JPH024754A - ジフルオロベンゾニトリル誘導体 - Google Patents

ジフルオロベンゾニトリル誘導体

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JPH024754A
JPH024754A JP1056567A JP5656789A JPH024754A JP H024754 A JPH024754 A JP H024754A JP 1056567 A JP1056567 A JP 1056567A JP 5656789 A JP5656789 A JP 5656789A JP H024754 A JPH024754 A JP H024754A
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JP
Japan
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trans
compounds
formula
group
compound
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Pending
Application number
JP1056567A
Other languages
English (en)
Inventor
Volker Reiffenrath
フオルカー・ライフエンラート
Joachim Krause
ヨアヒム・クラウゼ
Andreas Waechtler
アンドレアス・ヴエツヒトラー
Georg Weber
ゲオルグ・ヴエーベル
Ulrich Finkenzeller
ウルリツヒ・フインケンツエラー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Merck Patent GmbH
Original Assignee
Merck Patent GmbH
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Publication date
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Publication of JPH024754A publication Critical patent/JPH024754A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は下記の式1で示される2、3−ジフルオロベン
ゾニトリルの誘導体に関する:は1.4−シクロヘキシ
レン基であり、PF2Nは、1式中、Rは、C原子1−
12個を有するアルキル基であり、この基中に存在する
1個または2個のCH,基はまた、2個のoW子が相互
に直接に結合しないものとして、−o−−co−−o−
co−および(または)−CH=CH−により置き換え
られていてもよく、そして 簡潔にするために、以下の記載において、CyCは1.
4−フェニレン基を表わすものとする。
式1で示される化合物は液晶相、特にねじれセルの原則
、ゲスト−ホスト効果、整列相の変形の効果または動的
散乱の効果にもとづく表示体用の液晶相の成分として使
用することができる。
このようなセルのマルチプレックスオペレーションのた
めの重要な基準は、分子軸に対して垂直である誘電定数
に対する誘電定数の異方性の比、すなわち△ε/ε土が
小さいことである[たとえば、Gharadjedag
ji等によるRev、 Phas。
Appl、 11467頁(1976年)参照] 。
小さい△ε/ε土を得るためには、負の△εを有する慣
用の物質を、正の△εを有する物質と混合する。
しかしながら、正の△εに加えて、強力な横方向双極性
を有する物質を使用するのがよい。
このタイプの一連の液晶化合物は、すでに合成されてお
り、たとえば4−シアノ−2(5)−フルオロフェノー
ルのカルボン酸エステルまたは5−シアノピリジン−2
−イル化合物がある。
しかしながら、この5−シアノピリジン−2−イル化合
物は一般に、たとえば混合物中における貧弱な溶解性、
高粘度、高融点および化学的不安定性などの欠点を宵す
る。さらに、一般に、これらの化合物は高次のスメクテ
イツク相形成傾向を有する。従って、分子軸に対して垂
直である、大きい誘電定数と組合せて、正の誘電異方性
を有し、これにより混合物の性質を全てのタイプの電気
光学用途に対してさらに改善することができる別種の化
合物が求められている。
本発明の目的は、正の誘電異方性、大きい負の横方向双
極性および同時に、低い粘度を有する安定な液晶化合物
またはメソーゲン性化合物を見い出すことにある。
式■で示される化合物が液晶相の成分として、優れて適
することが見い出された。特に、これらの化合物を使用
することにより、広いメソ7エース範囲および比較的低
い粘度を有する安定な液晶相を調製することができる。
式■で示される化合物の製造によって、種々の工業的用
途の観点から、液晶混合物の調製に適する液晶物質の範
囲が、極めて広範にわたって相当に拡大される。
式Iで示される化合物は広い用途範囲を有する。これら
の化合物は置換基を選択することにより、液晶相の主要
部分を構成する液晶基材として使用することができる。
しかしながら、式■で示される化合物は別種の化合物か
らなる液晶基材に添加して、たとえばこのような誘電体
の誘電異方性および(または)光学異方性および(また
は)粘度および(または)自発分極および(または)相
範囲および(または)チルト角および(または)ピンチ
を変えることができる。
さらにまた、式Iで示される化合物は液晶誘電体の成分
として使用することができる別種の物質を製造するため
の中間体として適している。
式Iで示される化合物は純粋な状態で無色であり、電気
光学用途に好ましく位置する温度範囲で液晶メンフェー
スを形成する。これらの化金物は化学的に、熱的に、お
よび光に対して非常に安定である。
従って、本発明は式Iで示される化合物に関するもので
ある。
さらにまた、本発明は式■で示される化合物を液晶相の
成分として使用することに関する。
本発明はまた、構造要素として2.3−ジフルオロ−4
−シアノフェニル基を有する化合物、特に式Iで示され
る化合物のうちの少なくとも一種を含有する液晶相に関
し、そしてまた、本発明はこのタイプの相を含む液晶表
示素子に関する。このタイプの相は特に有利な弾性定数
を有し、それらの低い△ε/ε1値によって、TPT混
合物に特に適している。
従って、式■で示される化合物は下記の部分式Ia〜I
cで示される2環を有する化合物:R−Phe−PF2
N            I aR−Cyc−PF2
N            I bR−Cyc−CHt
CHz−PF2N        I cおよび下記の
部分式Id−Ihで示される3環を有する化合物: R−Phe−Phe−PF2N          I
 dR−Cyc−Cyc−PF2N         
 I eR−Cyc−CHtCHz−Cyc−PF2N
       I fR−Cyc−CH,0−Phe−
PF2N        I gR−Cyc−CHzC
H2−Phe−PF2N       I h本明細書
の全体に記載されている式で示される化合物において、
Rは好ましくはアルキルであり、さらにまたアルコキシ
である。
本明細書に記載の式において、Rは好ましくは、C原子
2〜10個、特に3〜7個を有する。
R基中に存在する1個または2個のCH,基はまた、置
き換えられていてもよい。好ましくは、1個だけノCH
2基が一〇−1−C0−または−CH=CH−1特に−
〇−または一〇−CO−により置き換えられている。
本明細書に記載の式において、Rは好ましくはアルキル
、アルコキシまたはもう一種のオキサアルキル基であり
、さらにまた、Rはアルキル基であり、この基中に存在
する1個または2個以上のCH,基は2個のへテロ原子
が相互に直接に結合しないものとして、−o−−o−c
o−または−CH=CH−により、あるいは2個の適当
な基の組合せにより置き換えられていてもよい基である
Rがアルキル基であり、この基中に存在する1個のCH
,基がOK子により置き換えられていてもよい場合(「
アルコキシ」または「オキサアルキル」)、あるいはこ
の基中に存在する、隣接していない2個のCH,基がo
原子により置き換えられていてもよい場合([アルコキ
シアルコキシ」または「ジオキサアルキル」)に、この
基は直鎖状または分枝鎖状であることができる。
好ましくは、この基は直鎖状であり、C[子2.3.4
.5.6または7個を有し、従って、好ましくは、エチ
ル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル
、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ペントキシ、ヘキ
ソキシまたはへメトキシであり、さらにまた、Rはメチ
ル、オフ“チル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシ
ル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、メトキ
シ、オクトキシ、ツノキシ、デコキシ、ウンデコキシ、
ドデコキシ、トリデコキシまたはテトラデシルシである
オキサアルキルは好ましくは、直鎖状の2−オキシプロ
ピル(−メトキシメチル)、2−(−エトキシメチル)
または3−オキサブチル(=−2−メトキシエチル)、
2−3−または4−オキサペンチル、2− 3− 4−
または5−オキサヘキシル、2− 3− 4− 5−ま
たは6−オキサヘプチル、2− 3− 4− 56−ま
たは7−オキサオクチル、2−34− 5− 6− 7
−または8−オキサノニル、2− 3− 4− 5− 
6− 7一8−または9−オキサデシル、1.3−ジオ
キサブチル(−メトキシメトキシ)、1.3− 1.4
−または2.4−ジオキサペンチル、l、3−11.4
=1.5−12.4−12,5−または3.5−ジオキ
サヘキシル、あるいはl、3−11.4− 1.5− 
1.6−2.4−12.5−12.6−13.5−13
,6−または4.6−シオキサヘプチルである。
Rがアルキル基であり、この基中に存在する1個のCH
,基が−CH=CH−により置き換えられている場合に
、この基は直鎖状または分枝鎖状であることができる。
好ましくは、この基は直鎖状であり、C[子2〜IO個
を有する。従って、この基は特に、ビニル、プロプ−1
−または−2−エニル、ブドーl−−2−または−3−
工二ル、ベント−1−−2−−3−または−4−エニル
、ヘキス−1−−2−−3−−4−または−5−エニル
、ヘプト−1−2−−3−−4−−5−または−6−エ
ニル、オクト−1−−2−−3−−4−−5−−6−ま
たは−7−エニル、ノン−1一7−または−8−エニル
あるいはデク−1−7−−8−または−9−エニルであ
る。
Rがアルキル基であり、この基中に存在する1個の(H
,基が一〇−CO−または−CO−O−により置き換え
られている場合に、この基は直鎖状または分校鎖状であ
ることができる。好ましくは、この基は直鎖状であり、
C原子2〜6個を有する。
従って、この基は特に、アセチルオキシ、プロピオニル
オキシ、ブチリルオキシ、ペンタノイルオキシ、ヘキサ
ノイルオキシ、アセチルオキシメチル、プロピオニルオ
キシメチル、ブチリルオキシメチル、ペンタノイルオキ
シメチル、2−アセチルオキシエチル、2−プロピオニ
ルオキシエチル、2−ブチリルオキシエチル、3−アセ
チルオキシプロピル、3−プロピオニルオキシエチル、
4−アセチルオキシブチル、メトキシカルボニル、エト
キシカルボニル、プロポキシカルボニル、ブトキシカル
ボニル、ペントキシカルボニル、メトキシカルボニルメ
チル、エトキシカルボニルメチル、プロポキシカルボニ
ルメチル、ブトキシカルボニルメチル、2− 、(メト
キシカルボニル)エチル、2−(エトキシカルボニル)
エチル、2−(プロポキシカルボニル)エチル、3−(
メトキシカルボニル)プロピル、3−(エトキシカルボ
ニル)プロピルあるいは4−(メトキシカルボニル)ブ
チルである。
分枝鎖状基Rを有する式Iで示される化合物は慣用の液
晶基材中で良好な溶解性を有することから、時には重要
であるが、これらが光学活性である場合には、カイラル
ドーピング物質として特に重要である。このタイプのス
メクテイツク化合物は強誘電性材料用の成分として適し
ている。
この種の分枝鎖状基は一般に、多くて1個の鎖分校を有
する。好適な分枝鎖状基R1はイソプロピル、2−ブチ
ル(−1−メチルプロピル)、イソブチル(=2−メチ
ルプロピル)、2−メチルブチル、インペンチル(−3
−メチルブチル)、2−メチルペンチル、3−メチルペ
ンチル、2−エチルヘキシル、2−7’口ピルペンチル
、インプロポキシ、2−メチルプロポキシ、2−メチル
ブトキシ、3−メチルブトキシ、2−メチルペントキシ
、3−メチルペントキシ、2−エチルヘキソキシ、l−
メチルヘキソキシ、■−メチルへブトキシ、2−オキサ
−3−メチルブチル、3−オキサ−4−メチルペンチル
、4−メチルヘキシル、2−ノニル、2−デシル、2−
ドデシル、6−メチルオクトキシ、6−メチルオクタノ
イルオキシ、5−メチルへブチルオキシカルボニル、2
−メチルブチリルオキシ、3−メチルバレリルオキシ、
4−メチルヘキサノイルオキシ、2−クロロプロピオニ
ルオキシ、2−クロロ−3−メチルブチリルオキシ、2
−クロロ−4−メチルバレリルオキシ、2−クロロ−3
−メチルバレリルオキシ、2−メチル−3−オキサペン
チルあるいは2−メチル−3−オキサヘキシルである。
Rがアルキル基であり、この基中に存在する2個または
3個以上のCH,基が一〇−および(または)−CO−
O−により置き換えられている場合に、この基は直鎖状
または分枝鎖状であることができる。好ましくは、この
基は分枝鎖状であり、CyK千3〜12個を有する。従
って、この基は特に、ビス−カルボキシ−メチル、2.
2−ビス−カルボキシ−エチル、3.3−ビス−カルボ
キシ−プロピル、4.4−ビス−カルボキシ−ブチル、
5.5−ビス−カルボキシ−ペンチル、6,6−ビスカ
ルボキシ−ヘキシル、7,7−ビス−カルボキシ−ヘプ
チル、8.8−ビス−カルボキシ−オクチル、9.9−
ヒス−カルボキシ−ノニル、10.10−ビス−カルボ
キシ−デシル、ビス−(メトキシカルボニル)−メチル
、2.2−ビス−(メトキシカルボニル)−エチル、3
.3−ビス−(メトキシカルボニル)−プロピル、4.
4−ビス−(メトキシカルボニル)−ブチル、5,5−
ビス−(メトキシカルボニル)−ペンチル、6.6−ビ
ス−(メトキシカルボニル)−ヘキシル、7.7−ビス
−(メトキシカルボニル)−ヘプチル、8.8−ビス=
(メトキシカルボニル)−オクチル、ビス−(エトキシ
カルボニル ス−(エトキシカルボニル)−エチル、3.3−ビス−
(エトキシカルボニル)−プロピル、4.4−ビス−(
エトキシカルボニル)−ブチルあるいは5.−5−ビス
−(エトキシカルボニル)−ペンチルである。
末端基Rが重縮合に利用するのに適する基である、式I
で示される化合物は液晶重縮合物の製造に適している。
式Iはこれらの化合物のラセミ体および光学対字体の両
方、ならびにその混合物を包含するものとする。
式Iおよびまた式Ia−Ieで示される化合物の中で、
その分子中に含まれる基のうちの少なくとも一つが上記
の好ましい意味のうちの一つを有する化合物は好ましい
化合物である。
式Iで示される好ましい化合物のうちの狭い群は下記の
部分式11−I23で示される:アルキルーPhe −
 PF2N アルコキシ−Phe − PF2N アルカノイルオキシ−Phe − PF2Nアルコキシ
カルボニル−Phe − PF2Nアルキル−Cyc 
− PF2N アルコキシ−Cyc − PF2N アルカノイルオキシ−Cyc − PF2Nアルコキシ
カルボニル−Cyc − PF2Nアルキル−Cyc 
− CH2Cl, − PF2Nアルコキシ−Cyc 
 CHzCHz−PF2Nアルカノイルオキシ−Cyc
  CH2CH2  PF2Nアルコキシカルボニル−
Cyc  CHzCHz  PF2Nアルキル−Phe
 − Phe − PF2Nアルコキシ−Phe − 
Phe − PF2Nアルカノイルオキシ−Phe −
 Phe − PF2Nアルコキシカルボニル−Phe
 − Phe − PF2Nアルキル−Cyc − C
yc − PF2Nアルコキシ−Cyc − Cyc 
− PF2Nアルカノイルオキシ−Cyc − Cyc
 − PF2Nアルコキシカルボニル−Cyc − C
yc − PF2Nt 工2 I3 I6 工9 l1 アルキル−Cyc−CH,CH,−Cyc−PF2N 
       I 21アルキル−Cyc−CH*O−
Pha−PF2N         I 22アルキル
−Cyc − CHtCJ − Phe  PF2N 
       r 23式Iで示される化合物は文献〔
たとえばHouben−WeylによるMethode
n der OrganischenChemie(G
eorg−Thien+a出版社、Stuttgart
市)のような標準的学術書〕に記載されているようなそ
れ自体既知の方法により、特に、あげられている反応に
適する既知の反応条件の下で製造することができる。こ
の場合に、それ自体既知であって、ここでは詳細に説明
されていない変法をも使用することもできる。
所望により、原料化合物はまた、これらを反応混合物か
ら単離すぜに、直ちに、さらに反応させて、式Iで示さ
れる化合物を生成するような方法で、その場で生成する
こともできる。
式Iで示される化合物は好ましくは、下記の式■で示さ
れる化合物から製造する: 式■で示されるホルミル化合物はそれ自体既(式中、R
およびAは前記の意味を有し、そしてxはH,CL C
HOまたはC0OH”C’ある)。
式■で示されるジフルオロベンゼン誘導体(式中、X−
H)は有機金属化合物または塩基系を用いて、それ自体
既知の方法で脱プロトン化させることができる〔この方
法は、たとえばA、 M、 Roe等によるJ、 Ch
em、 Soc、 Chem、 Comm。
化、582 (1965)に記載の方法による〕。
相当するリチウム化合物はジメチルホルムアミドまたは
N−ホルミルピペリジンのようなホルムアミドを使用し
てホルミル化することができ、(X −CHO) 、あ
るいは二酸化炭素を使用してカルボキシル化することが
でき、(X −COOH)、あるいはシアノゲンクロラ
イドまたはシアノゲンブロマイドを使用して直接反応さ
せることができ、式Iで示される化合物を生成すること
ができる。
知の方法で、式1で示されるニトリル化合物に変換する
ことができる〔たとえばJ、 5treith等による
He1v、 Acta 59.2786 (1976)
に記載の方法による〕。
適当な有機金属化合物は特に、有機リチウム化合物、た
とえばテトラヒドロフラン、ジオキサンまたはjerk
−ブチルメチルエーテルのようなエーテル、ヘキサン、
ベンゼンまたはトルエンのような炭化水素、あるいはこ
れらの溶媒の混合物のような不活性溶媒中のn −te
rt−または5ec−ブチルリチウムあるいはメチルリ
チウムなどである。好ましくは、錯化剤、たとえばテト
ラメチルエチレンジアミン(TMEDA)のようなアミ
ン、あるいはヘキサメチルリン酸トリアミド(HMPT
)またはN、N−ジメチルプロピレン尿素(DMPH)
のようなアミドを、これらの溶媒に添加することができ
る。
通常、反応温度は一120°C〜−1O℃、好ましくは
一100℃〜−50°Cである。
これらの温度において、脱プロトン反応は、一般に1−
10時間後に完了する。
さらにまた、式Iで示される化合物は好ましくは、有機
チタンまたは有機アニン化合物を4−フロモ(クロロ)
−2,3−ジフルオロベンゾニトリル化合物と金属触媒
の存在の下で反応させることにより製造する(この方法
については、たとえばDE 3,736.489および
DE 3.632.410を参照できる)。
式Iで示される化合物はまた、式1において、HIM子
の代りに、1個または2個以上の還元可能な基および(
または)C−C結合を有する相当する化合物を還元する
ことにより製造することができる。
使用できる還元可能な基は好ましくは、カルボニル基、
特にケト基であり、さらにまた、たとえば遊離のまたは
エステル化されているヒドロキシル基あるいは芳香族に
結合しているハロゲン原子である。この還元に好適な原
料化合物は式Iにおいて、シクロヘキサン環の代りに、
シクロヘキセン環またはシクロヘキサノン環を有するこ
とができ、そして(または)−CH2CHz−基の代り
に−CH=CH−基を有することができ、そして(また
は) −C1,−基の代りに−C〇−基を含有でき、そ
して(または)H原子の代りに遊離のまたは官能性に変
えられている(たとえばそのp−トルエンスルホネート
の形の) OH基を有することができる相当する化合物
である。
還元は、たとえば約θ°〜約200°の温度で、約1〜
200バールの圧力下に、不活性溶媒、たとえばメタノ
ール、エタノールまたはインプロパツールのようなアル
コール、テトラヒドロフラン(THF)またはジオキサ
ンのようなエーテル、酢酸エチルのようなエステル、酢
酸のようなカルボン酸あるいはシクロヘキサンのような
炭化水素中で接触水素添加により、行なうことができる
。適当な触媒は好ましくは、PtまたはPdのような貴
金属であり、これらは酸化物の形で(たとえばPtO,
またはPd0) 、支持体上で(たとえば木炭、炭酸カ
ルシウムまたは炭酸ストロンチウム上のPd)、あるい
は微粉砕された形で使用することができる。
ケトン化合物はまた、Clemmensenの方法(こ
の方法では、アニン、アニンアマルガムまたはスズと塩
酸とを、好ましくは水性−アルコール性溶液中または水
/トルエンを用いる不均質相系中で、約80〜120°
の温度で使用する)、あるいはWolf f −K15
hnerの方法(この方法では、ヒドラジンを、好まし
くはKOHまたはNaOHのようなアルカリの存在の下
で、ジエチレングリコールまたはトリエチレングリコー
ルのような高沸点溶媒中において、約100〜200°
の温度において使用する)により還元でき、アルキル基
および(または)−CHz(Jli−架橋を有する式I
で示される相当する化合物を生成することができる。
さらにまた、複合水素化物を用いる還元をまた使用する
ことができる。−例として、アリールスルホニルオキシ
基はLiAffH,を用いて還元的に分離でき、特に、
p−トルエンスルホニルオキシメチル基は、好ましくは
ジエチルエーテルまたはTHFのような不活性溶媒中で
、約0〜100’の温度において、メチル基に還元する
ことができる。二重結合は(CN基が存在していても)
、メタノール中でNaBH、またはトリブチル−スズ水
素化物を用いて水素添加することができる。
式Iで示されるニトリル化合物を製造するためには、相
当する酸アミド化合物を脱水させることができる。この
アミド化合物は、たとえば相当するエステル化合物また
は酸ハライド化合物からアンモニアとの反応により得ら
れる。適当す脱水剤の例には、5OCI22、pca 
、、pcQ、、pocI2.、so、cQ、、またはG
OCf:にのような無機酸クロライドおよびまたP2O
3、p、sいAQCQ3にの化合物は、たとえばNaC
Qとの複合化合物として使用する)、芳香族のスルホン
酸およびスルホニル酸ハライドがある。この場合に、反
応は不活性溶媒の存在の下で、または不存在下に、約0
゜〜150°の温度で行なうことができる。使用でる溶
媒の例には、ピリジンまたはトリエチルアミンのような
塩基、ベンゼン、トルエンまたはキシレンのような芳香
族炭化水素、あるいはDMFのようなアミドがある。
式Iで示される前記ニトリル化合物を製造するためには
、また相当する酸ハライド化合物、好ましくはクロライ
ドをスルファミドと、好ましくはテトラメチレンスルホ
ンのような不活性溶媒中で、約80°〜150°の温度
、好ましくは120°において反応させることができる
。通常の方法で仕上げ処理した後に、ニトリル化合物を
直接に単離することができる。
本発明による液晶メジウムは、本発明による化合物の一
種または二種以上に加えて、好ましくはさらに別の成分
として、2〜40種、特に4〜30種の成分を含有する
。これらのメジウムは非常に特に好ましくは、以上に加
えて本発明による化合物の一種または二種7〜25種の
成分を含有する。これらの追加の成分は好ましくは、ネ
マティックまたはネマトゲニツク(単変性または等方性
)物質、特にアゾキシベンゼン化合物、ベンジリデンア
ニリン化合物、ビフェニル化合物、ターフェニル化合物
、フェニルまたはシクロへキシルベンゾエート化合物、
フェニルまたはシクロへキシルシクロヘキサンカルボキ
シレート化合物、シクロヘキシル安息香酸の7エ二ルま
たはシクロヘキシルエステル化合物、シクロヘキシルシ
クロヘキサンカルボン酸のフェニルまたはシクロヘキシ
ルエステル化合物、安息香酸のシクロヘキシルフェニル
エステル化合物、シクロヘキサンカルボキン酸のシクロ
へキシルフェニルエステル化合物、シクロヘキシルシク
ロヘキサンカルボン酸のシクロへキシルフェニルエステ
ル化合物、フェニルシクロヘキサン化合物、シクロへキ
シルビフェニル化合物、フェニルシクロへキシルシクロ
ヘキサン化合物、シクロへキシルシクロヘキサン化合物
、シクロへキシルシクロヘキセン化合物、シクロへキシ
ルシクロへキシルシクロヘキセン化合物、1.4−ビス
−シクロヘキシルベンゼン(l物、4.4’−ビス−シ
クロへキシルビフェニル化合物、)ユニルーまたはシク
ロヘキシルピリミジン化合物、フェニル−またはシクロ
へキシルジオキサン化合物、フェニル−またはシクロへ
キシル−1,3−ジチアン6化合物、1.2−ジフェニ
ルエタン化合物、1.2−ジシクロヘキシルエタン化合
物、l−フェニル−2−シクロヘキシルエタン化合物、
■−シクロへキシル−2−(4−フェニルシクロヘキシ
ル)−エタン化合物、1−シクロへキシル−2−ビフェ
ニルエタン化合物、l−フェニル−2−シクロへキシル
フェニルエタン化合物、場合によりハロゲン化されてい
るスチルベン化合物、ベンジルフェニルエーテル化合物
、トラン化合物および置換されているケイ皮酸化合物の
群から選択される。
本発明によるメジウムの別種の成分として適する最も重
要な化合物は次式1,2.3.4および5で示すことが
できる特徴を有する:R’−L−E−R′1 R’ −L−Coo−E−R“         2R
’−L−00C−E−R“             
 3R’−L−CH2CH2−E−R“       
    4R’−L−CミC−E−R“       
               5式11式2、式3、
式4および式5において、LおよびEは同一または異な
ることができ、相互に独立して、それぞれ、−Phe−
1−Cyc−1−Phe−Phe−1−Phe−Cyc
−1−Cyc−Cyc−1−Pyr−1−Dio−1−
G−Phe−および−〇−Cyc−ならびにそれらの鏡
像基からなる群に属する二価の基であり、Pheは1,
4−フェニレンであり、この基は非置換であるか、また
はフッ素で置換されており、CyCはトラン7!、 −
1,4−シクロヘキシレンまたは1.4−シクロヘキセ
ニレンであり、Pyrはピリミジン−2,5−ジイルま
たはピリジン−2,5−ジイルであり、Dioは1.3
−ジオキサン−2,5−ジイルであり、モしてGは2−
(トランス−1,4−シクロヘキシル)−エチル、ピリ
ミジン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイルま
たは1,3−ジオキサン−2,5−ジイルである。
好ましくは、基りおよび基Eのうちの一つはCyc、・
PheまたはPyrである。Eは好ましくは、Cyc、
 PheまたはPhe−Cycである。
本発明によるメジウムは好ましくは、式112.3.4
および5において、その分子中に存在する基りおよび基
EがCycSPheおよびPyrからなる群から選ばれ
る相当する化合物から選択される成分の一種または二種
以上と、同時に、式1,2.3.4および5において、
その分子中に存在する基りおよび基Eのうちの一つがC
ycSPheおよびPyrからなる群から選ばれ、そし
て基りおよび基Eのうちの他の一つが−Phe−Phe
−1−Phe−Cyc−1−Cyc−Cyc−1−G−
Phe−および−G−Cyc−からなる群から選ばれる
相当する化合物から選択される成分の一種または二種以
上および所望により、式1,2.3.4および5におい
てその分子中に存在する基りおよび基Eが−Phe−C
yc−1−Cyc−Cyc−1−G−Phe−および−
〇−Cyc−からなる群から選ばれる相当する化合物か
ら選択される成分の一種または二種以上を含有する。
部分式1ax 2a、3as 4asおよび5aで示さ
れる化合物においてはR′およびR#は相互に独立して
、それぞれ、8個までの炭素原子を有するアルキル、ア
ルケニル、アルコキシ、アルケニルオキシまたはアルカ
ノイルオキシである。これらの化合物の大部分において
 R/およびR′は相互に異なっており、これらの基の
一つは、通常、アルキルまたはアルケニルである。
部分式1b、2b、3b、4bおよび5bで示される化
合物においては、R#は−CN、−CF、、Fl・CQ
または−NC3であり、この場合に、R′は部分式1a
〜5aで示される化合物について前記した意味を有し、
好ましくはアルキルまたはアルケニルである。しかしな
がら、式1.2.3.4および5で示される化合物にお
いて提案されているその他の種々の置換基はまた慣用で
ある。
かなりのこのような物質またはその混合物は市販されて
いる。これらの物質の全部は文献から既知の方法により
またはその類似方法により得ることができる。
本発明によるメジウムは、化合物11%21%3a、4
aおよび5aからなる群(群l)からの成分に加えて、
好ましくは化合物1b、2b。
3b14bおよび5bからなる群(群2)からの成分を
含有し、その割合は好ましくは、下記のとおりであり: 群1:20〜90%、特に、30〜90%群2:10〜
80%、特に、10〜50%そして本発明による化合物
と群lおよび群2からの化合物との割合の合計は100
%までである。
本発明によるメジウムは好ましくは、本発明による化合
物を1〜40%特に好ましくは、5〜30%含有する。
本発明による化合物を40%より多い量、特に45〜9
0%の量で含有するメジウムはまた、好ましい本発明に
よるメジウムは好ましくは三種、四種または三種の本発
明による化合物を含有する。
本発明によるメジウムの調製はそれ自体慣用の方法で行
なう。一般に、諸成分を相互に、好ましくは高められた
温度で溶解させる。本発明による液晶相は適当な添加剤
を使用することにより、これらを従来開示されているタ
イプの全部の液晶表示素子で使用できるように変性する
ことができる。
このような添加剤は当業者にとって既知であり、文献(
H,Kelker/R,HatzによるHandboo
kof 1iquid Crystals、 Verl
ag Chemie、 Wein−heimS1980
年)に詳細に記載されている。たとえば、着色ゲスト−
ホスト系を生成するために多色性染料を添加でき、ある
いは誘電異方性、粘度および(または)ネマティック相
の配向を変えるための物質を添加することができる。
次側は本発明を制限することなく、説明するためのもの
である。m、 p、−融点であり、c、 p。
=透明点である。本明細書全体を通して、パーセンテー
ジは重量によるパーセンテージである。
全ての温度は摂氏度で示すものである。
「慣常の方法で仕上げる」の用語は次の意味を有するも
のとする:水を加え、混合物を塩化メチレンで抽出し、
有機相を分離し、乾燥させ、次いで蒸発させ、生成物を
結晶化および(または)クロマトグラフィにより精製す
る。
さらにまた、Cは結晶一固体状態であり、Sはスメクテ
イツク相(インデックスは相のタイプの特徴を示す)で
あり、Nはネマティック状態であり、Chはコレステリ
ック相であり、そしてIは等方性用である。二種の記号
間の数字は転移温度を摂氏度で示すものである。
例  1 4−アルキル−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロ
ビフェニレン化合物の製造 a)l−(4−ペンチルシクロへキス−1−エニル)−
2,3−ジフルオロベンゼン ヘキサン320mQ中のn−ブチルリチウム0.525
モルの溶液を一78℃で、l、2−ジフルオロベンゼン
0.5モルとテトラヒドロフラン1000m12とテト
ラメチルエチレンジアミン0.5モルとの混合物に加え
る。−60°Cで3時間撹拌した後に、テトラヒドロフ
ラン100mQに溶解した4−ペンチルシクロへキサノ
ン0.525モルを滴下して加え、混合物を室温まで、
ゆっくり温める。中和した後に得られたアルコール生成
物を精製することなく、トルエン250m(l中に溶解
し、水分離器を用いて、p−1’ル工ンスルホン酸2g
と3時間過熱する。
慣用の方法で仕上げ、1−(4−ペンチルシクロへキス
−1−エニル) −2,3−ジフルオロベンゼンを得る
、沸点:123°C10,5トール。
同様に、原料化合物として、4−(4−プロピルフェニ
ル)−シクロヘキサノンを使用して、1−(4−(4−
7’口ピルフェニル)−シクロへキス−1−エニル)−
2,3−’;フルオロベンゼンが得られる。
b)4−(4−ペンチルシクロへキス−1−ユニル) 
−2,3−ジフルオロベンズアルデヒド テトラヒビ0フラン20mQ中のN−ホルミルピペリジ
ン0.12モルを一70°Cで、4−(4−ペンチルシ
クロへキス−1−エニル)−2,3−ジフルオロフェニ
ルリチウム0.1モル(この化合物は例1a)と同様に
して、テトラヒドロフラン/テトラメチルエチレンジア
ミン中でn−ブチルリチウムを用いて、ベンゼン化合物
から製造される)に加え、混合物を1時間をかけて一2
0℃に温める。酸性にし、次いで慣用の方法で仕上げ、
標題のアルデヒド生成物を得る。
c)4−(4−ペンチルシクロへキス−1−エニル)−
2,3−ジフルオロベンゾニトリルヒドロキシルアミン
−〇−スルホン酸0.12モルと水50mffとの混合
物を30 ’Oで、上記アルデヒド化合物0.1モルと
水100mffとの混合物に加える。
室温で1時間撹拌した後に、混合物を2時間、65°C
に温める。冷却させ、次いで慣用の方法で仕上げ、標題
のニトリル生成物を白色固形物として得る。
d)  2.3−ジクロロ−5,6−ジシアツベンゾキ
ノン(DDO)を使用する酸化 例1c)からのシクロヘキセン誘導体0.1モルとトル
エン200+II+2との混合物にDDQ 0.2モル
を加え、混合物を2時間、加熱沸とうさせる。冷却させ
、次いで慣用の方法で仕上げ処理し、4−ペンチル−4
′−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニルを得る
同様にして、下記の化合物を製造する:4−エチルー4
′−シアノー2’、3’−ジフルオロビフェニル 4−プロピル−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロ
ビフェニル 4−ブチル−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロビ
フェニル 4−へキシル−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロ
ビフェニル 4−へブチル−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロ
ビフェニル 4−オクチル−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロ
ビフェニル 4−エトキシ−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロ
ビフェニル 4−プロポキシ−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオ
ロビフェニル 4−ブトキシ−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロ
ビフェニル 4−ペントキシ−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオ
ロビフェニル 4−ヘキソキシ−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオ
ロビフェニル 4−へブトキシ−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオ
ロビフェニル 4−才クトキシ−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオ
ロビフェニル 4“−エチル−4−シアノ−2,3−ジフルオロターフ
ェニル 4“−プロピル−4−シアノ−2,3−ジフルオロター
フェニル 4“−ブチル−4−シアノ−2,3−ジフルオロターフ
ェニル 4“−ペンチル−4−シアノ−2,3−ジフルオロター
フェニル 4“−へキシル−4−シアノ−2,3−ジフルオロター
フェニル 4#−へブチル−4−シアノ−2,3−ジフルオロター
フェニル 4“−オクチル−4−シアノ−2,3−ジフルオロター
フェニル 4“−エトキシ−4−シアノ−2,3−ジフルオロター
フェニル 4“−プロポキシ−4−シアノ−2,3−ジフル才口タ
ーフェニル 4“−ブトキシ−4−シアノ−2,3−ジフルオロター
フェニル 4“−ペントキシ−4−シアノ−2,3−ジフルオロタ
ーフェニル 4“−ヘキソキシ−4−シアノ−2,3−ジフルオロタ
ーフェニル 4″−へブトキシ−4−シアノ−2,3−ジフルオロタ
ーフェニル 4″−才クトキシ−4−シアノ−2,3−ジフルオロタ
ーフェニル 4− (トランス−4−エチルシクロヘキシルメトキシ
)−4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニル 4− (1−ランス−4−グロビルシクロへキシルメト
キシ)−4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェ
ニル 4− (トランス−4−ブチルシクロへキシルメトキシ
)−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニル 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシルメトキシ
)−4′−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニル 4−(トランス−4−ヘキシルシクロへキシルメトキシ
)−4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニル 4− (ト5ンスー4−へブチルシクロへキシルメトキ
シ)−4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニ
ル 4− (トランス−4−オクチルジシクロへキシルメト
キシ)−4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェ
ニル 1−(4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニ
ル−4−イル) −2−(1−ランス−4−二チルンク
口ヘキシル)−エタン 1−(4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニ
ル−4−イル)−2−(トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)−エタン 1−(4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニ
ル−4−イル)−2−(トランス−4−ブチルシクロヘ
キシル)−エタン 1−(4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニ
ル−4−イル’)−2−(トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)−エタン 1−(4’−シアノ−2’ 、3’−ジフルオロビフェ
ニル−4−イル’) −2−(1−ランス−4−ヘキシ
ルシクロヘキシル)−エタン 1−(4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニ
ル−4−イル)−2−(トランス−4−へブチルシクロ
ヘキシル)−エタン 1−(4’−シアノ−2’、3’−ジフルオロビフェニ
ル−4−イル) −2−(1−ランス−4−オクチルシ
クロヘキシル)−エタン 例  2 4−シクロへキシル−2,3−ジフルオロベンゾニトリ
ル化合物の製造 4−(4−ペンチルシクロへキス−1−ユニル)−2,
3−ジフルオロベンゾニトリル0.1モル(この化合物
は例1a)−1c)に従って製造する)、パラジウム/
活性炭(1%) 1.0gおよびトルエン150m(2
の混合物を室温で飽和するまで水素添加する。濾過し、
溶媒を除去した後に、残留物をジメチルスルホキシド1
50mffに溶解し、カリウムtart−ブトキシド1
2gを加え、混合物を室温で2時間撹拌する。酸性にし
、次いで慣用の方法で仕上げ、4−()ランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)−2,3−ジフルオロベンゾニ
トリルを得る。
同様にして、下記の化合物を製造する=4−(トランス
−4−エチルシクロヘキシル)−2,3−ジフルオロベ
ンゾニトリル 4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2,
3−ジフルオロベンゾニトリル4−(1−ランス−4−
ブチルシクロヘキシル)−2,3−ジフルオロベンゾニ
トリル 4− (トランス−4−へキシルシクロヘキシル)−2
,3−ジフルオロベンゾニトリル4−()ランス−4−
へブチルシクロヘキシル)−2,3−ジフルオロベンゾ
ニトリル4− (1−ランス−4−オクチルシクロヘキ
シル)−2,3−ジフルオ口ベンゾニトリル4−(1−
ランス−4−エトキシシクロヘキシル)−2,3−ジフ
ルオロベンゾニトリル4−(トランス−4−プロポキシ
シクロヘキシル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル
4− (トランス−4−ブトキシシクロヘキシル) −
2,3−ジフルオロベンゾニトリル4−(トランス−4
−ベントキシシクロヘキシル)−2,3−ジフルオロベ
ンゾニトリル4−()ランス−4−ヘキソキシシクロヘ
キシル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル4−(ト
ランス−4−へブトキシシクロヘキシル)−2,3−ジ
フルオロベンゾニトリル4−(トランス−トランス−4
−エチルビシクロへキシル−4′−イル)−2,3−ジ
フルオロベンゾニトリル 4−(トランス−トランス−4−プロピルビシクロへキ
シル−4′−イル)−2,3〜ジフルオロベンゾニトリ
ル 4− (トランス−トランス−4−ブチルビシクロへキ
シル−4′−イル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリ
ル 4−(1−ランス−トランス−4−ペンチルビシクロへ
キシル−4′−イル)2.3−ジフルオロベンゾニトリ
ル 4− (トランス−トランス−4−へキシルビシクロへ
キシル−4′−イル)−2,3−ジフルオロベンゾニト
リル 4− (トランス−トランス−4−へブチルビシクロへ
キシル−4′−イル)−2,3−ジフルオロベンゾニト
リル 4−(トランス−トランス−4−オクチルビシクロへキ
シル−4′−イル)−2,3−’;フルオロベンゾニト
リル 4−〔トランス−4−(トランス−4−エチルシクロヘ
キシルエチル)シクロヘキシル〕2.3−ジフルオロベ
ンゾニトリル 4−〔トランス−4−(トランス−4−プロビルジ久ロ
ヘキシルエチル)シクロヘキシルクー2,3−ジフルオ
ロベンゾニトリル 4−〔トランス−4−(トランス−4−ブチルシクロヘ
キシルエチル)シクロヘキシル〕2.3−ジフルオロベ
ンゾニトリル 4−〔トランス−4−(トランス−4−ペンチルシクロ
ヘキシルエチル)シクロヘキシル〕−2,3−ジフルオ
ロベンゾニトリル 4−〔トランス−4−(トランス−4−ヘキシルシクロ
ヘキシルエチル)シクロヘキシル〕−2,3−ジフルオ
ロベンゾニトリル 4−〔トランス−4−(トランス−4−ヘプチルシクロ
ヘキシルエチル)シクロヘキシル〕−2,3−ジフルオ
ロベンゾニトリル 4−〔トランス−4−(トランス−4−オクチルシクロ
ヘキシルエチル)シクロヘキシル〕2.3−ジフルオロ
ベンゾニトリル 例  3 4− [2−(トランス−4−アルキルシクロヘキシル
)−エチル] −2,3−ジフルオロベンゾニトリル化
合物の製造 a)l−(2,3−ジフルオロフェニル)−2トランス
−4−ペンチルシクロヘキシル)−エタン ヘキサンL30mQ中のn−ブチルリチウム0.21モ
ルの溶液を一100℃で、1.2−ジフルオロベンゼン
0,25モル、カリウムLert−ブトキシド0.20
モルおよびテトラヒドロフラン200+Qの混合物に加
える。10分間撹拌した後に、この混合物に、2−(ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル−二チルヨーダイ
ド0.2モル、ジメチルアミノプロピレン尿素0.2モ
ルおよびテトラヒドロフラン50mQの混合物を一90
°Cで加える。−40°Cで1時間撹拌し、次いで慣用
の方法で仕上げ、135°O10.5トールの沸点を有
する標題のエタン誘導体を得る。さらにまた、副生成物
として、C 64°O N 106.7°■を有する、
少量の1.4−ジー(2−トランス−4−ペンチルシク
ロヘキシル)−エチル)−2.3−ジフルオロベンゼン
が得うれる。
b)  4−[2−(トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−エチル]−2.3−ジフルオロベンゾニトリ
ル。
a)のエタン誘導体0.1モルを例1a)と同様にして
、脱プロトン化し、例1b)に従いホルミル化し、次い
で例1c)に従い、ヒドロキシルアミン−〇−スルホン
酸0.12モルと反応させる。慣用の方法で仕上げ処理
し、標題のニトリル化合物を無色の固形物として得る、
C38°N (t6.3’)同様にして、下記の化合物
を製造する:4− (2−(トランス−4−エチルシク
ロヘキシル)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニ
トリル 4− (2−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル
)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(1−ランス−4−ブチルシクロヘキシル
)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(1−ランス−4−ヘキシルシクロヘキシ
ル)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(トランス−4−へブチルシクロヘキシル
)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(トランス−4−オクチルシクロヘキシル
)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(トランス−4−エトキシシクロヘキシル
)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−()ランス−4−プロポキシシクロヘキシ
ル)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(トランス−4−ブトキシシクロヘキシル
)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(トランス−4−ペントキシシクロヘキシ
ル)−エチル)−2,’3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−()ランス−4−ヘキソキシシクロヘキシ
ル)−エチル)−2,3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(トランス−4−ヘプトキシシクロヘキシ
ル)−エチル)−2’、3−ジフルオロベンゾニトリル 4− (2−(トランス−4−オクトキシシクロヘキシ
ル)−エチル) −2,3−ジフルオロベンゾニトリル 例  4 4−アルキル−2’、3’−ジフルオロ−4′−シアノ
ビフェニレン化合物の製造 テトラヒドロ7ラン20mrl中のクロロトリインプロ
ピルオルトチタネート0.1モルを5℃において、l−
ブロモマグネシウム−4−プロピルベンゼン(この化合
物は4−グロビループロモベンゼン0.1モルおよびマ
グネシウム0.1モルから製造される)とテトラヒドロ
フラン90m(lとの混合物に加え、混合物を5°〜2
0℃で30分間撹拌する。この混合物に、ビス−(トリ
フェニルホスフィン)−ニッケル(II)クロラド1.
3gと0.1モル(この化合物はl−1−リメチルシリ
ル2.3−ジフルオロベンゼンから例1a)〜lc)と
同様にしてニトリルに変換し、引続いて、臭素で臭素化
し、この間、生成するトリメチルシリルブロマイドを留
去することによって製造される)との混合物を加える。
室温で24時間撹拌し、次いで慣用の方法で仕上げ、4
−プロピル2’、3’−ジフルオロ−4′−シアノビフ
ェニルを得る。
同様にして、下記の化合物を製造する:4−エチルー2
’、3’−ジフルオロ−4′−シアノビフェニル 4−ブチル−2’、3’−ジフルオロ−4′−シアノビ
フェニル 4−ペンチル−2’、3’−ジフルオロ−4′−シアノ
ビフェニル 4−へキシル−2’、3’−ジフルオロ−4′−シアノ
ビフェニル 4−へブチル−2’、3’−ジフルオロ−4′−シ4−
ブロモ−2,3−ジフル才口ペンゾニトリルアノビフェ
ニル 4−オクチル−2’、3’−ジフルオロ−4′−シアノ
ビフェニル 例  A 2.3−ジフルオロ−4−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシルエチル)−ベンゾニトリル15%、 2.3−ジフルオロ−4−(トランス−4−ブチルシク
ロヘキシルエチル)−ベンゾニトリル15%、 2.3−ジフルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシルエチル)−ベンゾニトリルlO%、 トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス− シレート 9%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス−4−
7’口ピルシク口ヘキサンー力ルポキシレート 9%、 p−プロピルフェニルトランス−4− Cトランス−4
−プロピルシクロヘキシル)−シクロヘキサン−カルボ
キシレート 6%、 p−ペンチルフェニルトランス−4− ()ランス−4
−プロピルシクロヘキシル)−シクロヘキサン−カルボ
キシレート 6%、 p−ペンチルフェニルトランス−4− (トランス−4
−ブチルシクロヘキシル)−シクロヘキサン−カルボキ
シレート 6%、 p−プロピルフェニルトランス−4−(トランス−4−
ブチルシクロヘキシル)−シクロヘキサン−カルボキシ
レート 6%、 p−トランス−4−プロピルシクロへキシルフェニルト
ランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボキシレート 
6%、 p−ト5ンスー4ープロピルシクロへキシルフェニルト
ランス−4−ペンチルシクロヘキサン−カルボキシレー
ト 6%、 4、4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキ
シル)−2−フルオロビフェニル 3%および 4− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4
’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−
フルオロビフェニル 3%よりなるネマティック液晶混
合物を製造する。
例  B p−1−ランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾ
ニトリル 15%、 4−エチル−2’,3’−ジフルオロ−4′−シアノビ
フェニル 8%、 4−プロピル−2’.3’−ジフルオロ−4′−シアノ
ビフェニル 7%、 4−ブチル−2’,3’−ジフルオロ−4′−シアノビ
フェニル 8%、 p−メトキシフェニルトランス−4−プロピルシクロヘ
キサンカルボキシレート 5%、p−エトキシフェニル
トランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボキシレー
ト p−メトキシフェニルトランス−4−プロルシクロヘキ
サンカルボキシレート 5%、p−エトキシフェニルト
ランス−4−ブチルシクロヘキサンカルボキシレート 
4%、p−エトキシフェニルトランス−4−ペンチルシ
クロヘキサンカルボキシレート 4%、p−メトキシフ
ェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキ
シレート 4%、p−プロピルフェニルトランス−4−
 (トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シクロ
ヘキサンカルボキシレート 6%、 p−ペンチルフェニルトランス−4−(トランス−4−
プロピルシクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシ
レート 6%、 p−ペンチルフェニルトランス−’4−(トランス−4
−ブチルシクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシ
レート 5%、 p−プロピルフェニルトランス−4− (トランス−4
−ブチルシクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシ
レート 5%、 p−プロピルフェニルp−トランス−4−プロピルシク
ロへキシルベンゾエート8%および p−プロピルフェニルp−トランス−4−ペンチルシク
ロへキシルベンゾエート 6 % よ りなるネマテイ ツタ液晶混合物を特徴する

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)式 I ▲数式、化学式、表等があります▼ I [式中、Rは、C原子1〜12個を有するアルキル基で
    あり、この基中に存在する1個または2個のCH_2基
    はまた、2個のO原子が相互に直接に結合しないものと
    して、−O−、−CO−、−O−CO−および(または
    )−CH=CH−により置き換えられていてもよく、そ
    して Aは▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式
    、表等があります▼▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼▲数式、化学式、表
    等があります▼または ▲数式、化学式、表等があります▼である] で示される2,3−ジフルオロベンゾニトリルの誘導体
  2. (2)式 I で示される化合物を成分として含有する液
    晶相。
  3. (3)少なくとも二種の液晶成分を含有する液晶相であ
    って、少なくとも一種の成分が構造要素として、4−シ
    アノ−2,3−ジフルオロフェニル基を含有することを
    特徴とする液晶相。
  4. (4)少なくとも一種の成分が式 I で示される化合物
    であることを特徴とする請求項3に記載の液晶相。
  5. (5)請求項3または4に記載の液晶相を含有すること
    を特徴とする液晶表示素子。
  6. (6)請求項3または4に記載の液晶相を誘電体として
    含有することを特徴とする、請求項5に記載の電気光学
    表示素子。
JP1056567A 1988-03-10 1989-03-10 ジフルオロベンゾニトリル誘導体 Pending JPH024754A (ja)

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DE3807806 1988-03-10
DE3807806.6 1988-03-10

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6223468B1 (en) 1997-12-26 2001-05-01 Ohi Seisakusho Co., Ltd. Electric door closure
JP2007230999A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Kyoto Univ 置換芳香族ニトリル化合物およびその製造方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6223468B1 (en) 1997-12-26 2001-05-01 Ohi Seisakusho Co., Ltd. Electric door closure
JP2007230999A (ja) * 2006-01-31 2007-09-13 Kyoto Univ 置換芳香族ニトリル化合物およびその製造方法

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