JPH0248423Y2 - - Google Patents

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JPH0248423Y2
JPH0248423Y2 JP15736684U JP15736684U JPH0248423Y2 JP H0248423 Y2 JPH0248423 Y2 JP H0248423Y2 JP 15736684 U JP15736684 U JP 15736684U JP 15736684 U JP15736684 U JP 15736684U JP H0248423 Y2 JPH0248423 Y2 JP H0248423Y2
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yig
vapor deposition
magnet
holder
magnetic compound
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Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、磁性体化合物結晶の端面に蒸着を行
なう蒸着治具に係り、とくにマグネツトの磁気吸
引力を利用して保持器に磁性体化合物結晶を保持
するようにした蒸着治具に関するものである。
磁性体化合物結晶たとえばイトリウム・アイア
ン・ガーネツト(以下YIGと略す)は、光学装置
のアイソレータ等に用いられているが、YIGの結
晶面そのままでは損失が多くなるので、対向面に
二酸化シリコン等の蒸着を行なうのが一般的であ
るが、蒸着面全体に均質な蒸着膜を行うのが困難
であるので、均質な蒸着膜の行える蒸着治具の改
善が強く要望されている。
〔従来の技術〕
第3図は、従来の蒸着治具を説明するためのa
はYIGホルダの正面図、bは膜式的構成図であ
る。
第3図aは、非磁性体金属たとえばアルミニウ
ム等からなるYIGホルダ1に複数のYIG挿入溝2
を形成する。このYIG挿入溝2の幅B′はYIG3の
幅(第4図に示すB)より若干狭くする。これは
第3図bに示す通り蒸着を行なうときYIG3が落
下しないようにするためである。第3図bは、第
3図aで説明したYIGホルダ1のYIG挿入溝2に
複数のYIG3を配列して、YIG3の蒸着面を下方
向とした状態で、るつぼ4内に蒸着材料たとえば
酸化シリコン(以下SiO2と略す)を投入して、
ヒータ5で加熱すればSiO2が矢印点線の如く蒸
発して、YIG3の一方の面に蒸着膜6を形成す
る。そしてYIG3の一方の面に蒸着膜6の形成が
終了した時点で、YIGホルダ1を取外して、該蒸
着面を形成した対向面が下方となるよう入れ換え
て、前述の順序で蒸着作業も行なうようになつて
いる。
第4図は、蒸着を終了したYIGの蒸着膜の正面
図で、第3図と同等の部分については同一符号を
付している。
図でわかるようにYIG挿入溝2の幅B′がYIGの
幅Bより狭いので、一方の両端に蒸着されない部
分bができる。
(考案が解決しようとする問題点) 上記の構成の蒸着治具にあつては、YIGホルダ
1に形成するYIG挿入溝2の幅B′はYIG3の幅よ
り狭くしなければならないために、蒸着膜7を均
質に形成することは不可能であるという問題点が
あつた。
〔問題点を解決するための手段〕
本考案は、上記の問題点を解決して均質な蒸着
膜が形成できる蒸着治具を提供するもので、その
手段は、磁性体化合物結晶の端面に蒸着を行なう
治具であつて、前記磁性体化合物結晶の保持具の
一側に磁性体化合物結晶を挿入する孔を設け、対
向する他の側にマグネツトの挿抜自在な孔を設け
て、該孔にマグネツトを挿入し、該マグネツトの
吸引力により、前記磁性体化合物結晶を保持する
ようにしたことによつてなされる。
〔作用〕
上記蒸着治具は、YIG個々の保持具を形成し
て、該保持具の対向面の一方にYIG挿入孔を、他
方にマグネツト挿入孔を形成して磁性体化合物結
晶からなるYIGをマグネツトの吸引力で吸着した
状態で、蒸着を行なう構成としたものであるか
ら、均質な蒸着膜がえられる。そして対向面の蒸
着を行なう時は、マグネツトを抜いてYIGを反転
して再びマグネツトで吸着して行う構成としたも
のである。
〔実施例〕
以下図面を参照しながら本考案に係る蒸着治具
の実施例について詳細に説明する。
第1図は、本考案に係る蒸着治具の一実施例を
説明するためのaは保持器の斜視図、bは模式的
構成図、cは蒸着を終わつたYIGの斜視図で、第
3図および第4図と同等の部分については同一符
号を付している。
非磁性体金属たとえばアルミニウム等からなる
保持器8の、対向する一方の面にYIG3を挿入す
るYIG挿入孔81を穿設し、他方の面にマグネツ
ト9を挿入するマグネツト挿入孔82を設け、ま
ずマグネツト挿入孔82にマグネツト9を挿入
し、反対側のYIG挿入孔81にマグネツト9の吸
引力により、YIG3を挿入吸着せしめた保持器8
をホルダ10の保持器挿入溝11に配列した状態
で、YIG3の蒸着面を下方向とした状態で、るつ
ぼ3内に蒸着材料たとえば酸化シリコン(以下
SiO2と略す)を投入して、ヒータ5で加熱すれ
ばSiO2が矢印点線の如く蒸発して、YIG3の一
方の面に蒸着膜6を形成する。そしてYIG3の一
方の面に蒸着膜6の形成が終了した時点で、保持
器1をホルダ10より抜取りマグネツト9を取外
せば、YIG3が容易に外れる。そこで再びマグネ
ツト9ををマグネツト挿入孔82に挿入し、YIG
3を反転してYIG挿入孔81にマグネツト9の吸
引力により、YIG3を挿入吸着せしめ、前述の順
序で蒸着を行えば良い。
第2図は、YIGの入れ変えを説明するための断
面図で、第1図と同等の部分については同一符号
を付している。
図でわかるように、対向する一面の蒸着が終了
すれば、保持器8を対向せしめた状態でYIG3が
装着されていた側のマグネツト9を抜けば、YIG
3は反対側の保持器1のマグネツト9に吸引され
て入れ換わり、180゜回転して図示しないホルダに
挿入して蒸着を行なえば良い。
なお、本実施例では磁性体化合物結晶をYIGに
ついて説明したが、YIGに限らずそのため磁性体
金属を含む結晶であつても構わない。
〔考案の効果〕
以上の説明から明らかなように、本考案に係る
蒸着治具によればYIGの挿抜作業が容易に行なえ
るとともに、均質な蒸着膜が得られ特性の向上に
寄与するところが大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本考案に係る蒸着治具の一実施例を
説明するためのaは保持器の斜視図、bは模式的
構成図、cは蒸着を終わつたYIGの斜視図、第2
図は、YIGの入れ換えを説明するための断面図、
第3図は、従来の蒸着治具を説明するためのaは
YIGホルダの正面図、bは模式的構成図、第4図
は、蒸着を終了したYIGの蒸着膜の正面図であ
る。 図中、1はYIGホルダ、2はYIG挿入溝、3は
YIG、4はるつぼ、5はヒータ、6は蒸着膜、7
は蒸着されない部分、8は保持器、9はマグネツ
ト、10はホルダ、11は保持器挿入溝、81は
YIG挿入孔、82はマグネツト挿入孔、をそれぞ
れ示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 磁性体化合物結晶の端面に蒸着を行なう治具で
    あつて、前記磁性体化合物結晶の保持具の一側に
    該磁性体化合物結晶を挿入する孔を設け、対向す
    る他の側にマグネツトの挿抜自在な孔を設けて、
    該孔にマグネツトを挿入し、該マグネツトの吸引
    力により、前記磁性体化合物結晶を保持するよう
    にしたことを特徴とする蒸着治具。
JP15736684U 1984-10-17 1984-10-17 Expired JPH0248423Y2 (ja)

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JP15736684U JPH0248423Y2 (ja) 1984-10-17 1984-10-17

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JPS6173654U JPS6173654U (ja) 1986-05-19
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2751277B2 (ja) * 1988-12-19 1998-05-18 三菱マテリアル株式会社 硬質物質の被覆方法
JP7147341B2 (ja) * 2018-08-02 2022-10-05 日本電気硝子株式会社 膜付き物品の製造方法、及び保持具

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JPS6173654U (ja) 1986-05-19

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