JPH0255207A - 複合金属酸化物薄膜の製造方法 - Google Patents
複合金属酸化物薄膜の製造方法Info
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- JPH0255207A JPH0255207A JP63203892A JP20389288A JPH0255207A JP H0255207 A JPH0255207 A JP H0255207A JP 63203892 A JP63203892 A JP 63203892A JP 20389288 A JP20389288 A JP 20389288A JP H0255207 A JPH0255207 A JP H0255207A
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- Japan
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- organic acid
- thin film
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0548—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、複合金属酸化物薄膜の製造方法に関する。よ
り具体的には、超電導材料、磁性センサーとして有用な
特定組成を有する複合金属酸化物薄膜の製造方法に関す
る。特に、特定組成のビスマスとカルシウムとストロン
チウムと銅の複合酸化物は、７０に以上で超電導を示す
物質として期待されている。
り具体的には、超電導材料、磁性センサーとして有用な
特定組成を有する複合金属酸化物薄膜の製造方法に関す
る。特に、特定組成のビスマスとカルシウムとストロン
チウムと銅の複合酸化物は、７０に以上で超電導を示す
物質として期待されている。
Ｃ従来の技術および問題点〕
複合金属酸化物薄膜の一般的な製造方法としては、まず
、目的とする複合金属酸化物粉末を製造し、該粉末を用
いてホットプレス等の方法によってターゲットを作製し
、このターゲットを用いてスパッタリング等の方法によ
り基板」二に薄膜を作製する。このとき、複合金属酸化
物粉末を製造する方法として、従来法の方法が実施され
ている。
、目的とする複合金属酸化物粉末を製造し、該粉末を用
いてホットプレス等の方法によってターゲットを作製し
、このターゲットを用いてスパッタリング等の方法によ
り基板」二に薄膜を作製する。このとき、複合金属酸化
物粉末を製造する方法として、従来法の方法が実施され
ている。
（＋）各金属成分をそれぞれの酸化物、炭酸塩等の粉末
の状態で物理的に粉砕混合した後、焼成することにより
固相反応を行なねせる方法。
の状態で物理的に粉砕混合した後、焼成することにより
固相反応を行なねせる方法。
（２）各金属成分を硝酸塩、塩酸塩、硫酸塩等の水溶性
塩の形で均一溶液とし、これに炭酸イオン、水酸イオン
、シュウ酸イオン等を添加して、不溶性の水酸化物、炭
酸塩、シュウ酸塩等の形で各成分を共沈させ、沈殿を分
離、焼成する方法。
塩の形で均一溶液とし、これに炭酸イオン、水酸イオン
、シュウ酸イオン等を添加して、不溶性の水酸化物、炭
酸塩、シュウ酸塩等の形で各成分を共沈させ、沈殿を分
離、焼成する方法。
（３）各金属成分のアルコキシドあるいは、β−ジケト
ン錯体または、β−ジケトエステル錯体または、有機酸
塩等の混合物を有機溶媒に溶解し、均一溶液とした後、
加水分解し、沈殿を分離した後焼成する方法。
ン錯体または、β−ジケトエステル錯体または、有機酸
塩等の混合物を有機溶媒に溶解し、均一溶液とした後、
加水分解し、沈殿を分離した後焼成する方法。
前述のように複合金属酸化物薄膜を製造する従来の方法
は先ず複合金属酸化物粉末を合成しなければならず、製
造工程が煩雄である。
は先ず複合金属酸化物粉末を合成しなければならず、製
造工程が煩雄である。
更に酸化物粉末を合成する各方法についても夫々次のよ
うな問題がある。
うな問題がある。
上記（１）の方法では原料を粉末状態で混合して焼成す
るため、粉末粒子の接触部分から反応が進行し、このた
め未反応部分が残りやすく、目的組成からずれた酸化物
粉末を生じ易い。
るため、粉末粒子の接触部分から反応が進行し、このた
め未反応部分が残りやすく、目的組成からずれた酸化物
粉末を生じ易い。
上記（２）の方法では、溶液中の各元素の沈殿条件が異
なるため、共沈した沈殿物の組成は溶液中の各成分組成
の割合とは異なることが多く、従って目的組成からずれ
た酸化物となるのは避けられない。さらに、出発原料で
ある無機陰イオン（ＮＯ，−１Ｃ１−１ＳＯ，ｉ′−等
）が、熱処理をしても内部に不純物として残留し、粉末
の特性を劣化させる。
なるため、共沈した沈殿物の組成は溶液中の各成分組成
の割合とは異なることが多く、従って目的組成からずれ
た酸化物となるのは避けられない。さらに、出発原料で
ある無機陰イオン（ＮＯ，−１Ｃ１−１ＳＯ，ｉ′−等
）が、熱処理をしても内部に不純物として残留し、粉末
の特性を劣化させる。
上記（３）の方法では、目的組成の沈殿を得ることがで
きるが、アルコキシド自体が非常に不安定であり、空気
中の水分等でたやすく加水分解し水酸化物や酸化物とな
り沈殿が生じる等の問題がある。
きるが、アルコキシド自体が非常に不安定であり、空気
中の水分等でたやすく加水分解し水酸化物や酸化物とな
り沈殿が生じる等の問題がある。
さらに、スパッタリングにより薄膜を製造するためには
、高価なスパッタリング装置や、ホットプレス装置を使
用しなければならない。
、高価なスパッタリング装置や、ホットプレス装置を使
用しなければならない。
従来の上記製造方法の他に、スパッタリングを行わない
次の方法も知られている。
次の方法も知られている。
（ａ）各金属成分のアルコキシドあるいは、β−ジケト
ン１４体または、β−ジケトエステル錯体等の混合物を
有機溶媒に溶解し、均一溶液とした後、この溶液を基板
に塗布し、空気中の水分等により。
ン１４体または、β−ジケトエステル錯体等の混合物を
有機溶媒に溶解し、均一溶液とした後、この溶液を基板
に塗布し、空気中の水分等により。
加水分解させ、熱処理をして複合金属酸化物ａ膵を得る
方法。（ｂ）金属有機酸塩を基板に塗布した後これらの
有機酸塩が分解する５００℃前後でまず熱処理をし、さ
らに塗布、熱処理を数回繰り返し所望の膜厚とした上で
最終的に焼成を行ない複合金属酸化物薄膜とする方法。
方法。（ｂ）金属有機酸塩を基板に塗布した後これらの
有機酸塩が分解する５００℃前後でまず熱処理をし、さ
らに塗布、熱処理を数回繰り返し所望の膜厚とした上で
最終的に焼成を行ない複合金属酸化物薄膜とする方法。
ところが上記（ａ）の方法では前述のようにアルコキシ
ドを使用する場合には溶液自体が不安定であり、扱い難
い問題がある。また、上記（ｂ）の金属有機酸塩を用い
る方法では、カルシウムやストロンチウムなどのアルカ
リ土類金属などは金属有機酸塩の分解により直接酸化物
とはならず、炭酸塩となり、最終的な焼成で炭酸塩を分
解しなければならない。このため薄膜の表面に炭酸塩の
分解によると思われる空隙が発生する問題がある。また
炭酸塩を経由するため未反応成分が残り易く。
ドを使用する場合には溶液自体が不安定であり、扱い難
い問題がある。また、上記（ｂ）の金属有機酸塩を用い
る方法では、カルシウムやストロンチウムなどのアルカ
リ土類金属などは金属有機酸塩の分解により直接酸化物
とはならず、炭酸塩となり、最終的な焼成で炭酸塩を分
解しなければならない。このため薄膜の表面に炭酸塩の
分解によると思われる空隙が発生する問題がある。また
炭酸塩を経由するため未反応成分が残り易く。
目的の組成と異なる複合金属酸化物を生ずる等の問題が
ある。
ある。
本発明は複合金属炭酸塩の分解温度以上で基板に塗布し
たこれらの複合金属有機酸塩を熱処理し、さらにこの塗
布、熱処理を希望の膜厚になるまで繰り返すことにより
従来の上記問題点を克服した。
たこれらの複合金属有機酸塩を熱処理し、さらにこの塗
布、熱処理を希望の膜厚になるまで繰り返すことにより
従来の上記問題点を克服した。
本発明によれば、複数の金属有機酸塩を混合した複合金
属有機酸塩を溶媒に溶解し、該溶液をノ↓仮に塗布した
後、該複合金属の炭酸塩分解温度以上で上記基板を加熱
処理することを特徴とする複合金／ｊ！酸化物薄膜の製
造方法が提供される。
属有機酸塩を溶媒に溶解し、該溶液をノ↓仮に塗布した
後、該複合金属の炭酸塩分解温度以上で上記基板を加熱
処理することを特徴とする複合金／ｊ！酸化物薄膜の製
造方法が提供される。
またその好適な態様として、Ｂｉ、 Ｃａ、 Ｓｒおよ
びＣｕの有機酸塩を溶媒に混合し、該混合溶液を１店仮
に塗布した後に７５０’Ｃ以上の温度で該錫板を加熱処
理する方法が提供される。
びＣｕの有機酸塩を溶媒に混合し、該混合溶液を１店仮
に塗布した後に７５０’Ｃ以上の温度で該錫板を加熱処
理する方法が提供される。
本発明において金属有機酸塩とは、化学式Ｍ（ＯＯＣＲ
）ｘで表わされ、Ｍはビスマスあるいはカルシウムある
いはストロンチウムあるいは銅等の金属である。Ｍがビ
スマスの時は、Ｘ＝３であり、ストロンチウム、カルシ
ウム、銅の時はＸ＝２である。また、Ｒは炭素数１から
１８の炭化水素基であり、金属有機酸塩の例としては、
酢酸塩、ｎ−力プロン酸塩、カプリル酸塩、２−エチル
ヘキサン酸塩、ステアリン酸塩、ナフテン酸塩、オレイ
ン酸塩、リノール酸塩等が上げられる。
）ｘで表わされ、Ｍはビスマスあるいはカルシウムある
いはストロンチウムあるいは銅等の金属である。Ｍがビ
スマスの時は、Ｘ＝３であり、ストロンチウム、カルシ
ウム、銅の時はＸ＝２である。また、Ｒは炭素数１から
１８の炭化水素基であり、金属有機酸塩の例としては、
酢酸塩、ｎ−力プロン酸塩、カプリル酸塩、２−エチル
ヘキサン酸塩、ステアリン酸塩、ナフテン酸塩、オレイ
ン酸塩、リノール酸塩等が上げられる。
本発明において金属有機酸塩を溶解する溶媒は、これら
の金属有機酸塩を溶解し、沈殿を生じない物なら何でも
よく、水あるいは、エタノール、プロパツール、ブタノ
ール等のアルコール類、ヘキサン、オクタン、デカン、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の脂肪族あるいは芳香
族の炭化水素類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ
等のセロソルブ類がｉｌｉ独または混合して使用される
。
の金属有機酸塩を溶解し、沈殿を生じない物なら何でも
よく、水あるいは、エタノール、プロパツール、ブタノ
ール等のアルコール類、ヘキサン、オクタン、デカン、
ベンゼン、トルエン、キシレン等の脂肪族あるいは芳香
族の炭化水素類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ
等のセロソルブ類がｉｌｉ独または混合して使用される
。
本発明における、塗布の方法としては、デイツプ法、ス
プレー法、スピンコード法が使用される。
プレー法、スピンコード法が使用される。
また、必要によっては、室温から該金属６機酸塩の分解
温度の範囲で塗布した基板を乾燥してもよい。さらに、
塗布回数については、希望の膜厚となるまで繰り返すこ
とができる。
温度の範囲で塗布した基板を乾燥してもよい。さらに、
塗布回数については、希望の膜厚となるまで繰り返すこ
とができる。
複数の金属有機酸塩を溶媒に溶解して複合金属有機酸塩
とした後、該溶液を基板に塗布し、加熱処理して該複合
金属有機酸塩を分解し、酸化物とする。
とした後、該溶液を基板に塗布し、加熱処理して該複合
金属有機酸塩を分解し、酸化物とする。
本発明における熱処理の温度は、上記複合金属の炭酸塩
分解温度以上である。Ｂｉ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｃｕの
複合金属塩の場合、７５０℃以上であればよい。７５０
℃より低いと炭酸塩が生じてこれが残留し、目的の結晶
構造を持つ酸化物とはならない。また、熱処理時間は、
特に限定されないが、短すぎると熱分解が十分でなく、
長ずざると金属塩が基板と反応し、あるいは酸化物が分
解するため好ましくない。従って、熱処理時間は、温度
にもよるが１０分ないし１時間が好ましい。
分解温度以上である。Ｂｉ、 Ｃａ、 Ｓｒ、 Ｃｕの
複合金属塩の場合、７５０℃以上であればよい。７５０
℃より低いと炭酸塩が生じてこれが残留し、目的の結晶
構造を持つ酸化物とはならない。また、熱処理時間は、
特に限定されないが、短すぎると熱分解が十分でなく、
長ずざると金属塩が基板と反応し、あるいは酸化物が分
解するため好ましくない。従って、熱処理時間は、温度
にもよるが１０分ないし１時間が好ましい。
本発明方法によれば、空隙や未反応相がなく、しかも密
度が高く目的組成に一致した組成の複合金属酸化物薄膜
を容易に製造することができる。
度が高く目的組成に一致した組成の複合金属酸化物薄膜
を容易に製造することができる。
本発明の方法は予め金属酸化物の粉末を製造する必要が
なく、更にスパッタリング装置のような高価な装置を使
用する必要がないので極めて容易に実施することができ
る。
なく、更にスパッタリング装置のような高価な装置を使
用する必要がないので極めて容易に実施することができ
る。
〔実施例１〕
ビスマスとカルシウムとストロンチウムと胴のそれぞれ
の酢酸塩をモル比２：２：２：３で混合し、酸化物換算
で５％水溶液とした。この溶液をイツトリウム安定化ジ
ルコニア基板上にスプレー法により塗布し、さらに００
℃で１５分乾燥した後、７８０°Ｃで２０分熱処理をし
た。この、塗布、乾燥、熱処理を２０回繰り返した後、
超伝導転移温度（Ｔｃ）をｊｉり定したところ、 Ｔｃ
（ｏｎｓｅｔ）＝８５に、 Ｔｃ（ｅｎｄ）＝７０にで
あった。さらに、超電導臨界電流値（Ｊｃ）を測定した
ところ温度１０ＫにおいてＪｃ：２００００Ａ／ ｃＪ
が得られた。また、ＳＥＭ １１１察によると１立径２
ミクロン程度の粒子が隙間なく詰まっており密度の高い
膜であることが確認できた。また、断面の観察から、膜
Ｊゾは２ミクロンであった。Ｘ線回折によると（００ｎ
）而（ｎは整数）のピークのみが観察されＣ軸に配向し
、でいることがわかった。
の酢酸塩をモル比２：２：２：３で混合し、酸化物換算
で５％水溶液とした。この溶液をイツトリウム安定化ジ
ルコニア基板上にスプレー法により塗布し、さらに００
℃で１５分乾燥した後、７８０°Ｃで２０分熱処理をし
た。この、塗布、乾燥、熱処理を２０回繰り返した後、
超伝導転移温度（Ｔｃ）をｊｉり定したところ、 Ｔｃ
（ｏｎｓｅｔ）＝８５に、 Ｔｃ（ｅｎｄ）＝７０にで
あった。さらに、超電導臨界電流値（Ｊｃ）を測定した
ところ温度１０ＫにおいてＪｃ：２００００Ａ／ ｃＪ
が得られた。また、ＳＥＭ １１１察によると１立径２
ミクロン程度の粒子が隙間なく詰まっており密度の高い
膜であることが確認できた。また、断面の観察から、膜
Ｊゾは２ミクロンであった。Ｘ線回折によると（００ｎ
）而（ｎは整数）のピークのみが観察されＣ軸に配向し
、でいることがわかった。
〔実施例２〕
ビスマスとカルシウムのリノール酸塩とストロンチウ１
１と銅の２−エチルヘキサン酸塩を、モル比２：２：２
：３で混合し、酸化物換算で５％のエチルセロソルブ溶
液とした。この溶液を単結晶チタン酸ストロンチウム基
板上にデイツプ法により塗布し、さらに１５０℃で１５
分乾燥した後、７９０°Ｃで３０分熱処理をした。この
、塗布、乾燥、熱処理を１０回繰り返した後、超伝導転
移温度（Ｔｃ）を測定したところ、Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）
＝９０に、 Ｔｃ（ｅｎｄ）＝７３にであった。
１と銅の２−エチルヘキサン酸塩を、モル比２：２：２
：３で混合し、酸化物換算で５％のエチルセロソルブ溶
液とした。この溶液を単結晶チタン酸ストロンチウム基
板上にデイツプ法により塗布し、さらに１５０℃で１５
分乾燥した後、７９０°Ｃで３０分熱処理をした。この
、塗布、乾燥、熱処理を１０回繰り返した後、超伝導転
移温度（Ｔｃ）を測定したところ、Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）
＝９０に、 Ｔｃ（ｅｎｄ）＝７３にであった。
さらに、超電導臨界電流値（Ｊｃ）を測定したところ温
度１０ＫにおいてＪｃ＝３００００Ａ／ ｔｙ＆が得ら
れた。また、ＳＥＭ観察によると粒径２ミクロン程度の
粒子が隙間なく詰まっており密度の高い暎であることが
確認できた。また、断面の観察から、膜厚は３ミクロン
であった。Ｘ線回折によると（ＯＯｎ）面（ｎは整数）
のピークのみが観察されＣ軸に配向していることがわか
った。
度１０ＫにおいてＪｃ＝３００００Ａ／ ｔｙ＆が得ら
れた。また、ＳＥＭ観察によると粒径２ミクロン程度の
粒子が隙間なく詰まっており密度の高い暎であることが
確認できた。また、断面の観察から、膜厚は３ミクロン
であった。Ｘ線回折によると（ＯＯｎ）面（ｎは整数）
のピークのみが観察されＣ軸に配向していることがわか
った。
〔実施例３〕
ビスマスとカルシウムとストロンチウムと銅のそれぞれ
の２−二チルヘキサン酸塩をモル比２：２：２：３で混
合し、酸化物換算で５％トルエン溶液とした。この溶液
を単結晶マグネシア基板−ヒにスピンコード法により塗
布し、さらに１５０℃で１５分乾燥した後、８００℃で
１５分熱処理をした。この、塗布、乾燥、熱処理を５回
繰り返した後、超伝導転移温度（Ｔｃ）を測定したとこ
ろ、Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝９２Ｋ、Ｔｃ（ｅｎｄ）＝７
７にであった。さらに、超電導臨界電流値（Ｊｃ）を測
定したところ温度１０Ｋにおいて、ＩＣ＝４０（１００
Ａ／ｃＪが得られた。また、ＳＥＭ Ｅ察によると粒径
２ミクロン程度の粒子が隙間なく詰まっており密度の高
い膜であることが確認できた。また、断面のｋｎ ？か
ら、膜厚は０．５ミクロンであった。Ｘ線回折によると
（００ｎ）而（ｎは整数）のピークのみが観察されＣ軸
に配向していることがわかった。
の２−二チルヘキサン酸塩をモル比２：２：２：３で混
合し、酸化物換算で５％トルエン溶液とした。この溶液
を単結晶マグネシア基板−ヒにスピンコード法により塗
布し、さらに１５０℃で１５分乾燥した後、８００℃で
１５分熱処理をした。この、塗布、乾燥、熱処理を５回
繰り返した後、超伝導転移温度（Ｔｃ）を測定したとこ
ろ、Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝９２Ｋ、Ｔｃ（ｅｎｄ）＝７
７にであった。さらに、超電導臨界電流値（Ｊｃ）を測
定したところ温度１０Ｋにおいて、ＩＣ＝４０（１００
Ａ／ｃＪが得られた。また、ＳＥＭ Ｅ察によると粒径
２ミクロン程度の粒子が隙間なく詰まっており密度の高
い膜であることが確認できた。また、断面のｋｎ ？か
ら、膜厚は０．５ミクロンであった。Ｘ線回折によると
（００ｎ）而（ｎは整数）のピークのみが観察されＣ軸
に配向していることがわかった。
〔実施例４〕
ビスマスとカルシウムとストロンチウムと銅のそれぞれ
の２−エチルヘキサン酸塩をモル比１：１：１：２で混
合し、酸化物換算で５％トルエン溶液とした。この溶液
を単結晶マクネシア基板上にスピンコード法により塗布
し、さらに１５０℃で１５分乾燥した後、８００℃で１
５分熱処理をした。この、塗布、乾燥、熱処理を２０回
繰り返した後、超伝導転移温度（Ｔｃ）を測定したとこ
ろ、Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝９２Ｋ。
の２−エチルヘキサン酸塩をモル比１：１：１：２で混
合し、酸化物換算で５％トルエン溶液とした。この溶液
を単結晶マクネシア基板上にスピンコード法により塗布
し、さらに１５０℃で１５分乾燥した後、８００℃で１
５分熱処理をした。この、塗布、乾燥、熱処理を２０回
繰り返した後、超伝導転移温度（Ｔｃ）を測定したとこ
ろ、Ｔｃ（ｏｎｓｅｔ）＝９２Ｋ。
Ｔｃ（ｅｎｄ）＝７７にであった。さらに、超電導臨界
電流値（、、Ｊ ｃ ）をＪＩす定したところ温度１０
ＫにおいてＪｃ＝４００００Ａ／ ａイが得られた。ま
た、ＳＥＭ ８１察によると粒径２ミクロン程度の粒子
が隙間なく詰まっており密度の高い膜であることが確認
できた。また、断面の観察から、膜厚は２ミクロンであ
った。Ｘ線回折によると（００ｎ）而（ｎは整数）のピ
ークのみが観かされＣ軸に配向していることがわがった
。
電流値（、、Ｊ ｃ ）をＪＩす定したところ温度１０
ＫにおいてＪｃ＝４００００Ａ／ ａイが得られた。ま
た、ＳＥＭ ８１察によると粒径２ミクロン程度の粒子
が隙間なく詰まっており密度の高い膜であることが確認
できた。また、断面の観察から、膜厚は２ミクロンであ
った。Ｘ線回折によると（００ｎ）而（ｎは整数）のピ
ークのみが観かされＣ軸に配向していることがわがった
。
〔比較例１〕
実施例３と同様の溶液を単結晶マグネシア基板上にスピ
ンツー１〜法により塗布し、さらに１５０°Ｃで１５分
乾燥した後、５００°Ｃで３０分熱処理をした。
ンツー１〜法により塗布し、さらに１５０°Ｃで１５分
乾燥した後、５００°Ｃで３０分熱処理をした。
この、塗布、乾燥、熱処理を２０回繰り返し、さらに、
８００°Ｃて６０分熱した後、超伝導転移温度（Ｔｃ）
をＷｌ１１定したところ、ＴＯ（ｏｎｓｅｔ）＝８５に
、 Ｔｃ（ｅｎｄ）＝２０にであった。さらに、超′な
導臨界電流ｆｈ（Ｊｃ）を」り定したところ温度１０Ｋ
においてＪｃ＝２０ＯＡ／ Ｃｉが得られた。また、Ｓ
ＥＭｊｌ祭によると粒径２ミタロン程度の粒子が見られ
たが、１〜２ミクロンの空隙が所々に見られ、また、断
面の観察から、膜厚は５ミクロンであった。Ｘ線回折に
よると実施例における様なＣ軸に配向の傾向は余り強く
なく他の面のピークも観察された。
８００°Ｃて６０分熱した後、超伝導転移温度（Ｔｃ）
をＷｌ１１定したところ、ＴＯ（ｏｎｓｅｔ）＝８５に
、 Ｔｃ（ｅｎｄ）＝２０にであった。さらに、超′な
導臨界電流ｆｈ（Ｊｃ）を」り定したところ温度１０Ｋ
においてＪｃ＝２０ＯＡ／ Ｃｉが得られた。また、Ｓ
ＥＭｊｌ祭によると粒径２ミタロン程度の粒子が見られ
たが、１〜２ミクロンの空隙が所々に見られ、また、断
面の観察から、膜厚は５ミクロンであった。Ｘ線回折に
よると実施例における様なＣ軸に配向の傾向は余り強く
なく他の面のピークも観察された。
〔比較例２．３〕
塗布乾燥後の熱処理温度を６００℃、７００℃とする以
外は、比較例１とすべて同様に行なった結果も丁ｃ（ｅ
ｎｄ）＝２２Ｋ、２５にとなり１．Ｊｃ：２１０．２２
０Ａ／ｃ／であった。また、 ＳＩＥＭ観察の結果は、
比較例］と同様に１〜２ミクロンの空隙が所々に見られ
、断面の観察から、膜厚は５ミクロンであった。Ｘ線回
折による結果も比較例１と同様であった。
外は、比較例１とすべて同様に行なった結果も丁ｃ（ｅ
ｎｄ）＝２２Ｋ、２５にとなり１．Ｊｃ：２１０．２２
０Ａ／ｃ／であった。また、 ＳＩＥＭ観察の結果は、
比較例］と同様に１〜２ミクロンの空隙が所々に見られ
、断面の観察から、膜厚は５ミクロンであった。Ｘ線回
折による結果も比較例１と同様であった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数の金属有機酸塩を混合した複合金属有機酸塩を
溶媒に溶解し、該溶液を基板に塗布した後、該複合金属
の炭酸塩分解温度以上で上記基板を加熱処理することを
特徴とする複合金属酸化物薄膜の製造方法。 ２、第１請求項の製造方法であって、Ｂｉ、Ｃａ、Ｓｒ
およびＣｕの有機酸塩を溶媒に混合し、該混合溶液を基
板に塗布した後に、７５０℃以上の温度で該基板を加熱
処理する方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203892A JPH0255207A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 複合金属酸化物薄膜の製造方法 |
| EP89115193A EP0358974A3 (en) | 1988-08-18 | 1989-08-17 | Process for forming thin film of superconductive compound metal oxide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63203892A JPH0255207A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 複合金属酸化物薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0255207A true JPH0255207A (ja) | 1990-02-23 |
Family
ID=16481446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63203892A Pending JPH0255207A (ja) | 1988-08-18 | 1988-08-18 | 複合金属酸化物薄膜の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0358974A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0255207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012003975A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2005224A1 (en) * | 1988-12-29 | 1990-06-29 | Laurie A. Strom | Superconducting thick films for hybrid circuitry applications |
-
1988
- 1988-08-18 JP JP63203892A patent/JPH0255207A/ja active Pending
-
1989
- 1989-08-17 EP EP89115193A patent/EP0358974A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012003975A (ja) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0358974A2 (en) | 1990-03-21 |
| EP0358974A3 (en) | 1990-04-04 |
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