JPH0249215A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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- JPH0249215A JPH0249215A JP1121511A JP12151189A JPH0249215A JP H0249215 A JPH0249215 A JP H0249215A JP 1121511 A JP1121511 A JP 1121511A JP 12151189 A JP12151189 A JP 12151189A JP H0249215 A JPH0249215 A JP H0249215A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、磁気ディスク装置用などの磁気記録媒体に係
り、とくに均一な磁気特性を有する磁性合金膜を記録層
とする媒体に好適な磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
り、とくに均一な磁気特性を有する磁性合金膜を記録層
とする媒体に好適な磁気記録媒体及びその製造方法に関
する。
電子計算機の外部記憶装置である磁気ディスクの１だ憶
容量は、年々増加の一途をたどっている。
容量は、年々増加の一途をたどっている。
磁気ディスクの記憶媒体としては従来、塗布媒体が用い
られてきた。塗布媒体は、アルミニウム合金基板上にγ
−Ｆｅ、０３針状微粒子を有機バインダと混合してスピ
ンコードしたものである。塗布型磁気ディスクの高記録
密度化は、主に媒体膜厚の減少と微粒子の配向塗布技術
によって達成されてきた。しかし、さらに大幅な大容量
化、高記録密度化を進めるには塗布媒体はほぼ限界にき
ている。
られてきた。塗布媒体は、アルミニウム合金基板上にγ
−Ｆｅ、０３針状微粒子を有機バインダと混合してスピ
ンコードしたものである。塗布型磁気ディスクの高記録
密度化は、主に媒体膜厚の減少と微粒子の配向塗布技術
によって達成されてきた。しかし、さらに大幅な大容量
化、高記録密度化を進めるには塗布媒体はほぼ限界にき
ている。
こイシにたいして近年、記録媒体の薄層化、高保磁力化
、高残留磁束密度化が容易な磁性合金膜１漠を記ＤＪＰ
Ｊとする薄膜磁気記録媒体の開発・製品化が進められて
いる。磁性合金薄膜磁気ディスク用記１Ａ媒体としては
、めっき法、スパッタ法や蒸ｎ法で形成される金属薄膜
媒体か有るが、とくに近年、スパッタ法によるコバルト
ニッケル合金系やコバルトクロム合金系の金属薄膜媒体
の実用化が米国を中心として進められてきている。この
場合、磁性合金薄膜磁気ディスク用記録媒体の形成方法
としでは、非磁性基板を搬送しながら連続的に、基板上
にクロム薄膜、磁性合金薄膜及び保護薄膜をスパッタ法
により形成する方法が主に用いられている。しかしなが
ら、基板を搬送しながら薄膜形成を行うと、スパッタ粒
子の基板への斜め入射効果により、搬送方向に磁気異方
性が生じ、これにより得られた磁気記録媒体の保磁力に
円板内円周方向の分布が生じ、結果的に再生出力にモジ
ュレーションが生じることが、アイ・イー・イー・イー
トランザクションズオンマグネチックス、エム ニー
ジー ２２．１９８６年 第５７９頁から５８１頁（
Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ、。
、高残留磁束密度化が容易な磁性合金膜１漠を記ＤＪＰ
Ｊとする薄膜磁気記録媒体の開発・製品化が進められて
いる。磁性合金薄膜磁気ディスク用記１Ａ媒体としては
、めっき法、スパッタ法や蒸ｎ法で形成される金属薄膜
媒体か有るが、とくに近年、スパッタ法によるコバルト
ニッケル合金系やコバルトクロム合金系の金属薄膜媒体
の実用化が米国を中心として進められてきている。この
場合、磁性合金薄膜磁気ディスク用記録媒体の形成方法
としでは、非磁性基板を搬送しながら連続的に、基板上
にクロム薄膜、磁性合金薄膜及び保護薄膜をスパッタ法
により形成する方法が主に用いられている。しかしなが
ら、基板を搬送しながら薄膜形成を行うと、スパッタ粒
子の基板への斜め入射効果により、搬送方向に磁気異方
性が生じ、これにより得られた磁気記録媒体の保磁力に
円板内円周方向の分布が生じ、結果的に再生出力にモジ
ュレーションが生じることが、アイ・イー・イー・イー
トランザクションズオンマグネチックス、エム ニー
ジー ２２．１９８６年 第５７９頁から５８１頁（
Ｉ Ｅ Ｅ Ｅ Ｔｒａｎｓ、 Ｍａｇ、。
ＭＡＧ−２２，ｐρ５７！Ｊ ５８１．（１９８６）
）において論じられている。この文献においては、搬送
成膜により生じるモジュレーションを、基板表面の円周
方向にテクスチャリングと呼ばれる表面加工（テクスチ
ャ加工）を施すことにより、解決できるとしている。
）において論じられている。この文献においては、搬送
成膜により生じるモジュレーションを、基板表面の円周
方向にテクスチャリングと呼ばれる表面加工（テクスチ
ャ加工）を施すことにより、解決できるとしている。
しかしながら、量産性を考慮した場合、上記テクスチャ
加工は有効な手法であるが、再現性が１蒔く、かつ一定
の平均粗さ及び最大粗さを有するテクスチャ加工基板を
作ることは困難であり、さらに基板粗さは、磁気ディス
ク面からの磁気ヘッドの浮上量の観点から制限されるた
めに、単にモジュレーションの改善の目的にたいしての
み基板のテクスチャ粗さを決定することができない。し
たがって、基板テクスチャ粗さにあまり依存せずに、低
モジュレーションを実現できる磁気記録媒体を開発する
必要が有るという課題が有った。
加工は有効な手法であるが、再現性が１蒔く、かつ一定
の平均粗さ及び最大粗さを有するテクスチャ加工基板を
作ることは困難であり、さらに基板粗さは、磁気ディス
ク面からの磁気ヘッドの浮上量の観点から制限されるた
めに、単にモジュレーションの改善の目的にたいしての
み基板のテクスチャ粗さを決定することができない。し
たがって、基板テクスチャ粗さにあまり依存せずに、低
モジュレーションを実現できる磁気記録媒体を開発する
必要が有るという課題が有った。
本発明の目的は、上記課題を解決することにあり、その
第１の目的は基板テクスチャ粗さにあまり依存せずに、
低モジュレーションを実現できる改良された磁性合金薄
膜を記録層とする磁気記録媒体を提供することにあり、
その第２の目的はその製造方法を提供することにある。
第１の目的は基板テクスチャ粗さにあまり依存せずに、
低モジュレーションを実現できる改良された磁性合金薄
膜を記録層とする磁気記録媒体を提供することにあり、
その第２の目的はその製造方法を提供することにある。
上記第１のｌ」的は、非磁性基板上に、少なくとも２
Ｂ！Ｊの弓状コラム構造のクロム薄膜スパッタ層と磁性
合金薄膜スパッタ層と保護膜とが順次積層して成ること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
Ｂ！Ｊの弓状コラム構造のクロム薄膜スパッタ層と磁性
合金薄膜スパッタ層と保護膜とが順次積層して成ること
を特徴とする磁気記録媒体によって達成される。
第４図は実施例の項で比較例として詳述するクロム薄膜
スパッタ層が１暦から成る従来の磁気記録媒体の要部断
面構造を示したもので、基板４１上にクロム薄膜スパッ
タ／！４２、磁性合金薄膜スパッタ／！４２、保護膜４
４が順次積層されているが、クロム薄膜スパッタ層４２
は結晶成長の状態が弓状に湾曲している。本発明では、
この弓状に湾曲したクロム薄膜スパッタ層を多層構造と
するところに特徴がある。
スパッタ層が１暦から成る従来の磁気記録媒体の要部断
面構造を示したもので、基板４１上にクロム薄膜スパッ
タ／！４２、磁性合金薄膜スパッタ／！４２、保護膜４
４が順次積層されているが、クロム薄膜スパッタ層４２
は結晶成長の状態が弓状に湾曲している。本発明では、
この弓状に湾曲したクロム薄膜スパッタ層を多層構造と
するところに特徴がある。
上記本発明の弓状コラム構造のクロム薄膜スパッタ層は
少なくとも２層の積層構造をとるが、好ましくは３層以
上である。クロム薄膜スパッタ層の積＞ｔｉ膜の厚みは
１００〜５００ｎｍが好ましく。
少なくとも２層の積層構造をとるが、好ましくは３層以
上である。クロム薄膜スパッタ層の積＞ｔｉ膜の厚みは
１００〜５００ｎｍが好ましく。
そして１層の厚みは５０〜２００ｎｍ、弓状コラムの曲
率は２６０〜２００ｎｍが実用的に好ましい。クロム薄
膜の弓状コラム１層の厚さをし、その弓状構造を円弧で
あると近似した場合の円の曲率をｒとしたとき、好まし
い曲率ｒとＩＮの厚さｔとの比ｒ／ｌは１．３以上とい
うことになる。
率は２６０〜２００ｎｍが実用的に好ましい。クロム薄
膜の弓状コラム１層の厚さをし、その弓状構造を円弧で
あると近似した場合の円の曲率をｒとしたとき、好まし
い曲率ｒとＩＮの厚さｔとの比ｒ／ｌは１．３以上とい
うことになる。
また、弓状コラム構造を有する多層のクロム薄膜スパッ
タ層上に積層される磁性合金薄膜スパッタ層の好ましい
膜厚は、２０〜６０ｎｍであり、この膜厚の範囲内で少
なくとも２層から成る多層構造とするのがより好ましい
。
タ層上に積層される磁性合金薄膜スパッタ層の好ましい
膜厚は、２０〜６０ｎｍであり、この膜厚の範囲内で少
なくとも２層から成る多層構造とするのがより好ましい
。
そして、この磁性合金薄膜を構成する結晶粒径としては
、適正な保磁力Ｈｅを得るために３０〜７０ ｎ ｍと
することが好ましい。３０ｎｍ以下ではＨｃが大きくな
り過ぎ、７０ｎｍ以上ではＨｃが小さ過ぎる。
、適正な保磁力Ｈｅを得るために３０〜７０ ｎ ｍと
することが好ましい。３０ｎｍ以下ではＨｃが大きくな
り過ぎ、７０ｎｍ以上ではＨｃが小さ過ぎる。
さらにまた、好ましい磁性合金薄膜スパッタ層の組成は
、（１）ニッケル２０〜４０原子％、ジルコニウム、チ
タン、タンタル及びクロムからなる群から選ばれた少な
くとも１種の金属元素０〜１０原子％、残部コバルト、
または（２）クロム５〜２５原子％、ジルコニウム、チ
タン、タンタル、シリコン及び白金からなる群から選ば
れた少なくとも１種の金属元素Ｏ〜１ｏｖＸ子％、残部
はコバル］・である。この組成の中で、ジルコニウム、
チタン、タンタル、クロム、シリコン、及び白金等の金
属元素は、磁性薄膜に耐食性を付与する上から含有させ
ることが望ましい。
、（１）ニッケル２０〜４０原子％、ジルコニウム、チ
タン、タンタル及びクロムからなる群から選ばれた少な
くとも１種の金属元素０〜１０原子％、残部コバルト、
または（２）クロム５〜２５原子％、ジルコニウム、チ
タン、タンタル、シリコン及び白金からなる群から選ば
れた少なくとも１種の金属元素Ｏ〜１ｏｖＸ子％、残部
はコバル］・である。この組成の中で、ジルコニウム、
チタン、タンタル、クロム、シリコン、及び白金等の金
属元素は、磁性薄膜に耐食性を付与する上から含有させ
ることが望ましい。
また、上記磁性合金薄膜スパッタ層上には例えばカーボ
ンのごとき保護膜を３０〜６０ｎｍ積層することが好ま
しい。
ンのごとき保護膜を３０〜６０ｎｍ積層することが好ま
しい。
次に、上記本発明の磁気記録媒体を製造する第２の目的
は、スパッタリングチャンバー内で基板を搬送移動させ
ながら、連続的にスパッタリングにより前記基板上に薄
膜を積層させる磁気記録媒体の製造において、前記スパ
ッタリングチャンバー内に複数のクロムターゲットを所
定間隔で移動方向に配設すると共にその後方に磁性合金
ターゲラ１−を配設し、前記基板上に少なくとも、複数
層のクロム薄膜スパッタ層と磁性合金薄膜スパッタ層と
を順次積層形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法によって達成される。
は、スパッタリングチャンバー内で基板を搬送移動させ
ながら、連続的にスパッタリングにより前記基板上に薄
膜を積層させる磁気記録媒体の製造において、前記スパ
ッタリングチャンバー内に複数のクロムターゲットを所
定間隔で移動方向に配設すると共にその後方に磁性合金
ターゲラ１−を配設し、前記基板上に少なくとも、複数
層のクロム薄膜スパッタ層と磁性合金薄膜スパッタ層と
を順次積層形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法によって達成される。
各スパッタ層の好ましい膜厚は前記第１の目的を達成す
る磁気記録媒体のそれを満足させることであり１周知の
スパッタリングの成膜条件を所定値に設定することによ
り、容易に得ることができる。また、スパッタリング装
置についても周知の連続多層膜形成に使用されているも
のでよく、特別の装置は必要としない。ただし、スパッ
タリングチャンバー内におけるターゲットの配置には特
別の工夫を要す。すなわち、まず基板が移動する方向に
前記基板と対向して所定間隔をおいてクロムターゲット
を２個、３個と（好ましくは３個以上であるが）複数個
配置し、さらにその後方に磁性合金ターゲラ１〜（好ま
しくは所定間隔をおいて複数個）を配置する。そして基
板が順次各ターゲット面と対向するように移動すること
によって、各ターゲットの成分に対応するスパッタ；１
りが基板」二に積１ｄされる。
る磁気記録媒体のそれを満足させることであり１周知の
スパッタリングの成膜条件を所定値に設定することによ
り、容易に得ることができる。また、スパッタリング装
置についても周知の連続多層膜形成に使用されているも
のでよく、特別の装置は必要としない。ただし、スパッ
タリングチャンバー内におけるターゲットの配置には特
別の工夫を要す。すなわち、まず基板が移動する方向に
前記基板と対向して所定間隔をおいてクロムターゲット
を２個、３個と（好ましくは３個以上であるが）複数個
配置し、さらにその後方に磁性合金ターゲラ１〜（好ま
しくは所定間隔をおいて複数個）を配置する。そして基
板が順次各ターゲット面と対向するように移動すること
によって、各ターゲットの成分に対応するスパッタ；１
りが基板」二に積１ｄされる。
上記Ｉｌ（板としては、例えばアルミニウム合金。
ガラス、耐熱性樹脂、セラミックス等の金属もしくは非
金属から成る非磁性材料で、成る程度の剛性を有するも
のであれば何社のものでもよい。通常好ましい基板とし
てアルミニウム合金が用いられるが、この場合も表面に
ニッケル・リンを予めめっきしておく１表面を研磨して
平坦化させておくことが望ましい。また、この種の基板
においては、さらにテクスチャ加工といって、表面粗さ
の調整加工を施す場合がしばしばとられるが１本発明に
おいては、このテクスチャ加工は余り重要でなく省略し
てもかまわない。
金属から成る非磁性材料で、成る程度の剛性を有するも
のであれば何社のものでもよい。通常好ましい基板とし
てアルミニウム合金が用いられるが、この場合も表面に
ニッケル・リンを予めめっきしておく１表面を研磨して
平坦化させておくことが望ましい。また、この種の基板
においては、さらにテクスチャ加工といって、表面粗さ
の調整加工を施す場合がしばしばとられるが１本発明に
おいては、このテクスチャ加工は余り重要でなく省略し
てもかまわない。
次にスパッタ層を形成するための原料となるターゲット
について述べると、クロムターゲットについては市販の
ターゲットにて十分に対応可能である。磁性合金ターゲ
ットについても周知の市販品で対応可能であるが、基本
的にはコバルトベースの組成が好ましく、その代表的な
ものとしてはコバルトニッケル合金系磁性合金やコバル
トクロム合金系磁性合金があり、さらに耐食性を向上さ
せるために、前者の合金であればジルコニウム、チタン
、タンタル、クロム等、後者の合金であればジルコニウ
ム、チタン、タンタル、シリコン。
について述べると、クロムターゲットについては市販の
ターゲットにて十分に対応可能である。磁性合金ターゲ
ットについても周知の市販品で対応可能であるが、基本
的にはコバルトベースの組成が好ましく、その代表的な
ものとしてはコバルトニッケル合金系磁性合金やコバル
トクロム合金系磁性合金があり、さらに耐食性を向上さ
せるために、前者の合金であればジルコニウム、チタン
、タンタル、クロム等、後者の合金であればジルコニウ
ム、チタン、タンタル、シリコン。
白金等の金属元素を単独若しくは複合して含有させたも
のである。代表的組成を示すと、（１）二タンタル及び
クロムからなる群から選ばれた少なくとも１種の金ノ１
す（元素０〜１０原子％、残部コバルト、（２）クロム
５から２５原ｐ％、ジルコニウム、チタン、タンタル、
シリコン、及び白金からなる群から；Ｘばれた少なくと
も１種の金ｈ（元素Ｏ〜１０原子％、残部コバルＩ・で
ある。
のである。代表的組成を示すと、（１）二タンタル及び
クロムからなる群から選ばれた少なくとも１種の金ノ１
す（元素０〜１０原子％、残部コバルト、（２）クロム
５から２５原ｐ％、ジルコニウム、チタン、タンタル、
シリコン、及び白金からなる群から；Ｘばれた少なくと
も１種の金ｈ（元素Ｏ〜１０原子％、残部コバルＩ・で
ある。
なお、基板上に形成する磁性合金スパッタ層の結晶粒径
については、適正な保磁力Ｈｃを得るために３０〜７０
ｎ ｍとすることが−！（ましく、こＪしコの結晶粒
径の調整は基板温度、ガス圧、下地のクロム＋＋ｑ厚に
より行うが、クロムの好ましい膜ＰＪ１００〜５００
ｎ ｍの範囲であれば、上記好ましい結晶粒径を満足さ
せることかできろ。
については、適正な保磁力Ｈｃを得るために３０〜７０
ｎ ｍとすることが−！（ましく、こＪしコの結晶粒
径の調整は基板温度、ガス圧、下地のクロム＋＋ｑ厚に
より行うが、クロムの好ましい膜ＰＪ１００〜５００
ｎ ｍの範囲であれば、上記好ましい結晶粒径を満足さ
せることかできろ。
最後に磁性合金膜上に形成する保護膜について述へろと
、保護膜は外部雰囲気から磁性合金ｉ’＝’ｌ Ｆｉを
保護するという役割も果すが、最大の目的はコンタクト
・スター１−・ス１−ツブ時におけるｍＫヘッドによる
パットクラッシュからの保護である。
、保護膜は外部雰囲気から磁性合金ｉ’＝’ｌ Ｆｉを
保護するという役割も果すが、最大の目的はコンタクト
・スター１−・ス１−ツブ時におけるｍＫヘッドによる
パットクラッシュからの保護である。
したがって、昌気ヘッドとの摺動性に優れかつ１゛１す
くて強固な膜が必要とされる。樹脂等の塗（Ｉｉ膜、ス
パッタ股等の使用も可能であるが、最近では高密度記録
に対処するため薄くて硬質な膜ということでガラス状カ
ーボン薄膜あるいは更にダイヤモンド状の硬質カーボン
薄膜なども使用される段階に来ており、これらの硬質薄
膜が好ましい。そして、これらの硬質膜はスパッタリン
グあるいはプラズマＣＶＤ等の成膜手段で形成すること
ができる。スパッタリングで成膜する場合には、上記磁
性合金ターゲットの後方にカーボンターゲラ１−を配置
すれは一連の連続スパッタリングにより容易に形成する
ことができる。このカーボン保護膜の好ましい膜厚とし
ては３０〜６０ ｎ ｍである。
くて強固な膜が必要とされる。樹脂等の塗（Ｉｉ膜、ス
パッタ股等の使用も可能であるが、最近では高密度記録
に対処するため薄くて硬質な膜ということでガラス状カ
ーボン薄膜あるいは更にダイヤモンド状の硬質カーボン
薄膜なども使用される段階に来ており、これらの硬質薄
膜が好ましい。そして、これらの硬質膜はスパッタリン
グあるいはプラズマＣＶＤ等の成膜手段で形成すること
ができる。スパッタリングで成膜する場合には、上記磁
性合金ターゲットの後方にカーボンターゲラ１−を配置
すれは一連の連続スパッタリングにより容易に形成する
ことができる。このカーボン保護膜の好ましい膜厚とし
ては３０〜６０ ｎ ｍである。
後述するように、本発明者らのＩ詳細な研究の結果、磁
性薄膜の下地膜となるクロ１．薄膜スパッタ層の微ａｔ
形態を積ｈ゛り弓状コラム構造にすることにより、弓状
コラム４１′１１造の曲率ｒと１層の厚さｔとの比ｒ／
ｌはより大きくなることが判明した。従って、第４図の
比較例に示した一層の弓状コラ１１借潰からなるクロム
薄膜４２に比べて、複数層の弓状コラム構造からなるク
ロム薄膜の方が、クロム膜全体としてみた場合、基板面
にたいしてより垂直に結晶成長しているとみなすことが
できる。
性薄膜の下地膜となるクロ１．薄膜スパッタ層の微ａｔ
形態を積ｈ゛り弓状コラム構造にすることにより、弓状
コラム４１′１１造の曲率ｒと１層の厚さｔとの比ｒ／
ｌはより大きくなることが判明した。従って、第４図の
比較例に示した一層の弓状コラ１１借潰からなるクロム
薄膜４２に比べて、複数層の弓状コラム構造からなるク
ロム薄膜の方が、クロム膜全体としてみた場合、基板面
にたいしてより垂直に結晶成長しているとみなすことが
できる。
すなわち、基板搬送方向に凸である弓状コラム構造を有
するクロムｌｔす膜の上にヘテロエピタキシャル成長す
る磁性薄膜では基板搬送方向に磁気異方性が生じるのに
たいして、より垂直に成長したクロム６Ｖ膜のうえに連
続的に形成され、成長した磁性薄膜では基板搬送方向の
磁気異方性は大きく低減される。本発明者らは、磁性膜
の下地となるクロムＪＭと磁気異方性との関係につき詳
細な実験検討を進めた結果、前述のごとく少なくとも２
層以に好ましくは３層以上の弓状コラムｆｉ造からなる
クロ１１薄膜上に磁性ｉｊ膜及び保護薄膜を形成した薄
膜磁気ディスクとすることにより、磁気ディスク内での
保磁力Ｈｃの分布が均一化され、基板テクスチャ粗さに
あまり依存せずに低モジュレーションが実現できる知見
を得たものである。
するクロムｌｔす膜の上にヘテロエピタキシャル成長す
る磁性薄膜では基板搬送方向に磁気異方性が生じるのに
たいして、より垂直に成長したクロム６Ｖ膜のうえに連
続的に形成され、成長した磁性薄膜では基板搬送方向の
磁気異方性は大きく低減される。本発明者らは、磁性膜
の下地となるクロムＪＭと磁気異方性との関係につき詳
細な実験検討を進めた結果、前述のごとく少なくとも２
層以に好ましくは３層以上の弓状コラムｆｉ造からなる
クロ１１薄膜上に磁性ｉｊ膜及び保護薄膜を形成した薄
膜磁気ディスクとすることにより、磁気ディスク内での
保磁力Ｈｃの分布が均一化され、基板テクスチャ粗さに
あまり依存せずに低モジュレーションが実現できる知見
を得たものである。
以下、本発明の実施例を図面を交えて説明する。
実施例１゜
３層の弓状コラム構造を有するクロム薄膜、磁性薄膜及
び保護薄膜からなる磁気記録媒体を形成した場合の成膜
条件を第１表に示す。
び保護薄膜からなる磁気記録媒体を形成した場合の成膜
条件を第１表に示す。
第 １ 表
第１図は上記第１表に示した条件で成膜した場合の磁気
記録媒体の断面図を示す。同図は矢印で示した基板搬送
方向に平行な方向に磁気記録媒体を破断し、その破断面
を走査型電子顕微鏡を用いて観察したものである。１１
はアルミ合金基板上にニッケル・リンをめっきした後に
研磨し、更にテクスチャ加工しためっき基板、１２は基
板搬送方向に凸となった第一弓状コラム構造クロム層、
１３は第二弓状コラム構造クロム層、１４は第三弓状コ
ラム構造クロム層、１５は１２．１３及び１４からなる
クロム薄膜、１６は磁性薄膜、１７は保護膜である。２
２は成膜時の基板搬送方向である。１２．１３及び１４
の各弓状コラム層の曲率ｒは、破断面＆１ ？Ｎ （７
）結果、約２４０ ｎ ｍ ’７：： ア＋Ｊ、また各
弓状コラム層の厚さしは約１３０ｎｍであった。したが
って、クロム薄膜の弓状コラム構造の一段の厚さしと、
その弓状構造を円弧であると近似した場合の円の曲率ｒ
との比ｒ／ｌは、約１．８となる。比較例のところで後
述するように５−ｆｆｆｆの弓状コラム構造からなるク
ロム薄膜の場合、ｒ／ｌは約１となる。ｒ／ｌが大きい
値であるほどコラム構造は基板面にたいしてより垂直に
成長するため、磁気記録媒体に基板搬送方向磁気異方性
はより低減される。
記録媒体の断面図を示す。同図は矢印で示した基板搬送
方向に平行な方向に磁気記録媒体を破断し、その破断面
を走査型電子顕微鏡を用いて観察したものである。１１
はアルミ合金基板上にニッケル・リンをめっきした後に
研磨し、更にテクスチャ加工しためっき基板、１２は基
板搬送方向に凸となった第一弓状コラム構造クロム層、
１３は第二弓状コラム構造クロム層、１４は第三弓状コ
ラム構造クロム層、１５は１２．１３及び１４からなる
クロム薄膜、１６は磁性薄膜、１７は保護膜である。２
２は成膜時の基板搬送方向である。１２．１３及び１４
の各弓状コラム層の曲率ｒは、破断面＆１ ？Ｎ （７
）結果、約２４０ ｎ ｍ ’７：： ア＋Ｊ、また各
弓状コラム層の厚さしは約１３０ｎｍであった。したが
って、クロム薄膜の弓状コラム構造の一段の厚さしと、
その弓状構造を円弧であると近似した場合の円の曲率ｒ
との比ｒ／ｌは、約１．８となる。比較例のところで後
述するように５−ｆｆｆｆの弓状コラム構造からなるク
ロム薄膜の場合、ｒ／ｌは約１となる。ｒ／ｌが大きい
値であるほどコラム構造は基板面にたいしてより垂直に
成長するため、磁気記録媒体に基板搬送方向磁気異方性
はより低減される。
これを証明するため、円板内の保磁力Ｈａ分布を、第２
図に示すＡ点とＢ点で測定した結果を第２表に示す。
図に示すＡ点とＢ点で測定した結果を第２表に示す。
保磁力Ｈａに要求されるのは、磁気ディスク上の円周方
向に均一なことである。すなわち、第２図においてＡ点
での搬送方向に平行な方向のＨｃとＢ点での搬送方向に
垂直な方向のＩ−Ｉ Ｃとが等しいことが望ましい。第
２表から、クロム薄膜を３層からなる弓状コラム構造に
することにより、基板搬送方向磁気異方性が低減され、
磁気ディスク上円周方向に均一なＨｃが付与されている
ことが判明した。つまり、Ａ点の搬送方向に平行なＨｃ
（９０００ｃ）とＢ点のそれに直交する）Ｉｃ（９０５
０ｅ）との差は５０ｅであり、Ｂ点の搬送方向に平行な
Ｈｅ（７４５０Ｃ）とそれに直交するＡ点のＨｃ（７５
００ｅ）との差も５ ０ｓと非常に小さい。本実施例で
は、アルゴン圧力を１．３Ｐａ、基板温度を２２０°Ｃ
に設定したが、アルゴン圧力を０．４から２．７１’ａ
、基板温度を１００から２５０℃まで変化させてもほぼ
同様の結果が得られた。
向に均一なことである。すなわち、第２図においてＡ点
での搬送方向に平行な方向のＨｃとＢ点での搬送方向に
垂直な方向のＩ−Ｉ Ｃとが等しいことが望ましい。第
２表から、クロム薄膜を３層からなる弓状コラム構造に
することにより、基板搬送方向磁気異方性が低減され、
磁気ディスク上円周方向に均一なＨｃが付与されている
ことが判明した。つまり、Ａ点の搬送方向に平行なＨｃ
（９０００ｃ）とＢ点のそれに直交する）Ｉｃ（９０５
０ｅ）との差は５０ｅであり、Ｂ点の搬送方向に平行な
Ｈｅ（７４５０Ｃ）とそれに直交するＡ点のＨｃ（７５
００ｅ）との差も５ ０ｓと非常に小さい。本実施例で
は、アルゴン圧力を１．３Ｐａ、基板温度を２２０°Ｃ
に設定したが、アルゴン圧力を０．４から２．７１’ａ
、基板温度を１００から２５０℃まで変化させてもほぼ
同様の結果が得られた。
実施例２゜
２／ｆ’７の積層弓状コラム構造を有するクロム＃、膜
、磁性薄膜及び保護薄膜からなる磁気記録媒体を形成し
た場合の成膜条件を第３表に示す。
、磁性薄膜及び保護薄膜からなる磁気記録媒体を形成し
た場合の成膜条件を第３表に示す。
第 ３ 表
第３図は上記第３表に示した条件で成膜した場合の磁気
記録媒体の断面図を示す。第３図も第１図と同様に、基
板搬送方向に平行な方向に磁気記録媒体を破断し、その
破断面を走査型電子顕微鏡を用いてｉ察したものである
。３２は基板搬送方向に凸となった第一弓状コラム構造
クロム層、３３は第二弓状コラム構造クロム層、３４は
３２と３３からなるクロム薄膜である。３２および３３
の各弓状コラム層の曲率ｒは、破断面観察の結果、約２
６０ｎｍであり、また各弓状コラム層の厚さｔは約２０
０ｎｍであった。したがって、ｒ／ｌは、約１．３とな
る。この値もまた比較例のｒ ／ ｔ ＝ １に比べて
大きい値である。この時の円板内のＨｃ分布を、第２図
に示すＡ点とＢ点で測定した結果を第４表に示す。
記録媒体の断面図を示す。第３図も第１図と同様に、基
板搬送方向に平行な方向に磁気記録媒体を破断し、その
破断面を走査型電子顕微鏡を用いてｉ察したものである
。３２は基板搬送方向に凸となった第一弓状コラム構造
クロム層、３３は第二弓状コラム構造クロム層、３４は
３２と３３からなるクロム薄膜である。３２および３３
の各弓状コラム層の曲率ｒは、破断面観察の結果、約２
６０ｎｍであり、また各弓状コラム層の厚さｔは約２０
０ｎｍであった。したがって、ｒ／ｌは、約１．３とな
る。この値もまた比較例のｒ ／ ｔ ＝ １に比べて
大きい値である。この時の円板内のＨｃ分布を、第２図
に示すＡ点とＢ点で測定した結果を第４表に示す。
第４表から、クロム薄膜を２層からなる弓状コラム構造
にすることによっても基板搬送方向磁気異方性が低減さ
れ、円板の円周方向に均一なＨｃ分布が付与されている
ことが判明した。
にすることによっても基板搬送方向磁気異方性が低減さ
れ、円板の円周方向に均一なＨｃ分布が付与されている
ことが判明した。
つまり、この例ではＡ点の搬送方向平行Ｊ（ｃ（９１０
０ｓ）とＢ点のそれに直交するＨｅ（８９００ｅ）との
差は２００ｅであり、Ｂ点の搬送方向平行１−１ｃ（８
０００ｅ）とそれに直交するＡ点のＨｃ（７６００ｅ）
との差も４００ｅと比較的小さい。前記実施例１の３層
から成るものより特性は劣るとしても、従来のものより
格段に特性改善が図られている。
０ｓ）とＢ点のそれに直交するＨｅ（８９００ｅ）との
差は２００ｅであり、Ｂ点の搬送方向平行１−１ｃ（８
０００ｅ）とそれに直交するＡ点のＨｃ（７６００ｅ）
との差も４００ｅと比較的小さい。前記実施例１の３層
から成るものより特性は劣るとしても、従来のものより
格段に特性改善が図られている。
実施例３゜
Ｊ基板をガラス基板に変えてその表面を研磨テープ加工
法により平均粗さＲａ約４ｎｍのテクスチャ加工を施し
、そのほかは実施例１と同じ条件で磁気記録媒体を形成
した結果、ｒ／ｌ、Ｈｅの円板内分布ともほぼ実施例１
と同様の結果が得られ、基板の材質によらずクロム薄膜
の微細形態の制御が円板の円周方向に均一なＩ（ｃを付
与するのに重要であることが判明した。
法により平均粗さＲａ約４ｎｍのテクスチャ加工を施し
、そのほかは実施例１と同じ条件で磁気記録媒体を形成
した結果、ｒ／ｌ、Ｈｅの円板内分布ともほぼ実施例１
と同様の結果が得られ、基板の材質によらずクロム薄膜
の微細形態の制御が円板の円周方向に均一なＩ（ｃを付
与するのに重要であることが判明した。
実施例４゜
クロム薄膜の弓状コラム構造を４層積層した場合、各弓
状コラム構造の曲率ｒは約２２０ｎｍであり、厚さｔは
１００ｎｎ＋であることが磁気記録媒体の破断面観察か
ら判明し、したがって、ｒ／ｌは約２．２と大きな値を
取ることがわかった。さらにクロム薄膜の弓状コラム構
造を５層積層した場合、ｒは約２１５層ｍ、 ｒ／ ｔ
は約２．７であった。このようにクロム薄膜の弓状コラ
ム構造を４層以上に積層することにより、より大きなｒ
／ｌが得られ、実施例２以上に円板内により均一な磁気
異方性が付与されることが明らかとなった。しかしなが
ら、弓状コラム構造をあまり多層にするとそれだけクロ
ムターゲット数が必要となり、成膜装置が大型化しコス
トが高くなるために、弓状コラム構造の積層数は３から
５であっても円板の円周方向に均一なＨｅを付与させる
うえで十分である。
状コラム構造の曲率ｒは約２２０ｎｍであり、厚さｔは
１００ｎｎ＋であることが磁気記録媒体の破断面観察か
ら判明し、したがって、ｒ／ｌは約２．２と大きな値を
取ることがわかった。さらにクロム薄膜の弓状コラム構
造を５層積層した場合、ｒは約２１５層ｍ、 ｒ／ ｔ
は約２．７であった。このようにクロム薄膜の弓状コラ
ム構造を４層以上に積層することにより、より大きなｒ
／ｌが得られ、実施例２以上に円板内により均一な磁気
異方性が付与されることが明らかとなった。しかしなが
ら、弓状コラム構造をあまり多層にするとそれだけクロ
ムターゲット数が必要となり、成膜装置が大型化しコス
トが高くなるために、弓状コラム構造の積層数は３から
５であっても円板の円周方向に均一なＨｅを付与させる
うえで十分である。
実施例５゜
コバルトニッケル合金系ターゲットの組成を、Ｃｏ５５
Ｎｉ４゜Ｚｒｓに変え、その他は実施例１と同じ条件で
磁気記録媒体を形成した結果、ｒ／ｌは実施例１と同様
の結果が得られ、保磁力Ｈｅは第５表に示すように、実
施例１よりも約２０００ｅ高い結果が得られた。
Ｎｉ４゜Ｚｒｓに変え、その他は実施例１と同じ条件で
磁気記録媒体を形成した結果、ｒ／ｌは実施例１と同様
の結果が得られ、保磁力Ｈｅは第５表に示すように、実
施例１よりも約２０００ｅ高い結果が得られた。
第 ５ 表
ｒ／Ｌの値は本質的にクロム薄膜の断面形状により決ま
り、コバルトニッケル合金組成には依存しない。第５表
で、Ａ点の搬送方向Ｈｃと１３点の搬送方向に直交する
Ｉｉｃとがほぼ等しいことから判るように、磁気ディス
ク上の円周方向に均一な保磁力Ｈｅが得られるのは、ク
ロム薄膜を３層からなる弓状コラム構造にすることによ
り、基板搬送方向磁気異方性が低減されたためである。
り、コバルトニッケル合金組成には依存しない。第５表
で、Ａ点の搬送方向Ｈｃと１３点の搬送方向に直交する
Ｉｉｃとがほぼ等しいことから判るように、磁気ディス
ク上の円周方向に均一な保磁力Ｈｅが得られるのは、ク
ロム薄膜を３層からなる弓状コラム構造にすることによ
り、基板搬送方向磁気異方性が低減されたためである。
他方、Ｈｅが約２０００ｓ高くなったのは、コバルトニ
ッケル合金組成を変えたためである。〔従来の技術〕で
述べたように、磁気ディスクの高記録密度化には、記録
媒体の高保磁力化が必要である。本実施例で述べたコバ
ルトニッケル合金組成は、これをもちいることによって
、より記録密度の高い磁気ディスクが得られるために、
今後の高記録密度化に好適の磁性合金組成と言える。実
施例１及び実施例５から、磁気ディスクの円周方向に均
一な保磁力を付与するにはクロムを多層化すれば良く、
保磁力Ｈｃそのものを制御するにはコバルトニッケル磁
性合金の組成を変えればよいことが判る。
ッケル合金組成を変えたためである。〔従来の技術〕で
述べたように、磁気ディスクの高記録密度化には、記録
媒体の高保磁力化が必要である。本実施例で述べたコバ
ルトニッケル合金組成は、これをもちいることによって
、より記録密度の高い磁気ディスクが得られるために、
今後の高記録密度化に好適の磁性合金組成と言える。実
施例１及び実施例５から、磁気ディスクの円周方向に均
一な保磁力を付与するにはクロムを多層化すれば良く、
保磁力Ｈｃそのものを制御するにはコバルトニッケル磁
性合金の組成を変えればよいことが判る。
したがって、本発明の目的である、磁気記録媒体の磁気
特性の均一化には、木質的にクロムの膜構造が関係して
おり、磁性膜の組成は〔課題を解決するための手段〕で
述べたように、耐食性を付与したコバルトニッケルＸ合
金系（Ｘ＝Ｚｒ、”Ｉ’ｉ。
特性の均一化には、木質的にクロムの膜構造が関係して
おり、磁性膜の組成は〔課題を解決するための手段〕で
述べたように、耐食性を付与したコバルトニッケルＸ合
金系（Ｘ＝Ｚｒ、”Ｉ’ｉ。
Ｔａ、Ｃｒ） 、およびコバルトクロムＸ合金系（Ｘ＝
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｐｔ）いずれでも良く、磁気
特性の観点から保磁力Ｈｅや残留磁束密度を決定する際
に最適な磁性合金組成を選べば良いことが判る。
Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｐｔ）いずれでも良く、磁気
特性の観点から保磁力Ｈｅや残留磁束密度を決定する際
に最適な磁性合金組成を選べば良いことが判る。
上記実施例に対する比較例を以下に述べる。
１層の弓状コラム構造を有するクロム薄膜、磁性薄膜及
び保護薄膜からなる磁気記録媒体を形成する場合の成膜
条件を第６表に示す。
び保護薄膜からなる磁気記録媒体を形成する場合の成膜
条件を第６表に示す。
第 ６ 表
第４図は上記第６表に示した条件で成膜した場合の磁気
記録媒体の断面図を示す。第４図も第１図と同様に、基
板搬送方向に平行な方向に磁気記録媒体を破断し、その
破断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察したものである
。４２は基板搬送方向に凸となったＩＪケの弓状コラム
構造からなるクロム薄膜である。４２の弓状コラム層の
曲率ｒは。
記録媒体の断面図を示す。第４図も第１図と同様に、基
板搬送方向に平行な方向に磁気記録媒体を破断し、その
破断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察したものである
。４２は基板搬送方向に凸となったＩＪケの弓状コラム
構造からなるクロム薄膜である。４２の弓状コラム層の
曲率ｒは。
破断面ａ察の結果、約４００ｎｍであり、また弓状コラ
ム層の厚さすなわちクロム簿膜の膜厚ｔは約４００ｎｍ
であるから、ｒ／ｌは、約１となる。この時の円板内の
１−（ｃ分布を、第２図に示すＡ点とＢ点で測定した結
果を第７表に示す。
ム層の厚さすなわちクロム簿膜の膜厚ｔは約４００ｎｍ
であるから、ｒ／ｌは、約１となる。この時の円板内の
１−（ｃ分布を、第２図に示すＡ点とＢ点で測定した結
果を第７表に示す。
前述したように、保磁力Ｈｅは、磁気ディスク上の円周
方向に均一であることが望ましい。すなわち、第７表に
おいてＡ点での搬送方向に平行な方向のＩ−Ｉ ｃとＢ
点での搬送方向に直交する方向のＨｅとが等しくあるべ
きであるが、第４図に示すよう６表に示すように円周方
向に不均一なＩ−（ｃの分布が生じる。つまり、Ａ点の
搬送方向平行Ｉ（ｃ（８９００ｅ）とＢ点のそれに直交
するＨｅ（８０００ｅ）との差は９００ｅであり、Ｂ点
の搬送方向平行Ｈｅ（９０００ｅ）とそれに直交するＡ
点のＨｅ（７８００ｅ）との差も１２００ｅと共に大き
な違いを示しており、円周方向に大きな磁気異方性を有
していることとなる。
方向に均一であることが望ましい。すなわち、第７表に
おいてＡ点での搬送方向に平行な方向のＩ−Ｉ ｃとＢ
点での搬送方向に直交する方向のＨｅとが等しくあるべ
きであるが、第４図に示すよう６表に示すように円周方
向に不均一なＩ−（ｃの分布が生じる。つまり、Ａ点の
搬送方向平行Ｉ（ｃ（８９００ｅ）とＢ点のそれに直交
するＨｅ（８０００ｅ）との差は９００ｅであり、Ｂ点
の搬送方向平行Ｈｅ（９０００ｅ）とそれに直交するＡ
点のＨｅ（７８００ｅ）との差も１２００ｅと共に大き
な違いを示しており、円周方向に大きな磁気異方性を有
していることとなる。
第５図はクロム薄膜の膜厚を４００ｎｍ一定にした場合
の弓状コラム構造−段の厚さｔとその時の弓状コラム構
造の曲率ｒとの関係を示したものである。第５図から、
弓状コラム構造−段の厚さｔが小さくなっても、弓状コ
ラム構造の曲率ｒは極端には小さくならず、ある一定の
曲率に収束することが判明した。すなわち、弓状コラム
構造−段の厚さｔが小さくなるほどコラム構造は弓状か
ら柱状になり、クロム薄膜の微細形態が基板搬送成膜の
影響を受けにくくなることを示している。
の弓状コラム構造−段の厚さｔとその時の弓状コラム構
造の曲率ｒとの関係を示したものである。第５図から、
弓状コラム構造−段の厚さｔが小さくなっても、弓状コ
ラム構造の曲率ｒは極端には小さくならず、ある一定の
曲率に収束することが判明した。すなわち、弓状コラム
構造−段の厚さｔが小さくなるほどコラム構造は弓状か
ら柱状になり、クロム薄膜の微細形態が基板搬送成膜の
影響を受けにくくなることを示している。
実施例６゜
ここでは、本発明が垂直磁気記録媒体の磁気特性の安定
化にも有効であることを実施例で示す。
化にも有効であることを実施例で示す。
ＣｏＣｒターゲット及びパーマロイターゲットを用いて
、第８表に示す条件で垂直磁気記録媒体を形成した。
、第８表に示す条件で垂直磁気記録媒体を形成した。
第６図は、上記第８表に示した条件で成膜した場合の垂
直磁気記録媒体の断面図を示す。同図は、実施例１と同
様に、矢印で示した基板搬送方向に平行な方向に垂直記
録媒体を破断し、その破断面を走査型電子顕微鏡を用い
て観察したものである。
直磁気記録媒体の断面図を示す。同図は、実施例１と同
様に、矢印で示した基板搬送方向に平行な方向に垂直記
録媒体を破断し、その破断面を走査型電子顕微鏡を用い
て観察したものである。
６１はアルミ合金基板上にニッケル・リンをめっきした
後に鏡面研磨しためっき基板、６２は第一パーマロイ層
、６３は第二パーマロイ層、６４は第三パーマロイ層、
６５は６２．６３及び６４からなるパーマロイ薄膜、６
６は第一弓状コラム構造垂直磁性層、６７は第二弓状コ
ラム構造垂直磁性潜、６８は第三弓状コラムＩ造垂直磁
性層、６９は６６．６７、及び６８からなる垂直磁性薄
膜、６１０は保護膜である。２２は成膜時の基板搬送方
向である。６６．６７、及び６８の各弓状コラム層の曲
率は、破断面観察の結果、約２２０ｎｍであり、また各
コラム構造の厚さは約１１００ｎであった。したがって
、コバルトクロム垂直磁性薄膜のｒ／ｌは約２．２であ
った。前述のように、ｒ／ｌが大きいほどコラム構造は
基板面に対してより垂直に成長するため、垂直磁気記録
媒体の場合でもＪ、（仮搬送方向磁気異方性は低減され
る。
後に鏡面研磨しためっき基板、６２は第一パーマロイ層
、６３は第二パーマロイ層、６４は第三パーマロイ層、
６５は６２．６３及び６４からなるパーマロイ薄膜、６
６は第一弓状コラム構造垂直磁性層、６７は第二弓状コ
ラム構造垂直磁性潜、６８は第三弓状コラムＩ造垂直磁
性層、６９は６６．６７、及び６８からなる垂直磁性薄
膜、６１０は保護膜である。２２は成膜時の基板搬送方
向である。６６．６７、及び６８の各弓状コラム層の曲
率は、破断面観察の結果、約２２０ｎｍであり、また各
コラム構造の厚さは約１１００ｎであった。したがって
、コバルトクロム垂直磁性薄膜のｒ／ｌは約２．２であ
った。前述のように、ｒ／ｌが大きいほどコラム構造は
基板面に対してより垂直に成長するため、垂直磁気記録
媒体の場合でもＪ、（仮搬送方向磁気異方性は低減され
る。
へ
円板内の保磁力Ｈａ分布を第２図に示すＡ点とＢ点で測
定した結果を、第９表に示す。
定した結果を、第９表に示す。
第９表から、円板垂直方向の保磁力Ｈｃおよび円板面内
の搬送方向に平行方向のＨｃ、ｆ１１ｆｔ送方向に直交
する方向のＨｅ、が、Ａ点とＢ点でほぼ同じであること
がわかる。本実施例では、アルゴン圧力を１．３Ｐａ、
基板温度を２２０ ’Ｃに設定したが、アルゴン圧力を
０．４から２．７Ｐａの間で変化させても、また、基板
温度を１２０から２５０℃まで変化させても、Ｈｅの絶
対値は変化するものの、Ｈｅの均一性はほぼ同様の結果
がＦ、られた。
の搬送方向に平行方向のＨｃ、ｆ１１ｆｔ送方向に直交
する方向のＨｅ、が、Ａ点とＢ点でほぼ同じであること
がわかる。本実施例では、アルゴン圧力を１．３Ｐａ、
基板温度を２２０ ’Ｃに設定したが、アルゴン圧力を
０．４から２．７Ｐａの間で変化させても、また、基板
温度を１２０から２５０℃まで変化させても、Ｈｅの絶
対値は変化するものの、Ｈｅの均一性はほぼ同様の結果
がＦ、られた。
また１本実施例から判るように、コバルトクロム垂直磁
性薄膜の弓状コラム構造を多層化することが１本！α的
に均一なＨｃを得るのに効果をもたらすのであって、高
透磁率磁性薄膜がパーマロイ以外のコバルト・モリブデ
ン・ジルコニウムやコバルト・ニオブ・ジルコニウム等
のアモルファス材料であっても同様の結果が得られてお
り、高透磁率材料の材質にはほとんど依存しない。また
、耐食性や垂直磁気異方性向上の観点からコバルトクロ
ムに、’ｒａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉなどの０．３〜４原子
％程度の第三添加物を入れても、同様な結果が得られた
。
性薄膜の弓状コラム構造を多層化することが１本！α的
に均一なＨｃを得るのに効果をもたらすのであって、高
透磁率磁性薄膜がパーマロイ以外のコバルト・モリブデ
ン・ジルコニウムやコバルト・ニオブ・ジルコニウム等
のアモルファス材料であっても同様の結果が得られてお
り、高透磁率材料の材質にはほとんど依存しない。また
、耐食性や垂直磁気異方性向上の観点からコバルトクロ
ムに、’ｒａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｎｉなどの０．３〜４原子
％程度の第三添加物を入れても、同様な結果が得られた
。
実施例７゜
パーマロイおよびコバルトクロムターゲットを各々２個
用いて、２層のパーマロイ薄膜及び弓状コラム構！２層
のコバルトクロム垂直磁性薄膜からなる垂直磁気記録媒
体を形成した場合の成膜条件を第１０表に示す。
用いて、２層のパーマロイ薄膜及び弓状コラム構！２層
のコバルトクロム垂直磁性薄膜からなる垂直磁気記録媒
体を形成した場合の成膜条件を第１０表に示す。
保磁力Ｈｅを調べた結果、（まぼ第９表と同様の 薄
膜からなる垂直磁気記録媒体を形成したときの結果が得
られた。その結果を第１１表に示す。 成膜条件
を第１２表に示す。
膜からなる垂直磁気記録媒体を形成したときの結果が得
られた。その結果を第１１表に示す。 成膜条件
を第１２表に示す。
第１１表から、Ａ点とＢ点での垂直方向Ｈｅはｔｏ Ｏ
ｅ程度の差でほとんど均〜であるのに対して、円板面内
では、搬送方向にＡ点では２００ｅ、 Ｂ点では３００
ｅ磁気異方性が生じているものの、はぼ均一な垂直磁気
異方性がＡ点及びＢ点で得られていることが判明した。
ｅ程度の差でほとんど均〜であるのに対して、円板面内
では、搬送方向にＡ点では２００ｅ、 Ｂ点では３００
ｅ磁気異方性が生じているものの、はぼ均一な垂直磁気
異方性がＡ点及びＢ点で得られていることが判明した。
前記実施例６の３暦弓状コラム構造垂直磁気記録媒体に
比べて若干均一性が劣るものの、従来例（比較例２参照
）のより格段に特性改善が図られている。
比べて若干均一性が劣るものの、従来例（比較例２参照
）のより格段に特性改善が図られている。
比較例２゜
上記実施例６及び７に対する比較例を以下に述べる。１
−層のパーマロイ薄膜と１層の弓状コラム構第７図は上
記第１２表で述べた条件で成膜した場合の面直磁気記録
媒体の断面図を示す。７２は１層からなるパーマロイ薄
膜であり、７３は基板搬送方向に面戸成った１層の弓状
コラム構造から成るコバルトクロム垂直磁性薄膜である
。７３の弓状コラム層の曲率ｒは、約３２０ｎｍであり
、ま９状コラム層の膜厚しは約３００ｎｍであるから、
ｒ／ｌ、は約１．１となる。この時の円板内のＨｅ分布
を第２図に示すＡ点とＢ点で測定した結果を第１３表に
示す。
−層のパーマロイ薄膜と１層の弓状コラム構第７図は上
記第１２表で述べた条件で成膜した場合の面直磁気記録
媒体の断面図を示す。７２は１層からなるパーマロイ薄
膜であり、７３は基板搬送方向に面戸成った１層の弓状
コラム構造から成るコバルトクロム垂直磁性薄膜である
。７３の弓状コラム層の曲率ｒは、約３２０ｎｍであり
、ま９状コラム層の膜厚しは約３００ｎｍであるから、
ｒ／ｌ、は約１．１となる。この時の円板内のＨｅ分布
を第２図に示すＡ点とＢ点で測定した結果を第１３表に
示す。
第 １３ 表
第１３表から、円板面垂直方向Ｔ−Ｉｃが小さくなり、
逆に円板面内の搬送方向に平行な方向のＨｅが大きくな
っていることが判明した。このことは、コバルトクロム
垂直磁性薄膜の垂直磁気異方性が減少し、面内搬送方向
磁気異方性が増加したことを意味している。すなわち、
コバルトクロム垂直磁性薄膜を弓状コラム構造１層から
なる構造にすると、垂直磁性薄膜としての特性が失われ
て行くことを示している。
逆に円板面内の搬送方向に平行な方向のＨｅが大きくな
っていることが判明した。このことは、コバルトクロム
垂直磁性薄膜の垂直磁気異方性が減少し、面内搬送方向
磁気異方性が増加したことを意味している。すなわち、
コバルトクロム垂直磁性薄膜を弓状コラム構造１層から
なる構造にすると、垂直磁性薄膜としての特性が失われ
て行くことを示している。
本発明によれば、クロム薄膜の積層弓状コラム本質的に
低減し１円板円周方向に均一な保磁力Ｈｃを付与させる
ことに効果が有るために、基板テクスチャ粗さにあまり
依存せずに、モジュレーションの少ない薄膜磁気ディス
クを提供することができる。
低減し１円板円周方向に均一な保磁力Ｈｃを付与させる
ことに効果が有るために、基板テクスチャ粗さにあまり
依存せずに、モジュレーションの少ない薄膜磁気ディス
クを提供することができる。
第１図は本発明の一実施例の磁気記録媒体の断面構造を
説明するための図、第２図は磁気記録媒体の形成時の搬
送方向とＡ点およびＢ点の位置関係を示す図、第３図は
本発明の他の実施例となる磁気記録媒体の断面構造を説
明するための図、第４図は比較例の磁気記録媒体の断面
構造を説明すための図、第５図は弓状コラム構造−段の
クロム膜の厚さしとその曲率Ｐとの関係を示した特性曲
線図である。第６図は本発明の一実施例である垂直磁気
記録媒体の断面構造を説明するための図、第７図は比較
例の垂直磁気記録媒体の断面構造を説明するための図で
ある。 図において。 １１・・基板 １２・・・第一クロ１１層、
３・・・第ニクロム層、 １４・・・第三クロム層。 ５・・クロム薄膜、 １６・・磁性薄膜。 ７・保護薄膜、 ８．２１・・・薄膜磁気ディスク ２・・・成膜時のノ、（仮搬送方向。 ２・・・第一クロムＪｅＪ、 ３３・・・第ニクロム
層、４・・・クロム薄膜、 ４２・・・クロム薄膜
、２・・・第一パーマロイ層、 ３・・・第二パーマロイ層、 ４・・・第三パーマロイ層、 ５・・・パーマロイ薄膜、６６・・・第一・垂直磁性層
。 ７・・・第二垂直磁性層、６８・・・第三垂直磁性層、
９・・・垂直磁性薄膜、 ６１０・・・保護薄膜、２・
・・パーマロイ薄膜、７３・・・垂直磁性薄膜。 発５喝 や゛ 晃 晃６固 第 乙 口 ｚ ／
説明するための図、第２図は磁気記録媒体の形成時の搬
送方向とＡ点およびＢ点の位置関係を示す図、第３図は
本発明の他の実施例となる磁気記録媒体の断面構造を説
明するための図、第４図は比較例の磁気記録媒体の断面
構造を説明すための図、第５図は弓状コラム構造−段の
クロム膜の厚さしとその曲率Ｐとの関係を示した特性曲
線図である。第６図は本発明の一実施例である垂直磁気
記録媒体の断面構造を説明するための図、第７図は比較
例の垂直磁気記録媒体の断面構造を説明するための図で
ある。 図において。 １１・・基板 １２・・・第一クロ１１層、
３・・・第ニクロム層、 １４・・・第三クロム層。 ５・・クロム薄膜、 １６・・磁性薄膜。 ７・保護薄膜、 ８．２１・・・薄膜磁気ディスク ２・・・成膜時のノ、（仮搬送方向。 ２・・・第一クロムＪｅＪ、 ３３・・・第ニクロム
層、４・・・クロム薄膜、 ４２・・・クロム薄膜
、２・・・第一パーマロイ層、 ３・・・第二パーマロイ層、 ４・・・第三パーマロイ層、 ５・・・パーマロイ薄膜、６６・・・第一・垂直磁性層
。 ７・・・第二垂直磁性層、６８・・・第三垂直磁性層、
９・・・垂直磁性薄膜、 ６１０・・・保護薄膜、２・
・・パーマロイ薄膜、７３・・・垂直磁性薄膜。 発５喝 や゛ 晃 晃６固 第 乙 口 ｚ ／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非磁性基板上に少なくとも２層の弓状コラム構造の
クロム薄膜スパッタ層と磁性合金薄膜スパッタ層と保護
薄膜とが順次積層して成ることを特徴とする磁気記録媒
体。 ２、上記磁性合金薄膜スパッタ層を少なくとも２層から
成る多層膜構造としたことを特徴とする請求項１記載の
磁気記録媒体。 ３、上記弓状コラム構造のクロム薄膜スパッタ層の厚み
を１００〜５００ｎｍとすると共に１層の厚さを５０〜
２００ｎｍ、曲率２６０ｎｍ以下とし、上記磁性合金薄
膜スパッタ層の厚みを２０〜６０ｎｍとしたことを特徴
とする請求項１もしくは請求項２記載の磁気記録媒体。 ４、上記磁性合金薄膜スパッタ層の組成を、ニッケル２
０〜４０原子％、ジルコニウム、チタン、タンタル及び
クロムから成る群から選ばれた少なくとも１種の金属元
素０〜１０原子％、残部コバルトで構成したことを特徴
とする請求項１、請求項２もしくは請求項３記載の磁気
記録媒体。 ５、上記磁性合金薄膜スパッタ層の組成をクロム５〜２
５原子％、ジルコニウム、チタン、タンタル、シリコン
、及び白金からなる群から選ばれた少なくとも１種の金
属元素０〜１０原子％、残部コバルトで構成したことを
特徴とする請求項１、請求項２、もしくは請求項３記載
の磁気記録媒体。 ６、上記磁性合金薄膜スパッタ層を構成する金属結晶粒
径が３０〜７０ｎｍであることを特徴とする請求項１、
請求項２、請求項３もしくは請求項４記載の磁気記録媒
体。 ７、上記磁性合金薄膜スパッタ層上にカーボン保護膜を
形成して成ることを特徴とする請求項１〜６のいずれか
に記載の磁気記録媒体。 ８、スパッタリングチャンバー内で基板を搬送移動させ
ながら、連続的にスパッタリングにより前記基板上に薄
膜を積層させる磁気記録媒体の製造において、前記スパ
ッタリングチャンバー内に複数のクロムターゲットを所
定間隔で移動方向に配設すると共にその後方に磁性合金
ターゲットを配設し、前記基板上に少なくとも、複数層
のクロム薄膜スパッタ層と磁性合金薄膜スパッタ層とを
順次積層形成することを特徴とする請求項１〜７のいず
れかに記載の磁気記録媒体の製造方法。 ９、非磁性基板上に少なくとも２層以上の弓状コラム構
造の高透磁率磁性薄膜スパッタ層と垂直磁性薄膜スパッ
タ層と保護膜とが順次積層して成ることを特徴とする垂
直磁気記録媒体。 １０、上記垂直磁性合金スパッタ層を少なくとも２層以
上の弓状コラム構造から成る多層膜としたことを特徴と
する請求項９記載の垂直磁気記録媒体。 １１、上記高透磁率磁性薄膜スパッタ層の厚みを１００
〜５００ｎｍとすると共に１層の厚さを５０から２００
ｎｍ、曲率２６０ｎｍ以下とし、上記弓状コラム構造を
有する垂直磁性薄膜スパッタ層の厚みを１００〜５００
ｎｍとすると共に１層の厚さを５０〜２５０ｎｍ、曲率
２６０ｎｍ以下としたことを特徴とする請求項８もしく
は請求項１０記載の垂直磁気記録媒体。 １２、上記高透磁率磁性薄膜スパッタ層の組成を、ニッ
ケル鉄から成るパーマロイ、またはコバルト・モリブデ
ン・ジルコニウム、またはコバルト・ニオブ・ジルコニ
ウムで構成したことを特徴とする請求項９、若しくは請
求項１１記載の垂直磁気記録媒体。 １３、上記垂直磁性薄膜スパッタ層の組成を、クロム５
〜２５原子％、タンタル、ニオブ、ジルコニウム、ニッ
ケルから成る群から選ばれた少なくとも１種の金属元素
を０．３〜４原子％、残部コバルトで構成したことを特
徴とする請求項９、請求項１０、若しくは請求項１１記
載の垂直磁気記録媒体。 １４、上記垂直磁性薄膜スパッタ層上にカーボン保護膜
を形成して成ることを特徴とする請求項９、請求項１０
、請求項１１、若しくは請求項１３記載の垂直磁気記録
媒体。 １５、スパッタリングチャンバー内で基板を搬送移動さ
せながら、連続的にスパッタリングにより前記基板上に
薄膜を積層させる垂直磁気記録媒体の製造において、前
記スパッタリングチャンバー内に複数の高透磁率磁性タ
ーゲットを所定間隔で移動方向に配設すると共にその後
方に垂直磁性合金ターゲットを配設し、前記基板上に少
なくとも、複数層の高透磁率磁性薄膜スパッタ層と垂直
磁性薄膜スパッタ層とを順次積層形成することを特徴と
する請求項８〜１３のいずれかに記載の垂直磁気記録媒
体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-128177 | 1988-05-27 | ||
| JP12817788 | 1988-05-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249215A true JPH0249215A (ja) | 1990-02-19 |
| JP2728498B2 JP2728498B2 (ja) | 1998-03-18 |
Family
ID=14978321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1121511A Expired - Fee Related JP2728498B2 (ja) | 1988-05-27 | 1989-05-17 | 磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4950548A (ja) |
| JP (1) | JP2728498B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5143794A (en) * | 1988-08-10 | 1992-09-01 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
| US6627253B2 (en) | 1988-08-10 | 2003-09-30 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording media for longitudinal recording, process for producing the same and magnetic memory apparatus |
| US5069983A (en) * | 1988-12-06 | 1991-12-03 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Magnetic recording member |
| JP2513893B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1996-07-03 | 日立金属株式会社 | 磁気記録媒体 |
| JP2697227B2 (ja) * | 1989-10-20 | 1998-01-14 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US5242761A (en) * | 1990-07-03 | 1993-09-07 | Digital Equipment Corporation Japan | Magnetic recording medium comprising NiFe and CoZr alloy crystalline magnetic alloy layers and a Co-Cr vertically magnetizable layer |
| US5004652A (en) * | 1990-08-15 | 1991-04-02 | Hmt Technology Corporation | High-coercivity thin-film recording medium and method |
| JPH04356721A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-12-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| US5421975A (en) * | 1992-10-13 | 1995-06-06 | Mahvan; Nader | Method for enhancing the magnetic and roughness properties of thin film magnetic recording media and the resulting enhanced media |
| US5631094A (en) * | 1994-01-28 | 1997-05-20 | Komag, Incorporated | Magnetic alloy for improved corrosion resistance and magnetic performance |
| US6156404A (en) * | 1996-10-18 | 2000-12-05 | Komag, Inc. | Method of making high performance, low noise isotropic magnetic media including a chromium underlayer |
| US5871621A (en) * | 1994-09-27 | 1999-02-16 | Komag, Incorporated | Method of fabricating a textured magnetic storage disk |
| US5772857A (en) * | 1995-11-21 | 1998-06-30 | Seagate Technology, Inc. | Method of manufacturing CoCrTa/CoCrTaPt bi-layer magnetic thin films |
| US5718811A (en) * | 1996-02-28 | 1998-02-17 | Seagate Technology, Inc. | Sputter textured magnetic recording medium |
| US5895712A (en) * | 1996-05-21 | 1999-04-20 | Seagate Technology, Inc. | Magnetic recording medium with improved coercivity |
| US6524724B1 (en) | 2000-02-11 | 2003-02-25 | Seagate Technology Llc | Control of magnetic film grain structure by modifying Ni-P plating of the substrate |
| US6652998B2 (en) * | 2000-06-26 | 2003-11-25 | Jvc Victor Company Of Japan, Ltd. | Producing method of thin film magnetic tape and the thin film magnetic tape |
| US6866883B2 (en) * | 2000-07-25 | 2005-03-15 | Seagate Technology Llc | Mechanical texturing of sol-gel—coated substrates for magnetic recording media |
| US6746754B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-06-08 | Seagate Technology Llc | Mechanical texturing of sol-gel-coated substrates for magnetic recording media |
| US6667118B1 (en) * | 2000-09-05 | 2003-12-23 | Seagate Technology Llc | Texture-induced magnetic anisotropy of soft underlayers for perpendicular recording media |
| US7094483B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Seagate Technology Llc | Magnetic storage media having tilted magnetic anisotropy |
| FR2849620A1 (fr) * | 2003-01-07 | 2004-07-09 | Metatherm Sa | Revetement multicouche pour proteger une piece contre la corrosion, procede pour la realisation d'un tel revetement et piece comportant un tel revetement |
| JP2004219261A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 薄膜の解析方法 |
| JP2004259306A (ja) * | 2003-02-24 | 2004-09-16 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法 |
| US7837836B2 (en) * | 2004-02-12 | 2010-11-23 | Seagate Technology Llc | Method and apparatus for multi-stage sputter deposition of uniform thickness layers |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5922221A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直記録用磁気記録媒体 |
| JPS5971128A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH01130321A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気ディスクの製造方法 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56134317A (en) * | 1980-03-25 | 1981-10-21 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| JPS573223A (en) * | 1980-06-03 | 1982-01-08 | Tdk Corp | Magnetic recording medium |
| DE3114740A1 (de) * | 1981-04-11 | 1982-10-28 | Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zur herstellung einer metallischen duennfilm-magnetplatte und anordnung zur durchfuehrung dieses verfahrens |
| JPS58121133A (ja) * | 1982-01-08 | 1983-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS59185022A (ja) * | 1983-04-04 | 1984-10-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| JPS60157715A (ja) * | 1984-01-26 | 1985-08-19 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
| US4552820A (en) * | 1984-04-25 | 1985-11-12 | Lin Data Corporation | Disc media |
| JPS60239916A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPS60247820A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-07 | Toshiba Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS619821A (ja) * | 1984-06-23 | 1986-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| GB2175013B (en) * | 1985-03-28 | 1989-01-18 | Victor Company Of Japan | Perpendicular magnetic recording medium |
| US4880514A (en) * | 1985-05-03 | 1989-11-14 | Akshic Memories Corporation | Method of making a thin film magnetic disk |
| JPH07101495B2 (ja) * | 1985-07-03 | 1995-11-01 | 株式会社日立製作所 | 磁気記録媒体 |
| US4677032A (en) * | 1985-09-23 | 1987-06-30 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording media with multilayered magnetic film structure |
| US4657824A (en) * | 1985-10-28 | 1987-04-14 | International Business Machines Corporation | Vertical magnetic recording medium with an intermetallic compound nucleating layer |
| US4786553A (en) * | 1986-03-28 | 1988-11-22 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording medium |
| US4795765A (en) * | 1986-08-04 | 1989-01-03 | Blount David H | Process for the production of epoxy silicate products |
| JPH0647722B2 (ja) * | 1986-09-24 | 1994-06-22 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
-
1989
- 1989-05-17 JP JP1121511A patent/JP2728498B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-05-23 US US07/355,351 patent/US4950548A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5922221A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直記録用磁気記録媒体 |
| JPS5971128A (ja) * | 1982-10-14 | 1984-04-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| JPH01130321A (ja) * | 1987-11-17 | 1989-05-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 磁気ディスクの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| JP2728498B2 (ja) | 1998-03-18 |
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