JPH025013B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH025013B2
JPH025013B2 JP59155981A JP15598184A JPH025013B2 JP H025013 B2 JPH025013 B2 JP H025013B2 JP 59155981 A JP59155981 A JP 59155981A JP 15598184 A JP15598184 A JP 15598184A JP H025013 B2 JPH025013 B2 JP H025013B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
needle
bonding
adhesive sheet
elastic pressing
pellet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP59155981A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6063940A (ja
Inventor
Takami Terajima
Shigeo Sawada
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sanken Electric Co Ltd filed Critical Sanken Electric Co Ltd
Priority to JP59155981A priority Critical patent/JPS6063940A/ja
Publication of JPS6063940A publication Critical patent/JPS6063940A/ja
Publication of JPH025013B2 publication Critical patent/JPH025013B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7402—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7412—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support
    • H10P72/7414—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the separation of a device or wafer from the auxiliary support the auxiliary support including means facilitating the selective separation of some of a plurality of devices from the auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7416—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7428—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to support diced chips prior to mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
    • H10P72/74—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H10P72/7432—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07302—Connecting or disconnecting of die-attach connectors using an auxiliary member
    • H10W72/07304—Connecting or disconnecting of die-attach connectors using an auxiliary member the auxiliary member being temporary, e.g. a sacrificial coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
    • H10W72/07331—Connecting techniques
    • H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/321—Structures or relative sizes of die-attach connectors
    • H10W72/325—Die-attach connectors having a filler embedded in a matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/30—Die-attach connectors
    • H10W72/351—Materials of die-attach connectors
    • H10W72/352—Materials of die-attach connectors comprising metals or metalloids, e.g. solders

Landscapes

  • Die Bonding (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、接着シートから半導体ペレツトを剥
離してダイボンデイングする方法に関する。
トランジスタ、ダイオード、発光ダイオード、
IC等の半導体ペレツトの配列を得る方法の一つ
として、第１図に示す如くマスキングシートある
いはエレクトロンテープと呼ばれる接着シート１
に半導体ウエハ２を貼り付け、スクライブにより
切溝３を形成し、更にゴム製ローラで屈曲加圧す
ることにより切溝３に沿つて破断面４を形成して
個々の半導体ペレツト５とし、しかる後接着シー
トを適当な方法で四方に引き伸ばして第２図に示
す如く間隔を有した状態に半導体ペレツト５を分
離配列させる方法がある。このような方法で分離
された半導体ペレツトの基板への接着は、例え
ば、第３図に示す如く半導体ペレツトを装着する
支持基板６上に未硬化または半硬化のエポキシ樹
脂７を塗布しておき、こゝに接着シート１に貼り
付けられた半導体ペレツト５を対向させ、次に第
４図に示す如く押圧棒８で接着シート１の上から
半導体ペレツト５を押し下げ、基板６に半導体ペ
レツト５をエポキシ樹脂７で接着し、しかる後、
第５図に示す如く押圧棒８を接着シート１から離
らかすことによつて行う。ところで、この方法に
は、半導体ペレツト５が接着シート１から円滑に
剥離せず、しばしば接着シートに接着されたまま
持ち上げられるという欠点がある。
この種の欠点を解決するために、第６図に示す
ように先端を尖らした針８ａを利用することがあ
る。このように尖つた針８ａを使用すると確かに
接着シート１から半導体ペレツト５は円滑に剥離
する。しかし、針８ａの先端がペレツト５の中心
を押圧しないと、ペレツト５が傾斜した状態とな
り、ペレツト５を所定箇所にボンデイングするこ
とが不可能になる。即ちボンデイングの位置ずれ
が生じる。
第７図は第６図の方法の欠点を解決するための
ボンデイング方法を示すものである。このボンデ
イング方法においては、先端の尖つた内針８ａを
囲んで先端の平坦な外針８ｂが設けられているボ
ンデイング針装置が使用される。そして、第７図
Ａのように接着シート１に接着する前には内針８
ａは外針８ｂより突出していない。第７図Ａの状
態を保つて針を下げると、第７図Ｂに示す如くペ
レツト５は実質的に外針８ｂにて導電接着剤７ａ
に導かれる。このため、第６図の単針に比較して
安定的にダイボンデイングすることができる。次
に第７図Ｃに示す如く外針８ｂのみを引き上げる
と、接着シート１は内針８ａのみで押圧された状
態となり、接着シート１がペレツト５から剥離す
る。しかる後、第７図Ｄに示す如く内針８ａも引
き上げると、ダイボンデイングが終了し、次のダ
イボンデイングが可能な状態となる。
この第７図の方法によれば、確かにペレツトの
位置ずれを防ぐことができる。しかし、内針８ａ
と外針８ｂとをタイミングをとつて動かすことが
必要となり、装置の機構が複雑になる。
そこで、本発明の目的は、簡単な装置構成であ
るにも拘らず、安定的にダイボンデイングを行う
ことが可能なボンデイング方法を提供することに
ある。
上記目的を達成するための本発明は、実施例を
示す図面の符号を参照して説明すると、ボンデイ
ング針１１と、このボンデイング針１１を囲む弾
性押圧部１２とから成り、前記弾性押圧部１２の
一端が前記ボンデイング針１１の上部に結合さ
れ、その他端１７が遊端とされ、且つ通常は前記
ボンデイング針の先端１３が前記弾性押圧部の他
端１７よりも後退しているが、前記弾性押圧部１
２の長さが弾性変形して短くなることによつて前
記ボンデイング針の先端１３が前記弾性押圧部の
他端１７よりも突出するように形成されているボ
ンデイング針装置を用意し、且つ弾性的に伸張可
能な接着シート１に半導体ペレツト５の一方の主
面が接着されているものを用意し、且つ例えば実
施例の支持基板ｂのような支持基板上に接着剤７
ａが塗布されたものを用意し、次に前記接着剤７
ａに前記ペレツト５の他方の主面が対向するよう
に前記接着シート１を配置し、次に、前記接着シ
ート１に相対的に前記ボンデイング針装置を移動
することによつて前記弾性押圧部の他端１７によ
り前記接着シート１を弾性的に伸張させつつ押圧
し、更に前記押圧を強めて、前記弾性押圧部１２
の長さを弾性変形させて短くすることによつて前
記ボンデイング針の先端１３を前記弾性押圧部の
他端１７よりも突出させ、且つ前記ボンデイング
針の先端１３による押圧で前記ペレツト５の他方
の主面を前記接着剤７ａに押し当て、しかる後、
前記ボンデイング針装置を前記接着シート１から
離らかして前記接着シート１を前記押圧の前の配
置に復元させることにより、前記ペレツト５を前
記接着シート１から剥離させて前記接着剤７ａに
より前記支持基体６上に接着することを特徴とす
る半導体ペレツトのダイボンデイング方法に係わ
るものである。
本発明によれば、ボンデイング針１２の下降と
上昇とを繰返すという単純な操作でダイボンデイ
ングが可能になる。即ち、弾性押圧部１２による
接着シート１の押圧を強めて行く中で弾性押圧部
１２の弾性変形が生じてボンデイング針の先端１
３が弾性押圧部１２から突出してペレツト５を押
圧する動作が生じ、ダイボンデイングが達成され
る。また、ボンデイング針装置を接着シート１か
ら離らかすことによつてペレツト５が接着シート
１から剥離される。従つて、ダイボンデイングを
簡単な構成で極めて容易に達成することができ
る。
以下、図面を参照して本発明の実施例について
述べる。
第８図及び第９図は本発明の実施例において使
用するボンデイング針装置１０を示すものであ
る。このボンデイング針装置１０はボンデイング
針１１とこれを囲むコイルバネで構成された弾性
押圧部１２とから成る。そしてボンデイング針１
１は、半導体ペレツトの背面を直接又はシートを
介して押圧するために先端１３を尖らした小径部
１４と、弾性押圧部１２をガイドするための中径
部１５と、弾性押圧部１２の一端を結合するため
の大径部１６とから成る。
一方、弾性押圧部１２は弾性的に圧縮可能なコ
イルバネの一端を大径部１６と中径部１５との境
界の段部に結合させ、他端即ち下端１７を遊端と
した構成であり、コイルバネを圧縮しない状態で
は下端１７が針１１の先端よりも突出し、コイル
バネを圧縮すれば、この下端１７が針の先端１３
よりも上に変位することが可能なものである。尚
弾性押圧部１２の下端１７の径は、ボンデイング
する半導体ペレツトと略同じ大きさに形成されて
いる。
第１０図は第８図及び第９図に示すボンデイン
グ針装置１０を使用してペレツトをボンデイング
する方法を示す。この方法に於いては、まず第１
０図Ａに示す接着シート１に半導体ペレツト５が
接着されているものを用意する。これは第１図及
び第２図で説明した方法と同様な方法で形成する
ことが出来る。接着シート１には透明で片面接着
性の塩化ビニール樹脂薄膜例えばツカサ商会から
販売されているマスキングシートあるいはエレク
トロンテープ（商品名）と呼ばれるものが適す
る。第１０図Ａに示す如くAgペーストからなる
導電性接着剤７ａとペレツト５との位置合せが終
了したら、ボンデイング針１１を下降させる。針
１１を下降させると、この針１１に弾性押圧部１
２が一体に結合されているので、弾性押圧部１２
も下降し、針の先端１３よりも先に弾性押圧部１
２の下端１７がシート１に接触し、シート１を押
圧する。更に針１１を下降させると、弾性押圧部
１２は弾性変形しつつ一層強くシート１を押圧
し、シート１が弾性的に伸張し、第１０図Ｂに示
す如くペレツト５は接着剤７ａに徐々に近づく。
更に針１１を下降させると、第１０図Ｃに示す如
くついにペレツト５は基板６に接着剤７ａで接着
され、針１１がシート１を介してペレツト５の背
面を押圧する。この状態においては、針１１の先
端１３が弾性押圧部１２の下端１７よりも突出す
るので、ペレツト５からシート１が容易に剥離さ
れる。しかる後、針１１を上昇させると、これと
共に弾性押圧部１２も上昇し、第１０図Ｄに示す
如く元の状態に戻る。
上述の如く、このボンデイング針装置を使用す
れば、針１１を下降させ、しかる後、上昇させる
という動作のみで、ダイボンデイングが可能にな
る。そして、細い針の先端１３のみでペレツトを
押圧せずに、ペレツトの大きさに略等しい径を有
する弾性押圧部１２にてペレツト５の所定位置又
はこの近傍まで押し下げるので、位置ずれの少な
い状態にダイボンデイングすることが可能であ
る。また針１１を囲むようにコイルバネを装着す
るのみでよいので、装置の簡略化が可能である。
第１１図は本発明に係わる別の方法を示す。こ
の方法ではボンデイング針の先端１３が接着シー
ト１を貫通するように押圧されている。このよう
にしても第１０図の方法と同様な作用効果を得る
ことができる。
以上本発明の実施例について述べたが、本発明
はこの実施例に限定されるものではなく、更に変
形可能なものである。例えば、第１２図に示す如
く、コイルバネの代りにゴムのような弾性円筒体
２０とこの先端に結合した押圧リング２１とによ
つて弾性押圧部１２を構成してもよい。また第８
図におけるコイルバネの先端に第１２図に示すよ
うな押圧リング２１を結合させてもよい。またバ
ネ板によつて弾性を得てもよい。また実施例では
弾性押圧部１２の下端１７がリング状となつてい
るが、四角形としてもよいし、また針先端１３の
両側のみを押圧するようにしてもよい。また接着
シート１に対するペレツト５の接着は接着剤によ
る接着に限ることなく、静電的接着又はその他の
接着であつてもよい。
【図面の簡単な説明】
第１図は半導体ウエハを半導体ペレツトに分割
した状態を示す正面図、第２図は第１図の接着シ
ートを伸張した状態を示す説明的正面図、第３
図、第４図、及び第５図は従来の半導体ペレツト
装着法を工程順に示す正面図、第６図は従来の単
針によるボンデイング法を示す正面図、第７図は
従来の二重針によるボンデイング法を工程順に示
す一部縦断正面図、第８図は本発明の１実施例に
係わるボンデイング針装置の斜視図、第９図は第
８図の針装置の説明的断面図、第１０図は第８図
のボンデイング針装置を利用してダイボンデイン
グする方法を順次に説明的に示す一部縦断正面
図、第１１図は第８図のボンデイング針装置を利
用してダイボンデイングする別の方法を示す一部
縦断正面図、第１２図はボンデイング針装置の変
形例を示す断面図である。 尚図面に用いられている符号において、１は接
着シート、５はペレツト、７ａは導電性接着剤、
１０はボンデイング針装置、１１はボンデイング
針、１２は弾性押圧部、１３は先端、１７は下端
である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ ボンデイング針１１と、このボンデイング針
    １１を囲む弾性押圧部１２とから成り、前記弾性
    押圧部１２の一端が前記ボンデイング針１１の上
    部に結合され、その他端１７が遊端とされ、且つ
    通常は前記ボンデイング針の先端１３が前記弾性
    押圧部の他端１７よりも後退しているが、前記弾
    性押圧部１２の長さが弾性変形して短くなること
    によつて前記ボンデイング針の先端１３が前記弾
    性押圧部の他端１７よりも突出するように形成さ
    れているボンデイング針装置を用意し、且つ弾性
    的に伸張可能な接着シート１に半導体ペレツト５
    の一方の主面が接着されているものを用意し、且
    つ支持基体上に接着剤７ａが塗布されたものを用
    意し、 次に、前記接着剤７ａに前記ペレツト５の他方
    の主面が対向するように前記接着シート１を配置
    し、 次に、前記接着シート１に相対的に前記ボンデ
    イング針装置を移動することによつて前記弾性押
    圧部の他端１７により前記接着シート１を弾性的
    に伸張させつつ押圧し、更に前記押圧を強めて、
    前記弾性押圧部１２の長さを弾性変形させて短く
    することによつて前記ボンデイング針の先端１３
    を前記弾性押圧部の他端１７よりも突出させ、且
    つ前記ボンデイング針の先端１３による押圧で前
    記ペレツト５を他方の主面を前記接着剤７ａに押
    し当て、 しかる後、前記ボンデイング針装置を前記接着
    シート１から離らかして前記接着シート１を前記
    押圧の前の配置に復元させることにより、前記ペ
    レツト５を前記接着シート１から剥離させて前記
    接着剤７ａにより前記支持基体６上に接着するこ
    とを特徴とする半導体ペレツトのダイボンデイン
    グ方法。
JP59155981A 1984-07-26 1984-07-26 半導体ペレツトのダイボンデイング方法 Granted JPS6063940A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59155981A JPS6063940A (ja) 1984-07-26 1984-07-26 半導体ペレツトのダイボンデイング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59155981A JPS6063940A (ja) 1984-07-26 1984-07-26 半導体ペレツトのダイボンデイング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6063940A JPS6063940A (ja) 1985-04-12
JPH025013B2 true JPH025013B2 (ja) 1990-01-31

Family

ID=15617744

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59155981A Granted JPS6063940A (ja) 1984-07-26 1984-07-26 半導体ペレツトのダイボンデイング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6063940A (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2877142B1 (fr) * 2004-10-21 2007-05-11 Commissariat Energie Atomique Procede de transfert d'au moins un objet de taille micrometrique ou millimetrique au moyen d'une poignee en polymere.
SG11201806151UA (en) * 2016-06-22 2019-01-30 Suzuki Co Ltd Mounting method, mounting head and mounting apparatus

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4979684A (ja) * 1972-12-07 1974-08-01

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6063940A (ja) 1985-04-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3065549B2 (ja) 半導体チップ部品の実装方法
US6319754B1 (en) Wafer-dicing process
EP1045456A3 (en) Semiconductor light-emitting device, method of manufacturing transparent conductor film and method of manufacturing compound semiconductor light-emitting device
JP3175232B2 (ja) 半導体ウェーハの接着方法
JP4298640B2 (ja) ダイボンダー用コレット
JPH025013B2 (ja)
JP5227117B2 (ja) 半導体チップのピックアップ装置及びピックアップ方法
CN218893616U (zh) 一种用于芯片绑定的各向异性导电胶带
CN1505075A (zh) 带操作凸起可动触点体及该操作凸起的安装方法及其应用
JPS60236242A (ja) 粘着テ−プ張り付け方法
JP2776565B2 (ja) Ｉｃのリード成形金型
JP2000101220A (ja) 電子部品の実装方法およびそのシステム
JPS61117886A (ja) テ−プ部品の搭載方法
JP2001189553A (ja) 基板の接合装置及びその装置を用いた基板の接合方法
JP3024951B2 (ja) 半導体パッケージのリードの折曲げ装置
JP2000077462A (ja) Ｔａｂテープ貼付装置
JP3164655B2 (ja) 粘着体転写方法
JP2000306452A (ja) 可動接点体の製造方法、この製造方法を用いて製造した可動接点体およびこの可動接点体を用いたパネルスイッチ
JPH0328028Y2 (ja)
JP3009881B1 (ja) Ｔａｂテープへのエラストマー貼り付け装置
JP2631136B2 (ja) 感圧導電体の製造方法
JPH09306976A (ja) 半導体素子剥離方法及びその装置
JPS5916407B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6036101B2 (ja) ペレツトボンダ−
JPH087635Y2 (ja) Ｔａｂ式半導体装置の製造装置