JPH0249231A - 光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法 - Google Patents
光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0249231A JPH0249231A JP13430688A JP13430688A JPH0249231A JP H0249231 A JPH0249231 A JP H0249231A JP 13430688 A JP13430688 A JP 13430688A JP 13430688 A JP13430688 A JP 13430688A JP H0249231 A JPH0249231 A JP H0249231A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- photoresist
- optical memory
- guide grooves
- memory disk
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法
に関するものである。
に関するものである。
［従来の技術］
従来光メモリーディスク用のガラス基板の製造方法にお
いて、ガラス基板表面に直接ガイド溝および／またはプ
リピットを形成するためリアクティブイオンエツチング
法によりガラスのエツチングを行なうことが特開昭５９
−２１０５４７号などにより提案されている。
いて、ガラス基板表面に直接ガイド溝および／またはプ
リピットを形成するためリアクティブイオンエツチング
法によりガラスのエツチングを行なうことが特開昭５９
−２１０５４７号などにより提案されている。
［発明の解決しようとする課題］
従来光デイスク用ガラス基板表面に直接ガイド溝および
／またはプリピットを形成するにあたってリアクティブ
イオンエツチング（Ｒ，１，Ｅ、 ｌ法が用いられてい
たが、エツチング速度が遅いこととプロセス室内の真空
排気、給気等の時間を要するため、生産性が悪いという
課題を有していた。
／またはプリピットを形成するにあたってリアクティブ
イオンエツチング（Ｒ，１，Ｅ、 ｌ法が用いられてい
たが、エツチング速度が遅いこととプロセス室内の真空
排気、給気等の時間を要するため、生産性が悪いという
課題を有していた。
［課題を解決するための手段］
本発明は、前述の課題を解決すべくなされたものであり
ガラス基板上にシランカップリング剤を塗布し、その上
にフォトレジストを０．１〜１．０μｍの厚さに塗布し
、前記フォトレジスト上に光ビームのトラッキング用の
ガイド溝および／またはプリピットを有するパターンを
露光し、前記露光ずみフォトレジストを現像し、前を己
現イ象されたフォトレジストパターンをマスクとして前
記ガラス基板を酸性水溶液で エツチングし、前記ガラス基板表面上に、直接ガイド溝
および／またはプリピットを形成し、最後に前記レジス
トパターンをアルカリ溶液にて除去し、ガイド溝および
／またはプリピットを有するガラス基板を得ることを特
徴とする光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法を
提Ｏｔするものである。
ガラス基板上にシランカップリング剤を塗布し、その上
にフォトレジストを０．１〜１．０μｍの厚さに塗布し
、前記フォトレジスト上に光ビームのトラッキング用の
ガイド溝および／またはプリピットを有するパターンを
露光し、前記露光ずみフォトレジストを現像し、前を己
現イ象されたフォトレジストパターンをマスクとして前
記ガラス基板を酸性水溶液で エツチングし、前記ガラス基板表面上に、直接ガイド溝
および／またはプリピットを形成し、最後に前記レジス
トパターンをアルカリ溶液にて除去し、ガイド溝および
／またはプリピットを有するガラス基板を得ることを特
徴とする光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法を
提Ｏｔするものである。
本発明におけるエツチングに用いる酸性水溶液（以下処
理液という）としてフッ酸を用いることができる。また
フッ化アンモニウム水溶液、硝酸、硫酸および塩酸のう
ちの少くとも一種類中にフッ酸を含む処理液を用いるこ
とができる。処理液中のフッ酸の濃度は０．０１〜５市
量％の範囲にあることが望ましいが、好ましくは０．１
〜２重量％、特に０．５〜１重量％の範囲が望ましい。
理液という）としてフッ酸を用いることができる。また
フッ化アンモニウム水溶液、硝酸、硫酸および塩酸のう
ちの少くとも一種類中にフッ酸を含む処理液を用いるこ
とができる。処理液中のフッ酸の濃度は０．０１〜５市
量％の範囲にあることが望ましいが、好ましくは０．１
〜２重量％、特に０．５〜１重量％の範囲が望ましい。
本発明において、さらに上記範囲のフッ酸と、フッ化ア
ンモニウム、硝酸、硫酸、塩酸のうちの少くとも一種類
が当該一種類につき同一５０重量％の範囲の濃度で含ま
れる処理液でエツチングを行うと、ガラス基板の被エツ
チング面において場所的にむらの少いエツチングが行わ
れるので好ましい。
ンモニウム、硝酸、硫酸、塩酸のうちの少くとも一種類
が当該一種類につき同一５０重量％の範囲の濃度で含ま
れる処理液でエツチングを行うと、ガラス基板の被エツ
チング面において場所的にむらの少いエツチングが行わ
れるので好ましい。
またエツチング中の処理液の温度はフッ酸の濃度が高い
場合は低い方が好ましく、特に約２重量％程度以上の濃
度の場合は約２０℃以下特に１０〜１８℃の範囲が望ま
しい。
場合は低い方が好ましく、特に約２重量％程度以上の濃
度の場合は約２０℃以下特に１０〜１８℃の範囲が望ま
しい。
［作用］
本発明においてフッ酸およびフッ化アンモニウムの濃度
を低くするのは、ガラスエツチング時のマスクとなるレ
ジストとガラスとのＴｈｌ現象を防止するためであり、
フッ酸を含む硝酸、硫酸、塩酸を使用することにより、
エツチング液の寿命を延長し、且つエツチングの均一性
を向上させることができる。
を低くするのは、ガラスエツチング時のマスクとなるレ
ジストとガラスとのＴｈｌ現象を防止するためであり、
フッ酸を含む硝酸、硫酸、塩酸を使用することにより、
エツチング液の寿命を延長し、且つエツチングの均一性
を向上させることができる。
また水溶液温度を低く保つことによりレジストのガラス
との剥離を抑えサブミクロンパターンのエツチングが可
能となるものと考えられる。
との剥離を抑えサブミクロンパターンのエツチングが可
能となるものと考えられる。
［実施例］
比較例１において６０℃、８０％ＲＨの雰囲気中で２４
時間放置した後の再生信号ノイズ（ｄＢｍｌ は初期ノ
イズに比べて増大しているが、実施例においては初期ノ
イズのレベルが維持されている。
時間放置した後の再生信号ノイズ（ｄＢｍｌ は初期ノ
イズに比べて増大しているが、実施例においては初期ノ
イズのレベルが維持されている。
また比較例２においては上記放置後も初期ノイズのレベ
ルが維持されているものの、初期ノイズのレベルが本発
明の実施例に比べて高い。
ルが維持されているものの、初期ノイズのレベルが本発
明の実施例に比べて高い。
ＲＩＥ法によりエツチングを行うと、エツチングを受け
たガラス面が活性化され空気中の水分と反応し易く、焼
けなどを生じ易くなるものと考えられる。ガラス基板面
の焼けは記録膜がコートされた後もノイズの原因となる
ので好ましくない。本発明における湿式エツチングによ
れば上記したガラス面の活性化の程度がＲＩＥ法による
場合に比べて低く、高温、多湿雰囲気中での放置後も初
期ノイズのレベルが維持できる。
たガラス面が活性化され空気中の水分と反応し易く、焼
けなどを生じ易くなるものと考えられる。ガラス基板面
の焼けは記録膜がコートされた後もノイズの原因となる
ので好ましくない。本発明における湿式エツチングによ
れば上記したガラス面の活性化の程度がＲＩＥ法による
場合に比べて低く、高温、多湿雰囲気中での放置後も初
期ノイズのレベルが維持できる。
［発明の効果］
本発明は、酸性水溶液によりガラスをエツチングするた
め充分大きなエツチング速度な有し、量産時において天
川可能な生産性を提供できる効果を有する。
め充分大きなエツチング速度な有し、量産時において天
川可能な生産性を提供できる効果を有する。
また本発明はエッチャントの濃度、温度をある範囲内に
制御することによりガイド溝及びプリピットのｒｊ＋、
深さを高精度で制御できるという効果を有している。
制御することによりガイド溝及びプリピットのｒｊ＋、
深さを高精度で制御できるという効果を有している。
第１図は本発明のプロセス概要図、第２図は本発明にお
けるウェットエツチング処理装置の実施例の説明図であ
り、第３図は従来例のプロセス概要図である。 】・・・ガラス基板、 ２・・・レジスト膜、３
・・・フォトマスク、 ４・・・光メモリーディスク用ガラス基板。 ５・・・現像ずみガラス基板、 ６・・・霧状エッヂヤント、７・・・ノズル、８・・・
回転台、 ９・・・反応容器。 躬 ７ １ｆｆｌ 第 ？ １コ ロとゴ＝ヨクゴ−４
けるウェットエツチング処理装置の実施例の説明図であ
り、第３図は従来例のプロセス概要図である。 】・・・ガラス基板、 ２・・・レジスト膜、３
・・・フォトマスク、 ４・・・光メモリーディスク用ガラス基板。 ５・・・現像ずみガラス基板、 ６・・・霧状エッヂヤント、７・・・ノズル、８・・・
回転台、 ９・・・反応容器。 躬 ７ １ｆｆｌ 第 ？ １コ ロとゴ＝ヨクゴ−４
Claims (3)
- （１）ガラス基板上にシランカップリング剤を塗布し、
その上にフォトレジストを０．１〜１．０μｍの厚さに
塗布し、前記フォトレジスト上に光ビームのトラッキン
グ用のガイド溝および／またはプリピットを有するパタ
ーンを露光し、前記露光ずみフォトレジストを現像し、
前記現像されたフォトレジストパターンをマスクとして
前記ガラス基板を酸性水溶液でエッチングし、前記ガラ
ス基板表面上 に、直接ガイド溝および／またはプリピットを形成し、
最後に前記レジストパターンをアルカリ溶液にて除去し
、ガイド溝および／またはプリピットを有するガラス基
板を得ることを特徴とする光メモリーディスク用ガラス
基板の製造方法。 - （２）請求項１記載の酸性水溶液が０．０１〜５重量％
の範囲のフッ酸を含むことを特徴とする光メモリーディ
スク用ガラス基板の製造方法。 - （３）請求項１記載の酸性水溶液が０．０１〜５重量％
の範囲のフッ酸と、フッ化アンモニウ ム、硝酸、硫酸、塩酸のうち少くとも一種類を当該一種
類につき１０〜５０重量％の範囲で含むことを特徴とす
る光メモリーディスク用ガラス基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13430688A JPH0249231A (ja) | 1988-05-09 | 1988-06-02 | 光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-110581 | 1988-05-09 | ||
| JP11058188 | 1988-05-09 | ||
| JP13430688A JPH0249231A (ja) | 1988-05-09 | 1988-06-02 | 光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249231A true JPH0249231A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=26450184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13430688A Pending JPH0249231A (ja) | 1988-05-09 | 1988-06-02 | 光メモリーディスク用ガラス基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249231A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432047A (en) * | 1992-06-12 | 1995-07-11 | International Business Machines Corporation | Patterning process for bipolar optical storage medium |
| US5501926A (en) * | 1992-06-12 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Dichromatic photomask and a method for its fabrication |
| CN109721253A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-05-07 | 凤阳硅谷智能有限公司 | 一种玻璃导光板的制备方法 |
-
1988
- 1988-06-02 JP JP13430688A patent/JPH0249231A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5432047A (en) * | 1992-06-12 | 1995-07-11 | International Business Machines Corporation | Patterning process for bipolar optical storage medium |
| US5501926A (en) * | 1992-06-12 | 1996-03-26 | International Business Machines Corporation | Dichromatic photomask and a method for its fabrication |
| CN109721253A (zh) * | 2019-01-24 | 2019-05-07 | 凤阳硅谷智能有限公司 | 一种玻璃导光板的制备方法 |
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