JPH07220907A - 非直線抵抗体及びその製造方法 - Google Patents
非直線抵抗体及びその製造方法Info
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- JPH07220907A JPH07220907A JP6027303A JP2730394A JPH07220907A JP H07220907 A JPH07220907 A JP H07220907A JP 6027303 A JP6027303 A JP 6027303A JP 2730394 A JP2730394 A JP 2730394A JP H07220907 A JPH07220907 A JP H07220907A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑な組成並びに粒界層を採る必要がなく、
簡単な製法により低コストで製造でき、優れた非直線性
を有し、バリスタ電圧が高く、バリスタ電圧を越える過
電圧の繰り返し負荷に対する耐性に優れた非直線抵抗体
を提供する。 【構成】 ＣｕＯ及び／又はＮｉＯを主成分とする焼結
体で、焼結体を構成する各粒子が粒子中心部ほど酸素濃
度の低いＣｕ及び／又はＮｉの酸化物粒子からなる非直
線抵抗体。この非直線抵抗体は、高純度のＣｕ粉末及び
／又はＮｉ粉末を加圧成形した後、成形体を酸素含有雰
囲気中で緻密に焼結することにより製造される。
簡単な製法により低コストで製造でき、優れた非直線性
を有し、バリスタ電圧が高く、バリスタ電圧を越える過
電圧の繰り返し負荷に対する耐性に優れた非直線抵抗体
を提供する。 【構成】 ＣｕＯ及び／又はＮｉＯを主成分とする焼結
体で、焼結体を構成する各粒子が粒子中心部ほど酸素濃
度の低いＣｕ及び／又はＮｉの酸化物粒子からなる非直
線抵抗体。この非直線抵抗体は、高純度のＣｕ粉末及び
／又はＮｉ粉末を加圧成形した後、成形体を酸素含有雰
囲気中で緻密に焼結することにより製造される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子機器のバリスタ素
子や送電線のアレスター素子器等として用いられる非直
線抵抗体であって、ＣｕＯ系及び／又はＮｉＯ系の焼結
体からなる非直線抵抗体、及びその製造方法に関する。
子や送電線のアレスター素子器等として用いられる非直
線抵抗体であって、ＣｕＯ系及び／又はＮｉＯ系の焼結
体からなる非直線抵抗体、及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】非直線抵抗体は、電流−電圧特性がオー
ムの法則に従わない抵抗体であって、バリスタ電圧より
低い電圧まではほぼ絶縁性を持ち、バリスタ電圧を越え
る過電圧では低抵抗となり急激に電流を流す性質を持っ
ている。かかる非直線抵抗体は電子機器のバリスタ素子
や送電線におけるアレスター素子等として、正常な電圧
に重畳されて負荷される異常な過電圧から電気系統を保
護する目的で利用されている。
ムの法則に従わない抵抗体であって、バリスタ電圧より
低い電圧まではほぼ絶縁性を持ち、バリスタ電圧を越え
る過電圧では低抵抗となり急激に電流を流す性質を持っ
ている。かかる非直線抵抗体は電子機器のバリスタ素子
や送電線におけるアレスター素子等として、正常な電圧
に重畳されて負荷される異常な過電圧から電気系統を保
護する目的で利用されている。
【０００３】従来から、バリスタ又は非直線抵抗体とし
て炭化ケイ素(ＳｉＣ)系の焼結体が使用されていたが、
非直線係数（指数）が３〜７程度と低いため、現在では
非直線性に優れた酸化亜鉛(ＺｎＯ)系の焼結体からなる
バリスタが主に使用されている。このＺｎＯ系バリスタ
は、ＺｎＯ粉末に各種添加物粉末を混合して焼結し、Ｚ
ｎＯ粒子の粒界に形成された高抵抗粒界層の機能を利用
したものであり、その非直線性は現在知られているセラ
ミックスバリスタの中では最も優れている。
て炭化ケイ素(ＳｉＣ)系の焼結体が使用されていたが、
非直線係数（指数）が３〜７程度と低いため、現在では
非直線性に優れた酸化亜鉛(ＺｎＯ)系の焼結体からなる
バリスタが主に使用されている。このＺｎＯ系バリスタ
は、ＺｎＯ粉末に各種添加物粉末を混合して焼結し、Ｚ
ｎＯ粒子の粒界に形成された高抵抗粒界層の機能を利用
したものであり、その非直線性は現在知られているセラ
ミックスバリスタの中では最も優れている。
【０００４】このほかのバリスタ又は非直線抵抗体とし
て、酸化物半導体（特公昭５３−２９４００号公報参
照）、ＮｉＯ（特開昭５０−６０７９４号公報参照）、
Ｆｅ2Ｏ3（特公昭５１−４３５９１号公報参照）等が提
案されている。これらは、いずれも酸化物粉末を焼結し
た焼結体からなり、例えば特開昭５０−６０７９４号公
報により提案されたＮｉＯ系のバリスタは、同公報第４
頁第３〜１３行目に記載のごとくＮｉＯ粉末に各種添加
物粉末を混合して焼結する方法により製造される。
て、酸化物半導体（特公昭５３−２９４００号公報参
照）、ＮｉＯ（特開昭５０−６０７９４号公報参照）、
Ｆｅ2Ｏ3（特公昭５１−４３５９１号公報参照）等が提
案されている。これらは、いずれも酸化物粉末を焼結し
た焼結体からなり、例えば特開昭５０−６０７９４号公
報により提案されたＮｉＯ系のバリスタは、同公報第４
頁第３〜１３行目に記載のごとくＮｉＯ粉末に各種添加
物粉末を混合して焼結する方法により製造される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のバリス
タ又は非直線抵抗体のなかで、ＺｎＯを主成分とするＺ
ｎＯ系のバリスタは非直線性に最も優れているため、現
在最も一般的に使用されている。しかしながら、高抵抗
の粒界層を形成するためにＢｉ2Ｏ3、ＰｒＯ2、Ｐｂ
Ｏ、ＭｎＯ2、ＣｏＯ、Ｓｂ2Ｏ3等の添加物を使用し、
これら各種添加物からなる複雑な粒界層の構成により所
定の特性が実現されている。従って、組成が極めて複雑
となるうえ、多くの添加物を含むため均一な混合と高温
での焼結が必要となり、製造コストが高いという欠点が
あった。
タ又は非直線抵抗体のなかで、ＺｎＯを主成分とするＺ
ｎＯ系のバリスタは非直線性に最も優れているため、現
在最も一般的に使用されている。しかしながら、高抵抗
の粒界層を形成するためにＢｉ2Ｏ3、ＰｒＯ2、Ｐｂ
Ｏ、ＭｎＯ2、ＣｏＯ、Ｓｂ2Ｏ3等の添加物を使用し、
これら各種添加物からなる複雑な粒界層の構成により所
定の特性が実現されている。従って、組成が極めて複雑
となるうえ、多くの添加物を含むため均一な混合と高温
での焼結が必要となり、製造コストが高いという欠点が
あった。
【０００６】又、ＺｎＯ系バリスタの高抵抗粒界層は、
バリスタ電圧を越える過電圧と大電流の負荷により破壊
されやすく、そのためバリスタ電圧を越える過電圧の繰
り返し負荷に対する安定性に問題があった。
バリスタ電圧を越える過電圧と大電流の負荷により破壊
されやすく、そのためバリスタ電圧を越える過電圧の繰
り返し負荷に対する安定性に問題があった。
【０００７】一方、前記したＺｎＯ系以外の従来のバリ
スタは、バリスタ電圧が比較的低いうえに、良好な非直
線性が得られないという欠点があり、特に特開昭５０−
６０７９４号公報により提案された従来のＮｉＯ系バリ
スタ、即ちＮｉＯ粉末を各種添加物粉末と混合して焼結
する方法により製造され、例えばＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ−Ｓ
ｂ2Ｏ3等の組成を有する従来のＮｉＯ系バリスタは非直
線性に劣っていた。
スタは、バリスタ電圧が比較的低いうえに、良好な非直
線性が得られないという欠点があり、特に特開昭５０−
６０７９４号公報により提案された従来のＮｉＯ系バリ
スタ、即ちＮｉＯ粉末を各種添加物粉末と混合して焼結
する方法により製造され、例えばＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ−Ｓ
ｂ2Ｏ3等の組成を有する従来のＮｉＯ系バリスタは非直
線性に劣っていた。
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に鑑み、複雑
な組成を採ったり粒界層を制御する必要がなく、簡単な
製法により低コストで製造でき、優れた非直線性を有す
る非直線抵抗体を提供すること、更にはバリスタ電圧が
高く、しかもバリスタ電圧を越える過電圧の繰り返し負
荷に対する耐性に優れた非直線抵抗体を提供することを
目的とする。
な組成を採ったり粒界層を制御する必要がなく、簡単な
製法により低コストで製造でき、優れた非直線性を有す
る非直線抵抗体を提供すること、更にはバリスタ電圧が
高く、しかもバリスタ電圧を越える過電圧の繰り返し負
荷に対する耐性に優れた非直線抵抗体を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明が提供する非直線抵抗体は、ＣｕＯ及び／又
はＮｉＯを主成分とする緻密な焼結体であって、焼結体
を構成する各粒子が粒子中心部ほど酸素濃度の低いＣｕ
及び／又はＮｉの酸化物粒子からなることを特徴として
いる。
め、本発明が提供する非直線抵抗体は、ＣｕＯ及び／又
はＮｉＯを主成分とする緻密な焼結体であって、焼結体
を構成する各粒子が粒子中心部ほど酸素濃度の低いＣｕ
及び／又はＮｉの酸化物粒子からなることを特徴として
いる。
【００１０】上記した本発明の非直線抵抗体は、高純度
のＣｕ粉末及び／又はＮｉ粉末を加圧成形した後、成形
体を酸素含有雰囲気中において緻密に焼結し、ＣｕＯ及
び／又はＮｉＯを主成分とする焼結体とする方法により
製造することができる。
のＣｕ粉末及び／又はＮｉ粉末を加圧成形した後、成形
体を酸素含有雰囲気中において緻密に焼結し、ＣｕＯ及
び／又はＮｉＯを主成分とする焼結体とする方法により
製造することができる。
【００１１】
【作用】本発明の非直線抵抗体は、ＣｕＯ及び／又はＮ
ｉＯを主成分とする焼結体であって、Ｃｕ及び／又はＮ
ｉの酸化物以外の酸化物は不純物を除いて実質的に含ま
ない点に特徴がある。又、焼結体を構成するＣｕ及び／
又はＮｉの酸化物粒子は酸素濃度が表面ほど高く且つ中
心部ほど低くなっていることが判明した。
ｉＯを主成分とする焼結体であって、Ｃｕ及び／又はＮ
ｉの酸化物以外の酸化物は不純物を除いて実質的に含ま
ない点に特徴がある。又、焼結体を構成するＣｕ及び／
又はＮｉの酸化物粒子は酸素濃度が表面ほど高く且つ中
心部ほど低くなっていることが判明した。
【００１２】かかる構成の本発明の非直線抵抗体では、
バリスタとしての実用上何ら支障のない優れた非直線性
が得られ、特にＣｕＯ系の非直線係数はＺｎＯ系以外の
従来の非直線抵抗体のいずれよりも大きい。本発明の非
直線抵抗体が優れた非直線性を示す理由は明らかではな
いが、ＣｕＯ及びＮｉＯが半導体であり、酸素含有雰囲
気中での焼結によりＣｕＯ粒子又はＮｉＯ粒子の周囲に
低電流低電圧条件で抵抗の高い化合物が形成されるため
と考えられる。又同時に、前記したＣｕＯ粒子又はＮｉ
Ｏ粒子の表面と中心部での酸素濃度の相違が、優れた非
直線性の発現に寄与しているものと考えられる。
バリスタとしての実用上何ら支障のない優れた非直線性
が得られ、特にＣｕＯ系の非直線係数はＺｎＯ系以外の
従来の非直線抵抗体のいずれよりも大きい。本発明の非
直線抵抗体が優れた非直線性を示す理由は明らかではな
いが、ＣｕＯ及びＮｉＯが半導体であり、酸素含有雰囲
気中での焼結によりＣｕＯ粒子又はＮｉＯ粒子の周囲に
低電流低電圧条件で抵抗の高い化合物が形成されるため
と考えられる。又同時に、前記したＣｕＯ粒子又はＮｉ
Ｏ粒子の表面と中心部での酸素濃度の相違が、優れた非
直線性の発現に寄与しているものと考えられる。
【００１３】又、本発明の非直線抵抗体は、バリスタ電
圧が十分高く、しかもバリスタ電圧を越える過電圧の繰
り返し負荷に対して非直線性が実質的に変化しないとい
う優れた特性を供えている。これらの優れた特性も、焼
結体を構成するＣｕＯ粒子又はＮｉＯ粒子の表面と中心
部とで酸素濃度が相違するという特異な構造に依存する
ものと考えられる。
圧が十分高く、しかもバリスタ電圧を越える過電圧の繰
り返し負荷に対して非直線性が実質的に変化しないとい
う優れた特性を供えている。これらの優れた特性も、焼
結体を構成するＣｕＯ粒子又はＮｉＯ粒子の表面と中心
部とで酸素濃度が相違するという特異な構造に依存する
ものと考えられる。
【００１４】本発明の非直線抵抗体は、ＣｕＯ粉末及び
／又はＮｉＯ粉末を焼結する方法によっては得られず、
Ｃｕ粉末及び／又はＮｉ粉末を成形して酸素含有雰囲気
中で焼結する方法によりＣｕＯ及び／又はＮｉＯを主成
分とする焼結体とする必要がある。この方法によって初
めて、焼結体を構成するＣｕ及び／又はＮｉの酸化物粒
子は酸素濃度が表面ほど高く且つ中心部ほど低くなる特
異な構造が得られるためである。
／又はＮｉＯ粉末を焼結する方法によっては得られず、
Ｃｕ粉末及び／又はＮｉ粉末を成形して酸素含有雰囲気
中で焼結する方法によりＣｕＯ及び／又はＮｉＯを主成
分とする焼結体とする必要がある。この方法によって初
めて、焼結体を構成するＣｕ及び／又はＮｉの酸化物粒
子は酸素濃度が表面ほど高く且つ中心部ほど低くなる特
異な構造が得られるためである。
【００１５】Ｃｕ粉末又はＮｉ粉末は可能な限り純度の
高いものを用いることが好ましく、少なくとも純度９９
％以上の粉末を用いる。かかる高純度のＣｕ粉末又はＮ
ｉ粉末としては電解法により得られた粉末が好ましく、
その場合９９.９％を越える高純度のものも使用可能で
ある。又、焼結雰囲気は酸素を含むことが必要であり、
特に純酸素雰囲気中で焼結することが好ましい。
高いものを用いることが好ましく、少なくとも純度９９
％以上の粉末を用いる。かかる高純度のＣｕ粉末又はＮ
ｉ粉末としては電解法により得られた粉末が好ましく、
その場合９９.９％を越える高純度のものも使用可能で
ある。又、焼結雰囲気は酸素を含むことが必要であり、
特に純酸素雰囲気中で焼結することが好ましい。
【００１６】尚、焼結温度及び焼結時間等の条件は、焼
結体を構成するＣｕ又はＮｉの酸化物粒子の中心部の酸
素濃度が表面よりも低く、即ち酸化の程度が少なくなる
ように設定する。例えばＣｕＯ系非直線抵抗体の場合、
純酸素雰囲気中の焼結では焼結温度７００〜１０５０℃
及び焼結時間３０分〜５時間程度とし、相対密度が９０
％以上の緻密な焼結体とすることが好ましい。
結体を構成するＣｕ又はＮｉの酸化物粒子の中心部の酸
素濃度が表面よりも低く、即ち酸化の程度が少なくなる
ように設定する。例えばＣｕＯ系非直線抵抗体の場合、
純酸素雰囲気中の焼結では焼結温度７００〜１０５０℃
及び焼結時間３０分〜５時間程度とし、相対密度が９０
％以上の緻密な焼結体とすることが好ましい。
【００１７】従って、上記方法により製造される本発明
の非直線抵抗体は、組成が極めて簡単であり、且つ従来
のＺｎＯ系やＮｉＯ系のバリスタのように複雑な粒界を
制御する必要もないので、従来の非直線抵抗体に比べて
遥かに低い製造コストを達成することができる。
の非直線抵抗体は、組成が極めて簡単であり、且つ従来
のＺｎＯ系やＮｉＯ系のバリスタのように複雑な粒界を
制御する必要もないので、従来の非直線抵抗体に比べて
遥かに低い製造コストを達成することができる。
【００１８】
【実施例】実施例１ ３２５メッシュ通過（粒径４３μｍ以下）の電解Ｃｕ粉
末（純度９９.９％以上）を相対密度が４５％となるよ
うに一軸プレスにより加圧成形し、外径１５ｍｍ及び厚
さ５ｍｍの成形体とした。この成形体を純酸素雰囲気中
にて１０００℃で１時間焼結した。
末（純度９９.９％以上）を相対密度が４５％となるよ
うに一軸プレスにより加圧成形し、外径１５ｍｍ及び厚
さ５ｍｍの成形体とした。この成形体を純酸素雰囲気中
にて１０００℃で１時間焼結した。
【００１９】得られた焼結体は、Ｘ線回折法によりＣｕ
Ｏのみが検出され、ＣｕＯを主成分とする焼結体である
ことが判った。しかし、酸素量の分析の結果からＣｕＯ
粒子内部は完全に酸化を終了しておらず、酸素濃度が粒
子表面で高く中心部で低くなっていることが認められ
た。又、この焼結体を切断して断面を研磨し、組織観察
を行ったところ空孔のない緻密な焼結体であり、相対密
度は９５％であった。
Ｏのみが検出され、ＣｕＯを主成分とする焼結体である
ことが判った。しかし、酸素量の分析の結果からＣｕＯ
粒子内部は完全に酸化を終了しておらず、酸素濃度が粒
子表面で高く中心部で低くなっていることが認められ
た。又、この焼結体を切断して断面を研磨し、組織観察
を行ったところ空孔のない緻密な焼結体であり、相対密
度は９５％であった。
【００２０】この焼結体を外径１０ｍｍ及び厚さ３ｍｍ
に研磨し、対向する両平面に電極を形成し、電流−電圧
特性を測定したところ図１の結果が得られた。この本発
明の非直線抵抗体は、バリスタ電圧が３００Ｖ／ｍｍ及
び非直線係数が１０であり、従来のＺｎＯ系、ＳｉＣ
系、ＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ−Ｓｂ2Ｏ3系の非直線抵抗体に比
較しても優れた特性を持つことが判った。参考のため
に、従来のＺｎＯ系、ＳｉＣ系、及びＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ
−Ｓｂ2Ｏ3系の非直線抵抗体（外径１０ｍｍ及び厚さ３
ｍｍ）の電流−電圧特性を図１に併せて示した。
に研磨し、対向する両平面に電極を形成し、電流−電圧
特性を測定したところ図１の結果が得られた。この本発
明の非直線抵抗体は、バリスタ電圧が３００Ｖ／ｍｍ及
び非直線係数が１０であり、従来のＺｎＯ系、ＳｉＣ
系、ＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ−Ｓｂ2Ｏ3系の非直線抵抗体に比
較しても優れた特性を持つことが判った。参考のため
に、従来のＺｎＯ系、ＳｉＣ系、及びＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ
−Ｓｂ2Ｏ3系の非直線抵抗体（外径１０ｍｍ及び厚さ３
ｍｍ）の電流−電圧特性を図１に併せて示した。
【００２１】又、この非直線抵抗体にバリスタ電圧を越
える２８００Ｖ、１４００Ａの過電圧、過電流を５０回
繰り返し負荷した後、電流−電圧特性を測定したところ
図１に示す通り明確な特性の劣化は認められず、本発明
の非直線抵抗体がバリスタ電圧を越える過電圧の繰り返
し負荷耐性に優れていることが判った。
える２８００Ｖ、１４００Ａの過電圧、過電流を５０回
繰り返し負荷した後、電流−電圧特性を測定したところ
図１に示す通り明確な特性の劣化は認められず、本発明
の非直線抵抗体がバリスタ電圧を越える過電圧の繰り返
し負荷耐性に優れていることが判った。
【００２２】実施例２ ３２５メッシュ通過の電解Ｎｉ粉末（純度９９.９％以
上）を用い、実施例１と同様に成形及び焼結して、Ｘ線
回折法により検出される物質がＮｉＯのみであるＮｉＯ
を主成分とする焼結体を得た。この焼結体について、実
施例１と同様にして電流−電圧特性を測定したところ、
バリスタ電圧が２５０Ｖ／ｍｍ、非直線係数が１２の優
れた特性を示した。
上）を用い、実施例１と同様に成形及び焼結して、Ｘ線
回折法により検出される物質がＮｉＯのみであるＮｉＯ
を主成分とする焼結体を得た。この焼結体について、実
施例１と同様にして電流−電圧特性を測定したところ、
バリスタ電圧が２５０Ｖ／ｍｍ、非直線係数が１２の優
れた特性を示した。
【００２３】比較例 ３２５メッシュ通過のＣｕＯ粉末を相対密度が４５％と
なるように一軸プレスにより加圧成形し、外径１５ｍｍ
及び厚さ５ｍｍの成形体とした後、この成形体を大気中
にて１０００℃で１時間焼結した。得られた焼結体はＸ
線回折法によりＣｕＯのみが検出され、又この焼結体を
切断して断面を研磨し、組織観察を行ったところ、空孔
のない緻密な焼結体であることが確認できた。
なるように一軸プレスにより加圧成形し、外径１５ｍｍ
及び厚さ５ｍｍの成形体とした後、この成形体を大気中
にて１０００℃で１時間焼結した。得られた焼結体はＸ
線回折法によりＣｕＯのみが検出され、又この焼結体を
切断して断面を研磨し、組織観察を行ったところ、空孔
のない緻密な焼結体であることが確認できた。
【００２４】しかしながら、この焼結体を実施例１と同
様に外径１０ｍｍ及び厚さ３ｍｍに研磨し、対向する両
平面に電極を形成して電流−電圧特性を測定したとこ
ろ、図１に示すように常に一定の抵抗値を示し、非直線
性は認められなかった。
様に外径１０ｍｍ及び厚さ３ｍｍに研磨し、対向する両
平面に電極を形成して電流−電圧特性を測定したとこ
ろ、図１に示すように常に一定の抵抗値を示し、非直線
性は認められなかった。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、複雑な組成を採ったり
粒界層を制御する必要がなく、簡単な製法により低コス
トで製造でき、ＺｎＯ系以外の従来の非直線抵抗体のい
ずれよりも優れた非直線性を有する非直線抵抗体を提供
することができる。しかも、この非直線抵抗体は、バリ
スタ電圧が高く、バリスタ電圧を越える過電圧の繰り返
し負荷に対する耐性に優れている。
粒界層を制御する必要がなく、簡単な製法により低コス
トで製造でき、ＺｎＯ系以外の従来の非直線抵抗体のい
ずれよりも優れた非直線性を有する非直線抵抗体を提供
することができる。しかも、この非直線抵抗体は、バリ
スタ電圧が高く、バリスタ電圧を越える過電圧の繰り返
し負荷に対する耐性に優れている。
【図１】本発明のＣｕＯ系非直線抵抗体及びそのバリス
タ電圧を越える過電圧の繰り返し負荷後の非直線抵抗体
の電流−電圧特性を、従来のＺｎＯ系、ＳｉＣ系、及び
ＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ−Ｓｂ2Ｏ3系非直線抵抗体、並びに比
較例のＣｕＯ系焼結体の電流−電圧特性と共に示したグ
ラフである。
タ電圧を越える過電圧の繰り返し負荷後の非直線抵抗体
の電流−電圧特性を、従来のＺｎＯ系、ＳｉＣ系、及び
ＮｉＯ−Ｌｉ2Ｏ−Ｓｂ2Ｏ3系非直線抵抗体、並びに比
較例のＣｕＯ系焼結体の電流−電圧特性と共に示したグ
ラフである。
Claims (6)
- 【請求項１】 ＣｕＯ及び／又はＮｉＯを主成分とする
緻密な焼結体であって、焼結体を構成する各粒子が粒子
中心部ほど酸素濃度の低いＣｕ及び／又はＮｉの酸化物
粒子からなることを特徴とする非直線抵抗体。 - 【請求項２】 Ｘ線回折法により検出される物質がＣｕ
Ｏのみ、又はＮｉＯのみ、若しくはＣｕＯとＮｉＯのみ
であることを特徴とする、請求項１に記載の非直線抵抗
体。 - 【請求項３】 バリスタ電圧を越える過電圧の繰り返し
負荷に対して非直線性の変化が実質的にないことを特徴
とする、請求項１又は２に記載の過電圧繰り返し負荷耐
性に優れた非直線抵抗体。 - 【請求項４】 高純度のＣｕ粉末及び／又はＮｉ粉末を
加圧成形した後、成形体を酸素含有雰囲気中において緻
密に焼結し、ＣｕＯ及び／又はＮｉＯを主成分とする焼
結体とすることを特徴とする非直線抵抗体の製造方法。 - 【請求項５】 Ｃｕ粉末又はＮｉ粉末として電解法によ
り得られた粉末を用いることを特徴とする、請求項４に
記載の非直線抵抗体の製造方法。 - 【請求項６】 成形体を純酸素雰囲気中で焼結すること
を特徴とする、請求項４に記載の非直線抵抗体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027303A JPH07220907A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 非直線抵抗体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6027303A JPH07220907A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 非直線抵抗体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07220907A true JPH07220907A (ja) | 1995-08-18 |
Family
ID=12217331
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6027303A Pending JPH07220907A (ja) | 1994-01-31 | 1994-01-31 | 非直線抵抗体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07220907A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148109A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | チャンネルの物性が印加電圧によって可変的なトランジスタとその製造及び動作方法 |
-
1994
- 1994-01-31 JP JP6027303A patent/JPH07220907A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006148109A (ja) * | 2004-11-16 | 2006-06-08 | Samsung Electronics Co Ltd | チャンネルの物性が印加電圧によって可変的なトランジスタとその製造及び動作方法 |
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