JPH0252485A - 面発光型半導体レーザーの製造方法 - Google Patents
面発光型半導体レーザーの製造方法Info
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- JPH0252485A JPH0252485A JP20520088A JP20520088A JPH0252485A JP H0252485 A JPH0252485 A JP H0252485A JP 20520088 A JP20520088 A JP 20520088A JP 20520088 A JP20520088 A JP 20520088A JP H0252485 A JPH0252485 A JP H0252485A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レ
ーザーの製造方法に関する。
ーザーの製造方法に関する。
第７図は、内部電流狭窄構造を導入した従来の面発光型
半導体レーザーの構成を模式的に示す断面図である０図
中１はエツチングにより一部が除去されたｐ−ＧａＡｓ
基板であって、基板１には、ρ−Ｇａ ０．６ＡＩ。、
４Ａｓ層２と、選択的メルトバンクにより一部が除去さ
れたｐ−ＧａＡｓ層３及びｎ−（ｒａ（１，６ＡｌＯ，
４Ａｓブロック層４とがこの順に積層されている。ブロ
ック層４には選択的メルトバックにより除去された部分
を含んでｐ−Ｇａ０８６ ＡＩｏ、４ ＡＩクラッド層
５が積層されており、クラッド層５にはｐ−Ｇａ０，９
ＡＩ。、１Ａｓ活性層６． ｎ−Ｇａ００６ ＡＩｏ、
４へＳクラッド層７及びｎ−Ｇａ ｔ３． Ｂ５八１０
．ｌ５Ａ３キャンプ層８がこの順に積層されている。ま
た、前記基板１がエツチング除去され先部分及びこの部
分に対応するキャップ層８上に反射鏡９ａ、９ａが設け
られ、エツチング除去されない部分の基板１及び反射鏡
９ｂを設けた部分以外のキャップ層８上に電極１０ｂ、
１０ｂが設けられている。
半導体レーザーの構成を模式的に示す断面図である０図
中１はエツチングにより一部が除去されたｐ−ＧａＡｓ
基板であって、基板１には、ρ−Ｇａ ０．６ＡＩ。、
４Ａｓ層２と、選択的メルトバンクにより一部が除去さ
れたｐ−ＧａＡｓ層３及びｎ−（ｒａ（１，６ＡｌＯ，
４Ａｓブロック層４とがこの順に積層されている。ブロ
ック層４には選択的メルトバックにより除去された部分
を含んでｐ−Ｇａ０８６ ＡＩｏ、４ ＡＩクラッド層
５が積層されており、クラッド層５にはｐ−Ｇａ０，９
ＡＩ。、１Ａｓ活性層６． ｎ−Ｇａ００６ ＡＩｏ、
４へＳクラッド層７及びｎ−Ｇａ ｔ３． Ｂ５八１０
．ｌ５Ａ３キャンプ層８がこの順に積層されている。ま
た、前記基板１がエツチング除去され先部分及びこの部
分に対応するキャップ層８上に反射鏡９ａ、９ａが設け
られ、エツチング除去されない部分の基板１及び反射鏡
９ｂを設けた部分以外のキャップ層８上に電極１０ｂ、
１０ｂが設けられている。
以上のような方法で製造された面発光型半導体レーザー
は、活性層６から離れた位置で電流狭窄を行う構成であ
るため、活性Ｎ６が２．０〜４．０μ−と比較的厚くな
った場合、活性層６内部において電流拡がりが発生し、
電流の閉じ込めが十分に行われないという問題がある。
は、活性層６から離れた位置で電流狭窄を行う構成であ
るため、活性Ｎ６が２．０〜４．０μ−と比較的厚くな
った場合、活性層６内部において電流拡がりが発生し、
電流の閉じ込めが十分に行われないという問題がある。
また、以上のような方法で製造された面発光型半導体レ
ーザーは、活性層６での光共振方向に垂直な方向に対し
て光の閉じ込めが十分に行われていないという問題があ
る。
ーザーは、活性層６での光共振方向に垂直な方向に対し
て光の閉じ込めが十分に行われていないという問題があ
る。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
であって、電流閉じ込め効果が高く、また光閉じ込め効
果を備えた、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体
レーザーの製造方法の提供を目的とする。
であって、電流閉じ込め効果が高く、また光閉じ込め効
果を備えた、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体
レーザーの製造方法の提供を目的とする。
本発明の面発光型半導体レーザーの製造方法は、内部電
流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザーの製造方法
において、第１導電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型
のＧａ１−ｘ ＡＩＸ Ａｓクラッド層（×≧０．１）
及び前記ＧａＡｓ基板と逆導電型である第２導電型のＧ
ａＡｓ活性層をこの順に成長させる工程と、前記ＧａＡ
ｓ活性層にメサ部を形成する工程と、前記メサ部を含む
ＧａＡｓ活性層上に、第１導電型のＧａ１−ｙ Ａｎｙ
Ａｓブロック層（ｙ≧０．１）を成長させる工程と、該
Ｇａ１−ＹＡｌｙ Ａｓブロック層をその下のメサ部に
達するまでメルトバック除去する工程と、メルトバンク
除去した前記Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層上に
、第２導電型のＧａ１−ｘ Ａｌｘ Ａｓクラッド層及
び第２導電型のＧａ１−ｚＡｌｚ Ａｓキャップ層をこ
の順に成長させる工程とを有することを特徴とする。
流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザーの製造方法
において、第１導電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型
のＧａ１−ｘ ＡＩＸ Ａｓクラッド層（×≧０．１）
及び前記ＧａＡｓ基板と逆導電型である第２導電型のＧ
ａＡｓ活性層をこの順に成長させる工程と、前記ＧａＡ
ｓ活性層にメサ部を形成する工程と、前記メサ部を含む
ＧａＡｓ活性層上に、第１導電型のＧａ１−ｙ Ａｎｙ
Ａｓブロック層（ｙ≧０．１）を成長させる工程と、該
Ｇａ１−ＹＡｌｙ Ａｓブロック層をその下のメサ部に
達するまでメルトバック除去する工程と、メルトバンク
除去した前記Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層上に
、第２導電型のＧａ１−ｘ Ａｌｘ Ａｓクラッド層及
び第２導電型のＧａ１−ｚＡｌｚ Ａｓキャップ層をこ
の順に成長させる工程とを有することを特徴とする。
本発明の面発光型半導体レーザーの製造方法は、第１導
電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型のＧａ１−にＡｌ
ｘ Ａｓクラッド層（ｘ≧０．１）及び前記ＧａＡｓ基
板と逆導電型である第２導電型のＧａＡｓ活性層をこの
順に成長させ、前記ＧａＡｓ活性層にメサ部を形成し、
前記メサ部を含む前記ＧａＡｓ活性層上に、第１導電型
のＧａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層（ｙ≧０．１）
を成長させ、１Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層を
その下のメサ部までメルトバック除去し、メルトバック
除去した前記Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層上に
、第２導電型のＧａ１−ｘＡｌｘ Ａｓクラッド層及び
第２導電型のＧａ１−ｚ Ａｌｚ Ａｓキャンプ層をこ
の順に成長させる。
電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型のＧａ１−にＡｌ
ｘ Ａｓクラッド層（ｘ≧０．１）及び前記ＧａＡｓ基
板と逆導電型である第２導電型のＧａＡｓ活性層をこの
順に成長させ、前記ＧａＡｓ活性層にメサ部を形成し、
前記メサ部を含む前記ＧａＡｓ活性層上に、第１導電型
のＧａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層（ｙ≧０．１）
を成長させ、１Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層を
その下のメサ部までメルトバック除去し、メルトバック
除去した前記Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック層上に
、第２導電型のＧａ１−ｘＡｌｘ Ａｓクラッド層及び
第２導電型のＧａ１−ｚ Ａｌｚ Ａｓキャンプ層をこ
の順に成長させる。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき詳述する
。第１図乃至第６図は本発明の面発光型半導体レーザー
の製造方法の工程を示す模式図である。
。第１図乃至第６図は本発明の面発光型半導体レーザー
の製造方法の工程を示す模式図である。
１回目の成長で、まずｎ−ＧａＡｓ基板１にｎ−Ｇａ
（３，６＾１０．４へＳクラッド層２及びｐ−ＧａＡｓ
活性層１１（膜厚〜３．０μｍ）を順次成長させる（第
１図）０次に、ｐ−ＧａＡｓ活性層１１に５μｍφ、高
さ〜２．０μｍのメサを形成する（第２図（ａ）及び山
））。
（３，６＾１０．４へＳクラッド層２及びｐ−ＧａＡｓ
活性層１１（膜厚〜３．０μｍ）を順次成長させる（第
１図）０次に、ｐ−ＧａＡｓ活性層１１に５μｍφ、高
さ〜２．０μｍのメサを形成する（第２図（ａ）及び山
））。
２回目の成長で、メサを含むｐ−ＧａＡｓ活性層１１上
に、その周囲と比較してほとんど成長しない（例えば周
囲〜１μｍに対してメサ上部から０．１ μｍ）という
ＬＰＥ法の性質を利用してｎ−Ｇａ０，６Ａ１０．４Ａ
ｓブロック層１２を成長させた後、未飽和メルトによる
メルトバックによってｐ−ＧａＡｓ活性層１１のメサ上
部の薄いｎ−Ｇａ（１，６１１ｔｏ、４ Ａｓブロック
層１２を除去しく第３図及び第４図）、さらに、ｐ−Ｇ
ａ ０．６ ＡＩ ０．４Ａｓクラッド層７及び９−Ｇ
ａ ｏ、 ａｓ＾Ｉｑ、）５Ａｓキャンプ層８を成長さ
せる（第５図）。
に、その周囲と比較してほとんど成長しない（例えば周
囲〜１μｍに対してメサ上部から０．１ μｍ）という
ＬＰＥ法の性質を利用してｎ−Ｇａ０，６Ａ１０．４Ａ
ｓブロック層１２を成長させた後、未飽和メルトによる
メルトバックによってｐ−ＧａＡｓ活性層１１のメサ上
部の薄いｎ−Ｇａ（１，６１１ｔｏ、４ Ａｓブロック
層１２を除去しく第３図及び第４図）、さらに、ｐ−Ｇ
ａ ０．６ ＡＩ ０．４Ａｓクラッド層７及び９−Ｇ
ａ ｏ、 ａｓ＾Ｉｑ、）５Ａｓキャンプ層８を成長さ
せる（第５図）。
最後に、ｎ−ＧａＡｓ基板１の一部をエツチングにより
ｎ−Ｇａ０，６ Ａｌ Ｏ，４Ａｓクラッド層２に達す
るまで除去し、除去した部分に反射鏡９ａを設け、反射
鏡９ａに対応するｐ−Ｇａ ０．８５八ｉｏ、１ｓ１１
ｓキ一１’７プ層８上に反射１Ｉ９ｂを設け、さらに、
ｎ−ＧａＡｓ基板１のエツチング除去しなかった部分及
びｐ−Ｇａ Ｏ，８５ＡＩ ０．１５Ａｓキャップ層８
上の反射鏡９ｂ以外の部分に電極１０ａ、 １０ａ及び
１０ｂ、 １０ｂを設け（第６図）、面発光型半導体レ
ーザーが完成する。
ｎ−Ｇａ０，６ Ａｌ Ｏ，４Ａｓクラッド層２に達す
るまで除去し、除去した部分に反射鏡９ａを設け、反射
鏡９ａに対応するｐ−Ｇａ ０．８５八ｉｏ、１ｓ１１
ｓキ一１’７プ層８上に反射１Ｉ９ｂを設け、さらに、
ｎ−ＧａＡｓ基板１のエツチング除去しなかった部分及
びｐ−Ｇａ Ｏ，８５ＡＩ ０．１５Ａｓキャップ層８
上の反射鏡９ｂ以外の部分に電極１０ａ、 １０ａ及び
１０ｂ、 １０ｂを設け（第６図）、面発光型半導体レ
ーザーが完成する。
なお、前記ｎ−Ｇａ０，６ ＡＩｏ、４ Ａ３ブロック
層１２は、その屈折率（〜３．４）がｐ−ＧａＡｓ活性
層１１の屈折率（〜３．６）よりも小さいため、電流閉
じ込めと同時に光閉じ込め層としても機能する。
層１２は、その屈折率（〜３．４）がｐ−ＧａＡｓ活性
層１１の屈折率（〜３．６）よりも小さいため、電流閉
じ込めと同時に光閉じ込め層としても機能する。
本発明の面発光型半導体レーザーの製造方法は、２回と
いう少ない結晶成長で、活性層の周囲に電流ブロック層
を設けたことにより電流閉じ込め効果を高めるとともに
、電流ブロック層の屈折率が活性層の屈折率よりも小さ
いために光閉じ込め層としても機能するという優れた効
果を奏する。
いう少ない結晶成長で、活性層の周囲に電流ブロック層
を設けたことにより電流閉じ込め効果を高めるとともに
、電流ブロック層の屈折率が活性層の屈折率よりも小さ
いために光閉じ込め層としても機能するという優れた効
果を奏する。
第１図乃至第６図は本発明の面発光型半導体レーザーの
製造工程を示す模式図、第７図は従来の。 面発光型半導体レーザーの構成を示す模式的断面図であ
る。 １−ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ・＝ｎ−ＧａＯ，６八１ｏ
、４Ａｓへラッド層 ７−ｐ−Ｇａ ｔ３．５ ＡＩ
□、 ４ Ａｓクラッド層８・・・ｐ−Ｇａ ｏ、 ａ
ｓ＾＋０．ｌ５Ｉｌ！ｌキ一？７ブ層９ａ、９ｂ−反射
鏡 １０ａ、１０ｂ −電極 １ｌ−ｐ−ＧａＡｓ活性
層 １２−ｎ−Ｇａ ６．６ＡＩ（１，４Ａｓブロック
層第 図 （ａ） 図 （ｂ） 箪 図 策 図 藁 図 第 図 手続補正ＩＦ（自発） 平成１年２月６日 昭和６３年特許願第２０５２００号 発明の名称 面発光型半導体レーザーの製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 東京都千代田区永田町二丁目５番２号名 称
新技術開発事業団 代表者赤羽信久 所在地 東京都目黒区大岡山２丁目１２番１号名 称
東京工業大学長 日中 郁三所在地 守口市京阪本通
２丁目１８番地名 称 （１８８） 三洋電機株式会
社代表者 井 植 敏
製造工程を示す模式図、第７図は従来の。 面発光型半導体レーザーの構成を示す模式的断面図であ
る。 １−ｎ−ＧａＡｓ基板 ２ ・＝ｎ−ＧａＯ，６八１ｏ
、４Ａｓへラッド層 ７−ｐ−Ｇａ ｔ３．５ ＡＩ
□、 ４ Ａｓクラッド層８・・・ｐ−Ｇａ ｏ、 ａ
ｓ＾＋０．ｌ５Ｉｌ！ｌキ一？７ブ層９ａ、９ｂ−反射
鏡 １０ａ、１０ｂ −電極 １ｌ−ｐ−ＧａＡｓ活性
層 １２−ｎ−Ｇａ ６．６ＡＩ（１，４Ａｓブロック
層第 図 （ａ） 図 （ｂ） 箪 図 策 図 藁 図 第 図 手続補正ＩＦ（自発） 平成１年２月６日 昭和６３年特許願第２０５２００号 発明の名称 面発光型半導体レーザーの製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 東京都千代田区永田町二丁目５番２号名 称
新技術開発事業団 代表者赤羽信久 所在地 東京都目黒区大岡山２丁目１２番１号名 称
東京工業大学長 日中 郁三所在地 守口市京阪本通
２丁目１８番地名 称 （１８８） 三洋電機株式会
社代表者 井 植 敏
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザー
の製造方法において、 第１導電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型のＧａ＿１
＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓクラッド層（ｘ≧０．１）及び前
記ＧａＡｓ基板と逆導電型である第２導電型のＧａＡｓ
活性層をこの順に成長させる工程と、 前記ＧａＡｓ活性層にメサ部を形成する工程と、前記メ
サ部を含むＧａＡｓ活性層上に、第１導電型のＧａ＿１
＿−＿ｙＡｌ＿ｙＡｓブロック層（ｙ≧０．１）を成長
させる工程と、 該Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙＡｓブロック層をその下の
メサ部に達するまでメルトバック除去する工程と、メル
トバック除去した前記Ｇａ＿１＿−＿ｙＡｌ＿ｙＡｓブ
ロック層上に、第２導電型のＧａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘ
Ａｓクラッド層及び第２導電型のＧａ＿１＿−＿ｚＡｌ
＿ｚＡｓキャップ層をこの順に成長させる工程と を有することを特徴とする面発光型半導体 レーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20520088A JP2719631B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 面発光型半導体レーザーの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20520088A JP2719631B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 面発光型半導体レーザーの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252485A true JPH0252485A (ja) | 1990-02-22 |
| JP2719631B2 JP2719631B2 (ja) | 1998-02-25 |
Family
ID=16503062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20520088A Expired - Lifetime JP2719631B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 面発光型半導体レーザーの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2719631B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267781A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-10-15 | Samsung Electron Co Ltd | レーザダイオード及びレーザダイオードアレイの製造方法 |
| US6549553B1 (en) | 1998-02-25 | 2003-04-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser |
| CN100463313C (zh) * | 2003-12-22 | 2009-02-18 | 松下电器产业株式会社 | 面发光激光器和激光投射装置 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP20520088A patent/JP2719631B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267781A (ja) * | 1991-12-24 | 1993-10-15 | Samsung Electron Co Ltd | レーザダイオード及びレーザダイオードアレイの製造方法 |
| US6549553B1 (en) | 1998-02-25 | 2003-04-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser |
| US6846685B2 (en) | 1998-02-25 | 2005-01-25 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser |
| CN100463313C (zh) * | 2003-12-22 | 2009-02-18 | 松下电器产业株式会社 | 面发光激光器和激光投射装置 |
| US7643524B2 (en) | 2003-12-22 | 2010-01-05 | Panasonic Corporation | Surface-emitting laser and laser projector |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2719631B2 (ja) | 1998-02-25 |
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