JPH0251201A - 薄膜ｐｔｃ抵抗体 - Google Patents
薄膜ｐｔｃ抵抗体Info
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- JPH0251201A JPH0251201A JP20253188A JP20253188A JPH0251201A JP H0251201 A JPH0251201 A JP H0251201A JP 20253188 A JP20253188 A JP 20253188A JP 20253188 A JP20253188 A JP 20253188A JP H0251201 A JPH0251201 A JP H0251201A
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- ptc resistor
- resistor
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Links
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/026—Vanadium oxides or oxidic compounds, e.g. VOx
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＶ２Ｏ３を主成分とするＰＴＣ抵抗体に関する
ものである。
ものである。
（従来の技術）
従来、Ｖ２Ｏ３を主成分とするＰＴＣ抵抗体には、特開
昭６１−１０７７０１号公報に記載されたものがある。
昭６１−１０７７０１号公報に記載されたものがある。
このＰＴＣ抵抗体は、温度の上昇により比抵抗が１０−
”（Ω・Ｃｍ）程度から１００（Ω・Ｃｍ）程度に急激
に上昇するもので、比抵抗の低いＰＴＣ特性を必要とす
る過電流像Ｍ素子あるいは温度検知等のセンサ等に用途
が考えられている。
”（Ω・Ｃｍ）程度から１００（Ω・Ｃｍ）程度に急激
に上昇するもので、比抵抗の低いＰＴＣ特性を必要とす
る過電流像Ｍ素子あるいは温度検知等のセンサ等に用途
が考えられている。
（従来技術の問題点）
しかしながら、上述したＰＴＣ抵抗体には、次のような
解決すべき問題点があった。
解決すべき問題点があった。
すなわち、Ｖ２Ｏ３を主成分とする抵抗素子では、比抵
抗が小さいので、大電流を流すことができるという特徴
がある。しかしながら、大電流を流すと、抵抗素子自体
が自己発熱により急激に膨張し、これが原因となってク
ラックが発生することがあり、素子強度が小さかった。
抗が小さいので、大電流を流すことができるという特徴
がある。しかしながら、大電流を流すと、抵抗素子自体
が自己発熱により急激に膨張し、これが原因となってク
ラックが発生することがあり、素子強度が小さかった。
また、抵抗−温度特性において、ヒステリシスが大きい
ため、ある温度での抵抗値が一定とならず、温度検知用
として使用することができなかった。
ため、ある温度での抵抗値が一定とならず、温度検知用
として使用することができなかった。
そこで本発明は、上述した問題点を解決し得るものであ
り、低熱容量、高感度、高素子強度、低ヒステリシスの
ＰＴＣ抵抗体を提供することを目的とするものである。
り、低熱容量、高感度、高素子強度、低ヒステリシスの
ＰＴＣ抵抗体を提供することを目的とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の薄ＭＰＴＣ抵抗体は、上述した問題点を解決す
るために次のような構成が採用される。
るために次のような構成が採用される。
すなわち、絶縁基板の主表面上にＶ２Ｏ３を主成分とす
る薄膜化されたＰＴＣ抵抗体が形成される。
る薄膜化されたＰＴＣ抵抗体が形成される。
（作用および効果）
本発明の薄膜ＰＴＣ抵抗体は、絶縁基板の主表面上に薄
膜化されたＰＴＣ抵抗体を形成することによって、密着
強度が大きくなるので、素子強度を大きくすることがで
きる。
膜化されたＰＴＣ抵抗体を形成することによって、密着
強度が大きくなるので、素子強度を大きくすることがで
きる。
また、ＰＴＣ抵抗体を薄膜化したことにより、体積が小
さくなるので熱容量を小さくすることができる。そして
、ＰＴＣ抵抗体の熱容量が小さくなることによって、温
度に体する応答速度を速くすることができ、抵抗−温度
特性において、ヒステリシスも小さくすることができる
。
さくなるので熱容量を小さくすることができる。そして
、ＰＴＣ抵抗体の熱容量が小さくなることによって、温
度に体する応答速度を速くすることができ、抵抗−温度
特性において、ヒステリシスも小さくすることができる
。
（実施例）
以下に、本発明の実施例を詳細に説明する。
まず、Ｖ２Ｏ５９６モル％に対して、Ｃｒ２Ｏ３を４モ
ル％添加し、湿式で２４時間混合、粉砕した。
ル％添加し、湿式で２４時間混合、粉砕した。
この後、脱水、屹燥を行い、Ｈ２雰囲気下で６００℃で
３時間、さらに１５００℃で５時間焼成し、直径１００
ｍｍ、厚みが０．６ｍｍのスパッタリング用のターゲッ
トを作成した。なお、ターゲットはそのほかにＶ２Ｏ３
にＣｒ、Ａｌｔ Ｆｅ。
３時間、さらに１５００℃で５時間焼成し、直径１００
ｍｍ、厚みが０．６ｍｍのスパッタリング用のターゲッ
トを作成した。なお、ターゲットはそのほかにＶ２Ｏ３
にＣｒ、Ａｌｔ Ｆｅ。
Ｎｌ、Ｃｏを添加したものでよい。
そして、このターゲットを用い、絶縁基板の温度を３０
０〜５００℃にして、Ａｒ雰囲気またはＡｒ０２雰囲気
下でスパッタリングを行い、第１図に示すように絶縁基
板１の主表面上に膜厚が１０μｍ程度のＶ２Ｏ３のＰＴ
Ｃ抵抗体２を形成した。なお、この実施例では、絶縁基
板として、Ｖ２Ｏ３の熱膨張係数（６Ｘ１０−６／ｄｅ
ｇ）に近い値を有するＡｌ２Ｏ３の材料からなる絶縁基
板を用いた。
０〜５００℃にして、Ａｒ雰囲気またはＡｒ０２雰囲気
下でスパッタリングを行い、第１図に示すように絶縁基
板１の主表面上に膜厚が１０μｍ程度のＶ２Ｏ３のＰＴ
Ｃ抵抗体２を形成した。なお、この実施例では、絶縁基
板として、Ｖ２Ｏ３の熱膨張係数（６Ｘ１０−６／ｄｅ
ｇ）に近い値を有するＡｌ２Ｏ３の材料からなる絶縁基
板を用いた。
ＰＴＣ抵抗体を形成後、Ｈ２雰囲気下６００〜１１００
℃で１時間程度熱処理を行い、さらに、第２図に示すよ
うに、ＰＴＣ抵抗体２の各端縁側から絶縁基板１の端面
まで延びた銀からなる引出電極８，４を蒸着によって形
成した。
℃で１時間程度熱処理を行い、さらに、第２図に示すよ
うに、ＰＴＣ抵抗体２の各端縁側から絶縁基板１の端面
まで延びた銀からなる引出電極８，４を蒸着によって形
成した。
引出電極を蒸着後、少なくとｔＰＴｃ抵抗体２の表面上
をガラス質の保護膜５でコーティングし、第３図に示す
ような薄ｊ摸ＰＴＣ抵抗体６を得た。
をガラス質の保護膜５でコーティングし、第３図に示す
ような薄ｊ摸ＰＴＣ抵抗体６を得た。
そして、この薄膜ＰＴＣ抵抗体６の温度に対する抵抗値
の変化を第４図に示した。
の変化を第４図に示した。
この第４図において、Ａは薄膜ＰＴＣ抵抗体６の温度上
昇に対する抵抗値の変化を示し、Ｂは薄膜ＰＴＣ抵抗体
６の温度降下に対する抵抗値の変化を示し、破線Ｃは従
来のＶ２Ｏ３を主成分とする抵抗素子の温度降下に対す
る抵抗値の変化を示している。この第４図かられかるよ
うに、従来のＶ２Ｏ３を主成分とする抵抗素子では、ヒ
ステリシスが約３５℃であったのに対して、本発明の簿
１ｐＴＣ抵抗体では、ヒステリシスが約１５℃となる。
昇に対する抵抗値の変化を示し、Ｂは薄膜ＰＴＣ抵抗体
６の温度降下に対する抵抗値の変化を示し、破線Ｃは従
来のＶ２Ｏ３を主成分とする抵抗素子の温度降下に対す
る抵抗値の変化を示している。この第４図かられかるよ
うに、従来のＶ２Ｏ３を主成分とする抵抗素子では、ヒ
ステリシスが約３５℃であったのに対して、本発明の簿
１ｐＴＣ抵抗体では、ヒステリシスが約１５℃となる。
第１図および第２図は本発明の薄ｇＰＴＣ抵抗体の製造
過程を説明する平面図、第３図は本発明の薄ＪＪＡＰＴ
Ｃ抵抗体を示す平面図、第４図は本発明の薄膜ＰＴＣ抵
抗体の温度に対する抵抗値の変化を示す特性図である。 １・・・絶縁基板、２・・・ＰＴＣ抵抗体、３．４・・
・引出電極、５・・・薄膜ＰＴＣ抵抗体。 ■ 図 箪 ２ 図
過程を説明する平面図、第３図は本発明の薄ＪＪＡＰＴ
Ｃ抵抗体を示す平面図、第４図は本発明の薄膜ＰＴＣ抵
抗体の温度に対する抵抗値の変化を示す特性図である。 １・・・絶縁基板、２・・・ＰＴＣ抵抗体、３．４・・
・引出電極、５・・・薄膜ＰＴＣ抵抗体。 ■ 図 箪 ２ 図
Claims (1)
- 絶縁基板の主表面上にＶ＿２Ｏ＿３を主成分とする薄
膜化されたＰＴＣ抵抗体を形成したことを特徴とする薄
膜ＰＴＣ抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20253188A JPH0251201A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 薄膜ｐｔｃ抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20253188A JPH0251201A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 薄膜ｐｔｃ抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0251201A true JPH0251201A (ja) | 1990-02-21 |
Family
ID=16459040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20253188A Pending JPH0251201A (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | 薄膜ｐｔｃ抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0251201A (ja) |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP20253188A patent/JPH0251201A/ja active Pending
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