JPH0250960A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH0250960A JPH0250960A JP20137688A JP20137688A JPH0250960A JP H0250960 A JPH0250960 A JP H0250960A JP 20137688 A JP20137688 A JP 20137688A JP 20137688 A JP20137688 A JP 20137688A JP H0250960 A JPH0250960 A JP H0250960A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、半導体素子製造に用いられるスパッタリング
装置、特に配線用ＡＡ膜を低タメーシて高速に形成する
スパッタリング装置に関する。
装置、特に配線用ＡＡ膜を低タメーシて高速に形成する
スパッタリング装置に関する。
従来配線用Ａｌ１膜の形成にはスパッタリンク装置か用
いられてきた。
いられてきた。
第３図に、代表的なスパッタリング法である平行平板型
スパッタリング法を示す。３０１は真空室、３０２はＳ
ｉなどの基板、３０３は基板３０２の支持体、３０４は
Ａｒなどの雰囲気カスの導入管、３０５は排気口、３０
６は高周波電源、３０７は高周波電源３０６に接続され
た電極、３０８は電極３０７に載置されたターゲットで
ある。電極３０７に載置されたターケラ１〜３０８の対
向位置にある基板支持体３０３上に基板３０２を買いて
、電極３０７に高周波電力を印加し、プラズマ反応で生
成した雰囲気カスのイオンによりターゲット３０８をス
パッタリングして基板３０２上に薄膜を形成するもので
ある。しかし、従来のスパッタリング装置は、堆積速度
か不充分であることや、高速に成膜する為にターケラ１
〜印加電圧を増加させるとイオンエネルキーか高い為基
板へのイオンの入射によるダメージが発生し、素子の電
気的特性が劣化するという欠点がある。
スパッタリング法を示す。３０１は真空室、３０２はＳ
ｉなどの基板、３０３は基板３０２の支持体、３０４は
Ａｒなどの雰囲気カスの導入管、３０５は排気口、３０
６は高周波電源、３０７は高周波電源３０６に接続され
た電極、３０８は電極３０７に載置されたターゲットで
ある。電極３０７に載置されたターケラ１〜３０８の対
向位置にある基板支持体３０３上に基板３０２を買いて
、電極３０７に高周波電力を印加し、プラズマ反応で生
成した雰囲気カスのイオンによりターゲット３０８をス
パッタリングして基板３０２上に薄膜を形成するもので
ある。しかし、従来のスパッタリング装置は、堆積速度
か不充分であることや、高速に成膜する為にターケラ１
〜印加電圧を増加させるとイオンエネルキーか高い為基
板へのイオンの入射によるダメージが発生し、素子の電
気的特性が劣化するという欠点がある。
これに対して、高速化や低ダメージ化の為にマグネトロ
ンスパッタリング装置、対向ターゲットスパッタリング
装置、ＥＣＲスパッタリング装置などが検討されている
。
ンスパッタリング装置、対向ターゲットスパッタリング
装置、ＥＣＲスパッタリング装置などが検討されている
。
第４図にマグネトロンスパッタリング装置を示し、４０
１は真空室、４０２はＳｉなどの基板、４０３は基板４
０２の支持体、４０４はＡｒなとの雰囲気カスの導入管
、４０５は排気口、４０６は高周波電源、４０７は高周
波電源に接続された電極、４０８は電極に載置されたタ
ーゲット、４０９は閉ループ磁界を発生する磁石である
。電極４０７に載置されたターゲット４０８の対向位置
にある基板支持体４０３上に基板４０２を置いて、電極
４０７に高周波電力を印加し、発生したプラズマを磁石
４０９により発生した閉ループ磁界でターゲット４０８
付近に閉し込め、プラズマ密度を上げることにより、有
効にターゲット４０８をスパッタリンクし、実際に１０
６Ｔｏｒｒ台での低いガス圧でも高い堆積速度を実現し
ている。
１は真空室、４０２はＳｉなどの基板、４０３は基板４
０２の支持体、４０４はＡｒなとの雰囲気カスの導入管
、４０５は排気口、４０６は高周波電源、４０７は高周
波電源に接続された電極、４０８は電極に載置されたタ
ーゲット、４０９は閉ループ磁界を発生する磁石である
。電極４０７に載置されたターゲット４０８の対向位置
にある基板支持体４０３上に基板４０２を置いて、電極
４０７に高周波電力を印加し、発生したプラズマを磁石
４０９により発生した閉ループ磁界でターゲット４０８
付近に閉し込め、プラズマ密度を上げることにより、有
効にターゲット４０８をスパッタリンクし、実際に１０
６Ｔｏｒｒ台での低いガス圧でも高い堆積速度を実現し
ている。
しかしなから、このようなスパッタリング装置ては、や
はり高速イオンによる基板のダメージか発生しやすい。
はり高速イオンによる基板のダメージか発生しやすい。
加えて、ターゲラ１〜の侵食部か局在している為、ター
ゲットの利用効率が極めて低いという欠点かある。
ゲットの利用効率が極めて低いという欠点かある。
第５図に対向ターゲットスパッタリング装置をボし、５
０１は真空室、５０２はＳｉなとの基板、５０３は基板
５０２の支持体、５０４はＡｒなどの雰囲気ガスの導入
口、５０５は排気口、５０６は電源、５０７は電源５０
６に接続された電極、５０８は電極５０７に載置された
ターゲット、５０９は対向磁界を発生ずる磁石である。
０１は真空室、５０２はＳｉなとの基板、５０３は基板
５０２の支持体、５０４はＡｒなどの雰囲気ガスの導入
口、５０５は排気口、５０６は電源、５０７は電源５０
６に接続された電極、５０８は電極５０７に載置された
ターゲット、５０９は対向磁界を発生ずる磁石である。
基板支持体５０３上に基板５０２を置いて導入口５０４
よりＡｒなとの雰囲気ガスを導入した後、電極５０７に
電圧を印加し、発生したプラズマを磁石５０９により発
生した対向磁界によりターケラ８５０８間に閉し込め、
プラズマ密度を上げることにより、有効にターケラｌ−
５０８をスパッタリングし、高い堆積速度を実現してい
る。
よりＡｒなとの雰囲気ガスを導入した後、電極５０７に
電圧を印加し、発生したプラズマを磁石５０９により発
生した対向磁界によりターケラ８５０８間に閉し込め、
プラズマ密度を上げることにより、有効にターケラｌ−
５０８をスパッタリングし、高い堆積速度を実現してい
る。
しかしながら、このようなスパッタリング装置では、や
はり高速イオンによる基板のダメージか発生しやすいと
いう欠点かある。
はり高速イオンによる基板のダメージか発生しやすいと
いう欠点かある。
また、以上のスパッタリング装置ては、投入された電力
のほとんとか熱エネルギーとして消費されてしまう為に
投入電力に占めるプラズマ形成に用いられる電力の割合
か低い為、電力効率か低いという欠点もあった。
のほとんとか熱エネルギーとして消費されてしまう為に
投入電力に占めるプラズマ形成に用いられる電力の割合
か低い為、電力効率か低いという欠点もあった。
すなわちスパッタリング装置には以下の事項か望まれる
。
。
（１）基板ダメージがなく高速で堆積てきること（低イ
オンエネルキー、高密度プラズマ）。
オンエネルキー、高密度プラズマ）。
（２）プラズマのイオン化率が高く活性であること。
（３）イオンエネルギーの分散が狭いこと。
（４）イオンエネルギーか制御可能であること。
方、電子サイクロトロン共Ｄ％（ＥＣＲ）と発散磁界と
を組み合せたスパッタリング装置か、例えは特開昭５６
−１５５５３５号公報て提案されている。
を組み合せたスパッタリング装置か、例えは特開昭５６
−１５５５３５号公報て提案されている。
第６図にＥＣＲスパッタリング装置を示し、６０１は真
空室、６０２はＳｌなとの基板、６０３は基板６０２の
支持体、６０６は高周波電源、６０７は高周波電源６０
６に接続された電極、６０８は電極６０７に載置された
ターゲット、６１２はマイクロ波、６１３は発散磁界を
発生するコイルである。基板支持体６０３上に基板６０
２を置いてＡｒなどのτ囲気カスを導入した後、マイク
ロ波６１２を導入し、コイル６１３により発生した８７
５ガウス以上の磁束密度をもつ磁界によりＥＣＲ状態に
し、低エネルギーで高密度のプラズマを発生し、有効に
ターゲット６０８をスパッタリングし、低ダメージて高
い堆積速度を実現している。
空室、６０２はＳｌなとの基板、６０３は基板６０２の
支持体、６０６は高周波電源、６０７は高周波電源６０
６に接続された電極、６０８は電極６０７に載置された
ターゲット、６１２はマイクロ波、６１３は発散磁界を
発生するコイルである。基板支持体６０３上に基板６０
２を置いてＡｒなどのτ囲気カスを導入した後、マイク
ロ波６１２を導入し、コイル６１３により発生した８７
５ガウス以上の磁束密度をもつ磁界によりＥＣＲ状態に
し、低エネルギーで高密度のプラズマを発生し、有効に
ターゲット６０８をスパッタリングし、低ダメージて高
い堆積速度を実現している。
しかしなから、上記従来のスパッタリング装置ては、プ
ラズマ発生室の大きさか、マイクロ波の波長によって決
定されてしまい、それたり装置構成の自由度か少いとい
う欠点かあった。加えて、形成される膜がＡｎなとの場
合には、マイクロ波導入窓に膜か（−１着すると、マイ
クロ波を反射し、放電か安定に維持てきないという欠点
をもっている。
ラズマ発生室の大きさか、マイクロ波の波長によって決
定されてしまい、それたり装置構成の自由度か少いとい
う欠点かあった。加えて、形成される膜がＡｎなとの場
合には、マイクロ波導入窓に膜か（−１着すると、マイ
クロ波を反射し、放電か安定に維持てきないという欠点
をもっている。
又、堆積速度も充分すぎるというわけではなく、更なる
高速化が必要である。
高速化が必要である。
〔発明の目的）
本発明は、従来のスパッタリング装置における上述の問
題点を解決して、装置構成の自由度が高く大面積化可能
で、安定性に優れ、低タメーシて高速な薄膜形成を可能
にするスパッタリング装置を提供することを目的とする
。
題点を解決して、装置構成の自由度が高く大面積化可能
で、安定性に優れ、低タメーシて高速な薄膜形成を可能
にするスパッタリング装置を提供することを目的とする
。
（発明の構成・効果）
従来のＥＣＲスパッタリング装置における前述の問題点
は、マイクロ波を窓を介して電磁波として直接導入した
ことと、プラズマを閉し込める手段を用いていないこと
に起因する。
は、マイクロ波を窓を介して電磁波として直接導入した
ことと、プラズマを閉し込める手段を用いていないこと
に起因する。
本発明者らは、窓を介さすにマイクロ波を導入する手段
として各種アンテナを検討した。その結果、スリットの
長さをマイクロ波の波長の半分の整数倍にしなけれはな
らないこと以外寸法に対する制約かなく、大面積化可能
なスリブトイ」円筒型アンテナか最適と判断した。第２
図にスリブトイ」円筒型アンテナ２１１を示す。２１２
はスリットで、長さはマイクロ波の波長の半分（２，４
５Ｇ Ｈｚの円周数を持つマイクロ波の場合約６０ｍ
ｍ ）の整数倍にしなりれはならない。２１３はマイク
ロ波を伝播する同軸管である。スリット付円筒型アンテ
ナ２１１をマイクロ波導入手段として用い、スパッタリ
ング成膜に用いたところ、放電か安定し、アンテナ２１
１などに膜かイ」着しても安定した成膜かできた。
として各種アンテナを検討した。その結果、スリットの
長さをマイクロ波の波長の半分の整数倍にしなけれはな
らないこと以外寸法に対する制約かなく、大面積化可能
なスリブトイ」円筒型アンテナか最適と判断した。第２
図にスリブトイ」円筒型アンテナ２１１を示す。２１２
はスリットで、長さはマイクロ波の波長の半分（２，４
５Ｇ Ｈｚの円周数を持つマイクロ波の場合約６０ｍ
ｍ ）の整数倍にしなりれはならない。２１３はマイク
ロ波を伝播する同軸管である。スリット付円筒型アンテ
ナ２１１をマイクロ波導入手段として用い、スパッタリ
ング成膜に用いたところ、放電か安定し、アンテナ２１
１などに膜かイ」着しても安定した成膜かできた。
次に、磁界によって、ＥＣＲプラズマを閉し込めること
を検討した。ます最も多く用いられているマグネトロン
スパッタリング装置の閉ループ磁界によってＥＣＲプラ
ズマを閉し込めようとしたか、ＥＣＲプラズマを発生さ
せる発散磁界と閉ルブ磁界がうまく結合せす、有効に閉
じ込めることはできなかった。さらに対向磁界によるＥ
ＣＲブラスマの閉じ込めを検討し、対向磁界を取り囲む
ようにスリブ（・円筒型アンテナを配置することによっ
て、ＥＣＲプラズマを発生する磁界と対向磁界か有効に
結合し、高密度プラズマか実現した。
を検討した。ます最も多く用いられているマグネトロン
スパッタリング装置の閉ループ磁界によってＥＣＲプラ
ズマを閉し込めようとしたか、ＥＣＲプラズマを発生さ
せる発散磁界と閉ルブ磁界がうまく結合せす、有効に閉
じ込めることはできなかった。さらに対向磁界によるＥ
ＣＲブラスマの閉じ込めを検討し、対向磁界を取り囲む
ようにスリブ（・円筒型アンテナを配置することによっ
て、ＥＣＲプラズマを発生する磁界と対向磁界か有効に
結合し、高密度プラズマか実現した。
本発明は、以上の知見に基ついて発明されたものであり
、従来のスパッタリング装置の問題点を解決し、前述目
的を達成するものである。
、従来のスパッタリング装置の問題点を解決し、前述目
的を達成するものである。
即ち、本発明によれば、スパッタリング面が対向するよ
うに設けられ、負のバイアスを印加できるターゲットの
背面にスパッタリング面に垂直な方向に磁界を発生する
手段を有する対向ターケ・ント装置に、ターゲット間の
空間を囲むようにマイクロ波導入手段としてのスリット
付円筒型アンテナを配置し、磁界の磁束密度を８７５ガ
ウスもしくはそれ以上にすることによって、比較的イオ
ンエネルギーの低いＥＣＲプラズマを対向磁界で閉し込
め、低タメーシで高速な薄膜形成を可能にしたものであ
る。又、スリットの長さ以外寸法に対する制限がなく、
膜が付着してもマイクロ波を反射しないスリット付円筒
型アンテナを用いているので、従来のＥＣＲスパッタ装
置の問題が生じな第１図は、本発明の特徴を最もよく表
わす装置の断面図であり、１０１は真空に保持された反
応室、１０２はＳｉなどの基板、１０３は基板１０２の
支持体、１０４はＡｒなとの雰囲気カスの導入管、１０
５はターボ分子ポンプなとの排気手段に接続された排気
口、１１０はマイクロ波電源、１１１はマイクロ波導入
手段としてのスリット付円筒型アンテナ、１０８はＡｎ
なとのターゲット、１０７はターゲット１０８を載置し
た電極、１０９はターゲット１０８の表面に垂直な石井
界を発生する磁石、１０６は電極１０７に負のバイアス
を印加する電源である。
うに設けられ、負のバイアスを印加できるターゲットの
背面にスパッタリング面に垂直な方向に磁界を発生する
手段を有する対向ターケ・ント装置に、ターゲット間の
空間を囲むようにマイクロ波導入手段としてのスリット
付円筒型アンテナを配置し、磁界の磁束密度を８７５ガ
ウスもしくはそれ以上にすることによって、比較的イオ
ンエネルギーの低いＥＣＲプラズマを対向磁界で閉し込
め、低タメーシで高速な薄膜形成を可能にしたものであ
る。又、スリットの長さ以外寸法に対する制限がなく、
膜が付着してもマイクロ波を反射しないスリット付円筒
型アンテナを用いているので、従来のＥＣＲスパッタ装
置の問題が生じな第１図は、本発明の特徴を最もよく表
わす装置の断面図であり、１０１は真空に保持された反
応室、１０２はＳｉなどの基板、１０３は基板１０２の
支持体、１０４はＡｒなとの雰囲気カスの導入管、１０
５はターボ分子ポンプなとの排気手段に接続された排気
口、１１０はマイクロ波電源、１１１はマイクロ波導入
手段としてのスリット付円筒型アンテナ、１０８はＡｎ
なとのターゲット、１０７はターゲット１０８を載置し
た電極、１０９はターゲット１０８の表面に垂直な石井
界を発生する磁石、１０６は電極１０７に負のバイアス
を印加する電源である。
まず、導入管１０４よりＡｒなとの雰囲気カスを導入し
、排気口１０５と排気手段との間に設りられたコンタク
タンスバルブ（不図示）を調節し、圧を１ ｘ １０−
’−５ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、望ましくは２ｘ １０−
４〜２ｘ １０−”Ｔｏｒｒに保つ。マイクロ波電源１
１０て発生した通常２．４５ＧＨｚの周波数をもつマイ
クロ波をスリット付円筒型アンテす１１１に伝え、反応
室１０１に導入する。磁石１０９によって発生する磁界
の磁束密度をターゲット１０８間の空間で８７５ガウス
もしくはそれ以上に選択しておくことにより、電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）状態になり、電子が磁力線を
中心に回転し、イオン化効率か向上する。加えて、対向
磁界により電子が閉し込められる為プラズマ密度が非常
に高くなる。この状態で、電極１０７に一１０ｖ以上、
望ましくは一１００〜１ｋｖのバイアスを電源１０６を
用いて印加することにより、プラズマ中のイオンがター
ゲット１０８から粒子をスパッタリングし、基板１０２
上に薄膜が形成される。ＥＣＲ状態でかつ対向磁場によ
り電子を閉じ込めているのてプラズマ密度か高く、高速
な薄膜形成が可能になる。又、一般にマイクロ波プラズ
マは従来用いられている高周波プラズマよりもイオンエ
ネルギーが低く、基板のダメージか発生し難い。
、排気口１０５と排気手段との間に設りられたコンタク
タンスバルブ（不図示）を調節し、圧を１ ｘ １０−
’−５ｘ １０−”Ｔｏｒｒ、望ましくは２ｘ １０−
４〜２ｘ １０−”Ｔｏｒｒに保つ。マイクロ波電源１
１０て発生した通常２．４５ＧＨｚの周波数をもつマイ
クロ波をスリット付円筒型アンテす１１１に伝え、反応
室１０１に導入する。磁石１０９によって発生する磁界
の磁束密度をターゲット１０８間の空間で８７５ガウス
もしくはそれ以上に選択しておくことにより、電子サイ
クロトロン共鳴（ＥＣＲ）状態になり、電子が磁力線を
中心に回転し、イオン化効率か向上する。加えて、対向
磁界により電子が閉し込められる為プラズマ密度が非常
に高くなる。この状態で、電極１０７に一１０ｖ以上、
望ましくは一１００〜１ｋｖのバイアスを電源１０６を
用いて印加することにより、プラズマ中のイオンがター
ゲット１０８から粒子をスパッタリングし、基板１０２
上に薄膜が形成される。ＥＣＲ状態でかつ対向磁場によ
り電子を閉じ込めているのてプラズマ密度か高く、高速
な薄膜形成が可能になる。又、一般にマイクロ波プラズ
マは従来用いられている高周波プラズマよりもイオンエ
ネルギーが低く、基板のダメージか発生し難い。
（膜堆積例）
ターゲットとしてＡｆｌを用い、表１に示される条件で
成膜したところ、良質のＡｌ１膜か堆積速度１４μｍ／
ｍｉｎと高速で形成された。
成膜したところ、良質のＡｌ１膜か堆積速度１４μｍ／
ｍｉｎと高速で形成された。
又、下地基板としてＭＯＳ構造の上にＰＳＧをコートし
たものを用い、同一条件てＡＪＺ膜を形成し、成膜前後
のフラットバント電圧のシフトなＣ■測測定より求めた
ところ、０．５ｖ以下と良好たった。第７図に使用した
基板と測定法を示ず。７１４はｎ＋−８１基板、７１５
はゲート酸化膜（２０ｎｍ厚）、７１６はｐｏｌｙ−Ｓ
ｉケト電極（３００ｎｍ厚）、７１７はｐｓｃ月１（１
μｍ厚）、７１９はＣ−Ｖ測定系、７１８は堆積したＡ
Ｉｌ膜て、Ａρ膜７１８の堆積前後にＣＶ特性を測定し
、堆積中のイオン衝撃によって生成する電荷捕獲準位密
度を反映するフランｌ−ハンド電圧のシフトてダメージ
を評価した。
たものを用い、同一条件てＡＪＺ膜を形成し、成膜前後
のフラットバント電圧のシフトなＣ■測測定より求めた
ところ、０．５ｖ以下と良好たった。第７図に使用した
基板と測定法を示ず。７１４はｎ＋−８１基板、７１５
はゲート酸化膜（２０ｎｍ厚）、７１６はｐｏｌｙ−Ｓ
ｉケト電極（３００ｎｍ厚）、７１７はｐｓｃ月１（１
μｍ厚）、７１９はＣ−Ｖ測定系、７１８は堆積したＡ
Ｉｌ膜て、Ａρ膜７１８の堆積前後にＣＶ特性を測定し
、堆積中のイオン衝撃によって生成する電荷捕獲準位密
度を反映するフランｌ−ハンド電圧のシフトてダメージ
を評価した。
表１
（比較例）
従来の対向ターゲットスパッタリング装置を用いてＡ℃
膜の成膜を行ったところ堆積速度は高々０５μｍ／ｍｉ
ｎ、フラ・ントノＮント電圧のシフトも３■以上で、本
発明の方か明らかに優れている。
膜の成膜を行ったところ堆積速度は高々０５μｍ／ｍｉ
ｎ、フラ・ントノＮント電圧のシフトも３■以上で、本
発明の方か明らかに優れている。
又、従来のＥＣＲスパッタリング装置を用いてＡｎ！の
成膜を行ったところ、堆積初期においては１μｍ／ｍｉ
ｎ以上の堆積速度を示したが、堆積が進むにつれ、マイ
クロ波の導入窓がＡｆｌ膜の付着により曇り始め、マイ
クロ波の反射か多くなり、堆積速度が低下し、結局放電
か維持てきなくなり、堆積か止ってしまった。
成膜を行ったところ、堆積初期においては１μｍ／ｍｉ
ｎ以上の堆積速度を示したが、堆積が進むにつれ、マイ
クロ波の導入窓がＡｆｌ膜の付着により曇り始め、マイ
クロ波の反射か多くなり、堆積速度が低下し、結局放電
か維持てきなくなり、堆積か止ってしまった。
上述の本発明の装置においては、マイクロ波導入手段と
してスリット付円筒型アンテナを用いるようにしたか、
対向磁界に垂直な電界をもつマイクロ波の導入手段なら
適用可能である。
してスリット付円筒型アンテナを用いるようにしたか、
対向磁界に垂直な電界をもつマイクロ波の導入手段なら
適用可能である。
又、基板の電位はグランドに落した例を示したが、基板
入射イオンエネルギーを制御する為、バイアスを印加し
ても良い。
入射イオンエネルギーを制御する為、バイアスを印加し
ても良い。
以上説明したように、対向ターゲットスパッタリング装
置にターゲット間の空間を囲むようにスリット付円筒型
アンテナを配置し、磁界の磁束密度を８７５ガウスもし
くはそれ以上にすることにより、イオンエネルギーの低
いＥＣＲプラズマを対向磁界で閉じ込め、低ダメージで
高速な薄膜形成が可能になる効果かある。
置にターゲット間の空間を囲むようにスリット付円筒型
アンテナを配置し、磁界の磁束密度を８７５ガウスもし
くはそれ以上にすることにより、イオンエネルギーの低
いＥＣＲプラズマを対向磁界で閉じ込め、低ダメージで
高速な薄膜形成が可能になる効果かある。
又、従来のＥＣＲのスパッタリング装置とは異なり、構
造の自由度か大きく、膜か何着してもマイクロ波が導入
しにくくなることはない。
造の自由度か大きく、膜か何着してもマイクロ波が導入
しにくくなることはない。
第１図は、本発明を実施したスパッタリング装置の断面
図、第２図は、第１図のスパッタリング装置に用いられ
たスリット付円筒型マイクロ波アンテナの概観図、第３
図は、従来の平行平板型スパッタリング装置の断面図、
第４図は、従来のマグネトロンスパッタリング装置の断
面図、第５図は、従来の対向ターケラトスパッタリング
装置の断面図、第６図は従来のＥＣＲスパッタリング装
置の断面図、第７図はダメージ評価に用いた基板の断面
図である。 図において、 １０１ ３０１ ４０１ ５０１．６０１は真空室、１
０２，３０２，４０２，５０２．６０２は基板、１０３
，３０３．４０３．５０３６０３は支持体、１０４，３
０４．４０４５０４は雰囲気ガスの導入管、１０５，３
０５４０５．５０５は排気口、１０６．３０６４０６
５０６ ６０６はターゲット電源、１０７ ３０７ ４
０７．５０７．６０７はタケット電極、１０８，３０８
．４０８，５０８６０８はターゲラ１−１４０９，４０
９，５０９は磁石、１１０はマイクロ波電源、 １１１．２１１はスリット付円筒型アンテナ、２１２は
スリット、２１３は円軸管、６１２はマイクロ波、６１
３はコイル、７１４はｎ＋−３ｉ基板、７１５はゲート
酸化膜、７１６はケート電極、７１７はＰＳＧ膜、７１
８は堆積したＡ４膜、７１９はＣ−Ｖ測定系。
図、第２図は、第１図のスパッタリング装置に用いられ
たスリット付円筒型マイクロ波アンテナの概観図、第３
図は、従来の平行平板型スパッタリング装置の断面図、
第４図は、従来のマグネトロンスパッタリング装置の断
面図、第５図は、従来の対向ターケラトスパッタリング
装置の断面図、第６図は従来のＥＣＲスパッタリング装
置の断面図、第７図はダメージ評価に用いた基板の断面
図である。 図において、 １０１ ３０１ ４０１ ５０１．６０１は真空室、１
０２，３０２，４０２，５０２．６０２は基板、１０３
，３０３．４０３．５０３６０３は支持体、１０４，３
０４．４０４５０４は雰囲気ガスの導入管、１０５，３
０５４０５．５０５は排気口、１０６．３０６４０６
５０６ ６０６はターゲット電源、１０７ ３０７ ４
０７．５０７．６０７はタケット電極、１０８，３０８
．４０８，５０８６０８はターゲラ１−１４０９，４０
９，５０９は磁石、１１０はマイクロ波電源、 １１１．２１１はスリット付円筒型アンテナ、２１２は
スリット、２１３は円軸管、６１２はマイクロ波、６１
３はコイル、７１４はｎ＋−３ｉ基板、７１５はゲート
酸化膜、７１６はケート電極、７１７はＰＳＧ膜、７１
８は堆積したＡ４膜、７１９はＣ−Ｖ測定系。
Claims (2)
- （１）スパッタリング面が対向するように設けられ負の
バイアスを印加できるターゲットの背面に該スパッタリ
ング面に垂直な方向に磁界を発生する手段を設け、該タ
ーゲット間の空間の側方に基板を配置したスパッタリン
グ装置であって、前記ターゲット間の空間を囲むように
マイクロ波導入手段としてのスリット付円筒型アンテナ
を配置したことを特徴とするスパッタリング装置。 - （２）前記マイクロ波の周波数が２．４５ＧＨｚであり
、前記磁界の磁束密度がターゲット間の空間で８７５ガ
ウスもしくはそれ以上である請求項（１）に記載のスパ
ッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201376A JP2761893B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63201376A JP2761893B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0250960A true JPH0250960A (ja) | 1990-02-20 |
| JP2761893B2 JP2761893B2 (ja) | 1998-06-04 |
Family
ID=16440048
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63201376A Expired - Fee Related JP2761893B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2761893B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5000834A (en) * | 1989-02-17 | 1991-03-19 | Pioneer Electronic Corporation | Facing targets sputtering device |
| FR2689143A1 (fr) * | 1992-03-31 | 1993-10-01 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de pulvérisation cathodique utilisant un plasma engendré par des micro-ondes. |
| US8057649B2 (en) * | 2008-05-06 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Microwave rotatable sputtering deposition |
| US8349156B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable PVD |
| US8679594B2 (en) | 2008-02-20 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Index modified coating on polymer substrate |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6380523A (ja) * | 1986-09-24 | 1988-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| JPS6396267A (ja) * | 1986-10-11 | 1988-04-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63201376A patent/JP2761893B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US8679594B2 (en) | 2008-02-20 | 2014-03-25 | Applied Materials, Inc. | Index modified coating on polymer substrate |
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| US8349156B2 (en) | 2008-05-14 | 2013-01-08 | Applied Materials, Inc. | Microwave-assisted rotatable PVD |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2761893B2 (ja) | 1998-06-04 |
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