JPH0262650U - - Google Patents

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JPH0262650U
JPH0262650U JP14312988U JP14312988U JPH0262650U JP H0262650 U JPH0262650 U JP H0262650U JP 14312988 U JP14312988 U JP 14312988U JP 14312988 U JP14312988 U JP 14312988U JP H0262650 U JPH0262650 U JP H0262650U
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ion source
mesh
source chamber
microwave
waveguide
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  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案のイオン源の一例を示す縦断面
図。第２図はメツシユ状導体の一部平面図。第３
図はイオン源チヤンバ内での電気力線と表面電流
を示す図。第４図は従来例のイオン源の縦断面図
。第５図は第４図のチヤンバ内での電気力線と表
面電流を示す図。第６図は冷却パイプで作つたメ
ツシユ状導体の断面図。 １……イオン源チヤンバ、２……コイル、３…
…誘電体、４……導波管、５……マイクロ波発振
器、６……マイクロ波反射板、７……引出電極、
８……電気力線、９……表面電流、１０……メツ
シユ状導体、１１……メツシユ状導体、１２……
高周波電源、１３……切換器、１４……ガス導入
口、１６……開口。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 真空に引くことができガスを導入してこれ
    をプラズマにする空間を与える円筒形のイオン源
    チヤンバ１と、イオン源チヤンバ１の円筒の外周
    に設けられ軸方向の磁場を生ずるコイル２と、前
    記磁場に対する電子のサイクロトロン周波数にほ
    ぼ等しい周波数のマイクロ波を生ずるマイクロ波
    発振器５と、マイクロ波をイオン源チヤンバ１へ
    導く導波管４と、導波管４とイオン源チヤンバ１
    の窓の間に設けられる誘電体３と、イオン源チヤ
    ンバ１の内壁に沿つてかご形をなすように設けら
    れ格子の空隙ｄがマイクロ波波長の１／４以下で
    ある高導電率の金属よりなるメツシユ状導体１０
    ，１１とよりなり、メツシユ状導体１０，１１は
    マイクロ波の入り口に開口１６を有しマイクロ波
    に対し空胴共振器をなす事を特徴とするイオン源
    。 (2) メツシユ状導体１０，１１とイオン源チヤ
    ンバ１の壁面との間に高周波電源１２が設けられ
    、これらの間にグロー放電を生じさせてメツシユ
    状導体１０，１１をエツチングするようにした実
    用新案登録請求の範囲第(1)項記載のイオン源。
JP14312988U 1988-10-31 1988-10-31 Pending JPH0262650U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5458427B1 (ja) * 2013-05-27 2014-04-02 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー マイクロ波プラズマ発生装置の空洞共振器

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5458427B1 (ja) * 2013-05-27 2014-04-02 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー マイクロ波プラズマ発生装置の空洞共振器
WO2014192062A1 (ja) * 2013-05-27 2014-12-04 株式会社アドテック プラズマ テクノロジー マイクロ波プラズマ発生装置の空洞共振器

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