JPH0714111B2 - コンデンサ内蔵多層基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵多層基板Info
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- JPH0714111B2 JPH0714111B2 JP63204191A JP20419188A JPH0714111B2 JP H0714111 B2 JPH0714111 B2 JP H0714111B2 JP 63204191 A JP63204191 A JP 63204191A JP 20419188 A JP20419188 A JP 20419188A JP H0714111 B2 JPH0714111 B2 JP H0714111B2
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- capacitor
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Landscapes
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はコンデンサ内蔵多層基板に関し、特に積層さ
れた基板を誘電体とするコンデンサを内蔵する、コンデ
ンサ内蔵多層基板に関する。
れた基板を誘電体とするコンデンサを内蔵する、コンデ
ンサ内蔵多層基板に関する。
セラミックグリーンシートに内部電極を印刷して積層圧
着して一体焼成する。コンデンサ内蔵多層基板がよく知
られている。
着して一体焼成する。コンデンサ内蔵多層基板がよく知
られている。
従来のコンデンサ内蔵多層基板は、トリミングが行えな
いので、内蔵されたコンデンサの静電容量値のばらつき
が±20％と大きかった。したがって、±３％の精度が要
求される高精度コンデンサは内蔵せず、外付部品とし
て、コンデンサチップを付加していた。このように外付
コンデンサを付加しなければならないということが、高
密度化を阻害していた。
いので、内蔵されたコンデンサの静電容量値のばらつき
が±20％と大きかった。したがって、±３％の精度が要
求される高精度コンデンサは内蔵せず、外付部品とし
て、コンデンサチップを付加していた。このように外付
コンデンサを付加しなければならないということが、高
密度化を阻害していた。
それゆえに、この発明の主たる目的は、より高精度なコ
ンデンサを内蔵することができる。コンデンサ内蔵多層
基板を提供することである。
ンデンサを内蔵することができる。コンデンサ内蔵多層
基板を提供することである。
この発明は、簡単にいえば、非還元セラミック材料から
なる多層セラミック基板、多層セラミック基板の一部に
形成されたコンデンサ領域、および多層セラミック基板
の表面にコンデンサ領域に対応するように形成されたレ
ーザトリミング用の穴または凹みを備える、コンデンサ
内蔵多層基板である。
なる多層セラミック基板、多層セラミック基板の一部に
形成されたコンデンサ領域、および多層セラミック基板
の表面にコンデンサ領域に対応するように形成されたレ
ーザトリミング用の穴または凹みを備える、コンデンサ
内蔵多層基板である。
レーザトリミング用の穴または凹みを通してレーザ光を
照射すると、コンデンサ領域においてコンデンサを形成
する内部電極の全部または一部が除去され、それによっ
て静電容量が変化する。
照射すると、コンデンサ領域においてコンデンサを形成
する内部電極の全部または一部が除去され、それによっ
て静電容量が変化する。
多層セラミック基板に非還元性の材料を用いているの
で、レーザ光を照射することによって多層セラミック基
板の絶縁抵抗が劣化することはない。
で、レーザ光を照射することによって多層セラミック基
板の絶縁抵抗が劣化することはない。
この発明によれば、レーザトリミング用の穴または凹み
を備えているので、後からレーザ光によってトリミング
することができ、したがって、内蔵コンデンサの静電容
量値の精度が向上し、外付部品を付加する必要がなくな
る。したがって、この発明によれば、高密度化が可能に
なる。
を備えているので、後からレーザ光によってトリミング
することができ、したがって、内蔵コンデンサの静電容
量値の精度が向上し、外付部品を付加する必要がなくな
る。したがって、この発明によれば、高密度化が可能に
なる。
この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなろう。
第１図はこの発明の一実施例の要部を示す斜視図であ
る。この実施例の多層セラミック基板10は、５層のセラ
ミック基板12〜20が積層されて形成される。そして、セ
ラミック基板12,16および20の下面には、第２図に示す
ように、コンデンサ電極22が、セラミック基板14および
18の下面にはコンデンサ電極24が、それぞれ形成され
る。これらのコンデンサ電極22および24は、公知の積層
セラミックコンデンサと同じようなコンデンサ領域を形
成する。
る。この実施例の多層セラミック基板10は、５層のセラ
ミック基板12〜20が積層されて形成される。そして、セ
ラミック基板12,16および20の下面には、第２図に示す
ように、コンデンサ電極22が、セラミック基板14および
18の下面にはコンデンサ電極24が、それぞれ形成され
る。これらのコンデンサ電極22および24は、公知の積層
セラミックコンデンサと同じようなコンデンサ領域を形
成する。
すなわち、コンデンサ電極22は、一体化されたセラミッ
ク基板12〜20を貫通するスルーホール導体26に接続さ
れ、コンデンサ電極24はスルーホール導体28にそれぞれ
接続される。そして、スルーホール導体26は、セラミッ
ク基板12表面に形成されたパターン導体30に接続され、
スルーホール導体28はパターン導体32に接続される。し
たがって、パターン導体30および32の間には、それぞれ
のコンデンサ電極22と24との間で形成される複数の静電
容量が並列接続されることになる。静電容量は、コンデ
ンサ電極22および24の対向面積、コンデンサ電極22と24
との距離、それにコンデンサ電極22および24で挟まれる
セラミック基板自体の誘電率等によって決定される。
ク基板12〜20を貫通するスルーホール導体26に接続さ
れ、コンデンサ電極24はスルーホール導体28にそれぞれ
接続される。そして、スルーホール導体26は、セラミッ
ク基板12表面に形成されたパターン導体30に接続され、
スルーホール導体28はパターン導体32に接続される。し
たがって、パターン導体30および32の間には、それぞれ
のコンデンサ電極22と24との間で形成される複数の静電
容量が並列接続されることになる。静電容量は、コンデ
ンサ電極22および24の対向面積、コンデンサ電極22と24
との距離、それにコンデンサ電極22および24で挟まれる
セラミック基板自体の誘電率等によって決定される。
多層セラミック基板10の一番上に配置されるセラミック
基板12には、コンデンサ電極22の直上に、レーザトリミ
ング用の穴34を形成される。したがって、この穴34にお
いては、コンデンサ電極22は露出した状態にある。そこ
で、穴34を通してレーザ光を照射すると、コンデンサ電
極22の一部が削除され、コンデンサ電極22との対向面積
が減少する。このようにして、焼成後に、穴34を通し
て、たとえばYAGレーザあるいはCO2レーザ等のレーザ光
を照射することによって、多層セラミック基板10に内蔵
された静電容量値が調整され得る。レーザ光を照射し易
くするため、穴34の大きは、たとえば直径1mmまたは1mm
角程度に設定される。
基板12には、コンデンサ電極22の直上に、レーザトリミ
ング用の穴34を形成される。したがって、この穴34にお
いては、コンデンサ電極22は露出した状態にある。そこ
で、穴34を通してレーザ光を照射すると、コンデンサ電
極22の一部が削除され、コンデンサ電極22との対向面積
が減少する。このようにして、焼成後に、穴34を通し
て、たとえばYAGレーザあるいはCO2レーザ等のレーザ光
を照射することによって、多層セラミック基板10に内蔵
された静電容量値が調整され得る。レーザ光を照射し易
くするため、穴34の大きは、たとえば直径1mmまたは1mm
角程度に設定される。
なお、このようにして、レーザトリミングが終了した後
には、穴34の部分には、耐湿性を悪くしないようにする
ために、たとえばガラスが充填される。
には、穴34の部分には、耐湿性を悪くしないようにする
ために、たとえばガラスが充填される。
電極22をトリミングするとき、レーザ光は穴34を通して
照射されるが、このときレーザ光によってセラミック基
板12および14が還元されてその絶縁抵抗が劣化すること
が考えられる。そこで、この実施例では、少なくともレ
ーザ光の影響が及ぶ部分のセラミック基板には、非還元
セラミックが用いられる。そのような非還元セラミック
材料としては、たとえば結晶化ガラス系のものであれ
ば、コージェライト系のZnO・MgO・Al2O3・SiO2がガラ
ス複合系のものであればSiO2・B2O3系ガラス＋Al2O
3が、非ガラス系のものであればAl2O3・CaO・SiO2MgO・
B2O3あるいはBaO・SiO2・Al2O3・CaO・B2O3系のもの等
がそれぞれ利用可能である。
照射されるが、このときレーザ光によってセラミック基
板12および14が還元されてその絶縁抵抗が劣化すること
が考えられる。そこで、この実施例では、少なくともレ
ーザ光の影響が及ぶ部分のセラミック基板には、非還元
セラミックが用いられる。そのような非還元セラミック
材料としては、たとえば結晶化ガラス系のものであれ
ば、コージェライト系のZnO・MgO・Al2O3・SiO2がガラ
ス複合系のものであればSiO2・B2O3系ガラス＋Al2O
3が、非ガラス系のものであればAl2O3・CaO・SiO2MgO・
B2O3あるいはBaO・SiO2・Al2O3・CaO・B2O3系のもの等
がそれぞれ利用可能である。
このように、非還元セラミックを用いれば、コンデンサ
電極22および24として、Cuを用いることができる。Ag,A
g/Pd等のコンデンサ電極22および24として利用できる
が、Cuが利用可能であれば、安価である。
電極22および24として、Cuを用いることができる。Ag,A
g/Pd等のコンデンサ電極22および24として利用できる
が、Cuが利用可能であれば、安価である。
上述の実施例では、セラミック基板12に形成された穴34
は、コンデンサ電極22に達するものであったが、第３図
に示すように、コンデンサ電極22が露出しない深さの穴
34′であってもよい。コンデンサ電極22の上に、薄く、
セラミック基板12の材料が残っている場合でも、レーザ
光を照射することにより、残っているセラミック基板12
をも削除できるので、トリミング上特に問題はない。こ
の実施例によれば、最上層のコンデンサ電極22が当初露
出していないので、トリミングが不要の場合には、前述
のガラス充填などしないでそのままにしておいてもよ
い。
は、コンデンサ電極22に達するものであったが、第３図
に示すように、コンデンサ電極22が露出しない深さの穴
34′であってもよい。コンデンサ電極22の上に、薄く、
セラミック基板12の材料が残っている場合でも、レーザ
光を照射することにより、残っているセラミック基板12
をも削除できるので、トリミング上特に問題はない。こ
の実施例によれば、最上層のコンデンサ電極22が当初露
出していないので、トリミングが不要の場合には、前述
のガラス充填などしないでそのままにしておいてもよ
い。
なお、上述の多層セラミック基板は、穴34（または3
4′）を設けたセラミック基板12と、他のセラミック基
板14〜20とを各々のセラミックグリーンシートの状態で
準備し、各々のセラミックグリーンシートに必要なコン
デンサ電極や他の導体を印刷形成した後、積層して一体
焼成することによって作ることができる。
4′）を設けたセラミック基板12と、他のセラミック基
板14〜20とを各々のセラミックグリーンシートの状態で
準備し、各々のセラミックグリーンシートに必要なコン
デンサ電極や他の導体を印刷形成した後、積層して一体
焼成することによって作ることができる。
しかしながら、セラミック基板12と、他のセラミック基
板14〜20からなるブロックとを個別に焼成した後、その
後両者をはんだやガラス等で接合するようにしてもよ
い。
板14〜20からなるブロックとを個別に焼成した後、その
後両者をはんだやガラス等で接合するようにしてもよ
い。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。 第２図は第１図実施例の断面図解図である。 第３図は他の実施例を示す断面図解図である。 図において、12〜20はセラミック基板、22および24はコ
ンデンサ電極、26および28はスルーホール導体、34およ
び34′は穴を示す。
ンデンサ電極、26および28はスルーホール導体、34およ
び34′は穴を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】非還元セラミック材料からなる多層セラミ
ック基板、 前記多層セラミック基板の一部に形成されたコンデンサ
領域、および 前記多層セラミック基板の表面に前記コンデンサ領域に
対応するように形成されたレーザトリミング用の穴また
は凹みを備える、コンデンサ内蔵多層基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204191A JPH0714111B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | コンデンサ内蔵多層基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63204191A JPH0714111B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | コンデンサ内蔵多層基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252498A JPH0252498A (ja) | 1990-02-22 |
| JPH0714111B2 true JPH0714111B2 (ja) | 1995-02-15 |
Family
ID=16486339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63204191A Expired - Fee Related JPH0714111B2 (ja) | 1988-08-17 | 1988-08-17 | コンデンサ内蔵多層基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0714111B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100299051B1 (ko) * | 1996-07-31 | 2001-09-13 | 김춘호 | 표면실장형단자구조를갖는어레이형유전체캐패시터 |
| JP3687459B2 (ja) | 1999-06-29 | 2005-08-24 | ソニーケミカル株式会社 | Ｉｃカード |
| JP2015192002A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社リコー | 多層配線基板および多層配線基板のキャパシタンス調整方法 |
| KR101963283B1 (ko) * | 2017-02-10 | 2019-03-28 | 삼성전기주식회사 | 커패시터 부품 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038859B2 (ja) * | 1980-05-08 | 1985-09-03 | 株式会社精工舎 | 可変コンデンサ |
| JPH0347327Y2 (ja) * | 1985-11-28 | 1991-10-08 |
-
1988
- 1988-08-17 JP JP63204191A patent/JPH0714111B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0252498A (ja) | 1990-02-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |