JPH0254237U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0254237U JPH0254237U JP1988134165U JP13416588U JPH0254237U JP H0254237 U JPH0254237 U JP H0254237U JP 1988134165 U JP1988134165 U JP 1988134165U JP 13416588 U JP13416588 U JP 13416588U JP H0254237 U JPH0254237 U JP H0254237U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide film
- semiconductor wafer
- field oxide
- wafer
- flatten
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Element Separation (AREA)
Description
第１図イ，ロは本考案の半導体ウエーハの製造
例を説明する工程断面図、第２図は本考案の一実
施例の半導体装置の断面図、第３図はＭＯＳＦＥ
Ｔの概念図、第４図は従来のＭＯＳＦＥＴの一具
体例を示す側断面図、第５図イ，ロ，ハは従来の
半導体ウエーハのロコス形成を例示する断面図で
ある。 １０……フイールド酸化膜、２０……半導体ウ
エーハ。
例を説明する工程断面図、第２図は本考案の一実
施例の半導体装置の断面図、第３図はＭＯＳＦＥ
Ｔの概念図、第４図は従来のＭＯＳＦＥＴの一具
体例を示す側断面図、第５図イ，ロ，ハは従来の
半導体ウエーハのロコス形成を例示する断面図で
ある。 １０……フイールド酸化膜、２０……半導体ウ
エーハ。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) ロコス構造の絶縁分離用フイールド酸化膜
を具えた半導体ウエーハにおいて、 上記フイールド酸化膜を表面研磨してウエーハ
表面を平坦化したことを特徴とする半導体ウエー
ハ。 (2) 上記半導体ウエーハを用いて製造された半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988134165U JPH0254237U (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988134165U JPH0254237U (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0254237U true JPH0254237U (ja) | 1990-04-19 |
Family
ID=31392674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988134165U Pending JPH0254237U (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0254237U (ja) |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP1988134165U patent/JPH0254237U/ja active Pending