JPH024962A - イオンプレーティング用蒸発装置 - Google Patents

イオンプレーティング用蒸発装置

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JPH024962A
JPH024962A JP15364988A JP15364988A JPH024962A JP H024962 A JPH024962 A JP H024962A JP 15364988 A JP15364988 A JP 15364988A JP 15364988 A JP15364988 A JP 15364988A JP H024962 A JPH024962 A JP H024962A
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JP
Japan
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openings
ion plating
width direction
steel sheet
steel plate
Prior art date
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Pending
Application number
JP15364988A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Iguchi
征夫 井口
Yasuhiro Kobayashi
康宏 小林
Kazuhiro Suzuki
一弘 鈴木
Fumihito Suzuki
鈴木 文仁
Osamu Okubo
治 大久保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Steel Corp
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Kawasaki Steel Corp
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Publication date
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Publication of JPH024962A publication Critical patent/JPH024962A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明はイオンプレーティング装置、なかでもいわゆ
るH CD (Hollow Cathode Dis
charge)法にてイオンプレーティングを行なう際
、蒸着膜の均一性・密着性にとくに優れた膜形成を可能
にするためのイオンプレーティング用蒸発装置に関連し
ている。
(従来の技術) HCD法によるイオンプレーティング法はイオン化率が
きわめて高いため、通常のBB(エレクトロンビーム)
によるイオンプレーティングよりも蒸着膜質が良好で、
かつ基板との密着性にもずくれている上に、HCD法で
は反応ガス流量、真空度、バイアス電圧、基板温度、基
板の前処理などの条件が多少変動したとしても容易にし
かもスムーズな順応がみられるところにも、大きい利点
があることも含めて既知である。
すなわち、HCD法によるイオンプレーティングに関し
ては、金属表面技術35 (1) P、16〜24(1
984)、粉末および粉末冶金32(1985) p 
、55〜60に解説されている。
(発明が解決しようとする課題) HCD法はEB法に比較して低電圧、大電流の下で蒸着
を行うため、ビームの揺動や曲げ等の操作を行うのが難
しい。したがって例えば鋼板等の帯状物の板幅方向に均
一な被膜を蒸着するには、板幅方向に複数個の蒸発源を
並べて行わざるを得ない。
しかしながら複数個の蒸発源を鋼板の幅方向へ正確に並
置することは蒸発るつぼ、集束コイル等の設備上の制約
が多く、仮に蒸発源の並置が可能であっても蒸発るつぼ
と蒸発るつぼの間隔が大きいため鋼板の幅方向での均一
蒸着は至難であった。
鋼板幅方向への蒸着が不均一であると、板幅方向にわた
って熱むらや弾性歪むらが生じて鋼板の変形をまねき、
蒸着処理物の商品価値を著しく低下させることになる。
ちなみに特開昭62−1820号、同62−1821号
および同62−1821号各公報には、仕上げ焼鈍済の
一方向性珪素鋼板を鏡面研磨した表面上にイオンプレー
ティングにより窒化物(例えばTiN等)や炭化物の張
力被膜を形成させて超低鉄損の一方向性珪素鋼板板を製
造する際、鋼板表面におけるわずかなコーティングむら
等が磁気特性に悪影響を及ばずことが指摘されている。
従って上記の問題点を解消し、帯状物の幅方向へ均一に
被膜を形成するのに役立つイオンプレーティング用蒸発
装置を提供することが、この発明の目的である。
(課題を解決するための手段) この発明は、蒸発源を収納した複数のるつぼと、るつぼ
に対応するプラズマ発生用の複数の中空陰極および反応
ガス導入管とを配置した、真空槽内に帯状□物を導入し
蒸着を行うHCD法イオンプレーティング装置において
、るつぼには、その外周を取囲んで帯状物の直近にまで
のびる上下に開口を有する筒状の集束コイルをそれぞれ
設置し、各集束コイルの上部開口を帯状物の進行方向を
ほぼ直角に横切る向きへ並列にかつそれぞれ隣接させて
配置したイオンプレーティング用蒸発装置である。
さて第1図にこの発明に従う連続イオンプレーティング
処理に適した蒸発装置を模式図で示す。
なお同図(a)は蒸発源付近の側断面を、また同図(b
)は蒸発装置を上方の鋼板側がらみたときの集束コイル
とるつぼの配置を、それぞれ示す。
図中1.ビはるつぼ、2.2′は蒸発源(例えばTi)
 、3. 3’はこの例で90°に曲げた屈曲型のHC
Dガン、4.4′は集束コイルで、蒸発源2,2′から
の蒸気流は集束コイル4.4′の内側を案内されながら
鋼板表面上に付着される。
さらに5は鋼板、6,6′はN2ガス等の反応ガス導入
管である。
集束コイル4.4′は上下が開口した筒体で、その底部
の開口4a、4’ a内にるつぼ1.ビを配置し、一方
上部の開口4b、4’ bは鋼板5の板幅方向に隣接し
て並ぶ配置で綱板5の表面に面するよう、上方の開口径
を下方の開口径に比べ大きく、また上下開口間の胴部を
傾けた構成になる。
すなわち図示例では、同図(b)に示すように、鋼板5
の近傍において、集束コイル上方の開口4b、4’ b
は図中矢印で示す鋼板5の進行方向をほぼ直角に横切る
向きに並列に配置し、一方それぞれの集束コイル下方の
開口4a、4’ aは開口4b、4’bの位置から変位
させて、例えば図において上部の開口4b又は4’bを
基準として、開口4aは左側へ開口4’aは右側へ変位
させ、それぞれの集束コイル下方の開口4a又は4′a
内にるつぼ1又は1′を配置してなる。ここに図示例に
おける集束コイルは胴部を曲げた円筒であり、したがっ
て開口4b、4’ bは円形を示すが、これら開口4b
、4’ bの並置は鋼板5の進行方向を直角に横切る一
直線上にそれぞれの開口4b4’bが示す円の中心があ
りかつ両者が接触していることが望ましい。
同図から明らかなように、別々のるつぼ1又は1′から
蒸発した蒸気流は開口4a→4b又は4′a→4’bの
ごとく集束コイル4又は4′内を経由して鋼板表面に至
り、鋼板表面上で板幅方向にわたる同時蒸着が可能とな
る。かくして鋼板に被成した蒸着被膜によって付加され
る弾性張力は、板幅方向にわたって均一となるわけであ
る。
(作 用) この発明に従う装置は、集束コイルの下方の開口と上方
の開口との位置をずらすことによって、蒸気の移動経路
を曲げて蒸気流を所望の領域へと導くことが特徴である
すなわち蒸発源の位置が、例えば第2図に示すように、
鋼板5の進行方向に対して相前後していても、集束コイ
ル内でプラズマ蒸気流を閉じ込めて蒸着目標へ蒸気流を
誘導することが可能となる。
したがって鋼板近傍においては、蒸発源の位置とは無関
係に板幅方向へわたる同時蒸着が達成され、板幅方向に
おける弾性歪むら等による鋼板の変形は皆無となる。
なお上記した蒸気流の誘導は、HCD法によって得られ
るイオン化率の高いプラズマ蒸気流にて初めて可能にな
る。
(実施例) 実崖±1 C: 0.046讐t%(以下単に%と示す) 、Si
 :3.39%、Mn : 0.067%、Mo : 
0.013%、Se : 0.019%、Sb : 0
.026%を含有し残部は事実上Feの組成になる珪素
鋼スラブを熱延して2.2mm厚とした後、950°C
で3分間の中間焼鈍をはさんで2回の冷間圧延を施して
0.20mm厚の最終冷延板とした。
その後820 ’Cの湿水素中で脱炭・1次再結晶焼鈍
をほどこした後、鋼板表面上にMgO(35%)とA 
l 20a (5Q%)およびTiO□(5%)を主成
分とする焼鈍分離剤をスラリー塗布した後850°Cで
50時間の2次再結晶焼鈍後、1200°Cで乾水素中
で10時間純化処理を行った。
その後鋼板表面上の酸化物を酸洗処理により除去した後
、電解研磨により中心線平均粗さRa −0,06μm
の鏡面状層上した。
その後第1図に示したこの発明に従うイオンプレーティ
ング装置(適合例)を用いてライン速度10m/min
で、T’tN膜を1.0 a m厚にて形成させた。
このときのプラズマ発生条件は加速電圧78V、電流1
000A、集束コイルの励起条件は5V、400Aおよ
び真空度は6’ X 10− ’ torr、とした。
また比較のため、第2図にて示した、従来のイオンブー
ティング装置(ライン速度: 10m/min、プラズ
マ発生条件;75■、1500A、真空度−B×10−
 ’ torr)にて蒸着処理を行った場合(従来例)
についても8周査した。
かくして得られた各製品の磁気特性、密着性および変形
の有無を表1にまとめて示す。
表1 *180°曲げを行っても被膜がはく離しない直径実】
l粗オ C:  0.041%、Si : 0.17  %、M
n : 1.1  %、Cr: 18.2%、Mo :
 1.1%を含有するステンレス鋼の熱延板を0.3m
m厚に冷間圧延した後、800″Cでの焼鈍処理を施し
、その後第1図に示したこの発明に従う連続イオンプレ
ーティング装置(ライン速度: 15m/min 、加
速電圧75V、電流1000A、真空度7.5 Xl0
−’torr)を用いてTi (CN)を0.8 p 
m厚で被成した。
得られた鋼板に変形は全くなく、また密着性は20mm
φでの180°の2回曲げを行ってもはく離がなく、良
好な結果を示した。
(発明の効果) この発明によれば、均一で密着性にすぐれた被膜を帯状
物の幅方向へ同時に形成することができ、イオンプレー
ティングの適用範囲をさらに広げることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明に従うイオンプレーティング用蒸発装
置を示す模式図、 第2図は従来の蒸発源の配置を示す模式図である。 1.1′・・・るつぼ   2,2′・・・蒸発源33
′・・・HCDガン 4.4′・・・集束コイル4a、
4’ a、4b、4’ b・・・開口5・・・鋼板 6.6′・・・反応ガス導入管 第1図 (a) 鋲級 「−納仁一ユ5

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、蒸発源を収納した複数のるつぼと、るつぼに対応す
    るプラズマ発生用の複数の中空陰極および反応ガス導入
    管とを配置した、真空槽内に帯状物を導入し蒸着を行う
    HCD法イオンプレーティング装置において、 るつぼには、その外周を取囲んで帯状物の直近にまでの
    びる上下に開口を有する筒状の集束コイルをそれぞれ設
    置し、 各集束コイルの上部開口を帯状物の進行方向をほぼ直角
    に横切る向きへ並列にかつそれぞれ隣接させて配置した
    ことを特徴とするイオンプレーティング用蒸発装置。
JP15364988A 1988-06-23 1988-06-23 イオンプレーティング用蒸発装置 Pending JPH024962A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998017838A1 (fr) * 1996-10-23 1998-04-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Materiau recouvert et son procede de fabrication

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998017838A1 (fr) * 1996-10-23 1998-04-30 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Materiau recouvert et son procede de fabrication
US6214479B1 (en) 1996-10-23 2001-04-10 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Covered member and method of producing the same

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