JPH0257962U - - Google Patents

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JPH0257962U
JPH0257962U JP13827088U JP13827088U JPH0257962U JP H0257962 U JPH0257962 U JP H0257962U JP 13827088 U JP13827088 U JP 13827088U JP 13827088 U JP13827088 U JP 13827088U JP H0257962 U JPH0257962 U JP H0257962U
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Japan
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single crystal
crucible
furnace
crystal growth
growth apparatus
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JP13827088U
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  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案に係わる半導体単結晶育成装置
の一実施例の縦断面図、第２図は同装置の―
線視断面図、第３図は本考案の他の実施例のフロ
ー管を示す縦断面図である。一方、第４図は従来
の半導体単結晶育成装置を示す縦断面図である。 １…炉体、２…２重ルツボ、２Ａ…外ルツボ体、
２Ｂ…内ルツボ体、５…ヒーター、６…保温筒、
８…フロー管取付板、１３…成長部観察用窓部、
２０…フロー管、２０Ａ…フロー管胴部、２０Ｂ
…フロー管フランジ部、２１…開口部、２２…透
明板、Ｙ…原料融液、Ｔ…単結晶、Ｓ…単結晶成
長部。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 外ルツボ体および内ルツボ体からなる２重
    ルツボを炉体内に設け、前記外ルツボ体と内ルツ
    ボ体の間隙を通して２重ルツボ内に半導体原料を
    供給する原料供給管を設けるとともに、内ルツボ
    体の内側から単結晶を引き上げる引上機構を設け
    、さらに内ルツボ体と育成中の単結晶の間に円筒
    状のフロー管を配置し、このフロー管を炉体内で
    固定された取付板により支持した半導体単結晶育
    成装置において、 前記炉体の上部に炉体内を覗くための窓部を形
    成するとともに、前記フロー管または取付板の少
    なくとも一方に開口部を形成し、この開口部およ
    び前記窓部を通して、炉体外から外ルツボ体と内
    ルツボ体の間隙の融液表面を観察可能としたこと
    を特徴とする半導体単結晶育成装置。 (2) 前記開口部を、耐熱材製の透明板で塞いだ
    ことを特徴とする第１項記載の半導体単結晶育成
    装置。
JP13827088U 1988-10-24 1988-10-24 Pending JPH0257962U (ja)

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5248590A (en) * 1975-10-15 1977-04-18 Miura Eng Internatl Kk Method for desorption of active carbon
JPS5740119A (en) * 1980-07-18 1982-03-05 Skf Kugellagerfabriken Gmbh Thin bearing bush made by pressdrawing
JPS6136197A (ja) * 1984-07-06 1986-02-20 ゼネラル　シグナル　コーポレーシヨン チヨクラルスキー技術を用いて浅いるつぼから半導体材料の単結晶を成長させる装置及び方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5248590A (en) * 1975-10-15 1977-04-18 Miura Eng Internatl Kk Method for desorption of active carbon
JPS5740119A (en) * 1980-07-18 1982-03-05 Skf Kugellagerfabriken Gmbh Thin bearing bush made by pressdrawing
JPS6136197A (ja) * 1984-07-06 1986-02-20 ゼネラル　シグナル　コーポレーシヨン チヨクラルスキー技術を用いて浅いるつぼから半導体材料の単結晶を成長させる装置及び方法

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