JPH0399453A - 半導体集積回路用スクライブデータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は半導体集積回路のスクライブ領域の形状に関す
る。

［従来の技術］ 従来の半導体集積回路におけるスクライブ部となる０Ａ
Ｉ）データの最外周のスクライブデータは、地側と右側
のみ（」形状）もしくは天側と左側のみ（「形状）スク
ライブデータが存在し、その他の部分は全くスクライブ
データは存在していない。

＠に、近年盛んに使用されるウェハ上のパターンサイズ
の数倍の大きさに拡大投影された形状で作成、されるガ
ラスマスク（以下レチクルマスクと呼ぶ）を使用しステ
ッパーを用いるプロセスにおいては顕著である。

［発明が解決しようとする課題］ しかし、前述の従来技術では、ウェハ上にスクライブ領
域が形成されたとき、最外周のチップの−ｍのチップ（
スクライブデータの形状が」形状の場゛合は、通常最左
端列のチップの最天側行のチツブ。スクライブデータの
形状が「形状の場合は、通常最右端列のチップと最地側
行のチップ）にスクライブ領域が完全には形成されない
チップが結果、ダイシング不良あるいは長期信頼性不良
等により不良品となってしまう問題点を有する。そこで
本発明はこのような問題点を解決するものでその目的と
するところは、ウェハ上に形成される全てのチップにス
クライブ領域を形成することにより、スクライブ形状の
不具合に起因するチップ不良をな（シ、歩留りを向上さ
せるスクライブデータを提供するところにある。

［ｉｌＮ題を解決するための手段］ 本発明の半導体集積回路用スクライブデータはスクライ
ブ部となるＣＡＤデータの最外周のスクライブデータの
幅が天明部分十地側部分＝スクライブ領域幅、左側部分
十右側部分＝スク２イブ領域幅であり、かつ前記スクラ
イブデータの幅が天測と地側もしくは左側と右側が同一
でなく、かつ前記スクライブデータが天地左右に存在す
ることを特徴とする。

［作用コ 本発明の上記の構成によれば、ウェハ上に形成される全
てのチップにスクライブ領域が形成されるため、従来ス
クライブ領域が不十分であったウニへの周辺チップの一
部にもスクライブ領域が形成され良品チップとなり、歩
留向上が図られる。

［実施例］ 以下、本発明について、実施例に基づいて説明する。

第１図及び第２図は本発明の実施例であり、第１図は最
外周スクライブの右側と地側のスクライブ幅が左側と天
側のスクライブの幅より広い場合の形状例である。第２
図は最外周スクライブの左側と天側のスクライブ幅が右
側と地側のスクライブの幅より広い場合の例である。

１０１はスクライブ領域となる部分の中心な表す線であ
る。１０２は天側スクライブデータ、１０３は地側スク
ライブデータ、１０４は左側スクライブデータ、１０５
は右側スクライブデータである。

天側スクライブ（１０２）のデータ幅をα、地側スクラ
イブ（１０３）のデータ幅をｈとするとα＋ｂ＝スクラ
イブ領域幅となるように作成されている。また、左側ス
クライブ（１０４）のデータ幅をＣ１右側スクライブ（
１０５）のデータ幅をｄとすると、ｃ　−１−ｄ　＝ス
クライブ領域幅となるように作成されている。

本発明のスクライブデータを用いてガラスマスクを作成
することにより、レチクルマスクを用いて、ウェハ上に
同一パターンをステップ描画する場合、クエへ周辺のチ
ップにおいても必要なスクライブ形状が確保される上、
各チップ間のスクライブ幅は所要の幅になると共に、二
重描画される部分が無いためパターンの精度が保証され
る。ウェハ上のパターンサイズと同一の倍率で作成され
るガラスマスク（以下等倍マスクと呼ぶ）を用いウェハ
上にパターンを描画する場合も、ガラスミスフ上のパタ
ーンが、クエへ周辺のチップにおいても必要なスクライ
ブ形状が確保される上、各チップ間のスクライブ幅は所
要の幅になると共に、二重描画される部分が無いためパ
ターンの精度が保証され、結果としてウェハ上の全ての
チップに必要なスクライブが形成される。

第５図及び第４図は従来例であり、第３図は最外周スク
ライブの右側と地側にのみスクライブデータが存在して
いる形状例であり、第４図は最外周スクライブの左側と
天側にのみスクライブデータが存在している形状例であ
る。

従来例では、上記データを用いてウェハ上にパターンを
描画した場合、ウニへの周辺部のチップに必要なスクラ
イブ形状を形成することは困難である。

［発明の効果］ 以上述べたように発明によれば、スクライブ部となるＣ
ＡＤデータを、最外周のスクライブデータの幅が天側部
分生地側部分＝スクライブ領域幅、左側部分十右側部分
＝スクライブ領域幅であり、かつ前記スクライブデータ
の幅が天側と地側もしくは左側と右側が同一でなく、か
つ前記スクライブデータが天地左右に存在することを満
足するように作成することＫより、ウニ八周辺部のチッ
プにも必要なスクライブ領域が作成され良品チップ数が
増え、歩留向上が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の最外周スクライブの右側と地側のスク
ライブ幅が左側と天側のスクライブの幅より広い場合の
形状例を示す図。 第２図は本発明の最外周スクライブの左側と天側のスク
ライブ幅が右側と地側のスクライブの幅より広い場合の
例を示す図である。 第３図及び第４図は従来例を示す図。 １０１・・・・・・スクライブ領域となる部分の中心を
表す線である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 半導体集積回路を各々のチップに分離するために設けら
   れたスクライブ領域を有する半導体集積回路において、
   スクライブ部となるＣＡＤデータの最外周のスクライブ
   データの輻が天側部分＋地側部分＝スクライブ領域幅、
   左側部分＋右側部分＝スクライブ領域幅であり、かつ前
   記スクライブデータの幅が天側と地側もしくは左側と右
   側が同一でなく、かつ前記スクライブデータが天地左右
   に存在することを特徴とする半導体集積回路用スクライ
   ブデータ。