JPS5917899Y2 - ウエハホルダ - Google Patents
ウエハホルダInfo
- Publication number
- JPS5917899Y2 JPS5917899Y2 JP14251079U JP14251079U JPS5917899Y2 JP S5917899 Y2 JPS5917899 Y2 JP S5917899Y2 JP 14251079 U JP14251079 U JP 14251079U JP 14251079 U JP14251079 U JP 14251079U JP S5917899 Y2 JPS5917899 Y2 JP S5917899Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- holder
- wafer holder
- crystal film
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案は結晶育成用ウェハホルダに関し、特に成長メル
トにフラックス（結晶残滓）の付着を少なくし良質のウ
ェハを得るごとくしたウェハホルダに関する。
トにフラックス（結晶残滓）の付着を少なくし良質のウ
ェハを得るごとくしたウェハホルダに関する。
従来、磁気バブル・テ゛イバイス用ウェハすなわち磁気
ガーネット結晶基板は、その表面にＬＰＥと称される結
晶膜が形成される。
ガーネット結晶基板は、その表面にＬＰＥと称される結
晶膜が形成される。
この場合、前記結晶膜の組成成分が溶けている約９００
℃の成長メルト中に前記ウェハを浸漬し、またウェハを
回転することにより一様な結晶膜をウェハ表面に形成す
るようにしている。
℃の成長メルト中に前記ウェハを浸漬し、またウェハを
回転することにより一様な結晶膜をウェハ表面に形成す
るようにしている。
第１図Ａはこのような結晶膜の育成の際、従来ウェハを
保持するために用いられているウェハホルダを示す斜視
図であって、図において１は円筒状のアーム固定部、２
，２′は各々１端が上記アーム固定部１に固着された複
数のアーム、３は上記アーム２に取付けた複数のウェハ
保持用の円形リング、４は該リング３に設けたウェハ固
定用の爪、５はウェハを示す。
保持するために用いられているウェハホルダを示す斜視
図であって、図において１は円筒状のアーム固定部、２
，２′は各々１端が上記アーム固定部１に固着された複
数のアーム、３は上記アーム２に取付けた複数のウェハ
保持用の円形リング、４は該リング３に設けたウェハ固
定用の爪、５はウェハを示す。
第１図Ｂは上記第１図Ａのウェハ５を円形リング３の中
に保持する爪部の拡大斜視図であって、爪４を図では円
形リング３の上面側に固着し、受は金６を円形リング３
の下面側に取付けている。
に保持する爪部の拡大斜視図であって、爪４を図では円
形リング３の上面側に固着し、受は金６を円形リング３
の下面側に取付けている。
上記爪４と受は金６とは白金材によって作られている。
結晶膜の育成を行なうにあたってはまずウエノ＼５を上
記構造のウェハホルダのリング３の内部に嵌め、受は金
６と爪４によってこれを保持する。
記構造のウェハホルダのリング３の内部に嵌め、受は金
６と爪４によってこれを保持する。
次に上記のようにウェハを保持したホルダを成長メルト
中に浸漬し結晶膜を育成させる。
中に浸漬し結晶膜を育成させる。
育成終了後成長メルト中からホルダを引き上げ、ホルダ
を回転させるがウェハ５とリング３との隙間に付着して
いるフラックスをこの回転で生ずる遠心力によって完全
に除去することが困難である。
を回転させるがウェハ５とリング３との隙間に付着して
いるフラックスをこの回転で生ずる遠心力によって完全
に除去することが困難である。
このため残留するフラックスにより結晶膜の磁気的性質
が局所的に変化し良品質の結晶膜を得ることができない
という問題点があった。
が局所的に変化し良品質の結晶膜を得ることができない
という問題点があった。
本考案は上記問題点に鑑みなされたものであってウェハ
（結晶膜上）にフラックスが溜らないようにし良品質の
結晶を施したウェハを得ることを可能としたウェハホル
ダを提供することを目的としたものであって、上記目的
達成のため、本考案の特徴とするところは、高温の成長
メルト中に板状のウェハを浸漬し、該成長メルトから析
出した溶質成分よりなる結晶膜を、前記ウェハ表面にお
いて育成する際に該ウェハを保持するウェハホルダにお
いて、支柱と該支柱に直角又は他の傾斜角で交わる平面
上に横わり外周縁端が前記支柱に固着された姿勢保持部
材と、該姿勢保持部材から突出し先端部がウェハの外周
と係合して該ウェハを前記平面から一定距離離れた平面
上に保持する爪とを具備したことにある。
（結晶膜上）にフラックスが溜らないようにし良品質の
結晶を施したウェハを得ることを可能としたウェハホル
ダを提供することを目的としたものであって、上記目的
達成のため、本考案の特徴とするところは、高温の成長
メルト中に板状のウェハを浸漬し、該成長メルトから析
出した溶質成分よりなる結晶膜を、前記ウェハ表面にお
いて育成する際に該ウェハを保持するウェハホルダにお
いて、支柱と該支柱に直角又は他の傾斜角で交わる平面
上に横わり外周縁端が前記支柱に固着された姿勢保持部
材と、該姿勢保持部材から突出し先端部がウェハの外周
と係合して該ウェハを前記平面から一定距離離れた平面
上に保持する爪とを具備したことにある。
以下本考案１実施例につき図面を参照して説明する。
第２図Ａは本考案による改良したウェハホルダの一例を
示す斜視図、Ｂ図はウェハ保持部を拡大した図である。
示す斜視図、Ｂ図はウェハ保持部を拡大した図である。
図において１及び２，２′は第１図に同じ符号で示した
ものと同様でそれぞれアーム固定部およびアームで上記
アームに姿勢保持リング７を等間隔に複数個取付け、該
姿勢保持リング７のそれぞれの角の部分から爪８を設け
る。
ものと同様でそれぞれアーム固定部およびアームで上記
アームに姿勢保持リング７を等間隔に複数個取付け、該
姿勢保持リング７のそれぞれの角の部分から爪８を設け
る。
該爪８は中間にウェハ５を支えるための凸部９を設け、
該凸部９と先端部とによってウェハ５を保持する。
該凸部９と先端部とによってウェハ５を保持する。
上記のごとく爪８によってウェハ５を保持するごとくし
たことにより姿勢保持リング７とウェハ５との間に間隔
が設けられた構造となる。
たことにより姿勢保持リング７とウェハ５との間に間隔
が設けられた構造となる。
上記ウェハホルダによりウェハを保持して結晶膜を育威
し結晶膜育成の終了後成長メルト中から引き上げたホル
ダを回転させその遠心力によってフラックスを飛散させ
れは゛ウェハの周囲か゛空間になっているため上記フラ
ックスをほぼ完全に除去することが可能となる。
し結晶膜育成の終了後成長メルト中から引き上げたホル
ダを回転させその遠心力によってフラックスを飛散させ
れは゛ウェハの周囲か゛空間になっているため上記フラ
ックスをほぼ完全に除去することが可能となる。
以上説明したように、本考案によればウェハに結晶膜を
育成した後、フラックスを除去する場合姿勢保持リング
７とウェハ５との間に間隔を設けたために、ウェハ５に
付着したフラックスを容易に除去することができ、良品
質の結晶膜を形成したウェハを得ることが可能となりそ
の実用的効果は極めて大である。
育成した後、フラックスを除去する場合姿勢保持リング
７とウェハ５との間に間隔を設けたために、ウェハ５に
付着したフラックスを容易に除去することができ、良品
質の結晶膜を形成したウェハを得ることが可能となりそ
の実用的効果は極めて大である。
第１図Ａは従来のウェハホルダの構造を示す斜視図、第
１図Ｂは第１図Ａの爪部の拡大斜視図、第２図Ａは本考
案のウェハホルダの構造を示す斜視図、第２図Ｂは第２
図Ａのウェハ保持部を拡大した斜視図である。
１図Ｂは第１図Ａの爪部の拡大斜視図、第２図Ａは本考
案のウェハホルダの構造を示す斜視図、第２図Ｂは第２
図Ａのウェハ保持部を拡大した斜視図である。
Claims (1)
- 高温の成長メルト中に板状のウェハを浸漬し、該成長メ
ルトから析出した溶質成分よりなる結晶膜を前記ウェハ
表面にて育成する際に該ウエノ＼を保持するウェハホル
ダにおいて、支柱と該支柱に直角又は他の傾斜角で交わ
る平面上に横たわり外周縁端が前記支柱に固着された複
数の姿勢保持部材と、該姿勢保持部材から突出し先端部
がウェハの外周と係合して該ウェハを前記平面から一定
距離能れた平面上に保持する爪とを具備することを特徴
とするウェハホルダ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14251079U JPS5917899Y2 (ja) | 1979-10-15 | 1979-10-15 | ウエハホルダ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14251079U JPS5917899Y2 (ja) | 1979-10-15 | 1979-10-15 | ウエハホルダ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5660776U JPS5660776U (ja) | 1981-05-23 |
| JPS5917899Y2 true JPS5917899Y2 (ja) | 1984-05-24 |
Family
ID=29373788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14251079U Expired JPS5917899Y2 (ja) | 1979-10-15 | 1979-10-15 | ウエハホルダ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917899Y2 (ja) |
-
1979
- 1979-10-15 JP JP14251079U patent/JPS5917899Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5660776U (ja) | 1981-05-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0410529A (ja) | サセプタ及びウエーハ自動脱着装置 | |
| JPS5917899Y2 (ja) | ウエハホルダ | |
| US3903841A (en) | Vacuum holder in epitaxial growth apparatus | |
| JPH0523584Y2 (ja) | ||
| JPH09155855A (ja) | 単結晶加工用貼付台及び単結晶の加工方法 | |
| US2442755A (en) | Piezoelectric crystal growing method | |
| JPH0679761B2 (ja) | 半導体ウエハのディップはんだ付け法 | |
| JPH05304101A (ja) | 気相成長装置 | |
| JPH01230221A (ja) | 非単結晶半導体層の単結晶化方法 | |
| CA1163538A (en) | Holder for liquid phase epitaxial growth | |
| JP2967372B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長法にて使用される基板ホルダー | |
| JPH11171690A (ja) | 酸化物単結晶育成用ホルダー | |
| JPS61202425A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JP3304592B2 (ja) | 液相エピタキシャル成長膜研磨用の貼付け治具およびそれを用いた研磨方法 | |
| JPH0710491Y2 (ja) | 半導体液相成長治具 | |
| JPH05152424A (ja) | 半導体基板固定用治具 | |
| JPS6287484A (ja) | 分子線エピタキシ装置用リングサセプタ | |
| JPH0260065B2 (ja) | ||
| JPH0572358B2 (ja) | ||
| JPS5834968U (ja) | Ｌｐｅ膜成長用基板ホルダ | |
| JPS63151698A (ja) | 液相エピタキシヤル成長方法 | |
| JPH04148532A (ja) | 液相エピタキシャル結晶成長装置 | |
| JPS60218848A (ja) | 結晶基板のエツチング法 | |
| JPH09219389A (ja) | 半導体素子の製造装置 | |
| JPS58176967U (ja) | 液相エピタキシヤル膜成長用ウエ−ハホルダ |