JPH025009B2 - - Google Patents
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- JPH025009B2 JPH025009B2 JP59024805A JP2480584A JPH025009B2 JP H025009 B2 JPH025009 B2 JP H025009B2 JP 59024805 A JP59024805 A JP 59024805A JP 2480584 A JP2480584 A JP 2480584A JP H025009 B2 JPH025009 B2 JP H025009B2
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- Electrolytic Production Of Metals (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明は電解コンデンサの、特に中高圧用
（100W.V.以上）の陽極用アルミニウム箔のエツ
チング方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来のこの種のアルミ電解コンデンサにおいて
は、その静電容量を高めるか、あるいは小形化、
価格の低減、その他諸特性の向上のためにアルミ
ニウム電極箔にはエツチング処理を行つて表面積
を拡大したものを使用している。 従来よりアルミ電解コンデンサ用電極箔の表面
積を拡大するために種々の方法が考察され実施さ
れており、最も一般的な方法としてはアルミニウ
ムを塩酸、食塩などの塩化水溶液中で陽極的に電
解エツチングする方法がとられている。 ところでアルミ電解コンデンサの内、特に中高
圧用エツチング箔としての製造条件は、エツチン
グ後の化成処理により非常に厚い陽極酸化皮膜が
形成されることで、アルミニウム箔面の非常に微
細なエツチングピツト（エツチングにより発生し
たアルミニウム表面および内部の凹凸）が埋めら
れてしまい、エツチング倍率に寄与できなくなる
ことの無いように設定されている。即ち、中高圧
用電極箔の理想的なエツチングピツトの形状は、
エツチングピツト径が1.3μｍ（化成電圧600Vま
で使用する場合）でエツチングピツトがトンネル
ピツト（アルミニウム箔表面から裏面さでエツチ
ングピツトが貫通した状態をさす）であることが
一般に理想と考えられている。 本発明者らも理想的なエツチングピツト状態を
目指し種々検討した結果、第１段エツチングとし
て塩酸水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸等の皮
膜形成性物質を添加し、直流電流にてエツチング
を行つた後、第２段エツチングとしてアルミニウ
ムよりイオン化傾向の大きい金属の塩化物である
塩化ナトリウム、もしくは塩化カリウム・塩化ア
ンモニウム等の水溶液で直流電流エツチングを行
い、この中間で熱処理あるいは化学処理により箔
表面に酸化皮膜を形成させる工程を２〜６回設け
るような工程を経て電極箔を製造していた。 しかし従来のエツチング方法では、エツチング
の進行とともに表面溶解が多く進行したり、また
エツチングピツト径が化成電圧に対し小さすぎて
充分な表面拡大倍率（以下倍率と呼ぶ）が得られ
なかつたり、もしくは倍率は拡大してもエツチン
グピツト形状が制御されずに箔内部において深さ
方向以外にエツチングピツトが枝分かれ的に進行
しすぎて、電極箔強度を著しく減少させる等の点
が問題点となつており、電極箔倍率を向上させる
ことによりアルミ電解コンデンサの小形化実現の
上で大きな障害となつていた。 ここで従来のエツチング方法の例を更に詳細に
具体的に説明していくと次のようになる。 即ち、従来第１段を塩酸溶液中で直流電流エツ
チング、第２段を同じく塩酸溶液中で直流電流エ
ツチングした場合（第１図、第２図の例−１参
照）もしくは第２段を塩酸液中で化学エツチング
した場合（第１図、第２図の例−３参照）には、
利点として電極箔のエツチングピツトのトンネル
化及び電極箔の機械的強度は優れているが、欠点
として溶解減量を増加させても容量が初期の段階
で飽和してしまい高倍率が得られないという問題
があつた。これは塩酸をエツチング液として用い
た場合、電極箔表面への皮膜形成性物質を添加し
たもエツチングによるアルミニウムの溶解減量が
増加するに従つてアルミ表面の活性化が進み、エ
ツチングが表面溶解的に進行し、箔表面上のエツ
チングピツトが破壊されるのと、トンネル方向以
外の横方向への枝分かれピツトがほとんど発生し
ないためである。 次に従来第１段を塩酸溶液中で直流電流エツチ
ング、第２段をアルミニウムよりイオン化傾向の
大きい金属の塩化物、もしくは塩化アンモニウム
からなる中性エツチング液中で直流電流エツチン
グした場合（第１図、第２図の例−２）には、利
点として高倍率が得られるが、欠点としてアルミ
ニウムの溶解減量の増加とともに箔の機械的強度
が急激に減少するため、溶解減量は８mg／cm2が限
度であり、それ以上の倍率向上は制限されてい
た。これは中性エツチング液中に形成される箔表
面の酸化皮膜が厚く、従つて表面の水和皮膜か比
較的に箔表面上に広い範囲に亘つて表面活性度の
不均一性を生じ、そこに形成されるエツチングピ
ツトは既成のエツチングピツトのトンネル方向へ
の成長と同時に、表面活性度の不均一性より生じ
る活性点より新たなエツチングピツトを発生させ
ることにより、これが箔のトンネル（深さ）方向
とは垂直な横方向への枝分かれ状エツチングピツ
トとして発展し過度の成長しすぎて互いにエツチ
ングピツトどうしが連結し合い、電極箔の機械的
強度を維持することができなくなるためである。
また中性エツチング液では表面活性度の不均一性
が、比較的広い範囲で起きやすいことから、塩酸
エツチング液の場合と比較すると、エツチングピ
ツト内部のピツト径調整のための全面溶解の機能
が低く、溶解がエツチングピツトの先端に集中し
やすいために、エツチングピツト径が細くなり、
後に陽極酸化皮膜を形成した際、倍率に寄与しな
いエツチングピツトが多く発生し、倍率向上を阻
害する要因として問題となつていた。 発明の目的 本発明はこのような従来の問題点を解決するも
ので、エツチング時の表面溶解を抑制しつつ、エ
ツチングピツトを箔に対して垂直な深さ方向と、
これに垂直な横方向とに制御された状態で成長さ
せ、使用電圧に応じたエツチングピツト形状に調
整することで、電極箔の高倍率化、高強度化を図
り、アルミ電解コンデンサの小形化に要求される
相反する上記の特性を同時に満足させることを目
的とする。 発明の構成 この目的を達成するため本発明は、塩酸水溶液
もしくはその水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸
またはそれらの塩のうち少なくとも一つの皮膜形
成性物質を添加したエツチング液中で直流電流を
通電してエツチングを行う第１段エツチング工程
と、アルミニウムよりイオン化傾向の大きい金属
の塩化物、もしくは塩化アンモニウムからなるエ
ツチング液中で直流電流を通電してエツチングを
行う第２段エツチング工程とを有し、更に第３段
エツチングとして塩酸水溶液、もしくはその水溶
液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸またはそれらの塩
のうち少なくとも一つの皮膜形成勢物質を添加し
た溶液、あるいは硝酸水溶液をエツチング液とし
て使用して化学エツチングを行うことにより効果
的なエツチングを行うことを発明した。ここでは
特に従来第２段エツチングが、塩酸エツチング液
による直流電流エツチング単独、もしくは塩酸エ
ツチング液による化学エツチング単独、あるいは
中性エツチング液による直流電流エツチング単独
であつたものを更に中性エツチング液による直流
電流エツチングと塩酸エツチング液による化学エ
ツチングとで組み合わせて行い、各エツチング法
の利点を取り入れながらエツチング機能を分離さ
せて効果を高めるようにした。 実施例の説明 以下本発明の実施例、特に基本的な方法につい
て説明する。 先づ第２段として、中性エツチング液による直
流電流エツチングで倍率を向上させるためのエツ
チングピツト形状の構造の基礎（エツチングピツ
トの深さ方向へのトンネル化及びこれと垂直方向
への枝分かれピツトの数と長さ）を効果的に形成
し、更にこれに引き続き新たに第３段として塩酸
エツチング液による化学エツチングで、箔の機械
強度をあまり減少させることなしに従来より溶解
減量を増加させて、化成電圧に応じたエツチング
ピツトのピツト径拡大による容量の向上とトンネ
ルピツトのトンネル化の向上とを効果的に行える
ことを発見した。 ここでこのエツチング機能を充分効果的に果た
す目的のためのエツチングの全体の構成を更に詳
細に記すと、以下に示すような３段階より成るエ
ツチング方法となる。 即ち第１段では、酸化性の添加剤を含む高温の
塩酸中にて、孔食電位以上の高電流密度で電流を
印加する条件下、酸化性の添加剤によつて箔表面
上に形成された多孔質酸化皮膜の凹凸を利用する
ことにより、エツチングピツトの発生起点を高密
度にしかも均一に発生させ、引き続き同一の水溶
液中で孔食電位以下の低電流密度で電流を印加す
る条件下、酸化性の添加剤によつて箔表面上に形
成された酸化皮膜を防食膜として、エツチングピ
ツト発生起点を箔表面上との表面状態の不均一化
を進め、表面溶解速度より孔の溶解速度の方が速
く支配的な条件下でエツチングピツトを深さ方向
に進行させ、エツチングピツトのトンネル化を図
る。 第２段では、塩化物イオンを含む中性塩の高温
水溶液中にて低電流密度で電流を印加する条件
下、溶液によつて箔表面上に形成された酸化皮膜
を防食膜として、エツチングピツト内部と箔表面
との表面の活性度の不均一化を進め、表面溶解速
度より孔の溶解速度の方が速く支配的なエツチン
グ条件下において、エツチングピツトの深さ方向
へのトンネル化及び深さ方向に対して垂直方向へ
の腐食を進行させる。ここでは塩酸溶液を用いる
場合よりも、より表面の腐食を抑制しやすい状況
を作り出して、表面溶解を防止しながらエツチン
グピツトの深さ方向のみならず、深さ方向と垂直
な方向にも新たな若干発生、成長させ、同時に総
べての形成されてエツチングピツト径を拡大する
機能を果たす。 第３段では、酸化性の添加剤を含む高温の塩酸
中に浸漬処理する条件下、酸化性の添加剤によつ
て箔表面上に形成された酸化皮膜を防食膜とし
て、エツチングピツト内壁面と箔表面上との表面
状態の不均一化を進め、表面溶解よりエツチング
ピツト内部の溶解速度の方を早く支配的にして、
エツチングをエツチングピツトの径方向に進行さ
せる。 ここでは塩化物溶液中での電気エツチングの場
合よりも、よりトンネルピツト内壁のエツチング
を促進かつ均一に進行させることができ、またエ
ツチングピツト径拡大方向以外への新たなエツチ
ングピツトの発生及び成長を抑制していくこと
で、目的の使用電圧に応じたエツチングピツト径
の拡大と調整を総べての発生エツチングピツトに
対して可能する。またこれにより化成後のエツチ
ングトンネルピツトの貫通性を保持することが可
能となり、高容量と低いtanδを得ることができ
る。 なお従来のエツチング法（例２）と本発明によ
るエツチング法（例４）とで形成されるエツチン
グピツト形状の差を比較したものが第４図（エツ
チング法によるエツチングピツト径とピツト数と
の関係）であり、本発明のエツチング法によりエ
ツチングピツト径が拡大していることが分かる。 以下本発明に基づく具体的は実施例示す。 実施例 １ 純度99.99％、厚さ100μｍのアルミ焼鈍箔を試
料とし、第１段エツチングを５％塩酸に0.03％蓚
酸を添加した液温80℃の水溶液で、電流密度150
ｍＡ／cm2の直流を80秒印加して行つた後、同一水
溶液中で電流密度40ｍＡ／cm2の直流を10分間印加
して行つたエツチング箔について、硼酸溶液中で
370V化成した後、エツチング減量、静電容量、
強度について測定した結果を表−１に示す。
（100W.V.以上）の陽極用アルミニウム箔のエツ
チング方法に関するものである。 従来例の構成とその問題点 従来のこの種のアルミ電解コンデンサにおいて
は、その静電容量を高めるか、あるいは小形化、
価格の低減、その他諸特性の向上のためにアルミ
ニウム電極箔にはエツチング処理を行つて表面積
を拡大したものを使用している。 従来よりアルミ電解コンデンサ用電極箔の表面
積を拡大するために種々の方法が考察され実施さ
れており、最も一般的な方法としてはアルミニウ
ムを塩酸、食塩などの塩化水溶液中で陽極的に電
解エツチングする方法がとられている。 ところでアルミ電解コンデンサの内、特に中高
圧用エツチング箔としての製造条件は、エツチン
グ後の化成処理により非常に厚い陽極酸化皮膜が
形成されることで、アルミニウム箔面の非常に微
細なエツチングピツト（エツチングにより発生し
たアルミニウム表面および内部の凹凸）が埋めら
れてしまい、エツチング倍率に寄与できなくなる
ことの無いように設定されている。即ち、中高圧
用電極箔の理想的なエツチングピツトの形状は、
エツチングピツト径が1.3μｍ（化成電圧600Vま
で使用する場合）でエツチングピツトがトンネル
ピツト（アルミニウム箔表面から裏面さでエツチ
ングピツトが貫通した状態をさす）であることが
一般に理想と考えられている。 本発明者らも理想的なエツチングピツト状態を
目指し種々検討した結果、第１段エツチングとし
て塩酸水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸等の皮
膜形成性物質を添加し、直流電流にてエツチング
を行つた後、第２段エツチングとしてアルミニウ
ムよりイオン化傾向の大きい金属の塩化物である
塩化ナトリウム、もしくは塩化カリウム・塩化ア
ンモニウム等の水溶液で直流電流エツチングを行
い、この中間で熱処理あるいは化学処理により箔
表面に酸化皮膜を形成させる工程を２〜６回設け
るような工程を経て電極箔を製造していた。 しかし従来のエツチング方法では、エツチング
の進行とともに表面溶解が多く進行したり、また
エツチングピツト径が化成電圧に対し小さすぎて
充分な表面拡大倍率（以下倍率と呼ぶ）が得られ
なかつたり、もしくは倍率は拡大してもエツチン
グピツト形状が制御されずに箔内部において深さ
方向以外にエツチングピツトが枝分かれ的に進行
しすぎて、電極箔強度を著しく減少させる等の点
が問題点となつており、電極箔倍率を向上させる
ことによりアルミ電解コンデンサの小形化実現の
上で大きな障害となつていた。 ここで従来のエツチング方法の例を更に詳細に
具体的に説明していくと次のようになる。 即ち、従来第１段を塩酸溶液中で直流電流エツ
チング、第２段を同じく塩酸溶液中で直流電流エ
ツチングした場合（第１図、第２図の例−１参
照）もしくは第２段を塩酸液中で化学エツチング
した場合（第１図、第２図の例−３参照）には、
利点として電極箔のエツチングピツトのトンネル
化及び電極箔の機械的強度は優れているが、欠点
として溶解減量を増加させても容量が初期の段階
で飽和してしまい高倍率が得られないという問題
があつた。これは塩酸をエツチング液として用い
た場合、電極箔表面への皮膜形成性物質を添加し
たもエツチングによるアルミニウムの溶解減量が
増加するに従つてアルミ表面の活性化が進み、エ
ツチングが表面溶解的に進行し、箔表面上のエツ
チングピツトが破壊されるのと、トンネル方向以
外の横方向への枝分かれピツトがほとんど発生し
ないためである。 次に従来第１段を塩酸溶液中で直流電流エツチ
ング、第２段をアルミニウムよりイオン化傾向の
大きい金属の塩化物、もしくは塩化アンモニウム
からなる中性エツチング液中で直流電流エツチン
グした場合（第１図、第２図の例−２）には、利
点として高倍率が得られるが、欠点としてアルミ
ニウムの溶解減量の増加とともに箔の機械的強度
が急激に減少するため、溶解減量は８mg／cm2が限
度であり、それ以上の倍率向上は制限されてい
た。これは中性エツチング液中に形成される箔表
面の酸化皮膜が厚く、従つて表面の水和皮膜か比
較的に箔表面上に広い範囲に亘つて表面活性度の
不均一性を生じ、そこに形成されるエツチングピ
ツトは既成のエツチングピツトのトンネル方向へ
の成長と同時に、表面活性度の不均一性より生じ
る活性点より新たなエツチングピツトを発生させ
ることにより、これが箔のトンネル（深さ）方向
とは垂直な横方向への枝分かれ状エツチングピツ
トとして発展し過度の成長しすぎて互いにエツチ
ングピツトどうしが連結し合い、電極箔の機械的
強度を維持することができなくなるためである。
また中性エツチング液では表面活性度の不均一性
が、比較的広い範囲で起きやすいことから、塩酸
エツチング液の場合と比較すると、エツチングピ
ツト内部のピツト径調整のための全面溶解の機能
が低く、溶解がエツチングピツトの先端に集中し
やすいために、エツチングピツト径が細くなり、
後に陽極酸化皮膜を形成した際、倍率に寄与しな
いエツチングピツトが多く発生し、倍率向上を阻
害する要因として問題となつていた。 発明の目的 本発明はこのような従来の問題点を解決するも
ので、エツチング時の表面溶解を抑制しつつ、エ
ツチングピツトを箔に対して垂直な深さ方向と、
これに垂直な横方向とに制御された状態で成長さ
せ、使用電圧に応じたエツチングピツト形状に調
整することで、電極箔の高倍率化、高強度化を図
り、アルミ電解コンデンサの小形化に要求される
相反する上記の特性を同時に満足させることを目
的とする。 発明の構成 この目的を達成するため本発明は、塩酸水溶液
もしくはその水溶液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸
またはそれらの塩のうち少なくとも一つの皮膜形
成性物質を添加したエツチング液中で直流電流を
通電してエツチングを行う第１段エツチング工程
と、アルミニウムよりイオン化傾向の大きい金属
の塩化物、もしくは塩化アンモニウムからなるエ
ツチング液中で直流電流を通電してエツチングを
行う第２段エツチング工程とを有し、更に第３段
エツチングとして塩酸水溶液、もしくはその水溶
液に蓚酸、硫酸、リン酸、硼酸またはそれらの塩
のうち少なくとも一つの皮膜形成勢物質を添加し
た溶液、あるいは硝酸水溶液をエツチング液とし
て使用して化学エツチングを行うことにより効果
的なエツチングを行うことを発明した。ここでは
特に従来第２段エツチングが、塩酸エツチング液
による直流電流エツチング単独、もしくは塩酸エ
ツチング液による化学エツチング単独、あるいは
中性エツチング液による直流電流エツチング単独
であつたものを更に中性エツチング液による直流
電流エツチングと塩酸エツチング液による化学エ
ツチングとで組み合わせて行い、各エツチング法
の利点を取り入れながらエツチング機能を分離さ
せて効果を高めるようにした。 実施例の説明 以下本発明の実施例、特に基本的な方法につい
て説明する。 先づ第２段として、中性エツチング液による直
流電流エツチングで倍率を向上させるためのエツ
チングピツト形状の構造の基礎（エツチングピツ
トの深さ方向へのトンネル化及びこれと垂直方向
への枝分かれピツトの数と長さ）を効果的に形成
し、更にこれに引き続き新たに第３段として塩酸
エツチング液による化学エツチングで、箔の機械
強度をあまり減少させることなしに従来より溶解
減量を増加させて、化成電圧に応じたエツチング
ピツトのピツト径拡大による容量の向上とトンネ
ルピツトのトンネル化の向上とを効果的に行える
ことを発見した。 ここでこのエツチング機能を充分効果的に果た
す目的のためのエツチングの全体の構成を更に詳
細に記すと、以下に示すような３段階より成るエ
ツチング方法となる。 即ち第１段では、酸化性の添加剤を含む高温の
塩酸中にて、孔食電位以上の高電流密度で電流を
印加する条件下、酸化性の添加剤によつて箔表面
上に形成された多孔質酸化皮膜の凹凸を利用する
ことにより、エツチングピツトの発生起点を高密
度にしかも均一に発生させ、引き続き同一の水溶
液中で孔食電位以下の低電流密度で電流を印加す
る条件下、酸化性の添加剤によつて箔表面上に形
成された酸化皮膜を防食膜として、エツチングピ
ツト発生起点を箔表面上との表面状態の不均一化
を進め、表面溶解速度より孔の溶解速度の方が速
く支配的な条件下でエツチングピツトを深さ方向
に進行させ、エツチングピツトのトンネル化を図
る。 第２段では、塩化物イオンを含む中性塩の高温
水溶液中にて低電流密度で電流を印加する条件
下、溶液によつて箔表面上に形成された酸化皮膜
を防食膜として、エツチングピツト内部と箔表面
との表面の活性度の不均一化を進め、表面溶解速
度より孔の溶解速度の方が速く支配的なエツチン
グ条件下において、エツチングピツトの深さ方向
へのトンネル化及び深さ方向に対して垂直方向へ
の腐食を進行させる。ここでは塩酸溶液を用いる
場合よりも、より表面の腐食を抑制しやすい状況
を作り出して、表面溶解を防止しながらエツチン
グピツトの深さ方向のみならず、深さ方向と垂直
な方向にも新たな若干発生、成長させ、同時に総
べての形成されてエツチングピツト径を拡大する
機能を果たす。 第３段では、酸化性の添加剤を含む高温の塩酸
中に浸漬処理する条件下、酸化性の添加剤によつ
て箔表面上に形成された酸化皮膜を防食膜とし
て、エツチングピツト内壁面と箔表面上との表面
状態の不均一化を進め、表面溶解よりエツチング
ピツト内部の溶解速度の方を早く支配的にして、
エツチングをエツチングピツトの径方向に進行さ
せる。 ここでは塩化物溶液中での電気エツチングの場
合よりも、よりトンネルピツト内壁のエツチング
を促進かつ均一に進行させることができ、またエ
ツチングピツト径拡大方向以外への新たなエツチ
ングピツトの発生及び成長を抑制していくこと
で、目的の使用電圧に応じたエツチングピツト径
の拡大と調整を総べての発生エツチングピツトに
対して可能する。またこれにより化成後のエツチ
ングトンネルピツトの貫通性を保持することが可
能となり、高容量と低いtanδを得ることができ
る。 なお従来のエツチング法（例２）と本発明によ
るエツチング法（例４）とで形成されるエツチン
グピツト形状の差を比較したものが第４図（エツ
チング法によるエツチングピツト径とピツト数と
の関係）であり、本発明のエツチング法によりエ
ツチングピツト径が拡大していることが分かる。 以下本発明に基づく具体的は実施例示す。 実施例 １ 純度99.99％、厚さ100μｍのアルミ焼鈍箔を試
料とし、第１段エツチングを５％塩酸に0.03％蓚
酸を添加した液温80℃の水溶液で、電流密度150
ｍＡ／cm2の直流を80秒印加して行つた後、同一水
溶液中で電流密度40ｍＡ／cm2の直流を10分間印加
して行つたエツチング箔について、硼酸溶液中で
370V化成した後、エツチング減量、静電容量、
強度について測定した結果を表−１に示す。
【表】
なお箔強度は折曲げ強度によるもので、1.0R、
200ｇ荷重、折曲げ角90゜により１往復で１回とし
た。 実施例 ２ 実施例１と同一の試料を用い、第１段エツチン
グを５％HClに0.03％蓚酸を添加した液温80℃の
水溶液で、電流密度150ｍＡ／cm2の直流を80秒印
加して行なつた後、第２段エツチングを２％塩化
アンモニウム液温90℃の水溶液で電流密度80ｍ
Ａ／cm2の直流を４分間印加して行つたエツチング
箔について、硼酸溶液中で370V化成した後エツ
チング溶解減量、静電容量、強度について測定し
た結果を表−２に示す。
200ｇ荷重、折曲げ角90゜により１往復で１回とし
た。 実施例 ２ 実施例１と同一の試料を用い、第１段エツチン
グを５％HClに0.03％蓚酸を添加した液温80℃の
水溶液で、電流密度150ｍＡ／cm2の直流を80秒印
加して行なつた後、第２段エツチングを２％塩化
アンモニウム液温90℃の水溶液で電流密度80ｍ
Ａ／cm2の直流を４分間印加して行つたエツチング
箔について、硼酸溶液中で370V化成した後エツ
チング溶解減量、静電容量、強度について測定し
た結果を表−２に示す。
【表】
実施例 ３
実施例１と同一の試料を用い、第１段エツチン
グを５％塩酸に0.03％蓚酸を添加した液温80℃の
水溶液で、電流密度150ｍＡ／cm2の直流を80秒印
加して行なつた後、第２段エツチングを５％塩酸
に0.03％蓚酸を添加した液温90℃の水溶液で６分
間浸漬処理して化学溶解したエツチング箔につい
て、硼酸溶液中で370V化成した後、エツチング
溶解減量、静電容量、強度について測定した結果
を表−３に示す。
グを５％塩酸に0.03％蓚酸を添加した液温80℃の
水溶液で、電流密度150ｍＡ／cm2の直流を80秒印
加して行なつた後、第２段エツチングを５％塩酸
に0.03％蓚酸を添加した液温90℃の水溶液で６分
間浸漬処理して化学溶解したエツチング箔につい
て、硼酸溶液中で370V化成した後、エツチング
溶解減量、静電容量、強度について測定した結果
を表−３に示す。
【表】
実施例 ４
実施例１と同一の試料を用い、第１段エツチン
グを５％塩酸に0.03蓚酸を添加した液温80℃の水
溶液で、電流密度150ｍＡ／cm2の直流を70秒印加
して行つた後、第２段エツチングを２％塩化アン
モニウム液温90℃の水溶液で電流密度80ｍＡ／cm2
の直流を３分30秒印加して行つた後、第３段エツ
チングを５％塩酸に0.03％蓚酸を添加した液温90
℃の水溶液中で化学エツチングして（化学エツチ
ング温度・減量と容量との関係は第３図参照）
370V化成した後、エツチング溶解減量、静電容
量、強度について測定した結果を表−４に示す。
グを５％塩酸に0.03蓚酸を添加した液温80℃の水
溶液で、電流密度150ｍＡ／cm2の直流を70秒印加
して行つた後、第２段エツチングを２％塩化アン
モニウム液温90℃の水溶液で電流密度80ｍＡ／cm2
の直流を３分30秒印加して行つた後、第３段エツ
チングを５％塩酸に0.03％蓚酸を添加した液温90
℃の水溶液中で化学エツチングして（化学エツチ
ング温度・減量と容量との関係は第３図参照）
370V化成した後、エツチング溶解減量、静電容
量、強度について測定した結果を表−４に示す。
【表】
表−４に示されるように本発明のエツチング方
法を用いれば、このように溶解減量を増加させて
も容量は飽和することなく比例して増加させるこ
とができ、しかも同時に強度を維持することが可
能となつた。（第１図、第２図の例４参照） 発明の効果 以上のように本発明のアルミ電解コンデンサ用
電極箔の方法でエツチングを行う場合と比較し、
８〜25％静電容量値を高くすることができてアル
ミ電解コンデンサ小形化が可能となり、同時にコ
ンデンサの製品とした場合のtanδを従来比20％下
げることができる。しかも生産に必要とされる付
帯設備コスト及びエツチング法の省電力化により
ランニングコストの低減も図ることができる。
法を用いれば、このように溶解減量を増加させて
も容量は飽和することなく比例して増加させるこ
とができ、しかも同時に強度を維持することが可
能となつた。（第１図、第２図の例４参照） 発明の効果 以上のように本発明のアルミ電解コンデンサ用
電極箔の方法でエツチングを行う場合と比較し、
８〜25％静電容量値を高くすることができてアル
ミ電解コンデンサ小形化が可能となり、同時にコ
ンデンサの製品とした場合のtanδを従来比20％下
げることができる。しかも生産に必要とされる付
帯設備コスト及びエツチング法の省電力化により
ランニングコストの低減も図ることができる。
第１図は実施例１〜４に掲げた各エツチング法
による溶解減量と静電容量との関係を示す特性
図、第２図は同じく実施例１〜４で掲げた各エツ
チング法による溶解減量とエツチング箔強度比と
の関係を示す特性図、第３図は本発明による化学
エツチング温度・減量と静電容量との関係を示す
特性との関係を示す特性図、第４図は従来法（実
施例２）と本発明によるエツチング法（実施例
４）のエツチング法によるエツチングピツト径と
ピツト数との関係を示す特性図である。
による溶解減量と静電容量との関係を示す特性
図、第２図は同じく実施例１〜４で掲げた各エツ
チング法による溶解減量とエツチング箔強度比と
の関係を示す特性図、第３図は本発明による化学
エツチング温度・減量と静電容量との関係を示す
特性との関係を示す特性図、第４図は従来法（実
施例２）と本発明によるエツチング法（実施例
４）のエツチング法によるエツチングピツト径と
ピツト数との関係を示す特性図である。
Claims (1)
- １ 塩酸水溶液、もしくはその水溶液に蓚酸、硫
酸、リン酸、硼酸またはそれらの塩のうち少なく
とも一つの皮膜形成性物質を添加したエツチング
液中で直流電流を通電してエツチングを行う第１
段エツチング工程と、アルミニウムよりイオン化
傾向の大きい金属の塩化物、もしくは塩化アンモ
ニウムからなるエツチング液中で直流電流を通電
してエツチングを行う第２段エツチング工程とを
有し、更に第３段エツチングとして塩酸水溶液、
もしくはその水溶液に蓚酸、硫残、リン酸、硼酸
またはそれらの塩のうち少なくとも一つの皮膜形
成性物質を添加した溶液、あるいは硝酸水溶液を
エツチング液として使用して化学エツチングを行
うことを特徴とするアルミ電解コンデンサ用電極
箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024805A JPS60169130A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59024805A JPS60169130A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60169130A JPS60169130A (ja) | 1985-09-02 |
| JPH025009B2 true JPH025009B2 (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=12148404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59024805A Granted JPS60169130A (ja) | 1984-02-13 | 1984-02-13 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60169130A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4556461B2 (ja) * | 2004-03-22 | 2010-10-06 | パナソニック株式会社 | アルミ電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 |
| JP5170163B2 (ja) * | 2010-06-07 | 2013-03-27 | パナソニック株式会社 | アルミ電解コンデンサ用エッチング箔の製造方法 |
-
1984
- 1984-02-13 JP JP59024805A patent/JPS60169130A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60169130A (ja) | 1985-09-02 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |