JPH0258228A - 半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路Info
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- JPH0258228A JPH0258228A JP20991088A JP20991088A JPH0258228A JP H0258228 A JPH0258228 A JP H0258228A JP 20991088 A JP20991088 A JP 20991088A JP 20991088 A JP20991088 A JP 20991088A JP H0258228 A JPH0258228 A JP H0258228A
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路に関し、特にアルミニラ１１電
横配線を採用した半導体集積回路に関する。
横配線を採用した半導体集積回路に関する。
（従来の技術〕
従来の半導体集積回路における電極配線にはＡｆ−３ｉ
合金の単層あるいは、ＡＪ？−３ｔ合金とシリサイドの
積層構造等が採用されていた。
合金の単層あるいは、ＡＪ？−３ｔ合金とシリサイドの
積層構造等が採用されていた。
上述した従来の半導体集積回路では、電極配線形成後に
被着されるパッシベーション膜の応力により電極配線の
アルミニウムの一部が移動し、電極配線が断線してしま
うという欠点を有する。
被着されるパッシベーション膜の応力により電極配線の
アルミニウムの一部が移動し、電極配線が断線してしま
うという欠点を有する。
さらに、電極配線に電流を流し続けると、電子の流れに
押されアルミニウムが移動する、いわゆるエレクトロマ
イグレーションにより断線したり、あるいは電極配線の
側面ではパッシベーション膜が弱く、パッシベーション
膜を破壊し、アルミニウムの突起が発生し、隣接する配
線と短絡してしまうという欠点を有する。
押されアルミニウムが移動する、いわゆるエレクトロマ
イグレーションにより断線したり、あるいは電極配線の
側面ではパッシベーション膜が弱く、パッシベーション
膜を破壊し、アルミニウムの突起が発生し、隣接する配
線と短絡してしまうという欠点を有する。
本発明の半導体集積回路は、アルミニウムを主成分とす
る配線の側面に高融点金属あるいは高融点金属化合物の
層を設けたものである。
る配線の側面に高融点金属あるいは高融点金属化合物の
層を設けたものである。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
シリコン酸化膜２で覆われ、所定の位置に開口部が設け
られたシリコン基板１上にスパッタリング法によりＴｉ
−Ｗ合金層３を５０〜２００ｎｍの厚さに、続いてＡｊ
’−３ｉ合金層４を０．５〜２μｍの厚さに連続して形
成する０次に、通常のりソグラフィ技術及びエツチング
技術を用いＴ ｉ −Ｗ合金層３とＡｆｆ−３ｉ合金層
４を所望の電極配線にパターニングする。次にＷＦ６と
Ｈ２ガスを用い、ＣＶＤ法によりＴ ｉ−Ｗ合金層３と
Ａｅ−８ｉ合金層４の表面に泗択的にタングステン層５
を５０〜２００ｎｍの膜厚に形成した後、ＣＦ４ガスを
用いた反応性イオンエッチによりＡｅ−Ｓｉ合金層４上
のタングステン層５をエツチング除去する。この際、エ
ツチングが異方性エツチングのため、Ｔｉ−Ｗ合金層３
とＡｅ−３ｉき金層４の側面にはタングステン層５が残
される。次にパッシベーション膜として、プラズマ窒化
膜６を形成し、電極配線を完成する。
られたシリコン基板１上にスパッタリング法によりＴｉ
−Ｗ合金層３を５０〜２００ｎｍの厚さに、続いてＡｊ
’−３ｉ合金層４を０．５〜２μｍの厚さに連続して形
成する０次に、通常のりソグラフィ技術及びエツチング
技術を用いＴ ｉ −Ｗ合金層３とＡｆｆ−３ｉ合金層
４を所望の電極配線にパターニングする。次にＷＦ６と
Ｈ２ガスを用い、ＣＶＤ法によりＴ ｉ−Ｗ合金層３と
Ａｅ−８ｉ合金層４の表面に泗択的にタングステン層５
を５０〜２００ｎｍの膜厚に形成した後、ＣＦ４ガスを
用いた反応性イオンエッチによりＡｅ−Ｓｉ合金層４上
のタングステン層５をエツチング除去する。この際、エ
ツチングが異方性エツチングのため、Ｔｉ−Ｗ合金層３
とＡｅ−３ｉき金層４の側面にはタングステン層５が残
される。次にパッシベーション膜として、プラズマ窒化
膜６を形成し、電極配線を完成する。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第１の実施例と同様に、シリコン酸化膜１２で覆われた
シリコン基板１１上にＡｔ７−Ｓｉ合金層１３で第１の
配線を形成する。次に、スパッタリング法によりタング
ステンシリサイド層１４を５０〜２００ｎｍの厚さに被
着した後、反応性イオンエッチ法によりＡ！！−Ｓｉ合
金層１３上のタングステンシリサイド層１４をエツチン
グし、Ａｔ？−３ｉ合金層１３の側面１２のみタングス
テンシリサイド層１４ｆ：残す。次に、眉間絶縁膜とし
て、プラズマ窒化膜１５を形成し、このプラズマ窒化膜
１５を形成し、このプラズマ窒化膜１５の所望の位置に
Ａｅ−３ｉ合金層１３に達する開口部を形成後、再度Ａ
Ｊ７−３ｉ合金層】６で第２の配線を形成する。さらに
、第１の配線と同様に、Ａｆ−３ｉ合金層１６の側面に
のみタングステンシリサイド）Ｖｊ １７を形成し、２
Ｒ配線構造を形成する。
シリコン基板１１上にＡｔ７−Ｓｉ合金層１３で第１の
配線を形成する。次に、スパッタリング法によりタング
ステンシリサイド層１４を５０〜２００ｎｍの厚さに被
着した後、反応性イオンエッチ法によりＡ！！−Ｓｉ合
金層１３上のタングステンシリサイド層１４をエツチン
グし、Ａｔ？−３ｉ合金層１３の側面１２のみタングス
テンシリサイド層１４ｆ：残す。次に、眉間絶縁膜とし
て、プラズマ窒化膜１５を形成し、このプラズマ窒化膜
１５を形成し、このプラズマ窒化膜１５の所望の位置に
Ａｅ−３ｉ合金層１３に達する開口部を形成後、再度Ａ
Ｊ７−３ｉ合金層】６で第２の配線を形成する。さらに
、第１の配線と同様に、Ａｆ−３ｉ合金層１６の側面に
のみタングステンシリサイド）Ｖｊ １７を形成し、２
Ｒ配線構造を形成する。
この実施例では、第１の配線と第２の配線の間にアルミ
ニウム以外の金属がないため、接続抵抗は従来のアルミ
ニウム多層配線と同等の値のまま、信頼性が向上できる
という利点がある。
ニウム以外の金属がないため、接続抵抗は従来のアルミ
ニウム多層配線と同等の値のまま、信頼性が向上できる
という利点がある。
１ｉ発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、アルミニウム合金配線
あるいはアルミニウム合金とシリサイドの積層構造によ
る配線等、アルミニウムを主成分とする配線の側面に、
高融点金属または高融点金属化合物を設けることにより
、応力の大きなパッシベーション膜を形成しても高融点
金属または高融点金属化合物により応力が緩和されアル
ミニウムが断線することは無い。さらにエレクトロマイ
グレーションによりアルミニウムが移動しても、側面に
ある高融点金属あるいは高融点金属化合物のため、アル
ミニウムの突起が発生することはなく、隣接する配線と
短絡する恐れは無いという効果を有する。
あるいはアルミニウム合金とシリサイドの積層構造によ
る配線等、アルミニウムを主成分とする配線の側面に、
高融点金属または高融点金属化合物を設けることにより
、応力の大きなパッシベーション膜を形成しても高融点
金属または高融点金属化合物により応力が緩和されアル
ミニウムが断線することは無い。さらにエレクトロマイ
グレーションによりアルミニウムが移動しても、側面に
ある高融点金属あるいは高融点金属化合物のため、アル
ミニウムの突起が発生することはなく、隣接する配線と
短絡する恐れは無いという効果を有する。
Ｔ ｉ −Ｗ合金層、４・・・ＡＩ！−３ｉ合金層、５
・・・タングステン層、６・・・プラズマ窒化膜、１１
・・・シリコン基板、１２・・・シリコン酸化膜、１３
・・・Ａｆｆ−５ｉ合金層、１４・・・タングステンシ
リサイド層、１５・・・プラズマ窒化膜、１６・・・Ａ
ｌ−９ｉ合金層、１７・・・タングステンシリサイド層
。
・・・タングステン層、６・・・プラズマ窒化膜、１１
・・・シリコン基板、１２・・・シリコン酸化膜、１３
・・・Ａｆｆ−５ｉ合金層、１４・・・タングステンシ
リサイド層、１５・・・プラズマ窒化膜、１６・・・Ａ
ｌ−９ｉ合金層、１７・・・タングステンシリサイド層
。
Claims (1)
- アルミニウムを主成分とする配線の側面に高融点金属ま
たは高融点金属化合物の層が設けられていることを特徴
とする半導体集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20991088A JPH0258228A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20991088A JPH0258228A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258228A true JPH0258228A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16580678
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20991088A Pending JPH0258228A (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258228A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6313536B1 (en) | 1997-04-08 | 2001-11-06 | Nec Corporation | Semicoductor device having a multilayered interconnection structure |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP20991088A patent/JPH0258228A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6313536B1 (en) | 1997-04-08 | 2001-11-06 | Nec Corporation | Semicoductor device having a multilayered interconnection structure |
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