JPH025552A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH025552A JPH025552A JP15717188A JP15717188A JPH025552A JP H025552 A JPH025552 A JP H025552A JP 15717188 A JP15717188 A JP 15717188A JP 15717188 A JP15717188 A JP 15717188A JP H025552 A JPH025552 A JP H025552A
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- layer
- glass layer
- glass
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- Pending
Links
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Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は配線の平坦化を図った半導体装置に関するもの
である。
である。
従来の技術
一般に半導体基板とその表面に形成した配線との間の絶
縁膜として、クラック特性の優れた一定の不純物を含ん
だガラス層を用いることがある。
縁膜として、クラック特性の優れた一定の不純物を含ん
だガラス層を用いることがある。
以下、このような従来の半導体装置について第２図とと
もに説明する。
もに説明する。
第２図において、半導体基板１の表面には周知の方法で
不純物が拡散され、Ｐ型拡散層２およびＮ型拡散層３が
形成される。その後、半導体基板１の表面全域に一定量
の不純物を含んだガラス層４を絶縁膜として形成する。
不純物が拡散され、Ｐ型拡散層２およびＮ型拡散層３が
形成される。その後、半導体基板１の表面全域に一定量
の不純物を含んだガラス層４を絶縁膜として形成する。
そしてガラス層４の一部（この例ではＮ型拡散層３０表
面部分）をレジスト（図示せず）を用いてエツチング除
去してコンタクトホール５を形成する。その後、ガラス
層４の表面とコンタクトホール５の内部にアルミニウム
配線６を形成し、コンタクトホール５を介してアルミニ
ウム配線６とＮ型拡散層３を接続する。
面部分）をレジスト（図示せず）を用いてエツチング除
去してコンタクトホール５を形成する。その後、ガラス
層４の表面とコンタクトホール５の内部にアルミニウム
配線６を形成し、コンタクトホール５を介してアルミニ
ウム配線６とＮ型拡散層３を接続する。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構成では、コンタクトホール５
をエツチングで形成する際、ガラス層４のエツチングレ
ートがその厚さ方向の全域にわたって均一であるため、
エツチング後のコンタクトホール５の側壁は第２図に示
すように半導体基板１の表面に対してほぼ垂直な形にな
り、いわゆるステップカバ１ノツジが悪くなる。このた
め、ガラス層４の表面にアルミニウム配線６を形成した
とき、ガラス層４上のアルミニウム配線とコンタクトホ
ール５内のアルミニウム配線との間に急峻な段差ができ
、アルミニウム配線６の一部が第１図にＢで示すように
細くなり、この部分で配線切れが発生ずるという問題が
ある。
をエツチングで形成する際、ガラス層４のエツチングレ
ートがその厚さ方向の全域にわたって均一であるため、
エツチング後のコンタクトホール５の側壁は第２図に示
すように半導体基板１の表面に対してほぼ垂直な形にな
り、いわゆるステップカバ１ノツジが悪くなる。このた
め、ガラス層４の表面にアルミニウム配線６を形成した
とき、ガラス層４上のアルミニウム配線とコンタクトホ
ール５内のアルミニウム配線との間に急峻な段差ができ
、アルミニウム配線６の一部が第１図にＢで示すように
細くなり、この部分で配線切れが発生ずるという問題が
ある。
本発明は上記従来の問題点を解決するもので、ステップ
カバ１ノツジ不良による配線切れを防止することのでき
る半導体装置を提供するものである。
カバ１ノツジ不良による配線切れを防止することのでき
る半導体装置を提供するものである。
課題を解決するための手段
この目的を達成するために本発明の半導体装置は、不純
物を含まないガラス層」二に不純物を含むガラス層を設
けたものを絶縁膜、として用いろ。
物を含まないガラス層」二に不純物を含むガラス層を設
けたものを絶縁膜、として用いろ。
作用
このようにずれば、表層の不純物を含むガラス層は、下
層の不純物を含まないガラス層に比べてエツチングレー
トが低いから、このＪ、ツチングレ＝１・の差を利用し
てコンタクＩ・ホールの側壁を斜めに形成することがで
き、ステップカバ（ノッジを改善することができる。
層の不純物を含まないガラス層に比べてエツチングレー
トが低いから、このＪ、ツチングレ＝１・の差を利用し
てコンタクＩ・ホールの側壁を斜めに形成することがで
き、ステップカバ（ノッジを改善することができる。
実施例
第１図は本発明の一実施例にお（〕る半導体装置を示す
ものであり、第２図と同一部分には同一符号を付して説
明を省略する。７は不純物を含まないガラス層４上に形
成された不純物を含んだガラス層である。
ものであり、第２図と同一部分には同一符号を付して説
明を省略する。７は不純物を含まないガラス層４上に形
成された不純物を含んだガラス層である。
このような２層構造のガラス層４，７にエツチングによ
りコンタクトホールを形成すると、表層の不純物を含ん
だガラス層７の方が下層の不純物を含まないガラス層４
よりエツチングレートが高いため、第１図に示すように
不純物を含んだガラス層７の側壁７ａの方が、不純物を
含まないガラス層４の側壁４ａよりも外側へ広がる。し
かも上層の側壁７ａが第１図のあたりまで進行したとき
にエツチングを終了すると、下層の不純物を含まないガ
ラス層４の側壁４ａも第１図に示すように上方はエツチ
ング液に接する時間が長いため広（、下方が狭いテーバ
状になる。その結果、２．冒のガラス層４，７に形成さ
れるコンタクトホールの側壁は全体として斜めになり、
ステップカバレッジが改善される。このため、その表面
にアルミニウム配線６を形成した場合にも、アルミニウ
ムがガラス層７，４の側壁７ａ、４ａにそってほぼ均一
な厚さで形成され、ガラス層７のコーナ部分の幅も第１
図にＡで示すように十分広くなる。
りコンタクトホールを形成すると、表層の不純物を含ん
だガラス層７の方が下層の不純物を含まないガラス層４
よりエツチングレートが高いため、第１図に示すように
不純物を含んだガラス層７の側壁７ａの方が、不純物を
含まないガラス層４の側壁４ａよりも外側へ広がる。し
かも上層の側壁７ａが第１図のあたりまで進行したとき
にエツチングを終了すると、下層の不純物を含まないガ
ラス層４の側壁４ａも第１図に示すように上方はエツチ
ング液に接する時間が長いため広（、下方が狭いテーバ
状になる。その結果、２．冒のガラス層４，７に形成さ
れるコンタクトホールの側壁は全体として斜めになり、
ステップカバレッジが改善される。このため、その表面
にアルミニウム配線６を形成した場合にも、アルミニウ
ムがガラス層７，４の側壁７ａ、４ａにそってほぼ均一
な厚さで形成され、ガラス層７のコーナ部分の幅も第１
図にＡで示すように十分広くなる。
したがって配線切れは発生しない。
なお、上記実施例ではガラス層を２層にする場合につい
て述べたが、３層以上の各層であってもよい。逆にガラ
ス層を一層だυにし、その厚さ方向に不純物濃度分布を
もたせ、半導体基板１側を低濃度に、アルミニウム配線
６側を高濃度にしても同様の効果が得られる３、また、
表層に含まれる不純物が多い七配線が腐食する。）５そ
れがあるため、不純物濃度は配線の腐食を起さない程度
くアルミニウム配線の場合は１０ｍｏ１％程度以下）に
設定することが望ましい、 発明の効果 本発明は不鈍物を含まないガラス層上に不純物を含んだ
ガラス層を形成し、これをエツチングしてコンタクトホ
ールを形成するものであるから、コンタクトホールの側
壁をテーバ状にしてステップカバレッジを改善し、配線
切れを防止することができる。
て述べたが、３層以上の各層であってもよい。逆にガラ
ス層を一層だυにし、その厚さ方向に不純物濃度分布を
もたせ、半導体基板１側を低濃度に、アルミニウム配線
６側を高濃度にしても同様の効果が得られる３、また、
表層に含まれる不純物が多い七配線が腐食する。）５そ
れがあるため、不純物濃度は配線の腐食を起さない程度
くアルミニウム配線の場合は１０ｍｏ１％程度以下）に
設定することが望ましい、 発明の効果 本発明は不鈍物を含まないガラス層上に不純物を含んだ
ガラス層を形成し、これをエツチングしてコンタクトホ
ールを形成するものであるから、コンタクトホールの側
壁をテーバ状にしてステップカバレッジを改善し、配線
切れを防止することができる。
第１図は本発明の一実施例におけろ半導体装置の断面図
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・Ｐ型拡散、
川、３・・・・・・Ｎ型拡散層、４・・・・・・不純物
を含まないガラス層、６・・・・・・アルミニウム配線
、７・・・・・・不純物を含んだガラス層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／−−一半
導体基板 ｚ−Ｆ’Ｍ、＄散層 ３−Ｎ型拡敢層 ４−°−不純物４含：ないガラス眉 ２−゛アルミニヴム酉己織 ７− 不純物を含んｈ゛方”ラス１ 第 図 ／−一半導体基板 Ｚ−Ｐ旦ｙ４玖層 ３−Ｎ型１六牧眉 ４・−不純物を含んだ」゛ラス層 ５− コンタクトホール ６− アルミニクムＷＪ課
、第２図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・Ｐ型拡散、
川、３・・・・・・Ｎ型拡散層、４・・・・・・不純物
を含まないガラス層、６・・・・・・アルミニウム配線
、７・・・・・・不純物を含んだガラス層。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか１名／−−一半
導体基板 ｚ−Ｆ’Ｍ、＄散層 ３−Ｎ型拡敢層 ４−°−不純物４含：ないガラス眉 ２−゛アルミニヴム酉己織 ７− 不純物を含んｈ゛方”ラス１ 第 図 ／−一半導体基板 Ｚ−Ｐ旦ｙ４玖層 ３−Ｎ型１六牧眉 ４・−不純物を含んだ」゛ラス層 ５− コンタクトホール ６− アルミニクムＷＪ課
Claims (1)
- 半導体基板の表面にガラス層を形成するとともに、この
ガラス層に、上記半導体基板表面側が低濃度に、表層側
が高濃度になるような不純物濃度分布をもたせ、上記ガ
ラス層の一部をエッチング除去してコンタクトホールを
形成し、上記ガラス層の表面および上記コンタクトホー
ルの内部に金属配線を形成した半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15717188A JPH025552A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15717188A JPH025552A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH025552A true JPH025552A (ja) | 1990-01-10 |
Family
ID=15643742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15717188A Pending JPH025552A (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH025552A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182226A (en) * | 1991-04-15 | 1993-01-26 | Gold Star Electron Co., Ltd. | Method for fabrication of a field oxide of the buried inverse t-type using oxygen or nitrogen ion implantation |
| US6481062B1 (en) * | 2001-08-01 | 2002-11-19 | Jan I-Hwu | Fastening belt |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP15717188A patent/JPH025552A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182226A (en) * | 1991-04-15 | 1993-01-26 | Gold Star Electron Co., Ltd. | Method for fabrication of a field oxide of the buried inverse t-type using oxygen or nitrogen ion implantation |
| US6481062B1 (en) * | 2001-08-01 | 2002-11-19 | Jan I-Hwu | Fastening belt |
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