JPH0258203A - 単結晶ＭｎＺｎ‐フェロフェライト材料及び磁気ヘッド - Google Patents
単結晶ＭｎＺｎ‐フェロフェライト材料及び磁気ヘッドInfo
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- JPH0258203A JPH0258203A JP1171746A JP17174689A JPH0258203A JP H0258203 A JPH0258203 A JP H0258203A JP 1171746 A JP1171746 A JP 1171746A JP 17174689 A JP17174689 A JP 17174689A JP H0258203 A JPH0258203 A JP H0258203A
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 10
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N Zinc dication Chemical compound [Zn+2] PTFCDOFLOPIGGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N Manganese(2+) Chemical compound [Mn+2] WAEMQWOKJMHJLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
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- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁気ヘッドでの使用に著しく適した単結晶Ｍｎ
Ｚｎ−フェロフェライト材料に関するものである。本発
明はまた前記材料から製造した磁気ヘッドに関するもの
である。
Ｚｎ−フェロフェライト材料に関するものである。本発
明はまた前記材料から製造した磁気ヘッドに関するもの
である。
この型の磁気ヘッドは、例えばオーディオ、ビデオ機器
で情報を記録、消去及び再生するのに用いられる。
で情報を記録、消去及び再生するのに用いられる。
（従来の技術）
ＭｎＺｎ−フェロフェライト材料は西独国特許出願（公
開番号８６００５号）から知られている。前記出願に記
載されている磁性材料は、次式４式％ 更にａ＋ｂ＋ｃ””ｔ。）で表わされる。この既知の材
料は若干の良好な軟磁特性数、例えば、高い飽和磁化Ｂ
ｓ及び高い透磁率μを有する。しかし、この材料は二つ
の磁気ひずみ定数２１００及びλ１１１ の絶対値が高
い（λ＋＋＋ ＞１５．１０−’、λ１１１０ ＜−５
，１Ｏ−６） という欠点を有することが確証された
。この磁気ひずみは逆磁気ひずみ効果を介していわゆる
「ラビングノイズ」に寄与する。
開番号８６００５号）から知られている。前記出願に記
載されている磁性材料は、次式４式％ 更にａ＋ｂ＋ｃ””ｔ。）で表わされる。この既知の材
料は若干の良好な軟磁特性数、例えば、高い飽和磁化Ｂ
ｓ及び高い透磁率μを有する。しかし、この材料は二つ
の磁気ひずみ定数２１００及びλ１１１ の絶対値が高
い（λ＋＋＋ ＞１５．１０−’、λ１１１０ ＜−５
，１Ｏ−６） という欠点を有することが確証された
。この磁気ひずみは逆磁気ひずみ効果を介していわゆる
「ラビングノイズ」に寄与する。
このラビングノイズへの寄与は磁気ひずみ定数の絶対値
の大きさに比例する。この周波数依存性ラビングノイズ
はメガヘルツ領域では重要である。
の大きさに比例する。この周波数依存性ラビングノイズ
はメガヘルツ領域では重要である。
ビデオヘッドはこの周波数領域（４〜３０ＭＩＩｚ）で
使用される。
使用される。
（発明が解決しようとする課題）
本発明の目的は、二つの磁気ひずみ定数の絶対値が可能
な限り小さく、好ましくは実質的に零であるような単結
晶Ｍｎ７：ｎ−フェロフェライト材料を提供することに
ある。
な限り小さく、好ましくは実質的に零であるような単結
晶Ｍｎ７：ｎ−フェロフェライト材料を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、メガヘルツ領域で充分に高い透磁
率を有する単結晶ＭｎＺｎ−フェロフェライトを提供す
ることにある。
率を有する単結晶ＭｎＺｎ−フェロフェライトを提供す
ることにある。
本発明の更なる目的は充分に高い飽和磁化を有する単結
晶ＭｎＺｎ−フェロフェライト材料を提供することにあ
る。
晶ＭｎＺｎ−フェロフェライト材料を提供することにあ
る。
（課題を解決するための手段）
これらの目的は、序文に記載した磁気材料で、本発明に
おいて更に次式 ％式％ ことを特徴とする材料により達成される。
おいて更に次式 ％式％ ことを特徴とする材料により達成される。
本発明の材料の磁気ひずみ定数２１００ ＋ λ、。
は共に５．１０−’に等しいか又はこれより小さい絶対
値を持つ。前記材料の飽和磁化と透磁率とは磁気ヘッド
に使用するのに充分である。
値を持つ。前記材料の飽和磁化と透磁率とは磁気ヘッド
に使用するのに充分である。
本発明の材料中のＺｎ含量は特に重要である。
このＺｎ含量が０．６の前記上限よりも高いと、本発明
の材料よりも飽和磁化が著しく低い材料が得られる。Ｚ
ｎ含量が０．５の前記下限よりも低い場合には、二つの
磁気ひずみ定数λｔｏｏおよびλ、１゜の少なくとも一
方、特にλ１゜。の絶対値が本発明の材料にくらべて著
しく増加する。
の材料よりも飽和磁化が著しく低い材料が得られる。Ｚ
ｎ含量が０．５の前記下限よりも低い場合には、二つの
磁気ひずみ定数λｔｏｏおよびλ、１゜の少なくとも一
方、特にλ１゜。の絶対値が本発明の材料にくらべて著
しく増加する。
Ｆｅ（ＩＩ）の含量が多数の重要な磁気特性を注目すべ
き程度まで決定することを見出した。Ｆｅ（旧の含量が
０．０２より小さい場合には、キュリー温度（Ｔｃ）が
比較的低く、かつ透磁率μ及び飽和磁化Ｂｓ もまた本
発明の材料の透磁率、飽和磁化よりも小さい材料が得ら
れる。Ｆｅ（旧の含量が０．１５よりも大きい材料では
、透磁率μが本発明の材料よりも著しく小さいことが見
出され、一方この範囲でλ１１１ の絶対値が著しく増
加する。
き程度まで決定することを見出した。Ｆｅ（旧の含量が
０．０２より小さい場合には、キュリー温度（Ｔｃ）が
比較的低く、かつ透磁率μ及び飽和磁化Ｂｓ もまた本
発明の材料の透磁率、飽和磁化よりも小さい材料が得ら
れる。Ｆｅ（旧の含量が０．１５よりも大きい材料では
、透磁率μが本発明の材料よりも著しく小さいことが見
出され、一方この範囲でλ１１１ の絶対値が著しく増
加する。
本発明の化合物中のＭｎ（ＩＩ）の含量は、二価の元素
（Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｚｎ）の総和（ａ＋ｂ＋ｃ
）が１に等しくなければならないということで、Ｆｅ（
ＩＩ）の含量とＺｎ（ＩＩ）の含量との双方により決定
される。
（Ｍｎ 、 Ｆｅ 、 Ｚｎ）の総和（ａ＋ｂ＋ｃ
）が１に等しくなければならないということで、Ｆｅ（
ＩＩ）の含量とＺｎ（ＩＩ）の含量との双方により決定
される。
本発明の好適例は、
０、３０＜ ａ ＜Ｑ、 ４０ ；
０．５０＜ ｂ ＜０．５５ ；
０．１０＜ ｃ＜ ０．１５ ；
ａ＋ｂ十Ｃ＝１
により特徴づけられる。
この組成に該当する材料組成で、最も高い飽和磁化Ｂｓ
が得られることを見出した。
が得られることを見出した。
本発明の他の好適例は、
０．３２＜ ａ ＜０．４０ ；
０．５７＜ ｂ ＜０．６０ ；
０．０３＜ ｃ ＜ ０．０８ ；
ａ＋ｂ＋ｃ＝１
で特徴づけられる。
この組成に該当する材料組成で、双方の磁気ひずみ定数
の絶対値が最も小さくなることを見出した。
の絶対値が最も小さくなることを見出した。
驚くべきことに、与えられた組成のＭｎＺｎフェロフェ
ライトにおいて、双方の磁気ひずみ定数の値が同時に実
質的に零となることは銘記すべきである。この分野で指
導的なオーク（Ｏｈｔａ）の業績から、ジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジクス（Ｊａｐ、
Ｊ、 ＡＰＰＬ、Ｐｈｙｓ、） ３（１０） ５７６
（１９６４）で公表された表６及び７より、双方の磁
気ひずみ定数が同時に実質的に零となる組成をＭｎＺｎ
−フェロフェライトで選ぶことは不可能であることが推
論できる。この先入観は本発明によって克照される。
ライトにおいて、双方の磁気ひずみ定数の値が同時に実
質的に零となることは銘記すべきである。この分野で指
導的なオーク（Ｏｈｔａ）の業績から、ジャパニーズ
ジャーナル オブ アプライド フィジクス（Ｊａｐ、
Ｊ、 ＡＰＰＬ、Ｐｈｙｓ、） ３（１０） ５７６
（１９６４）で公表された表６及び７より、双方の磁
気ひずみ定数が同時に実質的に零となる組成をＭｎＺｎ
−フェロフェライトで選ぶことは不可能であることが推
論できる。この先入観は本発明によって克照される。
（実施例）
図面を参照して本発明を次の実施例により更に詳細に説
明する。
明する。
異なる組成を有するＭｎＺｎ−フェロフェライトの単結
晶を、組成金属酸化物及び／又は炭酸塩を酸素雰囲気中
１６５０℃で、製造すべき化合物の表示モル分率に実質
的に該当する分量で融解し、次いでこの融解物を結晶化
させることにより、フェロフェライト用にそれ自体は既
知のブリッジマシン法（８ｒ１ｄｇｍａｎ ｍｅｔｈｏ
ｄ）により製造した。この結晶の成長方向はＣ１００Ｉ
であり、その成長速度は２ｍｍ／時間であった。この方
法で得た単結晶は６ｃｍの長さと２ｃｍの直径とを有し
ていた。
晶を、組成金属酸化物及び／又は炭酸塩を酸素雰囲気中
１６５０℃で、製造すべき化合物の表示モル分率に実質
的に該当する分量で融解し、次いでこの融解物を結晶化
させることにより、フェロフェライト用にそれ自体は既
知のブリッジマシン法（８ｒ１ｄｇｍａｎ ｍｅｔｈｏ
ｄ）により製造した。この結晶の成長方向はＣ１００Ｉ
であり、その成長速度は２ｍｍ／時間であった。この方
法で得た単結晶は６ｃｍの長さと２ｃｍの直径とを有し
ていた。
表には、前記の方法で製造した１２の単結晶ＭｎＺｎ−
フェロフェライトの一群のデータを記録した。参照番号
１〜８は本発明の材料の組成を示すが、参照番号９〜１
２は本発明には属さず、比較例として働く材料の組成を
示す。
フェロフェライトの一群のデータを記録した。参照番号
１〜８は本発明の材料の組成を示すが、参照番号９〜１
２は本発明には属さず、比較例として働く材料の組成を
示す。
双方の磁気ひずみ定数の絶対値は、本発明の化合物では
小さい値乃至非常に小さい値、即ち、１．１０−’より
も小さい値（実施例２）となることが表から明らかであ
る。更に、０．５０ ＜ ｂ ＜０．５５の条件を保持
した本発明の材料で、最も高い飽和磁化が一般に見出さ
れることを表から導ける。表に現れたように、０．５７
＜ ｂ ＜０．５０ の条件を保持した本発明の材
料で、最も低い磁気ひずみ定数が見出される。
小さい値乃至非常に小さい値、即ち、１．１０−’より
も小さい値（実施例２）となることが表から明らかであ
る。更に、０．５０ ＜ ｂ ＜０．５５の条件を保持
した本発明の材料で、最も高い飽和磁化が一般に見出さ
れることを表から導ける。表に現れたように、０．５７
＜ ｂ ＜０．５０ の条件を保持した本発明の材
料で、最も低い磁気ひずみ定数が見出される。
Ｚｎの含量が比較的に高く、Ｆｅ（［［）の含量が比較
的に低い比較例６９の材料は、飽和磁化、透磁率及びキ
ュリー温度のような磁気特性が本発明の材料よりも著し
く劣ることを示す。
的に低い比較例６９の材料は、飽和磁化、透磁率及びキ
ュリー温度のような磁気特性が本発明の材料よりも著し
く劣ることを示す。
Ｚｎの含量が比較的に低い参照番号１０−１２の材料で
は、双方の磁気ひずみ定数の絶対値が比較的に高い。こ
れは特にλｔＧｏ に当てはまる。
は、双方の磁気ひずみ定数の絶対値が比較的に高い。こ
れは特にλｔＧｏ に当てはまる。
第１図はビデオヘッドを示す。このビデオヘッドは本発
明の材料の２つのコア部分１． ２から構成される。ギ
ャップ４の領域で、テープ接触面３は狭くなる。コイル
５，６を双方のコア部分に巻回し、書き込み、読み出し
又は消去信号を前記コイルを通して送ることができる。
明の材料の２つのコア部分１． ２から構成される。ギ
ャップ４の領域で、テープ接触面３は狭くなる。コイル
５，６を双方のコア部分に巻回し、書き込み、読み出し
又は消去信号を前記コイルを通して送ることができる。
しかし、本発明の磁気材料の使用は、この型の磁気ヘッ
ドに限定されない。
ドに限定されない。
第１図はコア部分が本発明の材料からなる磁気ヘッドの
斜視図である。 １、 ２・・・コア部分 ３・・・テープ接触面
４・・・ギャン７’ ５．６・・・コイル
。
斜視図である。 １、 ２・・・コア部分 ３・・・テープ接触面
４・・・ギャン７’ ５．６・・・コイル
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １．磁気ヘッドに使用するのに著しく適する単結晶Ｍｎ
Ｚｎ−フェロフェライト材料において、該材料が次式 Ｍｎ＿ａＺｎ＿ｂＦｅ＾II＿ｃＦｅ＾III＿２Ｏ＿４（
ここで、０．２５＜ａ＜０．４８； ０．５０＜ｂ＜０．６０； ０．０２＜ｃ＜０．１５； ａ＋ｂ＋ｃ＝１）で表わされる ことを特徴とする単結晶ＭｎＺｎ−フェロフェライト材
料。 ２．０．３０＜ａ＜０．４０； ０．５０＜ｂ＜０．５５； ０．１０＜ｃ＜０．１５； ａ＋ｂ＋ｃ＝１ であることを特徴とする、請求項１記載の単結晶ＭｎＺ
ｎフェロフェライト材料。 ３．０．３２＜ａ＜０．４０； ０．５７＜ｂ＜０．６０； ０．０３＜ｃ＜０．０８； ａ＋ｂ＋ｃ＝１ であることを特徴とする、請求項１記載の単結晶ＭｎＺ
ｎ−フェロフェライト材料。 ４．少なくともコア部分とコイルとを有する磁気ヘッド
において、前記コア部分が請求項１，２又は３に記載さ
れた単結晶ＭｎＺｎ−フェロフェライト材料からなるこ
とを特徴とする磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8801685 | 1988-07-04 | ||
| NL8801685 | 1988-07-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258203A true JPH0258203A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=19852564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1171746A Pending JPH0258203A (ja) | 1988-07-04 | 1989-07-03 | 単結晶ＭｎＺｎ‐フェロフェライト材料及び磁気ヘッド |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5049454A (ja) |
| EP (1) | EP0350101B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0258203A (ja) |
| KR (1) | KR0135419B1 (ja) |
| DE (1) | DE68906210T2 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0541156B1 (en) * | 1991-11-04 | 1997-04-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic head having a core portion of polycrystalline MnZn ferroferrite |
| ATE151555T1 (de) * | 1991-11-04 | 1997-04-15 | Philips Electronics Nv | Magnetkopf mit kernteil aus polykristallinem mnzn-ferroferrit |
| EP0710392B1 (en) * | 1993-07-19 | 2001-11-07 | Quantum Corporation | Magnetic head with self-regulating wear regions |
| US5460704A (en) * | 1994-09-28 | 1995-10-24 | Motorola, Inc. | Method of depositing ferrite film |
| US6282056B1 (en) | 1999-04-08 | 2001-08-28 | Read-Rite Corporation | Tapered stitch pole writer for high density magnetic recording |
| US6937435B2 (en) * | 2003-05-16 | 2005-08-30 | Quantum Corporation | Tape head with thin support surface and method of manufacture |
| US7154691B2 (en) * | 2003-12-18 | 2006-12-26 | Quantum Corporation | Multi-format thinfilm head and associated methods |
| US7271983B2 (en) * | 2004-09-16 | 2007-09-18 | Quantum Corporation | Magnetic head with mini-outriggers and method of manufacture |
| US7256963B2 (en) * | 2004-09-16 | 2007-08-14 | Quantum Corporation | Magnetic head with adaptive data island and mini-outrigger and methods of manufacture |
| US20070183091A1 (en) * | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Saliba George A | Read/write head having varying wear regions and methods of manufacture |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047240B2 (ja) * | 1980-05-16 | 1985-10-21 | ソニー株式会社 | フエライト単結晶 |
| NL8005312A (nl) * | 1980-09-24 | 1982-04-16 | Philips Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van ferriet eenkristallen. |
| NL8200480A (nl) * | 1982-02-09 | 1983-09-01 | Philips Nv | Magneetkop. |
| JPS5992999A (ja) * | 1982-11-16 | 1984-05-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 単結晶フエライト |
| NL8204897A (nl) * | 1982-12-20 | 1984-07-16 | Philips Nv | Magneetkop met een kern van mn-zn-co-ferroferriet. |
| JPS6154009A (ja) * | 1984-08-24 | 1986-03-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
| JPS62119713A (ja) * | 1985-11-20 | 1987-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
-
1989
- 1989-06-20 US US07/368,747 patent/US5049454A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-28 EP EP89201713A patent/EP0350101B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-06-28 DE DE89201713T patent/DE68906210T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-01 KR KR1019890009360A patent/KR0135419B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1989-07-03 JP JP1171746A patent/JPH0258203A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68906210D1 (de) | 1993-06-03 |
| EP0350101B1 (en) | 1993-04-28 |
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| KR0135419B1 (ko) | 1998-04-22 |
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| KR900002248A (ko) | 1990-02-28 |
| US5049454A (en) | 1991-09-17 |
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