JPH04302209A - 中空素子構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波素子などの
チップを基板に実装し、中空部を有する形で気密封止し
てなる中空素子構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】弾性表面波素子チップを気密封止する際
には、素子の表面波の伝搬を疎外しないような中空部を
設ける必要がある。このために、従来は、中空のセラミ
ックパッケージや金属パッケージが主に使用されている
。これらのパッケージは、気密信頼性が高い反面、コス
トも高くなるため、経済面で実用性に問題があった。 そのため、近年では、省コスト化の観点から、チップに
蓋を被せて、その間に中空部を形成する方法や、このよ
うにチップ上に被せた蓋の周囲を樹脂で覆ってしまうと
いう方法が提案されている。

【０００３】図７は、このような従来の方法で気密封止
された中空素子構造の一例を示す図である。この図７に
示すように、チップ１は、基板２上に実装されており、
その上部には、蓋３が被せられ、この蓋３と基板２及び
チップ１との間に中空部４が形成されている。そして、
この構造全体が、樹脂５によって覆われ、パッケージン
グされている。なお、図中６は、基板２の外部リードで
あり、７は、チップ１と基板２とを電気的に接続してい
るワイヤである。このような蓋及び樹脂を使用したパッ
ケージは、上記のセラミックパッケージや金属パッケー
ジに比べて、コストが低く、より経済的で実用性が高く
なっている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような蓋及び樹脂を使用した従来のパッケージは、セラ
ミックパッケージや金属パッケージに比べれば、コスト
が低いものの、単純な樹脂封止パッケージに比べれば、
蓋を使用する分だけコストが高い上、蓋を被せるという
工程を要する分だけ製造工程数を増加させ、製造時間が
長くなってしまうという欠点を有していた。また、セラ
ミックパッケージや金属パッケージに比べて、気密信頼
性に劣る欠点もあった。さらに、図７からも明らかなよ
うに、パッケージ全体の厚みは、チップ及び基板の厚み
に比べてはるかに厚くなり、電子部品一般に要求される
小型・薄型・高密度実装化に逆行するという欠点もあっ
た。

【０００５】一方、このようなパッケージの前提として
使用されるところの、チップの基板に対する実装構造に
も欠点があった。すなわち、図７に示すような、チップ
を基板に対してワイヤで接続する実装構造においては、
バンプ電極の形成、ダイボンディング、ワイヤボンディ
ングなどの工程が必要であるため、その分だけ製造工程
数が増加し、製造時間が長くなってしまうという欠点が
あった。

【０００６】さらに、ハイブリッド化を行おうとする場
合には、各素子をそれぞれ、上記のような多数の工程に
よって基板に実装した後、多数の工程によって気密封止
を施さなければならないことから、全体としての製造工
程が複雑化し、製造時間が長くなり、製造コストが高く
なるなどの欠点があった。

【０００７】本発明は、上記のような従来技術の課題を
解決するために提案されたものであり、その目的は、簡
単な構造で信頼性の高い気密封止を行うことを可能とす
ることにより、製造時間の短縮及び製造工程数の削減に
貢献可能であり、さらに、小型・薄型・高密度実装化に
貢献可能であるような、優れた中空素子構造を提供する
ことである。また、容易にハイブリッド化可能とするこ
とも、目的の一つである。なお、このような本発明の目
的の対象となる素子は、代表的には、弾性表面波素子で
あるが、ＩＣ、ＬＳＩ、その他の各種の素子も同様に本
発明の目的の対象である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の中空素
子構造は、チップ上面に形成されたボンディングパッド
を含むパターンを囲むようにチップ上面に形成されたチ
ップ側の壁と；　　ボンディングパッドに対向する上面
位置から下面側に貫通するように、基板に形成されたリ
ードと；　　基板上面に形成され、チップ側の壁と密着
する基板側の壁と；基板上面におけるリードの表出面上
に形成され、ボンディングパッドと密着するボンディン
グパッド接続用金属膜とを有し；　　チップの上面が基
板上面に対向する状態で、チップが基板に固定されるこ
とを特徴としている。

【０００９】請求項２に記載の中空素子構造は、チップ
上面のパターン上の一部に形成されたボンディングパッ
ドと；　　パターン及びボンディングパッドを囲むよう
にチップ上面に形成されたチップ側の壁と；　　基板上
面に形成された基板上配線と；配線上におけるチップ側
の壁に対向する位置に形成された絶縁膜と；　　絶縁膜
上に形成され、チップ側の壁と密着する基板側の壁と；
　　配線上の一部に形成され、ボンディングパッドと密
着するボンディングパッド接続用金属膜とを有し；チッ
プの上面が基板上面に対向する状態で、チップが基板に
固定されることを特徴としている。

【００１０】請求項３に記載の中空素子構造は、チップ
上面に形成されたボンディングパッドを含むパターンを
囲むようにチップ上面に形成されたチップ側の壁と；　
　基板上面に形成された基板上配線と；　　配線上にお
けるチップ側の壁に対向する位置に形成された絶縁膜と
；　　絶縁膜上に形成され、チップ側の壁と密着する基
板側の壁と；　　配線上の一部に形成され、ボンディン
グパッドと密着するボンディングパッド接続用金属膜と
を有し；　　チップの上面が基板上面に対向する状態で
、チップが基板に固定されることを特徴としている。

【００１１】すなわち、本発明の中空素子構造は、ボン
ディングパッドを含むパターン（または、ボンディング
パッド及びパターン）を囲むようにチップ上面に形成さ
れたチップ側の壁と、これに対応して基板上面に形成さ
れた基板側の壁とを対向させ、密着させるように構成し
たものである。

【００１２】

【作用】以上のような構成を有する本発明によれば、ボ
ンディングパッドとボンディングパッド接続用金属膜と
を接合し、且つ、チップ側の壁と基板側の壁とを接合す
ることにより、チップと基板とを電気的及び機械的に接
続すると同時に、チップ側の壁と基板側の壁との間に中
空部を形成できる。従って、蓋を被せる工程のような気
密封止のための特別な工程が不要となるため、その分だ
け製造工程数が削減され、製造時間を短縮できる。また
、壁同士を密着させて接合するため、中空部分の気密信
頼性も向上できる。さらに、パッケージ全体の実質的な
厚みを、チップと基板の厚み、及び中空部分の寸法のみ
にできるため、蓋を被せる場合に比べて、パッケージ全
体を格段に薄くできる。

【００１３】一方、本発明の中空素子構造は、チップの
ボンディングパッドと基板のボンディングパッド接続用
金属膜とを接合することによってチップと基板とを電気
的に接続するワイヤレスボンディング構造である。従っ
て、バンプ電極の形成、ダイボンディング、ワイヤボン
ディングなどの工程が不要であるため、その分だけ製造
工程数を低減でき、製造時間を短縮できる利点もある。

【００１４】さらに、ハイブリッド化を行おうとする場
合には、本発明による中空素子構造の素子の周辺に配置
する素子及びその他の部品を、本発明の構造とするか、
または既存のハイブリッドＩＣと同様な実装方法により
実装する。そして、本発明による素子とこれらの周辺部
品とを、一括して樹脂で覆うか、または金属ケース或い
はセラミックケースに入れて気密封止を行うことにより
、容易にハイブリッド化を行うことができる。すなわち
、本発明の構造を利用することにより、各素子を個別に
気密封止することなく、一括して容易に気密封止するこ
とができるため、単純な製造工程で短時間にハイブリッ
ド化を行うことができる。

【００１５】

【実施例】以上説明したような本発明による中空素子構
造の実施例について、図１乃至図６を参照して具体的に
説明する。ここで、図１は、本発明の第１実施例を示す
断面図、図２は、第１実施例のチップと基板を示す平面
図、図３は、本発明の第２実施例を示す断面図、図４は
、第２実施例のチップと基板を示す平面図、図５は、本
発明の第３実施例を示す断面図、図６は、第３実施例の
チップと基板を示す平面図である。なお、図７に示した
従来技術と同一部分には同一符号を付し、説明を省略す
る。

【００１６】まず、図１に示す第１実施例は、請求項１
に記載の中空素子構造を弾性表面波素子に適用してなる
実施例であり、図中の破線１０は、チップ１側と基板２
側との境界線である。図１に示すように、チップ１上に
は、スパッタなどの成膜技術により、アルミニウム膜に
よる素子パターン（Ａｌパターン）１１が形成されてい
る。このＡｌパターン１１は、ボンディングパッド１２
を含むパターンであり、その外周部には、Ａｌパターン
１１全体を囲むように、アルミニウム膜による壁（チッ
プ側の壁）１３が形成されている。図２の（ａ）は、こ
のようなチップ１を示す平面図であり、図中１４は、Ａ
ｌパターン１１のゲート、１５はトランスジューサであ
る。

【００１７】また、図１に示すように、基板２には、チ
ップ１のボンディングパッド１２に対向する上面位置か
ら下面側に貫通する内部配線（内部リード）２１が形成
され、外部リード６に接続されている。内部配線２１以
外の基板２本体部分は、絶縁材料にて形成されている。

【００１８】そして、この基板２には、チップ１と接合
する際にチップ１のＡｌパターン１１のボンディングパ
ッド１２及びチップ側の壁１３に対向する位置に、アル
ミニウム膜によって、ボンディングパッド接続用Ａｌ膜
２２及び基板側の壁２３がそれぞれ形成されている。す
なわち、ボンディングパッド接続用Ａｌ膜２２は、前記
内部配線２１の表出面上に形成されている。図２の（ｂ
）は、このような基板２を示す平面図である。なお、こ
の場合、ボンディングパッド接続用Ａｌ膜２２及び基板
側の壁２３は、チップ１と同様のスパッタなどの成膜技
術、メッキ技術、またはプリント基板やセラミック基板
において配線を形成するのと同様の配線技術などの方法
によって行われている。

【００１９】ところで、チップ１と基板２にそれぞれＡ
ｌ膜を形成する場合、ボンディングパッド部分と壁の部
分の厚みは、ほとんど同じにしなければならない。そう
でないと、接合する際に、両部分の一方に隙間ができて
接合できなくなってしまう。これに対し、以上のように
してチップ１と基板２にそれぞれＡｌ膜を形成する場合
、各Ａｌ膜の厚みは、ほとんど同じ厚みに制御できる。 すなわち、チップ１に関しては、Ａｌパターン１１及び
チップ側の壁１３を、スパッタなどの成膜技術によって
同時に形成することにより、これらのＡｌ膜の厚みを、
均一性の高いほとんど同一の厚みとすることができる。 そして、基板２においても、同様の成膜技術を使用する
か、或いは前記の他の技術によって、ボンディングパッ
ド接続用Ａｌ膜２２及び基板側の壁２３を同時に形成す
ることにより、これらのＡｌ膜の厚みを、均一性の高い
ほとんど同一の厚みとすることができる。従って、ボン
ディングパッド部分と壁の部分の厚みをほとんど同じと
することができる。

【００２０】そして、以上のように形成されたチップ１
及び基板２は、図２の（ａ）及び（ｂ）に示すような、
それぞれの上面を互いに対向させるように重ね合わせら
れ、チップ１のボンディングパッド１２と基板２のボン
ディングパッド接続用Ａｌ膜２２、及びチップ側の壁１
３と基板側の壁２３とが、それぞれ位置合わせされた状
態で、密着され、接合されている。この場合の各部の接
合は、適当な超音波の印加による接合方法、或いは、熱
と荷重による拡散接合方法によって実現されている。

【００２１】以上のような構成を有する第１実施例にお
いては、ワイヤレスボンディングにより、チップ１と基
板２とを電気的及び機械的に接続できると同時に、チッ
プ側の壁１３と基板側の壁２３との間に中空部４を形成
できる。従って、前述した従来技術における、蓋１を被
せる工程などの気密封止のための特別な工程が不要とな
るため、その分だけ製造工程数が削減され、製造時間を
短縮できる。また、壁１３，２３同士を密着させて接合
するため、中空部分の気密信頼性を向上できる。さらに
、図１に示すように、パッケージ全体の厚みを、チップ
１と基板２の厚み、及び中空部４の寸法のみにできるた
め、蓋３を被せていた従来技術（図７）に比べて、パッ
ケージ全体を格段に薄くできる。従って、小型・薄型・
高密度実装化に貢献可能である。なお、図１に示すよう
な構成に加えて、チップを保護し、取扱いを容易にする
目的で、樹脂モールドやボッティング法などによりチッ
プを樹脂で覆うことも可能である。

【００２２】一方、本実施例は、前記の通り、ワイヤレ
スボンディング構造であるため、図７に示すような従来
構造において必要であったところのバンプ電極の形成、
ダイボンディング、ワイヤボンディングなどの工程が不
要となる。従って、その分だけ製造工程数を低減でき、
製造時間を短縮できる利点もある。

【００２３】また、ハイブリッド化を行おうとする場合
には、図１に示す第１実施例の素子の周辺に配置する素
子及びその他の部品を、同様に本発明に従う構造とする
か、または既存のハイブリッドＩＣと同様な実装方法に
より実装する。そして、第１実施例の素子とこれらの周
辺部品とを、一括して樹脂で覆うか、または金属ケース
或いはセラミックケースに入れて気密封止を行うことに
より、容易にハイブリッド化を行うことができる。すな
わち、本発明の構造を利用することにより、各素子を個
別に気密封止することなく、一括して容易に気密封止す
ることができるため、単純な製造工程で短時間にハイブ
リッド化を行うことができる。

【００２４】次に、図３に示す第２実施例は、請求項２
に記載の中空素子構造を弾性表面波素子に適用してなる
実施例であり、図中の破線１０は、前記第１実施例と同
様に、チップ１側と基板２側との境界線である。図３に
示すように、チップ１上には、スパッタなどの成膜技術
により、アルミニウム膜による素子パターン（Ａｌパタ
ーン）１１が形成されている。このＡｌパターン１１は
、ボンディングパッドベース１６を含むパターンであり
、その外周部には、Ａｌパターン１１全体を囲むように
、アルミニウム膜によるチップ側の壁１３が形成されて
いる。Ａｌパターン１１のボンディングパッドベース１
６上には、Ａｌパターン１１と同様の成膜技術により、
アルミニウム膜によるボンディングパッド１７が形成さ
れている。図４の（ａ）は、このようなチップ１を示す
平面図であり、Ａｌパターン１１及びチップ側の壁１３
の平面的な形状は、前記第１実施例と全く同様とされて
いる。

【００２５】また、図３に示すように、基板２上面には
、アルミニウム膜によって基板上配線２４が形成され、
内部配線（内部リード）２１を介して、外部リード６に
接続されている。基板上配線２４間には、絶縁膜によっ
て、配線と同じ厚みの絶縁部が形成されている。内部配
線２１以外の基板２本体部分は、絶縁材料にて形成され
ている。

【００２６】そして、この基板２には、チップ１と接合
する際にチップ１のＡｌパターン１１のボンディングパ
ッド１２に対向する位置に、ボンディングパッド接続用
Ａｌ膜２２が形成されている。また、チップ１と接合す
る際にチップ側の壁１３に対向する位置に、絶縁膜２５
が形成されている。さらに、この絶縁膜２５上には、ア
ルミニウム膜によって基板側の壁２３が形成されている
。図４の（ｂ）は、このような基板２を示す平面図であ
る。なお、この場合、ボンディングパッド接続用Ａｌ膜
２２及び基板側の壁２３は、チップ１と同様のスパッタ
などの成膜技術、メッキ技術、またはプリント基板やセ
ラミック基板において配線を形成するのと同様の配線技
術などの方法によって行われている。

【００２７】ところで、チップ１及び基板２に、Ａｌ膜
及び絶縁膜を形成する場合、ボンディングパッド部分と
壁の部分の厚みは、ほとんど同じにしなければならない
。そうでないと、接合する際に、両部分の一方に隙間が
できて接合できなくなってしまう。この点については、
第１実施例に関して前述した通りである。これに対し、
第２実施例の場合、チップ１と基板２にそれぞれ形成さ
れる各Ａｌ膜については、第１実施例に関して前述した
通り、ほとんど同じ厚みに制御できる。すなわち、チッ
プ１に関しては、Ａｌパターン１１及びチップ側の壁１
３を、スパッタなどの成膜技術によって同時に形成する
ことにより、これらのＡｌ膜の厚みを、均一性の高いほ
とんど同一の厚みとすることができる。そして、基板２
においても、同様の成膜技術を使用するか、或いは前記
の他の技術によって、ボンディングパッド接続用Ａｌ膜
２２及び基板側の壁２３を同時に形成することにより、
これらのＡｌ膜の厚みを、均一性の高いほとんど同一の
厚みとすることができる。従って、ボンディングパッド
部分と壁の部分を構成する残りの部分、すなわち、ボン
ディングパッド１７を構成するＡｌ膜と絶縁膜２５の厚
みをほとんど同じにすることにより、ボンディングパッ
ド部分と壁の部分の厚みをほとんど同じとすることがで
きる。なお、Ａｌ膜と絶縁膜の厚みをほとんど同じにす
る技術は、周知の技術である。

【００２８】そして、以上のように形成されたチップ１
及び基板２は、前記第１実施例と同様に、チップ１のボ
ンディングパッド１７と基板２のボンディングパッド接
続用Ａｌ膜２２、及びチップ側の壁１３と基板側の壁２
３とが、それぞれ位置合わせされた状態で、密着され、
接合されている。この場合の各部の接合も、前記第１実
施例と同様に、適当な超音波の印加による接合方法、或
いは、熱と荷重による拡散接合方法によって行われてい
る。

【００２９】以上のような構成を有する第２実施例にお
いては、前述した第１実施例と同様の作用効果が得られ
る。すなわち、チップ１と基板２を接合する工程だけで
、チップを基板に対して実装すると同時に中空部を形成
できるため、気密封止のための特別な工程、及びチップ
の基板に対する多数の実装工程が不要となり、その分だ
け製造工程数が削減され、製造時間を短縮できる。また
、壁１３，２３同士を密着させて接合するため、中空部
分の気密信頼性を向上できる。さらに、パッケージ全体
を格段に薄くできるため、小型・薄型・高密度実装化に
貢献可能である。なお、図３に示すような構成に加えて
、チップを保護し、取扱いを容易にする目的で、樹脂モ
ールドやボッティング法などによりチップを樹脂で覆う
ことも可能である。

【００３０】加えて、第２実施例では、基板上配線２４
を形成してなる構造であるため、ハイブリッド化をより
容易に行うことができる利点もある。すなわち、基板上
配線２４のパターンは、周知の技術により容易に形成可
能且つ変更可能であるため、設計の自由度を向上できる
。従って、ハイブリッド化を行おうとする場合には、第
２実施例の素子の周辺の素子及びその他の部品を、同様
に本発明に従う実装構造とするか、または既存のハイブ
リッドＩＣと同様な実装方法により、容易に実装するこ
とができる。そして、第２実施例の素子とこれらの周辺
部品とを、一括して樹脂で覆うか、または金属ケース或
いはセラミックケースに入れて気密封止を行うことによ
り、容易にハイブリッド化を行うことができる。

【００３１】特に、第２実施例においては、基板上配線
２４を使用していることから、以上のような作用効果に
加えて、基板２の構成を簡略化でき、一層薄型化できる
と共に、製造工程をより容易化できる利点がある。すな
わち、前記第１実施例のように、基板上配線を使用せず
、チップ１に対向する部分に、内部配線２１の一端を配
置する構造においては、図１に示すように、基板２上面
の内部配線２１表出位置と、基板２下面の外部リード６
引き出し位置との水平方向における位置が異なることか
ら、基板２内部において内部配線２１の水平配置部が必
要となる。従って、基板２内部の配線構造が複雑化する
と共に、水平配置部の分だけ基板２の厚みが増大する。 これに対し、第２実施例においては、容易に変更可能な
基板上配線２４を使用していることから、基板２上面の
内部配線２１を自由に設定できるため、図３に示すよう
に、内部配線２１を垂直に配置することができ、内部配
線２１の水平配置部が不要となる。従って、基板２内部
の配線構造を簡略化できると共に、水平配置部が省略さ
れた分だけ基板２の厚みを減少できる。また、このよう
に、基板２内部の配線構造が簡略であることから、基板
２の製造が容易となることに加えて、基板上配線２４の
パターンは、前述の通り、周知の技術により容易に形成
可能であるため、構造全体の製造工程をさらに容易化で
きる。

【００３２】最後に、図５に示す第３実施例は、請求項
３に記載の中空素子構造を弾性表面波素子に適用してな
る実施例であり、図６の（ａ）は、チップを示す平面図
、（ｂ）は基板を示す平面図である。この第３実施例の
基本的な構造は、前述の第２実施例とほとんど同一であ
るため、以下には、第２実施例と異なる第３実施例の特
徴のみを説明する。

【００３３】すなわち、第３実施例と前記第２実施例と
の差異は、壁の部分の絶縁膜２５の厚み分に相当する厚
み分を、ボンディングパッド部分において得るための層
が、第２実施例においては、チップ１側に設けられてい
るのに対し、第３実施例においては、基板２側に設けら
れている点である。より具体的に言えば、図３に示すよ
うに、前記第２実施例においては、チップ１のＡｌパタ
ーン１１上に重ねて、独立のボンディングパッド１７が
形成されているが、第３実施例においては、図５に示す
ように、基板２のボンディンパッド接続用Ａｌ膜２２上
に、第２のボンディングパッド接続用Ａｌ膜２６が重ね
て形成されている。そして、チップ１側のボンディング
パッド１２は、第１実施例と同様に、Ａｌパターン１１
に含まれている。なお、第３実施例の他の構成は、前記
第２実施例と全く同様である。

【００３４】このような構成を有する第３実施例におい
ては、前述した第２実施例の作用効果と同様の作用効果
が得られることに加えて、チップ１側と基板２側のそれ
ぞれにおいて、ボンディングパッド部分と壁の部分との
厚みが等しくなるため、製造時における取扱いが容易に
なる利点もある。すなわち、前記第２実施例においては
、図３に示すように、チップ１上におけるボンディング
パッド部分が２層、壁の部分が１層とその層数が異なり
、これらの部分間に厚みの差があると共に、基板２上に
おいても、同様な厚みの差がある。これに対し、第３実
施例においては、図５に示すように、チップ１上におけ
るボンディングパッド部分と壁の部分が共に１層ずつと
なり、その厚みをほぼ等しくできると共に、基板２上に
おけるボンディングパッド部分と壁の部分が共に３層ず
つとなり、その厚みをほぼ等しくできる。このように部
分間の厚みが等しい第３実施例のチップ１及び基板２は
、部分間に厚みの差を有する第２実施例のチップ１及び
基板２に比べて、接合工程などにおける取扱いが容易で
ある。

【００３５】なお、本発明は、前記各実施例に限定され
るものではなく、他の各種の実施例を同様に構成するこ
とが可能であり、同様の作用効果を得ることができる。 例えば、チップのパターンや壁、及び基板のボンディン
グパッド接続用金属膜や壁の材料は、アルミニウムに限
定されるものではなく、電気的に接続できるという条件
に適合する限り、他の各種金属材料を適宜使用可能であ
る。さらに、チップ側の壁及び基板側の壁の材料は、導
電材料に限定されない。一方、各膜の構造は、単層膜に
限らず、多層膜とすることも可能である。そして、各膜
の大きさも自由であり、必ずしも接合する相手側の膜と
同じ面積である必要はない。また、膜同士の接合方法も
自由に変更可能である。加えて、前記各実施例において
は、いずれも弾性表面波素子の例を示したが、本発明は
、ＩＣ、ＬＳＩ、その他の各種の素子にも同様に適用可
能であり、同様に優れた作用効果を得ることができる。

【００３６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
チップ及び基板にそれぞれ壁を設け、これらを密着状態
で接合するという簡単な構造で、信頼性の高い気密封止
を行うことができるため、製造時間の短縮及び製造工程
数の削減に貢献可能であり、さらに、小型・薄型・高密
度実装化に貢献可能であるような、優れた中空素子構造
を提供することができる。また、容易にハイブリッド化
することが可能となる効果もある。さらに、本発明は、
特に弾性表面波素子の構造として最適であるが、ＩＣ、
ＬＳＩ、その他の各種の素子に対しても優れた適合性を
有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の中空素子構造の第１実施例を示す断面
図。

【図２】第１実施例の中空素子構造のチップと基板を示
す平面図。

【図３】本発明の中空素子構造の第２実施例を示す断面
図。

【図４】第２実施例の中空素子構造のチップと基板を示
す平面図。

【図５】本発明の中空素子構造の第３実施例を示す断面
図。

【図６】第３実施例の中空素子構造のチップと基板を示
す平面図。

【図７】従来の中空素子構造の一例を示す断面図。

【符号の説明】

１　　チップ ２　　基板 ３　　蓋 ４　　中空部 ５　　樹脂 ６　　外部リード ７　　ワイヤ １０　　（チップ側と基板側との）境界線１１　　Ａｌ
パターン １２　　ボンディングパッド １３　　チップ側の壁 １４　　ゲート １５　　トランスジューサ １６　　ボンディングパッドベース １７　　ボンディングパッド ２１　　内部配線（内部リード） ２２　　ボンディングパッド接続用Ａｌ膜２３　　基板
側の壁 ２４　　基板上配線 ２５　　絶縁膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　チップ上面に形成されたボンディング
   パッドを含むパターンを囲むようにチップ上面に形成さ
   れたチップ側の壁と、上記ボンディングパッドに対向す
   る上面位置から下面側に貫通するように、基板に形成さ
   れたリードと、上記基板上面に形成され、上記チップ側
   の壁と密着する基板側の壁と、上記基板上面におけるリ
   ードの表出面上に形成され、上記ボンディングパッドと
   密着するボンディングパッド接続用金属膜とを有し、上
   記チップは、その上面が上記基板上面に対向する状態で
   、基板に固定されることを特徴とする中空素子構造。
2. 【請求項２】　　チップ上面のパターン上の一部に形成
   されたボンディングパッドと、上記パターン及びボンデ
   ィングパッドを囲むように上記チップ上面に形成された
   チップ側の壁と、基板上面に形成された基板上配線と、
   上記配線上における上記チップ側の壁に対向する位置に
   形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成され、上記チ
   ップ側の壁と密着する基板側の壁と、上記配線上の一部
   に形成され、上記ボンディングパッドと密着するボンデ
   ィングパッド接続用金属膜とを有し、上記チップは、そ
   の上面が上記基板上面に対向する状態で、基板に固定さ
   れることを特徴とする中空素子構造。
3. 【請求項３】　　チップ上面に形成されたボンディング
   パッドを含むパターンを囲むようにチップ上面に形成さ
   れたチップ側の壁と、基板上面に形成された基板上配線
   と、上記配線上における上記チップ側の壁に対向する位
   置に形成された絶縁膜と、上記絶縁膜上に形成され、上
   記チップ側の壁と密着する基板側の壁と、上記配線上の
   一部に形成され、上記ボンディングパッドと密着するボ
   ンディングパッド接続用金属膜とを有し、上記チップは
   、その上面が上記基板上面に対向する状態で、基板に固
   定されることを特徴とする中空素子構造。