JPH0247656A - ポジ型フォトレジスト - Google Patents
ポジ型フォトレジストInfo
- Publication number
- JPH0247656A JPH0247656A JP19715688A JP19715688A JPH0247656A JP H0247656 A JPH0247656 A JP H0247656A JP 19715688 A JP19715688 A JP 19715688A JP 19715688 A JP19715688 A JP 19715688A JP H0247656 A JPH0247656 A JP H0247656A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- xylenol
- resin
- heat resistance
- phenol
- alkali
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等の放射線
に感応するレジスト材として用いることのできるアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂及び１゜２−キノンジアジド化
合物からなるポジ型フォトレジスト及びパターン形成方
法に関するものである。
に感応するレジスト材として用いることのできるアルカ
リ可溶性ノボラック樹脂及び１゜２−キノンジアジド化
合物からなるポジ型フォトレジスト及びパターン形成方
法に関するものである。
［従来の技術］
近年、半導体集積回路の高密度化、高集積化が進み、集
積度４Ｍビット以上の時代となり、サブミクロンルール
、さらにはそれ以下のパターン形成が必要になっている
。
積度４Ｍビット以上の時代となり、サブミクロンルール
、さらにはそれ以下のパターン形成が必要になっている
。
ポジ型フォトレジストはアルカリ可溶性ノボラック樹脂
とアルカリ溶解阻止剤として機能する１゜２−キノンジ
アジド化合物とからなる。
とアルカリ溶解阻止剤として機能する１゜２−キノンジ
アジド化合物とからなる。
放射線照射部は、１，２−キノンジアジド化合物がカル
ベンを経由してケテンになり、系内外の水分と反応して
インデンカルボン酸が生成し、アルカリ水溶液に容易に
溶解するようになる。一方、未照射部はアルカリ現像液
に溶解しに＜＜、膨ｄツもほとんどなく、高残膜率を保
持する。その結果、高解像性のレジストパターンが得ら
れる。従来の環化ポリイソプレン系ネガ型レジストは現
像時における皮膜の膨潤のために解像性に限界があり、
最近はポジ型レジストが主として使用されている。
ベンを経由してケテンになり、系内外の水分と反応して
インデンカルボン酸が生成し、アルカリ水溶液に容易に
溶解するようになる。一方、未照射部はアルカリ現像液
に溶解しに＜＜、膨ｄツもほとんどなく、高残膜率を保
持する。その結果、高解像性のレジストパターンが得ら
れる。従来の環化ポリイソプレン系ネガ型レジストは現
像時における皮膜の膨潤のために解像性に限界があり、
最近はポジ型レジストが主として使用されている。
ところで、ますます厳しい要求に応えるために、ポジ型
フォトレジストにおいても扛々の改良が試みられており
、樹脂、感光剤、現像液及び添加剤に至るまで、幅広く
、詳細な検討が行われている。
フォトレジストにおいても扛々の改良が試みられており
、樹脂、感光剤、現像液及び添加剤に至るまで、幅広く
、詳細な検討が行われている。
特に、高感度、高解像度、パターンプロファイルの矩形
性、高ドライエツチング耐性、高耐熱性、プロセス安定
性が強く望まれており、改良の目標になっている。
性、高ドライエツチング耐性、高耐熱性、プロセス安定
性が強く望まれており、改良の目標になっている。
例えば、樹脂に関しては、特開昭５８−１７１１２．特
開昭（ｉ２−３５３４８．特開昭（ｉ２−１３０Ｇ３７
において、〇−／ ｍ −／ ｐ−クレゾールの組成比
を限定することにより、高感度、高解像性を達成できる
ことが、開示されている。また、特開昭６０−１５８４
４０．特開昭ＧＯ−１１１１５７４１．特開昭８１−２
７５７４８．特開昭８２−１３８８３７においては、ｍ
−／ｐ−クレゾール／キシレノールに関する組成比の開
示がある。
開昭（ｉ２−３５３４８．特開昭（ｉ２−１３０Ｇ３７
において、〇−／ ｍ −／ ｐ−クレゾールの組成比
を限定することにより、高感度、高解像性を達成できる
ことが、開示されている。また、特開昭６０−１５８４
４０．特開昭ＧＯ−１１１１５７４１．特開昭８１−２
７５７４８．特開昭８２−１３８８３７においては、ｍ
−／ｐ−クレゾール／キシレノールに関する組成比の開
示がある。
［発明が解決しようとする課題］
一般に、感度と解像度、感度と耐熱性及び感度、解像度
、耐熱性とプロセス安定性とは相反する傾向にある。例
えば、樹脂の高分子量化は耐熱性を高めるが、感度、解
像度、パターンプロファイルの矩形性及びプロセス安定
性を低下させる。耐熱性を向上させるための共重合を行
うと、パターンプロファイルの矩形性及びプロセス安定
性が低下する。また、感光剤量を増加すると解像度は良
好になるが、感度は低下する。このように、相反する特
性が多いため、他の諸特性を低下させずに高性能化を達
成するのは極めて困難であった。
、耐熱性とプロセス安定性とは相反する傾向にある。例
えば、樹脂の高分子量化は耐熱性を高めるが、感度、解
像度、パターンプロファイルの矩形性及びプロセス安定
性を低下させる。耐熱性を向上させるための共重合を行
うと、パターンプロファイルの矩形性及びプロセス安定
性が低下する。また、感光剤量を増加すると解像度は良
好になるが、感度は低下する。このように、相反する特
性が多いため、他の諸特性を低下させずに高性能化を達
成するのは極めて困難であった。
また、上述のｏ −／ ｍ −／ ｐ−クレゾール、ｍ
−／ ｐ−クレゾール／キシレノール樹脂は良好な特
性を示すが、それぞれの単量体の反応速度が大きく異な
るために、ランダムな共重合体は得られ難く、品質管理
が困難であった。
−／ ｐ−クレゾール／キシレノール樹脂は良好な特
性を示すが、それぞれの単量体の反応速度が大きく異な
るために、ランダムな共重合体は得られ難く、品質管理
が困難であった。
マタ、ランダムな共重合体を合成すれば、ブロック的な
共重合体と比較して、ミクロオーダーでヨ１１）均質な
フィルムが形成可能となり、フィルムの溶解性が一層均
一になるために、その特性はさらに向上するものと予想
できる。
共重合体と比較して、ミクロオーダーでヨ１１）均質な
フィルムが形成可能となり、フィルムの溶解性が一層均
一になるために、その特性はさらに向上するものと予想
できる。
［課題を解決するための手段］
本発明者らは、このような背景をもとに鋭意研究を重ね
た結果、下記一般式（Ｉ）で表される共縮重合体を含む
アルカリ可溶性ノボラック樹脂階を用いることによって
、感度及びプロセス安定性を維持したまま、解像度、パ
ターンプロファイル及び耐熱性を向上させることができ
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。
た結果、下記一般式（Ｉ）で表される共縮重合体を含む
アルカリ可溶性ノボラック樹脂階を用いることによって
、感度及びプロセス安定性を維持したまま、解像度、パ
ターンプロファイル及び耐熱性を向上させることができ
ることを見い出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明はアルカリ可溶性樹脂及び１．２−キノン
ジアジド系感光剤からなるポジ型フォトレジストにおい
て、そのアルカリ可溶性樹脂が実質的に一般式（１）、 （式中、ｍ及びｎは正の差数を示し、ｍ ／ ｎは９９
．９１０．１〜０．１／９９．９である。）で示される
フェノール／キシレノール共縮重合体で構成されたノボ
ラック樹脂からなることを特徴とす全ポジ型フォトレジ
スト及びこのポジ型フォトレジストを用いるパターン形
成方法を提供するものである。
ジアジド系感光剤からなるポジ型フォトレジストにおい
て、そのアルカリ可溶性樹脂が実質的に一般式（１）、 （式中、ｍ及びｎは正の差数を示し、ｍ ／ ｎは９９
．９１０．１〜０．１／９９．９である。）で示される
フェノール／キシレノール共縮重合体で構成されたノボ
ラック樹脂からなることを特徴とす全ポジ型フォトレジ
スト及びこのポジ型フォトレジストを用いるパターン形
成方法を提供するものである。
本発明のポジ型フォトレジストにおいては、そのフェノ
ール／キシレノール共縮重合体のキシレノール成分が、
３．４−キシレノールに由来する場合に、特性が特に優
れている。
ール／キシレノール共縮重合体のキシレノール成分が、
３．４−キシレノールに由来する場合に、特性が特に優
れている。
本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂は、フェノール
、キシレノールとホルムアルデヒド、バラホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド等のアルデヒド類をギ酸、蓚酸
、酢酸、塩酸、硝酸、硫酸、ルイス酸等の酸性触媒の存
在下で、公知の方法に従って重縮合することによって合
成できる。樹脂の重量平均分子量は２０００〜３０００
０ （ポリスチレン換算）が好ましい。この範囲内が感
度、解像度、耐熱性、プロセス安定性に優れている。
、キシレノールとホルムアルデヒド、バラホルムアルデ
ヒド、アセトアルデヒド等のアルデヒド類をギ酸、蓚酸
、酢酸、塩酸、硝酸、硫酸、ルイス酸等の酸性触媒の存
在下で、公知の方法に従って重縮合することによって合
成できる。樹脂の重量平均分子量は２０００〜３０００
０ （ポリスチレン換算）が好ましい。この範囲内が感
度、解像度、耐熱性、プロセス安定性に優れている。
また、必要に応じて、水酸基の一部をスルホン酸あるい
はカルボン酸エステルで置換してもよい。
はカルボン酸エステルで置換してもよい。
エステル化成分としては、メチル、エチル、プロピル等
のアルキル基あるいはフェニル、トリル、安息香酸、ナ
フチル、ベンジル、クミル、フェネチル等の芳香族環等
が挙げられる。
のアルキル基あるいはフェニル、トリル、安息香酸、ナ
フチル、ベンジル、クミル、フェネチル等の芳香族環等
が挙げられる。
本発明において用いられる１、２−キノンジアジド化合
物は、例えば、１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステルであり、エステル成分としては、
トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のポリ
ヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル、没食子酸
エチル、没食子酸フェニル等の没食子酸エステル、ケル
セチン等のフラボン、トリヒドロキシベンゼン、トリヒ
ドロキシフェニル−ｎ−へキシルケトン等のポリヒドロ
キシフェニルアルキルケトン、ジヒドロキシジフェニル
メタン、ジヒドロキシジフェニルプロパン、ジヒドロキ
シジフェニルへキサフルオロプロパン、ジヒドロキシジ
フェニルスルホン、ジヒドロキシジフェニルアミン等を
挙げることができる。１，２−キノンジアジド化合物は
、アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対して
、２０〜５０重量部が好ましい。この範囲内においては
、露光部と未露光部の現像液に対する溶解度差が十分に
とれ、感度、解像度の優れたパターンが得られる。
物は、例えば、１，２−ナフトキノンジアジド−４−ス
ルホン酸エステル、１．２−ナフトキノンジアジド−５
−スルホン酸エステルであり、エステル成分としては、
トリヒドロキシベンゾフェノン、テトラヒドロキシベン
ゾフェノン、ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のポリ
ヒドロキシベンゾフェノン、没食子酸メチル、没食子酸
エチル、没食子酸フェニル等の没食子酸エステル、ケル
セチン等のフラボン、トリヒドロキシベンゼン、トリヒ
ドロキシフェニル−ｎ−へキシルケトン等のポリヒドロ
キシフェニルアルキルケトン、ジヒドロキシジフェニル
メタン、ジヒドロキシジフェニルプロパン、ジヒドロキ
シジフェニルへキサフルオロプロパン、ジヒドロキシジ
フェニルスルホン、ジヒドロキシジフェニルアミン等を
挙げることができる。１，２−キノンジアジド化合物は
、アルカリ可溶性ノボラック樹脂１００重量部に対して
、２０〜５０重量部が好ましい。この範囲内においては
、露光部と未露光部の現像液に対する溶解度差が十分に
とれ、感度、解像度の優れたパターンが得られる。
本発明のポジ型フォトレジストは、前記アルカリ可溶性
ノボラック樹脂と１．２−キノンジアジド化合物とを固
形分が２０〜４０重量部になるように適当な溶剤に溶解
して得られる。溶剤としては、例えば、エチレングリコ
ールモノアルキルエーテル及びそのアセテート類、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル及びそのアセテ
ート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類、トルエン
、キシレン等の芳谷族炭化水素類、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これらの溶
剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる
。また、必要に応じて、塗布性を改良するために、ノニ
オン系、フッ素系、シリコン系等の界面活性剤を添加す
ることができる。さらに、増感剤、着色剤、安定剤等、
相溶性のある添加物を配合することができる。
ノボラック樹脂と１．２−キノンジアジド化合物とを固
形分が２０〜４０重量部になるように適当な溶剤に溶解
して得られる。溶剤としては、例えば、エチレングリコ
ールモノアルキルエーテル及びそのアセテート類、プロ
ピレングリコールモノアルキルエーテル及びそのアセテ
ート類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類、トルエン
、キシレン等の芳谷族炭化水素類、ジメチルアセトアミ
ド、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これらの溶
剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる
。また、必要に応じて、塗布性を改良するために、ノニ
オン系、フッ素系、シリコン系等の界面活性剤を添加す
ることができる。さらに、増感剤、着色剤、安定剤等、
相溶性のある添加物を配合することができる。
［作用］
本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂及び１゜２−キ
ノンジアジド化合物からなるポジ型フォトレジストは、
紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等によるレジストパタ
ーン形成のために用いることができ、感度、解像度、耐
熱性及Ｃプロセス安定性に優れている。
ノンジアジド化合物からなるポジ型フォトレジストは、
紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線等によるレジストパタ
ーン形成のために用いることができ、感度、解像度、耐
熱性及Ｃプロセス安定性に優れている。
本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂及び１゜２−キ
ノンジアジド化合物からなるポジ型フォトレジストを用
いて放射線によるレジストパターンを形成する際の使用
法には格別の限定はなく慣用の方法に従って行うことが
できる。
ノンジアジド化合物からなるポジ型フォトレジストを用
いて放射線によるレジストパターンを形成する際の使用
法には格別の限定はなく慣用の方法に従って行うことが
できる。
例えば、本発明のポジ型フォトレジスト溶液は、アルカ
リ可溶性ノボラック樹脂、１．２−キノンジアジド化合
物及び添加物を溶剤に溶解し、０．２μｍのフィルター
で濾過することにより調製される。レジスト溶液をシリ
コンウェハー等の基板上にスピンコードし、ブレベーク
することによってレジスト膜が得られる。その後、縮小
投影露光装置、電子線露光装置等にて露光を行い、現像
することによってレジストパターンを形成できる。
リ可溶性ノボラック樹脂、１．２−キノンジアジド化合
物及び添加物を溶剤に溶解し、０．２μｍのフィルター
で濾過することにより調製される。レジスト溶液をシリ
コンウェハー等の基板上にスピンコードし、ブレベーク
することによってレジスト膜が得られる。その後、縮小
投影露光装置、電子線露光装置等にて露光を行い、現像
することによってレジストパターンを形成できる。
現１象液としては、−例として、テトラメチルアンモニ
ウムヒドロキシド、コリン等の４級アンモニウム塩、ア
ミン類等の有機アルカリ水溶液あるいは水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ水溶液を用いることができる。塗布、ブ
レベーク、露光、現像等その他の手法は常法に従うこと
ができる。
ウムヒドロキシド、コリン等の４級アンモニウム塩、ア
ミン類等の有機アルカリ水溶液あるいは水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、アンモニア水等
の無機アルカリ水溶液を用いることができる。塗布、ブ
レベーク、露光、現像等その他の手法は常法に従うこと
ができる。
［実施例］
以下、実施例により本発明を更に詳しく説明するか、本
発明はこれらに限定されるものではない。
発明はこれらに限定されるものではない。
合成例１
１０００ ｍｌの４ツロセパラブルフラスコにフェノー
ル１５０ｇ、３．４−キシレノール９８ｇ１蓚酸２水和
物４．０ｇ、３７％ホルマリン１７５ｇ及びエチレング
リコールモノエチルエーテルアセテ−１−２００ｇを添
加した。攪拌しなから油浴に浸し、内温か１００℃にな
るまで昇温し、反応を開始した。反応の１０時間後、水
を１００ｄ添加し、２ｇｍｍＨｇ下で、温度を１８０℃
まで徐々に昇温した。この条件下で、３時間、脱水、脱
溶媒、脱モノマーを行った後、冷却を行い、メタノール
を添加した。その後、メタノール／水系で、樹脂の溶解
〜沈澱を繰返し、乾燥を行い、樹脂粉末２２１ｇを得た
。
ル１５０ｇ、３．４−キシレノール９８ｇ１蓚酸２水和
物４．０ｇ、３７％ホルマリン１７５ｇ及びエチレング
リコールモノエチルエーテルアセテ−１−２００ｇを添
加した。攪拌しなから油浴に浸し、内温か１００℃にな
るまで昇温し、反応を開始した。反応の１０時間後、水
を１００ｄ添加し、２ｇｍｍＨｇ下で、温度を１８０℃
まで徐々に昇温した。この条件下で、３時間、脱水、脱
溶媒、脱モノマーを行った後、冷却を行い、メタノール
を添加した。その後、メタノール／水系で、樹脂の溶解
〜沈澱を繰返し、乾燥を行い、樹脂粉末２２１ｇを得た
。
ノボラック樹脂の重量平均分子量は、Ｇ Ｐ Ｃｉｌｌ
定の結果、ポリスチレン換算で、３８５０であった。ま
た、分散度（１ｍ平均分子量／数平均分子量）は４．３
２であった。
定の結果、ポリスチレン換算で、３８５０であった。ま
た、分散度（１ｍ平均分子量／数平均分子量）は４．３
２であった。
また、反応１０時間後の反応追跡をガスクロマトグラフ
ィーで行ったところ、残モノマーから判断して、反応率
はフェノールが９２％、３．４−キシレノールが８５％
であった。
ィーで行ったところ、残モノマーから判断して、反応率
はフェノールが９２％、３．４−キシレノールが８５％
であった。
合成例２
１０００Ｉｄの４ツロセパラブルフラスコにフェノール
１６９ｇ、３．４−キシレノール７７ｇ１蓚酸２水和物
５．３ｇ、３７％ホルマリン１９０ｇ及びエチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート２００ｇを添加し
た。攪拌しなから油浴に浸し、内温か１００℃になるま
で昇温し、反応を開始した。反応の１０時間後、水を１
００１ｄ添加し、２ｇｍｍＨｇ下で、温度を１８０℃ま
で徐々に昇温した。この条件下で、３時間、脱水、脱溶
媒、脱モノマーを行った後、冷却を行い、メタノールを
添加した。その後、メタノール／水系で、樹脂の溶解〜
沈澱を繰返し、乾燥を行い、樹脂粉末２３５ｇを得た。
１６９ｇ、３．４−キシレノール７７ｇ１蓚酸２水和物
５．３ｇ、３７％ホルマリン１９０ｇ及びエチレングリ
コールモノエチルエーテルアセテート２００ｇを添加し
た。攪拌しなから油浴に浸し、内温か１００℃になるま
で昇温し、反応を開始した。反応の１０時間後、水を１
００１ｄ添加し、２ｇｍｍＨｇ下で、温度を１８０℃ま
で徐々に昇温した。この条件下で、３時間、脱水、脱溶
媒、脱モノマーを行った後、冷却を行い、メタノールを
添加した。その後、メタノール／水系で、樹脂の溶解〜
沈澱を繰返し、乾燥を行い、樹脂粉末２３５ｇを得た。
ノボラック樹脂の重量平均分子量は、Ｇ Ｐ Ｃ１ｌ１
１定の結果、ポリスチレン換算で、６５３０であった。
１定の結果、ポリスチレン換算で、６５３０であった。
また、分散度（重量平均分子ｆｆｉ／数平均分子量）は
４．５５であった。
４．５５であった。
また、反応１０時間後の反応追跡をガスクロマトグラフ
ィーで行ったところ、残モノマーから判断して、反応率
はフェノールが９５％、３．４−キシレノールが８８％
であった。
ィーで行ったところ、残モノマーから判断して、反応率
はフェノールが９５％、３．４−キシレノールが８８％
であった。
合成例３
１０００−の４ツロセパラブルフラスコにフェノール１
６９ｇ、２．５−キシレノール７７ｇ１蓚酸２水和物５
．３ｇ、３７％ホルマリン１９０ｇ及びエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート２００ｇを添加した
。攪拌しなから油浴に浸し、内温か１００℃になるまで
昇温し、反応を開始した。反応の１０時間後、水を１０
０−添加し、２ｇｍｍＨｇ下で、温度を１８０℃まで徐
々に昇温した。この条件下で、３時間、脱水、脱溶媒、
脱モノマーを行った後、冷却を行い、メタノールを添加
した。その後、メタノール／水系で、樹脂の溶解〜沈澱
を繰返し、乾燥を行い、樹脂粉末２２８ｇを得た。
６９ｇ、２．５−キシレノール７７ｇ１蓚酸２水和物５
．３ｇ、３７％ホルマリン１９０ｇ及びエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート２００ｇを添加した
。攪拌しなから油浴に浸し、内温か１００℃になるまで
昇温し、反応を開始した。反応の１０時間後、水を１０
０−添加し、２ｇｍｍＨｇ下で、温度を１８０℃まで徐
々に昇温した。この条件下で、３時間、脱水、脱溶媒、
脱モノマーを行った後、冷却を行い、メタノールを添加
した。その後、メタノール／水系で、樹脂の溶解〜沈澱
を繰返し、乾燥を行い、樹脂粉末２２８ｇを得た。
ノボラック樹脂の重量平均分子量は、ＧＰＣ−一１定の
結果、ポリスチレン換算で、７２００であった。また、
分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は４．８・５
であった。
結果、ポリスチレン換算で、７２００であった。また、
分散度（重量平均分子量／数平均分子量）は４．８・５
であった。
また、反応１０時間後の反応追跡をガスクロマトグラフ
ィーで行ったところ、残モノマーから判断して、反応率
はフェノールが９３％、３．４−キシレノールが７６％
であった。
ィーで行ったところ、残モノマーから判断して、反応率
はフェノールが９３％、３．４−キシレノールが７６％
であった。
実施例１
合成例１で得たフェノール／３，４−キシレノールノボ
ラック樹脂８ｇ、２，３，４．４″−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンと１．２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルクロライドとのエステル化物（平均３．５個
の水酸基がエステル化）２．２４ｇとをエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート２４ｇに溶解し、０
．２μｍのメンブランフィルタ−にて濾過を行い、レジ
スト溶液とした。レジスト溶液をスピナーを用いて、４
インチシリコンウェハー上に回転塗布し、９０℃、３０
分間循環恒温槽にてブレベークを行い、１．５μｍ厚の
レジスト皮膜を得た。次に縮小投影露光装置（ＧＣＡ製
、ＤＳＷ−６３００Ａ。
ラック樹脂８ｇ、２，３，４．４″−テトラヒドロキシ
ベンゾフェノンと１．２−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルクロライドとのエステル化物（平均３．５個
の水酸基がエステル化）２．２４ｇとをエチレングリコ
ールモノエチルエーテルアセテート２４ｇに溶解し、０
．２μｍのメンブランフィルタ−にて濾過を行い、レジ
スト溶液とした。レジスト溶液をスピナーを用いて、４
インチシリコンウェハー上に回転塗布し、９０℃、３０
分間循環恒温槽にてブレベークを行い、１．５μｍ厚の
レジスト皮膜を得た。次に縮小投影露光装置（ＧＣＡ製
、ＤＳＷ−６３００Ａ。
Ｎ、Ａ、−０，３５）を用いて、レチクルを通して露光
した。現像液として、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド２．３８ｔｆｆｉ％水溶液を用いて、２５℃、１
分間浸漬現像を行った。
した。現像液として、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド２．３８ｔｆｆｉ％水溶液を用いて、２５℃、１
分間浸漬現像を行った。
１．０μｍライン／スペースを１対１に解像する露光量
は２８５ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２であった。
は２８５ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２であった。
また、０．８μｍライン／スペースにおいても、２９０
ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２で１対１のパターンが解像で
き、マスク忠実性が良好であった。
ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２で１対１のパターンが解像で
き、マスク忠実性が良好であった。
解（象度に関しては、０．６５μｍライン／スペースが
解像でき、矩形状のパターンであった。
解像でき、矩形状のパターンであった。
次に、２μｍライン／スペースのレジストパターンをそ
れぞれ１３０，１３５，１４０，１４５゜１５０．１５
５．１６０℃の各温度で３０分間、循環恒温槽中にてベ
ークを行い、パターンの変形の９無によって耐熱性を評
価した。その結果、耐熱性は１５０℃であった。
れぞれ１３０，１３５，１４０，１４５゜１５０．１５
５．１６０℃の各温度で３０分間、循環恒温槽中にてベ
ークを行い、パターンの変形の９無によって耐熱性を評
価した。その結果、耐熱性は１５０℃であった。
実施例２
合成例２で得た樹脂において、実施例１に従って、露光
試験、耐熱性試験を行った。
試験、耐熱性試験を行った。
’ｃ ” 結果、１，０μｍライン／スペースを１対１
に解像する露光量は２５６ｍＪ／ｃｍ２であった。
に解像する露光量は２５６ｍＪ／ｃｍ２であった。
また、０．８μｍライン／スペースにおいても、２５６
ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２で１対１のパターンが解像で
き、マスク忠実性が良好であった。
ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２で１対１のパターンが解像で
き、マスク忠実性が良好であった。
解像度に関しては、０．６５μｍライン／スペースが解
像でき、矩形状のパターンであった。
像でき、矩形状のパターンであった。
耐熱性は１５０℃であった。
実施例３
合成例３で得た樹脂において、実施例１に従って、露光
試験、耐熱性試験を行った。
試験、耐熱性試験を行った。
その結果、１．０μｍライン／スペースを１対１に解像
する露光量は３１０ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２であった
。
する露光量は３１０ ｍ Ｊ ／ ｃ ｍ ２であった
。
解像度に関しては、０．７０μｍライン／スペースが解
像でき、矩形状のパターンであった。
像でき、矩形状のパターンであった。
耐熱性は１５０℃であった。
［発明の効果］
本発明のアルカリ可溶性ノボラック樹脂及び１゜２−キ
ノンジアジド化合物からなるポジ型フォトレジストは、
フェノール／キシレノール共重縮合アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂からなる。特に、フェノール／３，４−キシ
レノールの場合には、感度、解像度、パターン形状、プ
ロセス安定性に優れたレジストになるため、超ＬＳＩな
どの半導体集積回路素子の製造に好適である。
ノンジアジド化合物からなるポジ型フォトレジストは、
フェノール／キシレノール共重縮合アルカリ可溶性ノボ
ラック樹脂からなる。特に、フェノール／３，４−キシ
レノールの場合には、感度、解像度、パターン形状、プ
ロセス安定性に優れたレジストになるため、超ＬＳＩな
どの半導体集積回路素子の製造に好適である。
Claims (3)
- （１）アルカリ可溶性樹脂及び１，２−キノンジアジド
系感光剤からなるポジ型フォトレジストにおいて、その
アルカリ可溶性樹脂が実質的に一般式、▲数式、化学式
、表等があります▼ （式中、ｍ及びｎは正の整数を示し、ｍ／ｎは９９．９
／０．１〜０．１／９９．９である。）で示されるフェ
ノール／キシレノール共縮重合体で構成されたノボラッ
ク樹脂からなることを特徴とするポジ型フォトレジスト
。 - （２）フェノール／キシレノール共縮重合体のキシレノ
ール成分が３，４−キシレノールに由来するものである
請求項第１項記載のポジ型フォトレジスト。 - （３）請求項第１項のポジ型フォトレジストを用いるパ
ターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19715688A JPH0247656A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポジ型フォトレジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19715688A JPH0247656A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポジ型フォトレジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0247656A true JPH0247656A (ja) | 1990-02-16 |
Family
ID=16369700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19715688A Pending JPH0247656A (ja) | 1988-08-09 | 1988-08-09 | ポジ型フォトレジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247656A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03185448A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| US5237037A (en) * | 1989-09-08 | 1993-08-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers |
| US5346799A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-13 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde |
-
1988
- 1988-08-09 JP JP19715688A patent/JPH0247656A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5237037A (en) * | 1989-09-08 | 1993-08-17 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Radiation-sensitive compositions containing fully substituted novolak polymers |
| JPH03185448A (ja) * | 1989-12-15 | 1991-08-13 | Japan Synthetic Rubber Co Ltd | 感放射線性樹脂組成物 |
| US5346799A (en) * | 1991-12-23 | 1994-09-13 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Novolak resins and their use in radiation-sensitive compositions wherein the novolak resins are made by condensing 2,6-dimethylphenol, 2,3-dimethylphenol, a para-substituted phenol and an aldehyde |
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