JPH0252486A - 面発光型半導体レーザの製造方法 - Google Patents
面発光型半導体レーザの製造方法Info
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- JPH0252486A JPH0252486A JP20520188A JP20520188A JPH0252486A JP H0252486 A JPH0252486 A JP H0252486A JP 20520188 A JP20520188 A JP 20520188A JP 20520188 A JP20520188 A JP 20520188A JP H0252486 A JPH0252486 A JP H0252486A
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- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レ
ーザーの製造方法に関する。
ーザーの製造方法に関する。
面発光型半導体レーザーは、エピタキシャル面と基板端
面とで共振器を作成して面方向にレーザー光を出射する
半導体レーザーであって、レーザーの２次元アレイ化、
また他の電子回路との集積化を可能とするものである。
面とで共振器を作成して面方向にレーザー光を出射する
半導体レーザーであって、レーザーの２次元アレイ化、
また他の電子回路との集積化を可能とするものである。
このような面発光型半導体レーザーには、内部電流狭窄
構造の導入が適当であると推測されながら、現時点では
有効な製造方法が考案されていない。
構造の導入が適当であると推測されながら、現時点では
有効な製造方法が考案されていない。
考案されている製造方法の１例には、ＧａＡｓ基板にメ
サを形成し、このメサ上にＧａＡｌＡｓブロック層を成
長させ、メサ及びＧａＡｓ基板を選択的にメルトバック
除去してＶ溝を形成した後、このＶ溝を含むブロック層
上に、ダブルへテロ構造をなす各層を成長させてＶ溝付
近に発振光を導波するインナストライプ構造の面発光型
半導体レーザーを製造する方法がある。
サを形成し、このメサ上にＧａＡｌＡｓブロック層を成
長させ、メサ及びＧａＡｓ基板を選択的にメルトバック
除去してＶ溝を形成した後、このＶ溝を含むブロック層
上に、ダブルへテロ構造をなす各層を成長させてＶ溝付
近に発振光を導波するインナストライプ構造の面発光型
半導体レーザーを製造する方法がある。
ところが、上述のような製造方法はＧａＡｓ基板にメサ
を形成する方法であるので、この製造方法を、基板によ
る発振光の吸収を防ぐべく基板の一部を最終的にエツチ
ング除去し、エツチング除去した部分に反射鏡を設ける
構造の半導体レーザーに通用することはできない。
を形成する方法であるので、この製造方法を、基板によ
る発振光の吸収を防ぐべく基板の一部を最終的にエツチ
ング除去し、エツチング除去した部分に反射鏡を設ける
構造の半導体レーザーに通用することはできない。
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
であって、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レ
ーザーに通用し得る製造方法の提供を目的とする。
であって、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レ
ーザーに通用し得る製造方法の提供を目的とする。
本発明の面発光型半導体レーザーの製造方法は、内部電
流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザーの製造方法
において、第１導電型のＧａＡ！１基板上に、第１導電
型のＧａ１−ｘ Ａｌｘ Ａｓ第１クラッド層（ｘ≧０
．１） 、前記ＧａＡｓ基板と逆導電型である第２導電
型のＧａ１−ｗ Ａｌｗ Ａｓ活性層、第２導電型のＧ
ａ１−ｘ ＡｌｘＡｓ第２クラッド層及び第１導電型の
ＧａＡｓ層をこの順に成長させる工程と、前記ＧａＡｓ
層にメサ部を形成する工程と、該メサ部を含む前記Ｇａ
Ａｓ層上に、第１導電型のＧａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓ（
ｙ≧０．１）ブロゾク層を成長させる工程と、前記メサ
部をその下の前記Ｇａ１−ｘＡｌｘ Ａｓ第２クラッド
層に達するまで選択的にメルトバック除去する工程と、
メルトバック除去した領域を含む前記Ｇａ１−ｙ Ａｌ
ｙ Ａｓブロック層上に第２導電型のＧａ１−ｘ Ａｌ
ｘ Ａｓ層及び第２導電型のＧａ１−ｚＡｄｚ Ａｓキ
ャップ層をこの順に成長させる工程とを有することを特
徴とする。
流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザーの製造方法
において、第１導電型のＧａＡ！１基板上に、第１導電
型のＧａ１−ｘ Ａｌｘ Ａｓ第１クラッド層（ｘ≧０
．１） 、前記ＧａＡｓ基板と逆導電型である第２導電
型のＧａ１−ｗ Ａｌｗ Ａｓ活性層、第２導電型のＧ
ａ１−ｘ ＡｌｘＡｓ第２クラッド層及び第１導電型の
ＧａＡｓ層をこの順に成長させる工程と、前記ＧａＡｓ
層にメサ部を形成する工程と、該メサ部を含む前記Ｇａ
Ａｓ層上に、第１導電型のＧａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓ（
ｙ≧０．１）ブロゾク層を成長させる工程と、前記メサ
部をその下の前記Ｇａ１−ｘＡｌｘ Ａｓ第２クラッド
層に達するまで選択的にメルトバック除去する工程と、
メルトバック除去した領域を含む前記Ｇａ１−ｙ Ａｌ
ｙ Ａｓブロック層上に第２導電型のＧａ１−ｘ Ａｌ
ｘ Ａｓ層及び第２導電型のＧａ１−ｚＡｄｚ Ａｓキ
ャップ層をこの順に成長させる工程とを有することを特
徴とする。
本発明の面発光型半導体レーザーの製造方法は、第１導
電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型のＧａ１−ｘＡｌ
ｘ Ａｓ第１クラッド層（ｘ≧０．ＩＬ前記ＧａＡｓ基
板と逆導電型である第２導電型のＧａ１−ｗ Ａｌｗ
Ａｓ活性層。
電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型のＧａ１−ｘＡｌ
ｘ Ａｓ第１クラッド層（ｘ≧０．ＩＬ前記ＧａＡｓ基
板と逆導電型である第２導電型のＧａ１−ｗ Ａｌｗ
Ａｓ活性層。
第２導電型のＧａ１−ｘ Ａｌｘ Ａｓ第２クラッド層
及び第１導電型のＧａＡｓ層をこの順に成長させ、前記
ＧａＡｓ層にメサ部を形成した後、該メサ部を含む前記
ＧａＡｓ層上に、第１導電型のＧａ１−ｙ Ａｌｙ Ａ
ｓ（ｙ≧０．１）ブロック層を成長させ、前記メサ部を
その下の前記Ｇａｔ−ｘＡｌｘ Ａｓ第２クラフト層ま
で選択的にメルトバック除去した後、メルトバック除去
した領域を含む前記Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック
層上に第２導電型のＧａ １− ｘＡｌｘ Ａｓ層及び
第２導電型のＧａ１−ｚ Ａｌｚ Ａｓキ＋７プ層をこ
の順に成長させる。
及び第１導電型のＧａＡｓ層をこの順に成長させ、前記
ＧａＡｓ層にメサ部を形成した後、該メサ部を含む前記
ＧａＡｓ層上に、第１導電型のＧａ１−ｙ Ａｌｙ Ａ
ｓ（ｙ≧０．１）ブロック層を成長させ、前記メサ部を
その下の前記Ｇａｔ−ｘＡｌｘ Ａｓ第２クラフト層ま
で選択的にメルトバック除去した後、メルトバック除去
した領域を含む前記Ｇａ１−ｙ Ａｌｙ Ａｓブロック
層上に第２導電型のＧａ １− ｘＡｌｘ Ａｓ層及び
第２導電型のＧａ１−ｚ Ａｌｚ Ａｓキ＋７プ層をこ
の順に成長させる。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づき詳述する
。第１図乃至第６図は、本発明に係る面発光型半導体レ
ーザーの製造方法の工程を示す模式図である。
。第１図乃至第６図は、本発明に係る面発光型半導体レ
ーザーの製造方法の工程を示す模式図である。
まず１回目の成長で、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にｎ−Ｇａ
６．６ＡＩｏ、４へＳクラッド層２． ｐ−Ｇａｏ、
３ ＡｌＯ，１へ３活性層３＋ ｐ−Ｇａｏ、ｓへ１０
，４Ａ３クランド層４及びｎ−ＧａＡｓ層５（１！！厚
〜２．０μｍ）をこの順に成長させる（第１図）。
６．６ＡＩｏ、４へＳクラッド層２． ｐ−Ｇａｏ、
３ ＡｌＯ，１へ３活性層３＋ ｐ−Ｇａｏ、ｓへ１０
，４Ａ３クランド層４及びｎ−ＧａＡｓ層５（１！！厚
〜２．０μｍ）をこの順に成長させる（第１図）。
次に、ｎ−ＧａＡｓ層５上に、５ｐｍφ、高さ〜１．０
μｍのメサ部５ａを形成する（第２図ｆａ）及び（ｂ）
）。
μｍのメサ部５ａを形成する（第２図ｆａ）及び（ｂ）
）。
次いで２回目の成長では、メサ部５ａの表面を含んでｎ
−ＧａＡｓ層５上にｎ−Ｇａ ０．６八１０．４へＳフ
゛ロフク層６を成長させる（第３図）、その後、未飽和
メルトによる選択的メルトバックにより、前記メサ部５
ａ及びｎ−ＧａＡｓ層５を、ｐ−Ｇａ Ｏ，ｓ＾１ｏ、
４Ａ３クランド層４までメルトバック除去して電流狭窄
部６ａを形成する（第４図）。即ち、ｐ−Ｇａ Ｏ，６
八１０．４へＳクラッド層４によって、メルトバックは
下層へ波及しない。
−ＧａＡｓ層５上にｎ−Ｇａ ０．６八１０．４へＳフ
゛ロフク層６を成長させる（第３図）、その後、未飽和
メルトによる選択的メルトバックにより、前記メサ部５
ａ及びｎ−ＧａＡｓ層５を、ｐ−Ｇａ Ｏ，ｓ＾１ｏ、
４Ａ３クランド層４までメルトバック除去して電流狭窄
部６ａを形成する（第４図）。即ち、ｐ−Ｇａ Ｏ，６
八１０．４へＳクラッド層４によって、メルトバックは
下層へ波及しない。
さらに、電流狭窄部を含むｎ−Ｇａ ０．６ ＡＩ ０
．４八Ｓブｔｆｆ７り層６上に、Ｉ）−Ｇａｏ、６／Ｉ
ｔ０．４ Ａｓ層７及びｐ−Ｇａ Ｏ，ａｓ＾１０．
ＩＳＡ！！キャップ層８を成長させる（第５図）。
．４八Ｓブｔｆｆ７り層６上に、Ｉ）−Ｇａｏ、６／Ｉ
ｔ０．４ Ａｓ層７及びｐ−Ｇａ Ｏ，ａｓ＾１０．
ＩＳＡ！！キャップ層８を成長させる（第５図）。
最後に、電流狭窄部６ａに対応するｎ−ＧａＡｓ基板１
の一部をｎ−Ｇａ ０．６＾１０．４へＳクラッド層２
までエッチソングし、エツチングしたｎ−Ｇａ Ｏ，６
ＡＩ ０．４へＳクラッド層２との接触面及びこれに対
応するｐ−ａａ ｏ、 ａ５Ａｌ ｏ、 １５Ａｓキャ
ップ層８上面に夫々反射鏡９ａ、９ｂを形成し、エツチ
ングしないｎ−ＧａＡｓ基板１の下面及び反射鏡９ｂが
形成されていない９−Ｇａ ｏ、 ｅｓＡｌ ｏ、 １
５Ａｓキャンプ層８上面に夫々型ｗＡｌｏａ、１０ｂを
形成して面発光型半導体レーザーが完成する。
の一部をｎ−Ｇａ ０．６＾１０．４へＳクラッド層２
までエッチソングし、エツチングしたｎ−Ｇａ Ｏ，６
ＡＩ ０．４へＳクラッド層２との接触面及びこれに対
応するｐ−ａａ ｏ、 ａ５Ａｌ ｏ、 １５Ａｓキャ
ップ層８上面に夫々反射鏡９ａ、９ｂを形成し、エツチ
ングしないｎ−ＧａＡｓ基板１の下面及び反射鏡９ｂが
形成されていない９−Ｇａ ｏ、 ｅｓＡｌ ｏ、 １
５Ａｓキャンプ層８上面に夫々型ｗＡｌｏａ、１０ｂを
形成して面発光型半導体レーザーが完成する。
本発明の製造方法は、２回の結晶成長によって内部電流
狭窄構造を有する面発光型半導体レーザーを容易に製造
することができるという優れた効果を奏する。
狭窄構造を有する面発光型半導体レーザーを容易に製造
することができるという優れた効果を奏する。
第１図乃至第６図は本発明に係る面発光型半導体レーザ
ーの製造方法の工程を示す模式図である。 １−ｎ−ＧａＡｓ基板 ２・・’ｎ−ｃａｏ、！＋八１
０，４Ａ３ク八ツ０，４Ａ３ク５フ１ Ａｓクラッド層 ５・・・ｎ−ＧａＡｓ層 ５ａ・・・
メサ部６・・・ｎ−Ｇａ０，６ ＡｌＯ，４ Ａｓブロ
ック層 ６ａ・・・電流狭窄部？ ”・ｐ−ｃａＱ．６
ＡＩ ０．４ Ａｓ層８ ”’Ｐ−Ｇａｏ．ｅｓＡ１
ｏ．ｔｓＡｓキャップ層 ９ａ，９ｂ・・・反射鏡
１０ａ， １０ｂ・・・電極枠 許 出願人 新技術
開発事業団 外２名代理人 弁理士 河 野 登
夫 甫 図 簗 図 （ｂ） 簗 図 第 図 ａ 図 甫 図 手続補正書（自発） 平成１年２月６日 昭和６３年特許願第２０５２０１、 発明の名称 面発光型半導体レーザーの製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 東京都千代田区永田町二丁目５番２号名 称
新技術開発事業団 代表者赤羽信久 所在地 東京都目黒区大岡山２丁目１２番１号名 称
東京工業大学長 日中 郁三所在地 守口市京阪本通
２丁目１８番地名 称 （１８８） 三洋電機株式会
社代表者 井 植 敏
ーの製造方法の工程を示す模式図である。 １−ｎ−ＧａＡｓ基板 ２・・’ｎ−ｃａｏ、！＋八１
０，４Ａ３ク八ツ０，４Ａ３ク５フ１ Ａｓクラッド層 ５・・・ｎ−ＧａＡｓ層 ５ａ・・・
メサ部６・・・ｎ−Ｇａ０，６ ＡｌＯ，４ Ａｓブロ
ック層 ６ａ・・・電流狭窄部？ ”・ｐ−ｃａＱ．６
ＡＩ ０．４ Ａｓ層８ ”’Ｐ−Ｇａｏ．ｅｓＡ１
ｏ．ｔｓＡｓキャップ層 ９ａ，９ｂ・・・反射鏡
１０ａ， １０ｂ・・・電極枠 許 出願人 新技術
開発事業団 外２名代理人 弁理士 河 野 登
夫 甫 図 簗 図 （ｂ） 簗 図 第 図 ａ 図 甫 図 手続補正書（自発） 平成１年２月６日 昭和６３年特許願第２０５２０１、 発明の名称 面発光型半導体レーザーの製造方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 所在地 東京都千代田区永田町二丁目５番２号名 称
新技術開発事業団 代表者赤羽信久 所在地 東京都目黒区大岡山２丁目１２番１号名 称
東京工業大学長 日中 郁三所在地 守口市京阪本通
２丁目１８番地名 称 （１８８） 三洋電機株式会
社代表者 井 植 敏
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、内部電流狭窄構造を有する面発光型半導体レーザー
の製造方法において、 第１導電型のＧａＡｓ基板上に、第１導電型のＧａ＿１
＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ第１クラッド層（ｘ≧０．１）、
前記ＧａＡｓ基板と逆導電型である第２導電型のＧａ＿
１＿−＿ｗＡｌ＿ｗＡｓ活性層、第２導電型のＧａ＿１
＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ第２クラッド層及び第１導電型の
ＧａＡｓ層をこの順に成長させる工程と、 前記ＧａＡｓ層にメサ部を形成する工程と、該メサ部を
含む前記ＧａＡｓ層上に、第１導電型のＧａ＿１＿−＿
ｙＡｌ＿ｙＡｓ（ｙ≧０．１）ブロック層を成長させる
工程と、 前記メサ部をその下の前記Ｇａ＿１＿−＿ｘＡｌ＿ｘＡ
ｓ第２クラッド層に達するまで選択的にメルトバック除
去する工程と、 メルトバック除去した領域を含む前記Ｇａ＿１＿−＿ｙ
Ａｌ＿ｙＡｓブロック層上に第２導電型のＧａ＿１＿−
＿ｘＡｌ＿ｘＡｓ層及び第２導電型のＧａ＿１＿−＿ｚ
Ａｌ＿ｚＡｓキャップ層をこの順に成長させる工程と を有することを特徴とする面発光型半導体 レーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20520188A JPH0252486A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 面発光型半導体レーザの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20520188A JPH0252486A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 面発光型半導体レーザの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252486A true JPH0252486A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16503077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20520188A Pending JPH0252486A (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | 面発光型半導体レーザの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252486A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2695261A1 (fr) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | Laser émetteur en surface et son procédé de fabrication. |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231378A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JPS63157489A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 面発光型半導体レ−ザの製造方法 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP20520188A patent/JPH0252486A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60231378A (ja) * | 1984-04-28 | 1985-11-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JPS63157489A (ja) * | 1986-12-20 | 1988-06-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 面発光型半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2695261A1 (fr) * | 1992-08-12 | 1994-03-04 | Fujitsu Ltd | Laser émetteur en surface et son procédé de fabrication. |
| US5373520A (en) * | 1992-08-12 | 1994-12-13 | Fujitsu Limited | Surface emitting laser and method of manufacturing the same |
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