JPH0252252U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0252252U JPH0252252U JP13246688U JP13246688U JPH0252252U JP H0252252 U JPH0252252 U JP H0252252U JP 13246688 U JP13246688 U JP 13246688U JP 13246688 U JP13246688 U JP 13246688U JP H0252252 U JPH0252252 U JP H0252252U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion source
- source chamber
- microwave
- introduction tube
- waveguide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
第１図は本考案のイオン源の縦断面図。第２図
ａはマイクロ波導入管の縦断面図、ｂはマイクロ
波導入管に於ける変換前の電気力線図、ｃはマイ
クロ波導入管に於ける変換後の電気力線図。第３
図は本考案のイオン源で多数枚の試料基板にイオ
ン照射するものを示す図。第４図は本考案のイオ
ン源のイオンビーム密度分布図。第５図は従来例
のマイクロ波イオン源の縦断面図。第６図は従来
例のマイクロ波イオン源の導波管内部の電気力線
図。第７図は従来のイオン源により多数枚の試料
基板にイオン照射するものを示す図。第８図は従
来のイオン源のイオンビーム密度分布図。 １……イオン源チヤンバ、２……コイル、３，
４……誘電体、５……導波管、６……引出電極、
７……絶縁フランジ、８……引出電極、９……誘
電体、１０……磁力線、１１……電気力線、１２
……マイクロ波導入管、１３……デイスク、１４
……試料基板、１５……傾斜誘電体、１６……切
込み、２０……マイクロ波発生器、２１……端板
、２６……加速電極、２７……減速電極。
ａはマイクロ波導入管の縦断面図、ｂはマイクロ
波導入管に於ける変換前の電気力線図、ｃはマイ
クロ波導入管に於ける変換後の電気力線図。第３
図は本考案のイオン源で多数枚の試料基板にイオ
ン照射するものを示す図。第４図は本考案のイオ
ン源のイオンビーム密度分布図。第５図は従来例
のマイクロ波イオン源の縦断面図。第６図は従来
例のマイクロ波イオン源の導波管内部の電気力線
図。第７図は従来のイオン源により多数枚の試料
基板にイオン照射するものを示す図。第８図は従
来のイオン源のイオンビーム密度分布図。 １……イオン源チヤンバ、２……コイル、３，
４……誘電体、５……導波管、６……引出電極、
７……絶縁フランジ、８……引出電極、９……誘
電体、１０……磁力線、１１……電気力線、１２
……マイクロ波導入管、１３……デイスク、１４
……試料基板、１５……傾斜誘電体、１６……切
込み、２０……マイクロ波発生器、２１……端板
、２６……加速電極、２７……減速電極。
補正 平１．１．３０
図面の簡単な説明を次のように補正する。
明細書第１６頁第２０行目「ｂ」とあるのを「
第２図ｂ」と訂正する。 明細書第１７頁第２行目「ｃ」とあるのを「第
２図ｃ」と訂正する。 明細書第１７頁第１５行目と同頁１６行目のあ
いだに「第９図は多数の基板を配置したデイスク
の平面図。」という文を挿入する。
第２図ｂ」と訂正する。 明細書第１７頁第２行目「ｃ」とあるのを「第
２図ｃ」と訂正する。 明細書第１７頁第１５行目と同頁１６行目のあ
いだに「第９図は多数の基板を配置したデイスク
の平面図。」という文を挿入する。
Claims (1)
- 真空に引くことができ導入されたガスをイオン
化する円筒状空間を形成するイオン源チヤンバ１
と、イオン源チヤンバ１にマイクロ波を供給する
マイクロ波発生器２０と、イオン源チヤンバ１の
周りに設けられ電子のサイクロトロン周波数が少
なくともマイクロ波周波数にほぼ等しくなるよう
な軸方向の磁場を生ずるコイル２と、マイクロ波
発生器２０からマイクロ波を導く導波管５と、導
波管５に対して絶縁フランジ７を介して接続され
イオン源チヤンバ１の中心軸線上に差込まれた円
筒形のマイクロ波導入管１２と、マイクロ波導入
管１２の終端部近くに設けられマイクロ波をイオ
ン源チヤンバ１の中へ導入するための円筒状の誘
電体９と、マイクロ波導入管１２の終端部に設け
られる金属製の端板２１と、イオン源チヤンバ１
の出口に設けられる円環状の引出電極８と、マイ
クロ波導入管１２の内部に於て、マイクロ波発生
器２０からのＴＥ１０モードのマイクロ波の電気
力線の方向に対し４５°の角をなし、直線偏波を
円偏波に変換しＴＥ０１モードとする傾斜誘電体
１５とよりなる事を特徴とするイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13246688U JPH0252252U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13246688U JPH0252252U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252252U true JPH0252252U (ja) | 1990-04-16 |
Family
ID=31389452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13246688U Pending JPH0252252U (ja) | 1988-10-11 | 1988-10-11 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252252U (ja) |
-
1988
- 1988-10-11 JP JP13246688U patent/JPH0252252U/ja active Pending
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