JPH0258247A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0258247A JPH0258247A JP63209922A JP20992288A JPH0258247A JP H0258247 A JPH0258247 A JP H0258247A JP 63209922 A JP63209922 A JP 63209922A JP 20992288 A JP20992288 A JP 20992288A JP H0258247 A JPH0258247 A JP H0258247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin film
- semiconductor element
- bonded
- semiconductor device
- leads
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/0711—Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/701—Tape-automated bond [TAB] connectors
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置に関し、特にマイクロ波素子の内
部結線に関するものである。
部結線に関するものである。
マイクロ波素子を使用した高周波用の半導体装置におい
て半導体素子と、容器との結線は、−数的には細金線で
行なわれている。更によりよいＲＦ特性を得る上で結線
のインダクタンスを減少させる為最短距離に結線したり
あるいは複数本の細金線を結線する等の工夫を行なって
いる。
て半導体素子と、容器との結線は、−数的には細金線で
行なわれている。更によりよいＲＦ特性を得る上で結線
のインダクタンスを減少させる為最短距離に結線したり
あるいは複数本の細金線を結線する等の工夫を行なって
いる。
又、フィルムキャリアを用いた方式であるＴＡＢ実装方
式は一最にＡ１電極を有する半導体素子に用いられ、半
導体素子のパッド上にＡｕバンプを形成し、Ａｕバンプ
を介してフィルムキャリアと結線している。
式は一最にＡ１電極を有する半導体素子に用いられ、半
導体素子のパッド上にＡｕバンプを形成し、Ａｕバンプ
を介してフィルムキャリアと結線している。
上述した従来の半導体装置の結線において、ワイヤーボ
ンディング方式では１バツド上よりの結線数はツールの
大きさにより限定され、複数本のワイヤーを結線するに
は大きなパッド面積を必要とするので結線のインダクタ
ンスはあまり小さくできないという欠点がある。又、フ
ィルムキャリア方式においては、結線そのもののインダ
クタンスは小さくできるけれども半導体素子上にＡｕバ
ンプを形成するので、電極パッドが大きくなり寄生容量
が大きくなるので高周波用の半導体装置には適していな
い。
ンディング方式では１バツド上よりの結線数はツールの
大きさにより限定され、複数本のワイヤーを結線するに
は大きなパッド面積を必要とするので結線のインダクタ
ンスはあまり小さくできないという欠点がある。又、フ
ィルムキャリア方式においては、結線そのもののインダ
クタンスは小さくできるけれども半導体素子上にＡｕバ
ンプを形成するので、電極パッドが大きくなり寄生容量
が大きくなるので高周波用の半導体装置には適していな
い。
本発明の目的は、このような欠点のない高周波特性の良
好な半導体装置を提供することにある。
好な半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、容器に搭載された半導体素子と
、前記半導体素子の電極パッドに接合された内部リード
と、前記半導体素子上に前記内部リードを間に挟んで設
けられた樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの前記内部
リードに接着された面と対向する面に貼り付けられた導
電性シールド板とを含むというものである。
、前記半導体素子の電極パッドに接合された内部リード
と、前記半導体素子上に前記内部リードを間に挟んで設
けられた樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの前記内部
リードに接着された面と対向する面に貼り付けられた導
電性シールド板とを含むというものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の第１の実施例を示す平面図、第
１図（ｂ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ’線断面図である。
１図（ｂ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ’線断面図である。
この実施例は、容器６に搭載された半導体素子４と、半
導体素子４の電極バッド５に接合された内部リード２と
、半導体素子４上に内部リード５を間に挟んで設けられ
た樹脂フィルム１と、樹脂フィルム１の内部リード５に
接着された面と対向する面に貼り付けられた導電性シー
ルド板３とを含むというものである。
導体素子４の電極バッド５に接合された内部リード２と
、半導体素子４上に内部リード５を間に挟んで設けられ
た樹脂フィルム１と、樹脂フィルム１の内部リード５に
接着された面と対向する面に貼り付けられた導電性シー
ルド板３とを含むというものである。
次に、この実施例の製造方法について説明する。
フィルムキャリアと同様の材質の厚さ５ Ｑ ）ｔ ｍ
程度の樹脂フィルム１の両面に銅箔を貼り付けた後、一
方の銅箔を伝意にパターン形成ｆ＆Ａｕメツキを施こし
内部リード２を形成する。他方の銅箔はそのまま残して
導電性シールド板３とする。次に、導電性シールド板３
を表にして、容器６のキャビティに半導体素子４をダイ
ボンディングしたものの上に置いて位置合わせをし、半
導体素子４の電極バッド５、容器６のメタライズ層７と
内部リード２とを接触させ、導電性シールド板３の上方
よりそれぞれ部分的に熱圧着し、内部結線を行なう、Ｔ
ＡＢ方式においては、この熱圧着は一度に行うのである
が、本発明ではワイヤボンディング方のように、１つ宛
行う。従って電極バッド５はバンブでなくてよく、ワイ
ヤボンディング方式のポンディングパッドと同様のもの
でよいので、面積的にはバンプに比べて小さくてよい。
程度の樹脂フィルム１の両面に銅箔を貼り付けた後、一
方の銅箔を伝意にパターン形成ｆ＆Ａｕメツキを施こし
内部リード２を形成する。他方の銅箔はそのまま残して
導電性シールド板３とする。次に、導電性シールド板３
を表にして、容器６のキャビティに半導体素子４をダイ
ボンディングしたものの上に置いて位置合わせをし、半
導体素子４の電極バッド５、容器６のメタライズ層７と
内部リード２とを接触させ、導電性シールド板３の上方
よりそれぞれ部分的に熱圧着し、内部結線を行なう、Ｔ
ＡＢ方式においては、この熱圧着は一度に行うのである
が、本発明ではワイヤボンディング方のように、１つ宛
行う。従って電極バッド５はバンブでなくてよく、ワイ
ヤボンディング方式のポンディングパッドと同様のもの
でよいので、面積的にはバンプに比べて小さくてよい。
又、電極パッドとメタライズ層との間の結線はほぼ最短
距離で可能であり、形状も自由に設計できるのでインダ
クタンスを小さくできる。更に、導電性シールド板が設
けられているので高周波もれ防止が可能である。更に又
、カバーとしての役割もあるので熱圧着時に半導体素子
の汚れも防止でき、信頼性も向上する。
距離で可能であり、形状も自由に設計できるのでインダ
クタンスを小さくできる。更に、導電性シールド板が設
けられているので高周波もれ防止が可能である。更に又
、カバーとしての役割もあるので熱圧着時に半導体素子
の汚れも防止でき、信頼性も向上する。
なお、実際には、この後、キャップを取付けてパッケー
ジが完成されるのはいうまでもない。
ジが完成されるのはいうまでもない。
第２図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。
この実施例は、内部リード２の下にもう１つの樹脂フィ
ルム８が貼り付けられている。例えば２字形の電極（５
）で囲われた部分に他の電極（５′）が配置されている
半導体素子の内部結線に使用するのに好適である。
ルム８が貼り付けられている。例えば２字形の電極（５
）で囲われた部分に他の電極（５′）が配置されている
半導体素子の内部結線に使用するのに好適である。
以上説明したように本発明は、一方の面に導電性シール
ド板を貼り付けた樹脂フィルムの他方の面に内部リード
を接着したものを用いて内部結線を行うことにより、イ
ンダクタンスが小さくかつ高周波もれ防止を実現できる
ので、半導体装置の高周波特性が改善できる効果がある
。又、半導体素子の汚れによる信頼性の低下を回避でき
る効果もある。
ド板を貼り付けた樹脂フィルムの他方の面に内部リード
を接着したものを用いて内部結線を行うことにより、イ
ンダクタンスが小さくかつ高周波もれ防止を実現できる
ので、半導体装置の高周波特性が改善できる効果がある
。又、半導体素子の汚れによる信頼性の低下を回避でき
る効果もある。
第１図（ａ）は、本発明の第１の実施例を示す平面図、
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ’線断面図、第２
図は第２の実施例を示す断面図である。 １・・・樹脂フィルム、２・・・内部リード、３・・・
導電性シールド板、４・・・半導体素子、５，５′・・
・電極パッド、６・・・容器、７・・・メタライズ層、
８・・・樹脂フィルム。
第１図（ｂ）は第１図（ａ）のｘ−ｘ’線断面図、第２
図は第２の実施例を示す断面図である。 １・・・樹脂フィルム、２・・・内部リード、３・・・
導電性シールド板、４・・・半導体素子、５，５′・・
・電極パッド、６・・・容器、７・・・メタライズ層、
８・・・樹脂フィルム。
Claims (1)
- 容器に搭載された半導体素子と、前記半導体素子の電
極パッドに接合された内部リードと、前記半導体素子上
に前記内部リードを間に挟んで設けられた樹脂フィルム
と、前記樹脂フィルムの前記内部リードに接着された面
と対向する面に貼り付けられた導電性シールド板とを含
むことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209922A JP2701348B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209922A JP2701348B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258247A true JPH0258247A (ja) | 1990-02-27 |
| JP2701348B2 JP2701348B2 (ja) | 1998-01-21 |
Family
ID=16580889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209922A Expired - Lifetime JP2701348B2 (ja) | 1988-08-23 | 1988-08-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2701348B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798782A3 (en) * | 1996-03-27 | 1999-07-28 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Microwave circuit package |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4853255U (ja) * | 1971-10-25 | 1973-07-10 | ||
| JPS4868170A (ja) * | 1971-12-20 | 1973-09-17 |
-
1988
- 1988-08-23 JP JP63209922A patent/JP2701348B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4853255U (ja) * | 1971-10-25 | 1973-07-10 | ||
| JPS4868170A (ja) * | 1971-12-20 | 1973-09-17 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0798782A3 (en) * | 1996-03-27 | 1999-07-28 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Microwave circuit package |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2701348B2 (ja) | 1998-01-21 |
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