し易いため真空度は容易に上
昇し、高真空領域であれば本方法を用いない場合よりも
約１桁高い真空度が短時間で得られる。従って、ベーキ
ングを行わなくても、ある程度の高真空は短時間で達成
される。
また第２の発明によれば、真空装置のベーキングの前に
、真空装置内に０２ガスまたは不活性ガスを供給しなが
ら排気する。この時真空装置内壁に０２ガス分子または
不活性ガス分子が衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁
面に吸着したＮ２０分子の脱離を促進させる。Ｎ２０分
子と置換して０２分子または不活性ガス分子が吸着・脱
離吸着する場合もある。次にガス供給を止めて排気する
と、真空装置内壁に吸着している不活性ガスや０２はＮ
２０に比べて脱離し易いため真空度は容易に上昇する。
、真空装置内に０２ガスまたは不活性ガスを供給しなが
ら排気する。この時真空装置内壁に０２ガス分子または
不活性ガス分子が衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁
面に吸着したＮ２０分子の脱離を促進させる。Ｎ２０分
子と置換して０２分子または不活性ガス分子が吸着・脱
離吸着する場合もある。次にガス供給を止めて排気する
と、真空装置内壁に吸着している不活性ガスや０２はＮ
２０に比べて脱離し易いため真空度は容易に上昇する。
この状態で真空装置のベーキングを行うと、上記の方法
をとらないでベーキングする場合よりも短時間のベーキ
ングでよりよい真空度を達成することができる。また、
真空装置内壁に吸着しているＮ２０が少なくなっている
ため、ベーキングの温度を下げてもベーキングの効果が
得られる。
をとらないでベーキングする場合よりも短時間のベーキ
ングでよりよい真空度を達成することができる。また、
真空装置内壁に吸着しているＮ２０が少なくなっている
ため、ベーキングの温度を下げてもベーキングの効果が
得られる。
［実施例］
以下、本発明の一実施例を図面によって詳細に説明する
。
。
第１図は本発明に係る方法を実施するだめの装置の一例
を示す概略構成図である。第１図において、真空装置の
真空室１には０２ガス供給配管２およびＮ２ガス供給配
管３が配設され、真空室１は排気口４を通して真空排気
される。真空室１には真空装置の他の真空室につながる
ゲートバルブ５．６が設置されている。また真空室１の
側壁外周面に沿ってヒータ７が設けられている。
を示す概略構成図である。第１図において、真空装置の
真空室１には０２ガス供給配管２およびＮ２ガス供給配
管３が配設され、真空室１は排気口４を通して真空排気
される。真空室１には真空装置の他の真空室につながる
ゲートバルブ５．６が設置されている。また真空室１の
側壁外周面に沿ってヒータ７が設けられている。
次に、以上のように構成された装置を用いたベーキング
方法の第１の実施例について説明する。
方法の第１の実施例について説明する。
すなわら第１図に示すように、真空装置の真空排気に際
し、真空排気中の真空室１に０２ガス供給配管２から０
２ガスを供給するか、またはＮ２ガス供給配管３からＮ
２ガスを供給する。数分間の後、ガスの供給を止め、真
空排気する。０２ガスまたはＮ２ガスの供給により、真
空室１の内壁に０２ガス分子８またはＮ２ガス分子９が
衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁面に吸着したＮ２
０ガス分子１０の脱離を促進させると共に、一部０２ガ
ス分子８やＮ２ガス分子９がＮ２０ガスと置換して吸着
する。このため、ガス供給停止後の真空排気によって、
ト１２ ０よりも脱離し易い０２やＮ２が脱離し、真空
度は短時間で容易に上昇する。
し、真空排気中の真空室１に０２ガス供給配管２から０
２ガスを供給するか、またはＮ２ガス供給配管３からＮ
２ガスを供給する。数分間の後、ガスの供給を止め、真
空排気する。０２ガスまたはＮ２ガスの供給により、真
空室１の内壁に０２ガス分子８またはＮ２ガス分子９が
衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁面に吸着したＮ２
０ガス分子１０の脱離を促進させると共に、一部０２ガ
ス分子８やＮ２ガス分子９がＮ２０ガスと置換して吸着
する。このため、ガス供給停止後の真空排気によって、
ト１２ ０よりも脱離し易い０２やＮ２が脱離し、真空
度は短時間で容易に上昇する。
次に本発明の第２の実施例について説明する。
すなわち第１図に示すように、真空装置のベーキングの
前に、真空排気中の真空室１に０２ガス供給配管２から
０２ガスを供給するか、またはＮ２ガス供給配管３から
Ｎ２ガスを供給する。数分間の後、ガスの供給を止め、
真空排気する。０２ガスまたはＮ２ガスの供給により、
真空室−１の内壁に０２ガス分子８またはＮ２ガス分子
９が衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁面に吸着した
Ｎ２０ガス分子１０の脱離を促進させると共に、一部０
２ガス分子８やＮ２ガス分子９がＮ２０ガス分子１０と
置換して吸着する。このため、ガス供給停止後の真空排
気によって、真空室内壁に吸着している８２０分子の量
は減少し、また、Ｎ２０よりも脱離し易い０２やＮ２は
脱離し、真空度は短時間で上昇する。
前に、真空排気中の真空室１に０２ガス供給配管２から
０２ガスを供給するか、またはＮ２ガス供給配管３から
Ｎ２ガスを供給する。数分間の後、ガスの供給を止め、
真空排気する。０２ガスまたはＮ２ガスの供給により、
真空室−１の内壁に０２ガス分子８またはＮ２ガス分子
９が衝突し、内壁を大気に曝した際に内壁面に吸着した
Ｎ２０ガス分子１０の脱離を促進させると共に、一部０
２ガス分子８やＮ２ガス分子９がＮ２０ガス分子１０と
置換して吸着する。このため、ガス供給停止後の真空排
気によって、真空室内壁に吸着している８２０分子の量
は減少し、また、Ｎ２０よりも脱離し易い０２やＮ２は
脱離し、真空度は短時間で上昇する。
次いで、この状態の真空室１をヒータ７によってベーキ
ングを行う。すでに内壁に吸着している１１２０分子は
減少し、吸着分子としては０２またはＮ２が多くなって
いるため、低温・短時間のベーキングでも十分なベーキ
ングの効果が得られる。
ングを行う。すでに内壁に吸着している１１２０分子は
減少し、吸着分子としては０２またはＮ２が多くなって
いるため、低温・短時間のベーキングでも十分なベーキ
ングの効果が得られる。
これにより、所期の真空度の達成をより低温・短時間で
行うことができた。
行うことができた。
第２図は本発明による方法を用いて真空装置の真空室を
真空排気した場合の真空度の時間変化を従来例と比較し
て示したものである。図中、（ａ）は何も処置を施さず
に排気した場合を示したもの、（ｂ）は従来方法のベー
キングを行った場合を示したちのくこの場合、横軸の時
間はベーキング時間）、（Ｃ）は前記第１の実施例によ
って真空排気中に０２ガスを流入・排気し、その後真空
排気した場合を示したもの、（ｄ）は前記第２の実施例
を用いて、真空排気中に０２ガスを流入・排気し、続い
てベーキングを施した場合をそれぞれ示したもの（この
場合も横軸の時間はベーキング時間）である。なお上記
実験例では０２ガス流入時の真空度は１０’Ｔｏｒｒと
し、ベーキング温度はいずれも１５０℃とした。
真空排気した場合の真空度の時間変化を従来例と比較し
て示したものである。図中、（ａ）は何も処置を施さず
に排気した場合を示したもの、（ｂ）は従来方法のベー
キングを行った場合を示したちのくこの場合、横軸の時
間はベーキング時間）、（Ｃ）は前記第１の実施例によ
って真空排気中に０２ガスを流入・排気し、その後真空
排気した場合を示したもの、（ｄ）は前記第２の実施例
を用いて、真空排気中に０２ガスを流入・排気し、続い
てベーキングを施した場合をそれぞれ示したもの（この
場合も横軸の時間はベーキング時間）である。なお上記
実験例では０２ガス流入時の真空度は１０’Ｔｏｒｒと
し、ベーキング温度はいずれも１５０℃とした。
同図かられかるように、何も処置を施さずに排気した場
合の（ａ）に比べ、本発明の第１の方法を用いた（Ｃ）
では、ベーキングを行わないにも拘らず、短時間で真空
度の上昇が達成され、さらに到達真空度も上昇している
。また、従来方法のベーキングを行った場合の（ｂ）に
比べ、本発明の第２の方法を用いた（（ｆ）では、真空
度の上昇が短時間で達成されている。なお、（ｄ）の場
合のベーキング温度を１２０℃とした場合でも同様のデ
ータが得られた。
合の（ａ）に比べ、本発明の第１の方法を用いた（Ｃ）
では、ベーキングを行わないにも拘らず、短時間で真空
度の上昇が達成され、さらに到達真空度も上昇している
。また、従来方法のベーキングを行った場合の（ｂ）に
比べ、本発明の第２の方法を用いた（（ｆ）では、真空
度の上昇が短時間で達成されている。なお、（ｄ）の場
合のベーキング温度を１２０℃とした場合でも同様のデ
ータが得られた。
第３図は本発明による方法を用いて真空室１を排気した
場合の真空室内残留ガスを質量分析法によって分析した
結果のうち、Ｎ２０について従来例と比較して示したも
のである。 （ａ） 、 （ｂ） 。
場合の真空室内残留ガスを質量分析法によって分析した
結果のうち、Ｎ２０について従来例と比較して示したも
のである。 （ａ） 、 （ｂ） 。
（Ｃ）および（ｄ）はそれぞれ第２図（ａ） 、 （ｂ
） 。
） 。
（Ｃ）および（ｄ）に対応する。なお各試料は（ａ）お
よび（Ｃ）については真空排気１８時間経過後のものを
示し、（ｂ）についてはベーキング温度１５０℃、ベー
キング時間１８時間経過後のもの、（ｄ）についてはベ
ーキング温度１２０’Ｃ、ベーキング時間８時間経過後
のものを示す。
よび（Ｃ）については真空排気１８時間経過後のものを
示し、（ｂ）についてはベーキング温度１５０℃、ベー
キング時間１８時間経過後のもの、（ｄ）についてはベ
ーキング温度１２０’Ｃ、ベーキング時間８時間経過後
のものを示す。
同図より、本発明の第１の実施例による場合は、何も処
置を施さずに真空排気した場合よりも残留８２ ＯＮが
少なく、また本発明の第２の実施例による場合はベーキ
ング温度が低温でかつベーキング時間が短いにも拘らず
、従来方法のベーキングを行った場合と同等の残留ト１
２０１となっていることがわかる。
置を施さずに真空排気した場合よりも残留８２ ＯＮが
少なく、また本発明の第２の実施例による場合はベーキ
ング温度が低温でかつベーキング時間が短いにも拘らず
、従来方法のベーキングを行った場合と同等の残留ト１
２０１となっていることがわかる。
［発明の効果］
以上詳細に述べたように、本発明によれば真空装置の真
空排気において、より短時間で真空度を高めることがで
き、またベーキングを行わなくても、またはベーキング
温度が低くても到達真空度をより高くすることができる
。従って本発明を、高温でのベーキングができない真空
装置や、より短時間での真空度上昇が必要な真空装置に
対して用いることにより、より高い真空を短時間で形成
することができ、さらにこの技術を真空を必要とする電
子デバイス製造技術に用いれば、作業効率の向上および
デバイス特性の向上に大きく寄与できる効果を有するも
のである。
空排気において、より短時間で真空度を高めることがで
き、またベーキングを行わなくても、またはベーキング
温度が低くても到達真空度をより高くすることができる
。従って本発明を、高温でのベーキングができない真空
装置や、より短時間での真空度上昇が必要な真空装置に
対して用いることにより、より高い真空を短時間で形成
することができ、さらにこの技術を真空を必要とする電
子デバイス製造技術に用いれば、作業効率の向上および
デバイス特性の向上に大きく寄与できる効果を有するも
のである。
第１図は本発明の方法に使用する装置の一例を示ｔａ略
構成図、第２図は真空排気中の真空室内の真空度の時間
変化を従来例による場合と比較して示す図、第３図は真
空排気後の真空室内の残沼ト１２０１を質量分析によっ
て強度比較した図である。 １・・・真空室
構成図、第２図は真空排気中の真空室内の真空度の時間
変化を従来例による場合と比較して示す図、第３図は真
空排気後の真空室内の残沼ト１２０１を質量分析によっ
て強度比較した図である。 １・・・真空室
Claims (2)
- （１）真空装置内にＯ＿２ガスまたは不活性ガスを供給
しながら排気し、次いでガス供給を止めて真空装置内を
排気することを特徴とする真空装置の真空度改善方法。 - （２）真空装置内にＯ＿２ガスまたは不活性ガスを供給
しながら排気し、次いでガス供給を止めて真空装置内を
排気した後、真空装置のベーキングを行うことを特徴と
する真空装置の真空度改善方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19722788A JPH0246726A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 真空装置の真空度改善方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19722788A JPH0246726A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 真空装置の真空度改善方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0246726A true JPH0246726A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16370955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19722788A Pending JPH0246726A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | 真空装置の真空度改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0246726A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05230624A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-07 | Fujitsu Ltd | Ｐｖｄ装置の内部治具発塵防止方法及び内部治具処理装置 |
| JP2010084211A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法 |
| JP5433786B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-03-05 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置の生産復帰方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196538A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19722788A patent/JPH0246726A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61196538A (ja) * | 1985-02-27 | 1986-08-30 | Hitachi Ltd | 真空処理方法及び装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05230624A (ja) * | 1992-02-20 | 1993-09-07 | Fujitsu Ltd | Ｐｖｄ装置の内部治具発塵防止方法及び内部治具処理装置 |
| JP2010084211A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Ulvac Japan Ltd | スパッタリング方法 |
| JP5433786B2 (ja) * | 2010-06-10 | 2014-03-05 | 株式会社アルバック | スパッタリング装置の生産復帰方法 |
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