JPH0247851B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0247851B2 JPH0247851B2 JP58084489A JP8448983A JPH0247851B2 JP H0247851 B2 JPH0247851 B2 JP H0247851B2 JP 58084489 A JP58084489 A JP 58084489A JP 8448983 A JP8448983 A JP 8448983A JP H0247851 B2 JPH0247851 B2 JP H0247851B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- microwave
- transmission window
- waveguide
- sample
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(a)発明の技術分野
本発明はマイクロ波プラズマ処理装置の改良に
関するものである。
関するものである。
(b) 従来技術と問題点
従来プラズマ処理を行なう場合、たとえばシリ
コン基板などの試料に損傷を与えないことや、試
料の処理均一性のため、たとえば第１図に示すよ
うなプラズマ発生室と試料処理室を所定のプラズ
マ噴出孔（シールド孔）を有する遮蔽板によつて
分離されたマイクロ波プラズマ処理装置が用いら
れている。
コン基板などの試料に損傷を与えないことや、試
料の処理均一性のため、たとえば第１図に示すよ
うなプラズマ発生室と試料処理室を所定のプラズ
マ噴出孔（シールド孔）を有する遮蔽板によつて
分離されたマイクロ波プラズマ処理装置が用いら
れている。
即ち同図において該試料処理室１のは排気口２
を介して真空に排気され、該試料処理室１の上部
には導波管３の一部であるプラズマ発生室４が設
けられている。該プラズマ発生室４と前記試料処
理室１の間に介在する遮蔽板５（導波管の一部）
は両室を分離するための隔壁となつており、該遮
蔽板５には所定のプラズマ噴出孔６（シールド
孔）が複数個配設され両室が連通されている。前
記試料処理室１内には試料７を載置する試料ステ
ージ８が設けられている。又前記導波管の一部で
あるプラズマ発生室４はその一部にガス導入口９
が設けられ、マイクロ波透過室１０を介してJIS
規格寸法を有する前記導波管３及びマイクロ波発
振器１１が図示したように連結されている。尚マ
イクロ波透過窓１０はプラズマ発生室４の真空を
保つためにＯリング１２によつて図示したように
真空封止されており、一般に石英又はアルミナな
どの材質によつて構成されている。
を介して真空に排気され、該試料処理室１の上部
には導波管３の一部であるプラズマ発生室４が設
けられている。該プラズマ発生室４と前記試料処
理室１の間に介在する遮蔽板５（導波管の一部）
は両室を分離するための隔壁となつており、該遮
蔽板５には所定のプラズマ噴出孔６（シールド
孔）が複数個配設され両室が連通されている。前
記試料処理室１内には試料７を載置する試料ステ
ージ８が設けられている。又前記導波管の一部で
あるプラズマ発生室４はその一部にガス導入口９
が設けられ、マイクロ波透過室１０を介してJIS
規格寸法を有する前記導波管３及びマイクロ波発
振器１１が図示したように連結されている。尚マ
イクロ波透過窓１０はプラズマ発生室４の真空を
保つためにＯリング１２によつて図示したように
真空封止されており、一般に石英又はアルミナな
どの材質によつて構成されている。
かかるように構成されたマイクロ波プラズマ処
理装置を用いて試料７をプラズマ処理する場合に
は前記試料７を試料ステージ８上に載置し、排気
口２より真空排気してガス導入口９より所望の処
理ガスを導入してプラズマ発生室４及び試料処理
室１内を所定の真空度になるように調整する。次
いでマイクロ波発振器１１を作動して導波管
（JIS規格）及び透過窓１０を介して2.45GHgのマ
イクロ波をプラズマ発生室４内の処理ガスに作用
してプラズマを発生し、ラジカルを主体としたプ
ラズマエツチングガスがプラズマ噴出孔６より試
料処理室内１に導入され前記試料７がエツチング
処理される。
理装置を用いて試料７をプラズマ処理する場合に
は前記試料７を試料ステージ８上に載置し、排気
口２より真空排気してガス導入口９より所望の処
理ガスを導入してプラズマ発生室４及び試料処理
室１内を所定の真空度になるように調整する。次
いでマイクロ波発振器１１を作動して導波管
（JIS規格）及び透過窓１０を介して2.45GHgのマ
イクロ波をプラズマ発生室４内の処理ガスに作用
してプラズマを発生し、ラジカルを主体としたプ
ラズマエツチングガスがプラズマ噴出孔６より試
料処理室内１に導入され前記試料７がエツチング
処理される。
この場合導波管の一部であるプラズマ発生室内
には図示したように定在波Ａが発生するが、従来
の装置においては此の定在波Ａとマイクロ波透過
窓１０を設ける位置について特に留意がなされて
おらず、そのために前記透過窓１０の定在波によ
る発熱が一つの問題であつた。即ち透過窓１０の
発熱によつてたとえば四弗化炭素（CF4）などの
処理ガスを用いる場合には石英などよりなる透過
窓のエツチングが促進され装置の寿命が短かくな
るなどの問題があり、又アルミナ材質の透過窓１
０においては処理ガスにエツチングはされないが
マイクロ波の吸収量が大きく高温になり真空封止
用のＯリング１２が焼けつくなどの障害が起り問
題であつた。
には図示したように定在波Ａが発生するが、従来
の装置においては此の定在波Ａとマイクロ波透過
窓１０を設ける位置について特に留意がなされて
おらず、そのために前記透過窓１０の定在波によ
る発熱が一つの問題であつた。即ち透過窓１０の
発熱によつてたとえば四弗化炭素（CF4）などの
処理ガスを用いる場合には石英などよりなる透過
窓のエツチングが促進され装置の寿命が短かくな
るなどの問題があり、又アルミナ材質の透過窓１
０においては処理ガスにエツチングはされないが
マイクロ波の吸収量が大きく高温になり真空封止
用のＯリング１２が焼けつくなどの障害が起り問
題であつた。
(c) 発明の目的
本発明の目的はかかる問題点に鑑みなされたも
のでマイクロ波透過窓の発熱を極力少なくしうる
構造にすることによつて従来装置に比べて安定し
て処理可能な長寿命のマイクロ波プラズマ処理装
置の提供にある。
のでマイクロ波透過窓の発熱を極力少なくしうる
構造にすることによつて従来装置に比べて安定し
て処理可能な長寿命のマイクロ波プラズマ処理装
置の提供にある。
(d) 発明の構成
その目的を達成するため本発明はマイクロ波発
生装置と、該マイクロ波発生装置から延出された
導波管と、該導波管の一部をなし、且つマイクロ
波透過窓が設けられたプラズマ発生室と、該プラ
ズマ発生室に接し、上記プラズマ噴出孔を介して
連通する試料処理室とを具備し、前記マイクロ波
透過窓が、定在波の電場の振幅が最小となる位置
に設けられたことを特徴とする。
生装置と、該マイクロ波発生装置から延出された
導波管と、該導波管の一部をなし、且つマイクロ
波透過窓が設けられたプラズマ発生室と、該プラ
ズマ発生室に接し、上記プラズマ噴出孔を介して
連通する試料処理室とを具備し、前記マイクロ波
透過窓が、定在波の電場の振幅が最小となる位置
に設けられたことを特徴とする。
(e) 発明の実施例
以下本発明の実施例について図面を参照して説
明する。第２図は本発明の一実施例のマイクロ波
プラズマ処理装置の模式的概略構成図である。
明する。第２図は本発明の一実施例のマイクロ波
プラズマ処理装置の模式的概略構成図である。
同図において２１は試料処理室、２２は排気
口、２３はJIS規格寸法を有する導波管、２４は
導波管の一部であるプラズマ発生室、２５は遮蔽
板、２６はプラズマ噴出孔（シールド孔）、２７
は試料、２８は試料載置台、２９はガス導入口、
３０はマイクロ波透過窓、３１はマイクロ波発生
装置、３２はＯリングを示す。
口、２３はJIS規格寸法を有する導波管、２４は
導波管の一部であるプラズマ発生室、２５は遮蔽
板、２６はプラズマ噴出孔（シールド孔）、２７
は試料、２８は試料載置台、２９はガス導入口、
３０はマイクロ波透過窓、３１はマイクロ波発生
装置、３２はＯリングを示す。
本発明の一実施例のマイクロ波プラズマ処理装
置が従来と異なる点は図示したようにマイクロ波
透過窓３０がプラズマ発生室２４に発生する定在
波Ｂの電場の振幅が最小となる位置に設けられた
点にある。即ちプラズマ発生室が導波管形状であ
るため、この時マイクロ波の定在波の位相が計算
できることからその電場振幅が理論上０の所（完
全反射を仮定した場合）にマイクロ波透過窓３０
を設けることにより従来装置に比べてマイクロ波
による発熱をかなり低くすることが可能となつ
た。その結果石英板よりなるマイクロ波透過窓３
０のエツチングレートが軽減され装置の長寿命化
が可能となり、又アルミナ材よりなるマイクロ波
透過窓においては温度上昇によるＯリング３２の
焼きつきなどの障害が防止され、安定して試料２
７のプラズマ処理が可能となつた。
置が従来と異なる点は図示したようにマイクロ波
透過窓３０がプラズマ発生室２４に発生する定在
波Ｂの電場の振幅が最小となる位置に設けられた
点にある。即ちプラズマ発生室が導波管形状であ
るため、この時マイクロ波の定在波の位相が計算
できることからその電場振幅が理論上０の所（完
全反射を仮定した場合）にマイクロ波透過窓３０
を設けることにより従来装置に比べてマイクロ波
による発熱をかなり低くすることが可能となつ
た。その結果石英板よりなるマイクロ波透過窓３
０のエツチングレートが軽減され装置の長寿命化
が可能となり、又アルミナ材よりなるマイクロ波
透過窓においては温度上昇によるＯリング３２の
焼きつきなどの障害が防止され、安定して試料２
７のプラズマ処理が可能となつた。
(f) 発明の効果
以上説明したごとく本発明によればマイクロ波
透過窓を定在波の電場の振幅が最小になる位置に
設けたことにより、従来装置に比べて透過窓の発
熱による損傷を防止することが可能となり、安定
して試料処理を行なうことができ、又製造の寿命
をのばすことが可能となり、装置保守の経費節減
に効果があると同時に処理試料の品質向上に効果
がある。
透過窓を定在波の電場の振幅が最小になる位置に
設けたことにより、従来装置に比べて透過窓の発
熱による損傷を防止することが可能となり、安定
して試料処理を行なうことができ、又製造の寿命
をのばすことが可能となり、装置保守の経費節減
に効果があると同時に処理試料の品質向上に効果
がある。
第１図は従来装置の模式的概略構成図、第２図
は本発明の一実施例の模式的概略構成図である。 図において、１，２１は試料処理室、３，２３
は導波管、４，２４はプラズマ発生室、６，２６
はプラズマ噴出孔、７，２７は試料、９，２９は
ガス導入口、１０，３０はマイクロ波透過窓、３
１はマイクロ波発生装置、１２，３２はＯリン
グ、Ｂは定在波を示す。
は本発明の一実施例の模式的概略構成図である。 図において、１，２１は試料処理室、３，２３
は導波管、４，２４はプラズマ発生室、６，２６
はプラズマ噴出孔、７，２７は試料、９，２９は
ガス導入口、１０，３０はマイクロ波透過窓、３
１はマイクロ波発生装置、１２，３２はＯリン
グ、Ｂは定在波を示す。
Claims (1)
- １ マイクロ波発生装置と、該マイクロ波発生装
置から延出された導波管と、該導波管の一部をな
し、且つマイクロ波透過窓が設けられたプラズマ
発生室と、該プラズマ発生室に接し、上記プラズ
マ噴出孔を介して連通する試料処理室とを具備
し、前記マイクロ波透過窓が、定在波の電場の振
幅が最小となる位置に設けられたことを特徴とす
るマイクロ波プラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084489A JPS59208838A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58084489A JPS59208838A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208838A JPS59208838A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH0247851B2 true JPH0247851B2 (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13832063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58084489A Granted JPS59208838A (ja) | 1983-05-13 | 1983-05-13 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208838A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192848A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | Iwatsu Electric Co Ltd | 電話装置の着信回路 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62222638A (ja) * | 1986-03-20 | 1987-09-30 | Fujitsu Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPH0777211B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1995-08-16 | 富士通株式会社 | アッシング方法 |
-
1983
- 1983-05-13 JP JP58084489A patent/JPS59208838A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04192848A (ja) * | 1990-11-27 | 1992-07-13 | Iwatsu Electric Co Ltd | 電話装置の着信回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59208838A (ja) | 1984-11-27 |
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