JPH0252513A - 弾性表面波デバイスの製造方法 - Google Patents
弾性表面波デバイスの製造方法Info
- Publication number
- JPH0252513A JPH0252513A JP20407388A JP20407388A JPH0252513A JP H0252513 A JPH0252513 A JP H0252513A JP 20407388 A JP20407388 A JP 20407388A JP 20407388 A JP20407388 A JP 20407388A JP H0252513 A JPH0252513 A JP H0252513A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- pattern
- etching
- chemical etching
- electrode film
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は弾性表面波デバイスの製造方法に関し、特に圧
電ウェハーからチップを形成する製造方法に関する。
電ウェハーからチップを形成する製造方法に関する。
従来、弾性表面波デバイスのチップの製造プロセスは、
LSI、IC等と同様に圧電基板に複数個の電極パター
ンをフ゛オドリソグラフィ技術を利用して形成した後、
ダイシングマシン等により分割してチップを製作してい
る。
LSI、IC等と同様に圧電基板に複数個の電極パター
ンをフ゛オドリソグラフィ技術を利用して形成した後、
ダイシングマシン等により分割してチップを製作してい
る。
このように従来の弾性表面波デバイスは、チップ表面の
弾性振動を利用する事がらLSI等で行う電極膜のオー
バーコートは振動損失を招くので不可能であり、電極膜
が露出している。このため上述した従来のチップ形成方
法では、切断時に発生する切粉等によってその電極膜表
面に傷や汚れが発生するという欠点がある。
弾性振動を利用する事がらLSI等で行う電極膜のオー
バーコートは振動損失を招くので不可能であり、電極膜
が露出している。このため上述した従来のチップ形成方
法では、切断時に発生する切粉等によってその電極膜表
面に傷や汚れが発生するという欠点がある。
本発明の目的は、このような従来の欠点を除去し、チッ
プの形成を機械的な切断によらず、化学的なエツチング
で行う事により、電極膜の損失を大幅に低減した弾性表
面波デバイスの製造方法を提供することにある。
プの形成を機械的な切断によらず、化学的なエツチング
で行う事により、電極膜の損失を大幅に低減した弾性表
面波デバイスの製造方法を提供することにある。
本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電基板上
に電極膜を形成し、この電極膜上に第1のレジストを塗
布しその上から弾性表面波デバイスの電極パターンのフ
ォトマスクを重ねて露光し化学的エツチングにより所定
パターンの電極を複数個形成し、さらにこれら電極を形
成した圧電基板上に第2のレジストを塗布し、チップ外
形寸法パターンのフォトマスクを重ねて露光し化学的エ
ツチングにより前記圧電基板を腐食させて所定外形寸法
の各チップを分割して形成することを特徴とする。
に電極膜を形成し、この電極膜上に第1のレジストを塗
布しその上から弾性表面波デバイスの電極パターンのフ
ォトマスクを重ねて露光し化学的エツチングにより所定
パターンの電極を複数個形成し、さらにこれら電極を形
成した圧電基板上に第2のレジストを塗布し、チップ外
形寸法パターンのフォトマスクを重ねて露光し化学的エ
ツチングにより前記圧電基板を腐食させて所定外形寸法
の各チップを分割して形成することを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図<a)〜(、j)は本発明の一実施例をチップ製
造フローによって示したウェハー断面図である。まず、
第1図(a)のように圧電基板11の片面に電極膜12
を真空蒸着等により施した後に、第1図(b)のように
レジスト13を塗布し、第1図(C)のように所定パタ
ーンのフォトマスク14で電極パターン15を露光し、
第1図(d)のように現像を経て第1図(e)のエツチ
ングにより電極パターン15を複数個形成する。
造フローによって示したウェハー断面図である。まず、
第1図(a)のように圧電基板11の片面に電極膜12
を真空蒸着等により施した後に、第1図(b)のように
レジスト13を塗布し、第1図(C)のように所定パタ
ーンのフォトマスク14で電極パターン15を露光し、
第1図(d)のように現像を経て第1図(e)のエツチ
ングにより電極パターン15を複数個形成する。
次に、圧電基板11の表裏に第1図(f)のように第2
のレジスト膜16を塗布し、第1図(g>のように電極
パターン15の裏面にフォトマスク17でチップサイズ
を定めるパターン18を露光し、第1図(h)のように
現象処理を行う。
のレジスト膜16を塗布し、第1図(g>のように電極
パターン15の裏面にフォトマスク17でチップサイズ
を定めるパターン18を露光し、第1図(h)のように
現象処理を行う。
このようなプロセスを経た後に圧電基板11のみを選択
的にエツチングするエツチング液に浸漬し、第1図(h
)の現像工程で設けた圧電基板エツチング窓1つから、
第1図(i)のように圧電基板11のエツチングを行い
、チップの外形形成を行う。最後に、第1図(、j)の
ようにレジスト膜16.13を剥離しプロセスを完了す
る。
的にエツチングするエツチング液に浸漬し、第1図(h
)の現像工程で設けた圧電基板エツチング窓1つから、
第1図(i)のように圧電基板11のエツチングを行い
、チップの外形形成を行う。最後に、第1図(、j)の
ようにレジスト膜16.13を剥離しプロセスを完了す
る。
以上説明した様に本発明は、チップ外形寸法の形成を機
械的な切断によらず化学的なエツチングにより行うため
、機械的な切断により発生する切粉により電極膜のキズ
、汚れを防止でき、信頼性の高い弾性表面波デバイスを
得られるという効果がある。
械的な切断によらず化学的なエツチングにより行うため
、機械的な切断により発生する切粉により電極膜のキズ
、汚れを防止でき、信頼性の高い弾性表面波デバイスを
得られるという効果がある。
第1図(a)〜(j)は本発明の一実施例をチップ製造
卸に説明するウェハー断面図である。 11・・・圧電基板、12・・・電極膜、13.16・
・・レジスト、14.17・・・フォトマスク、15・
・・電極パターン、18・・・チップサイズパターン、
19・・・エツチング窓。
卸に説明するウェハー断面図である。 11・・・圧電基板、12・・・電極膜、13.16・
・・レジスト、14.17・・・フォトマスク、15・
・・電極パターン、18・・・チップサイズパターン、
19・・・エツチング窓。
Claims (1)
- 圧電基板上に電極膜を形成し、この電極膜上に第1の
レジストを塗布しその上から弾性表面波デバイスの電極
パターンのフォトマスクを重ねて露光し化学的エッチン
グにより所定パターンの電極を複数個形成し、さらにこ
れら電極を形成した圧電基板上に第2のレジストを塗布
し、チップ外形寸法パターンのフォトマスクを重ねて露
光し化学的エッチングにより前記圧電基板を腐食させて
所定外形寸法の各チップを分割して形成することを特徴
とする弾性表面波デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20407388A JPH0252513A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20407388A JPH0252513A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0252513A true JPH0252513A (ja) | 1990-02-22 |
Family
ID=16484321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20407388A Pending JPH0252513A (ja) | 1988-08-16 | 1988-08-16 | 弾性表面波デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0252513A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7895720B2 (en) * | 2001-02-12 | 2011-03-01 | Agere Systems Inc. | Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity |
-
1988
- 1988-08-16 JP JP20407388A patent/JPH0252513A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7895720B2 (en) * | 2001-02-12 | 2011-03-01 | Agere Systems Inc. | Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity |
| US8225472B2 (en) | 2001-02-12 | 2012-07-24 | Agere Systems Inc. | Methods of fabricating a membrane with improved mechanical integrity |
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