JPH0252498A - コンデンサ内蔵多層基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵多層基板Info
- Publication number
- JPH0252498A JPH0252498A JP63204191A JP20419188A JPH0252498A JP H0252498 A JPH0252498 A JP H0252498A JP 63204191 A JP63204191 A JP 63204191A JP 20419188 A JP20419188 A JP 20419188A JP H0252498 A JPH0252498 A JP H0252498A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- hole
- electrode
- built
- laser beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はコンデンサ内蔵多層基板に関し、特に積層さ
れた基板を誘電体とするコンデンサを内蔵する、コンデ
ンサ内蔵多層基板に関する。
れた基板を誘電体とするコンデンサを内蔵する、コンデ
ンサ内蔵多層基板に関する。
〔従来技術］
セラミックグリーンシートに内部電掘を印刷して積層圧
着して一体焼成する、コンデンサ内蔵多層基板がよく知
られている。
着して一体焼成する、コンデンサ内蔵多層基板がよく知
られている。
従来のコンデンサ内蔵多層基板は、トリミングが行えな
いので、内蔵されたコンデンサの静電容量（直のばらつ
きが±２０％と大きかった。したがって、±３％の精度
が要求される高精度コンデンサは内蔵せず、外付部品と
して、コンデンサチップを付加していた。このように外
付コンデンサを付加しなければならないということが、
高密度化を阻害していた。
いので、内蔵されたコンデンサの静電容量（直のばらつ
きが±２０％と大きかった。したがって、±３％の精度
が要求される高精度コンデンサは内蔵せず、外付部品と
して、コンデンサチップを付加していた。このように外
付コンデンサを付加しなければならないということが、
高密度化を阻害していた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、より高精度なコ
ンデンサを内蔵することができる、コンデンサ内蔵多層
基板を提供することである。
ンデンサを内蔵することができる、コンデンサ内蔵多層
基板を提供することである。
〔課題を解決するための手段］
この発明は、簡単にいえば、多層セラミック基板、多層
セラミック基板の一部に形成された積層コンデンサ領域
、および多層セラミック基板の表面に形成されたレーザ
トリミング用の穴または凹みを備える、コンデンサ内蔵
多層基板である。
セラミック基板の一部に形成された積層コンデンサ領域
、および多層セラミック基板の表面に形成されたレーザ
トリミング用の穴または凹みを備える、コンデンサ内蔵
多層基板である。
〔作用］
レーザトリミング用の穴または凹みを通してレーザ光を
照射すると、コンデンサ領域においてコンデンサを形成
する内部電極の全部または一部が除去され、それによっ
て静電容量が変化する。
照射すると、コンデンサ領域においてコンデンサを形成
する内部電極の全部または一部が除去され、それによっ
て静電容量が変化する。
この発明によれば、レーザトリミング用の穴または凹み
を備えているので、後からレーザ光によってトリミング
することができ、したがって、内蔵コンデンサの静電容
量値の精度が向上し、外付部品を付加する必要がなくな
る。したがって、この発明によれば、高密度化が可能に
なる。
を備えているので、後からレーザ光によってトリミング
することができ、したがって、内蔵コンデンサの静電容
量値の精度が向上し、外付部品を付加する必要がなくな
る。したがって、この発明によれば、高密度化が可能に
なる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例の要部を示す斜視図である
。この実施例の多層セラミック基板１０は、５層のセラ
ミック基板１２〜２０が積層されて形成される。そして
、セラミック基板１２，１６および２０の下面には、第
２図に示すように、コンデンサ電極２２が、セラミック
基板１４および１８の下面にはコンデンサ電極２４が、
それぞれ形成される。これらのコンデンサ電極２２およ
び２４は、公知の積層セラミックコンデンサと同じよう
なコンデンサ領域を形成する。
。この実施例の多層セラミック基板１０は、５層のセラ
ミック基板１２〜２０が積層されて形成される。そして
、セラミック基板１２，１６および２０の下面には、第
２図に示すように、コンデンサ電極２２が、セラミック
基板１４および１８の下面にはコンデンサ電極２４が、
それぞれ形成される。これらのコンデンサ電極２２およ
び２４は、公知の積層セラミックコンデンサと同じよう
なコンデンサ領域を形成する。
すなわち、コンデンサ電極２２は、一体化されたセラミ
ック基板１２〜２０を貫通するスルーホール導体２６に
接続され、コンデンサ電極２４はスルーホール導体２８
にそれぞれ接続される。そして、スルーホール導体２６
は、セラミック基板１２表面に形成されたパターン導体
３０に接続され、スルーホール導体２８はパターン導体
３２に接続される。したがって、パターン導体３０およ
び３２の間には、それぞれのコンデンサ電極２２と２４
との間で形成される複数の静電容量が並列接続されるこ
とになる。静電容量は、コンデンサ電極２２および２４
の対向面積、コンデンサ電極２２と２４との距離、それ
にコンデンサ電（へ２２および２４で挟まれるセラミッ
ク基板自体の誘電率等によって決定される。
ック基板１２〜２０を貫通するスルーホール導体２６に
接続され、コンデンサ電極２４はスルーホール導体２８
にそれぞれ接続される。そして、スルーホール導体２６
は、セラミック基板１２表面に形成されたパターン導体
３０に接続され、スルーホール導体２８はパターン導体
３２に接続される。したがって、パターン導体３０およ
び３２の間には、それぞれのコンデンサ電極２２と２４
との間で形成される複数の静電容量が並列接続されるこ
とになる。静電容量は、コンデンサ電極２２および２４
の対向面積、コンデンサ電極２２と２４との距離、それ
にコンデンサ電（へ２２および２４で挟まれるセラミッ
ク基板自体の誘電率等によって決定される。
多層セラミック基板１０の一番上に配置されるセラミッ
ク基板１２には、コンデンサ電極２２の直上に、レーザ
トリミング用の六３４が形成される。したがって、この
穴３４においては、コンデンサ電極２２は露出した状態
にある。そこで、穴３４を通してレーザ光を照射すると
、コンデンサ電極２２の一部が削除され、コンデンサ電
極２４との対向面積が減少する。このようにして、焼成
後に、穴３４を通して、たとえばＹＡＧレーザあるいは
ＣＯ２レーザ等のレーザ光を照射することによって、多
層セラミック基板１０に内蔵された静電容量値が調整さ
れ得る。レーザ光を照射し易くするため、穴３４の大き
さは、たとえば直径１醍または１ｆｆｉ１１角程度に設
定される。
ク基板１２には、コンデンサ電極２２の直上に、レーザ
トリミング用の六３４が形成される。したがって、この
穴３４においては、コンデンサ電極２２は露出した状態
にある。そこで、穴３４を通してレーザ光を照射すると
、コンデンサ電極２２の一部が削除され、コンデンサ電
極２４との対向面積が減少する。このようにして、焼成
後に、穴３４を通して、たとえばＹＡＧレーザあるいは
ＣＯ２レーザ等のレーザ光を照射することによって、多
層セラミック基板１０に内蔵された静電容量値が調整さ
れ得る。レーザ光を照射し易くするため、穴３４の大き
さは、たとえば直径１醍または１ｆｆｉ１１角程度に設
定される。
なお、このようにして、レーザトリミングが終了した後
には、穴３４の部分には、耐湿性を悪くしないようにす
るために、たとえばガラスが充填される。
には、穴３４の部分には、耐湿性を悪くしないようにす
るために、たとえばガラスが充填される。
電極２２をトリミングするとき、レーザ光は穴３４を通
して照射されるが、このときレーザ光によってセラミッ
ク基板１２および１４が還元されてその絶縁抵抗が劣化
することが考えられる。そこで、この実施例では、少な
くともレーザ光の影♂が及ぶ部分のセラミック基板には
、非還元セラミックが用いられる。そのような非還元セ
ラミ。
して照射されるが、このときレーザ光によってセラミッ
ク基板１２および１４が還元されてその絶縁抵抗が劣化
することが考えられる。そこで、この実施例では、少な
くともレーザ光の影♂が及ぶ部分のセラミック基板には
、非還元セラミックが用いられる。そのような非還元セ
ラミ。
り材料としては、たとえば結晶化ガラス系のものであれ
ば、コージェライト系のＺｎ０−ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ，・
５ｉｎ２が、ガラス複合系のものであればＳ ｔ Ｏ２
・Ｂ２０ｘ系ガラス＋八〇２ｏ３が、非ガラス系のもの
であればＡＰｚｏ３ ・ＣａＯ・Ｓ ｉｏｚ ＭｇＯ・
Ｂ２０３あるいはＢａＯ−３ｉＯｚ ・Ａｆｆｚ Ｏ
：ｌ −ＣａＯ−ｒ３ｚ ｏ：ｌ系のもの等がそれぞ
れ利用可能である。
ば、コージェライト系のＺｎ０−ＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ，・
５ｉｎ２が、ガラス複合系のものであればＳ ｔ Ｏ２
・Ｂ２０ｘ系ガラス＋八〇２ｏ３が、非ガラス系のもの
であればＡＰｚｏ３ ・ＣａＯ・Ｓ ｉｏｚ ＭｇＯ・
Ｂ２０３あるいはＢａＯ−３ｉＯｚ ・Ａｆｆｚ Ｏ
：ｌ −ＣａＯ−ｒ３ｚ ｏ：ｌ系のもの等がそれぞ
れ利用可能である。
このように、非還元セラミックを用いれば、コンデンサ
電極２２および２４として、Ｃｕを用いることができる
。Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ等もコンデンサ電極２２および２４
として利用できるが、Ｃｕが利用可能であれば、安価で
ある。
電極２２および２４として、Ｃｕを用いることができる
。Ａｇ、Ａｇ／Ｐｄ等もコンデンサ電極２２および２４
として利用できるが、Ｃｕが利用可能であれば、安価で
ある。
上述の実施例では、セラミック基板１２に形成された穴
３４は、コンデンサ電極２２に達するものであったが、
第３図に示すように、コンデンサ電極２２が露出しない
深さの穴３４′であってもよい。コンデンサ電極２２の
上に、薄く、セラミック基板１２の材料が残っている場
合でも、レーザ光を照射することにより、残っているセ
ラミック基板１２をも削除できるので、トリミング上特
に問題はない。この実施例によれば、最上層のコンデン
サ電極２２が当初露出していないので、トリミングが不
要の場合には、前述のガラス充填などしないでそのまま
にしておいてもよい。
３４は、コンデンサ電極２２に達するものであったが、
第３図に示すように、コンデンサ電極２２が露出しない
深さの穴３４′であってもよい。コンデンサ電極２２の
上に、薄く、セラミック基板１２の材料が残っている場
合でも、レーザ光を照射することにより、残っているセ
ラミック基板１２をも削除できるので、トリミング上特
に問題はない。この実施例によれば、最上層のコンデン
サ電極２２が当初露出していないので、トリミングが不
要の場合には、前述のガラス充填などしないでそのまま
にしておいてもよい。
なお、上述の多層セラミック基板は、穴３４（または３
４’）−を設けたセラミック基板１２と、他のセラミッ
ク基板１４〜２０とを各々セラミックグリーンシートの
状態で準備し、各々のセラミックグリーンシートに必要
なコンデンサ電極や他の導体を印刷形成した後、積層し
て一体焼成することによって作ることができる。
４’）−を設けたセラミック基板１２と、他のセラミッ
ク基板１４〜２０とを各々セラミックグリーンシートの
状態で準備し、各々のセラミックグリーンシートに必要
なコンデンサ電極や他の導体を印刷形成した後、積層し
て一体焼成することによって作ることができる。
しかしながら、セラミック基板１２と、他のセラミック
基板１４〜２０からなるブロックとを個別に焼成した後
、その後両者をはんだやガラス等で接合するようにして
もよい。
基板１４〜２０からなるブロックとを個別に焼成した後
、その後両者をはんだやガラス等で接合するようにして
もよい。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図は第１図実施例の断面図解図である。
第３図は他の実施例を示す断面図解図である。
図において、１２〜２０はセラミック基板、２２および
２４はコンデンサ電極、２６および２８はスルーホール
導体、３４および３４′は穴を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 人
２４はコンデンサ電極、２６および２８はスルーホール
導体、３４および３４′は穴を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 人
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 多層セラミック基板、 前記多層セラミック基板の一部に形成されたコンデンサ
領域、および 前記多層セラミック基板の表面に形成されたレーザトリ
ミング用の穴または凹みを備える、コンデンサ内蔵多層
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204191A JPH0714111B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | コンデンサ内蔵多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204191A JPH0714111B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | コンデンサ内蔵多層基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252498A true JPH0252498A (ja) | 1990-02-22 |
| JPH0714111B2 JPH0714111B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16486339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63204191A Expired - Fee Related JPH0714111B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | コンデンサ内蔵多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714111B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001001342A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Sony Chemicals Corp. | Ic card |
| KR100299051B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2001-09-13 | 김춘호 | 표면실장형단자구조를갖는어레이형유전체캐패시터 |
| JP2015192002A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社リコー | 多層配線基板および多層配線基板のキャパシタンス調整方法 |
| CN108417391A (zh) * | 2017-02-10 | 2018-08-17 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157018A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-04 | Seikosha Kk | Variable capacitor |
| JPS6291430U (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-11 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP63204191A patent/JPH0714111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56157018A (en) * | 1980-05-08 | 1981-12-04 | Seikosha Kk | Variable capacitor |
| JPS6291430U (ja) * | 1985-11-28 | 1987-06-11 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100299051B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2001-09-13 | 김춘호 | 표면실장형단자구조를갖는어레이형유전체캐패시터 |
| WO2001001342A1 (en) * | 1999-06-29 | 2001-01-04 | Sony Chemicals Corp. | Ic card |
| US6585165B1 (en) | 1999-06-29 | 2003-07-01 | Sony Chemicals Corp. | IC card having a mica capacitor |
| JP2015192002A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社リコー | 多層配線基板および多層配線基板のキャパシタンス調整方法 |
| CN108417391A (zh) * | 2017-02-10 | 2018-08-17 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
| CN108417391B (zh) * | 2017-02-10 | 2020-11-27 | 三星电机株式会社 | 电容器组件 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0714111B2 (ja) | 1995-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6524352B2 (en) | Method of making a parallel capacitor laminate | |
| KR100304792B1 (ko) | 다층코일및그제조방법 | |
| US9165716B2 (en) | High capacitance single layer capacitor | |
| US7652213B2 (en) | Internal conductor connection structure and multilayer substrate | |
| JPH10270282A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2000058376A (ja) | セラミックコンデンサ | |
| JPH06267788A (ja) | 複合部品 | |
| JPH0453219A (ja) | 表面実装型電子部品 | |
| JP2857552B2 (ja) | 積層電子部品及びその製造方法 | |
| JPH0714111B2 (ja) | コンデンサ内蔵多層基板 | |
| JPH0563007B2 (ja) | ||
| JPH02310905A (ja) | インダクタ | |
| JP2766146B2 (ja) | コンデンサ内蔵多層回路基板 | |
| JP2001345661A (ja) | 高周波回路基板 | |
| JPH0714110B2 (ja) | 多層セラミック基板 | |
| JPS6341205B2 (ja) | ||
| JPH0217957B2 (ja) | ||
| JPH0563373A (ja) | 電力用ハイブリツドｉｃの構造 | |
| JPS6373606A (ja) | 厚膜インダクタの製造方法 | |
| JPS6373514A (ja) | 積層セラミツクコンデンサおよびその製造方法 | |
| JPH04280615A (ja) | 積層体の製造方法 | |
| JP2003243252A (ja) | 厚膜チップコンデンサとその製造方法 | |
| JPS63127516A (ja) | 積層セラミツクトリマコンデンサの製造方法 | |
| JPH084053B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS6070754A (ja) | 混成集積回路の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |