JPH0259948B2 - - Google Patents
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- JPH0259948B2 JPH0259948B2 JP11423283A JP11423283A JPH0259948B2 JP H0259948 B2 JPH0259948 B2 JP H0259948B2 JP 11423283 A JP11423283 A JP 11423283A JP 11423283 A JP11423283 A JP 11423283A JP H0259948 B2 JPH0259948 B2 JP H0259948B2
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- gas
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- sensitive
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
〔発明の技術分野〕
本発明は感ガス素子、特に触媒層を有する感ガ
ス素子に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来から、各種のガスに接触して抵抗値の変化
する例えばSnO2系酸化物半導体等のガス感応体
を用いた感ガス素子について各種の研究がなされ
ている。このような感ガス素子においては、ガス
に対する検出感度をあげるため等の目的で触媒を
用いるが、この触媒を用いる感ガス素子の１つの
構造として、ガス感応体上に触媒層を設けたもの
がある。 このような触媒層としては一般にAl2O3等の担
体にPt，Pd等の貴金属触媒金属を混入した厚膜
が用いられている。 このように触媒層を形成した場合、ガス感度は
向上するものの、測定雰囲気中の温度の影響をう
ける場合があり、特に高湿中に長時間放置した場
合使用動作温度によつては、感度が低下してしま
うという問題点がある。特にCO等低濃度で人体
に悪影響を及ぼすガスを測定対象とする場合には
大きな問題であり、耐湿性に優れた感ガス素子へ
の要求が高まつている。 〔発明の目的〕 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
耐湿性に優れ、かつCO高感度の感ガス素子を提
供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、基板と、この基板上に設けられた測
定対象ガスに接触して抵抗値の変化するガス感応
体と、このガス感応体に設けられた一対の電極
と、このガス感応体表面に設けられた、酸化アル
ミニウムに硫酸銅が担持されてなる触媒層とを具
備したことを特徴とする感ガス素子である。 本発明において基板としてはAl2O3等のセラミ
ツク基板等の耐熱性かつ絶縁性の基板を用い、電
極としてはAu，Pt等を用い、スクリーン印刷法、
スパツタリング法、蒸着法等により形成する。こ
の電極はガス感応体上で対向して設けられ、ガス
感応体と基板との間、ガス感応体と触媒層との間
どちらに設けても良い。また基板は円筒状のもの
を用い、その外周面にガス感応体を形成しても良
いし、平板状のものでよい。 また測定対象ガスはCO等の還元性ガスであり
ガス感応体としては、一般に用いられるSnO2系、
In2O3系、Fe2O3系等の測定対象ガスに接触して
その抵抗値の変化する酸化物半導体を用いる。こ
のSnO2系、In2O3系、Fe2O3系酸化物半導体は、
それぞれSnO2，In2O3，Fe2O3を主成分とし、必
要に応じNb5+，Sb3+，Sb5+等の副成分が添加さ
れたものである。このガス感応体は、スパツタリ
ング法、蒸着法、塗布焼結、有機化合物の熱分解
等により形成される。しかしながら、ガス感度、
再現性、耐久性等から、スパツタリング法、熱分
解法等を用いた薄膜でガス感応体を構成すること
が好ましい。またガス感度等の点からSnO2系を
用いる方が好ましい。 さらに、熱分解法によれば基板の形状によらず
均一な薄膜を容易に得ることができ、この薄膜３
は例えば次のようにして作成される。 まず、スズの金属石鹸（例えば２―エチルヘキ
サン酸スズ）あるいは、Snを含有する樹脂塩、
スズのアルコキシド（ROSn；ただし、Ｒはアル
キル基）、さらにはスズの有機金属化合物
（RSn；ただし、Ｒはアルキル基あるいはアリー
ル基）などのSnを含有する有機化合物又は、こ
れにNbあるいはSbを含有する有機化合物を所定
量添加した混合物をトルエン、ベンゼン、ｎ―ブ
チルアルコールなどの適宜な溶剤を用いて溶解
し、Snの所定濃度の試料溶液を調製する。Sn濃
度は1.0〜20重量％の範囲にあることが好ましい。 つぎに、この試料容液を一対の電極を有する基
板に塗布し、空気中で所定時間（通常30分〜１時
間）放置した後、適宜な温度（通常約120℃）に
加熱して用いた溶剤を気化せしめる。しかる後
に、全体を空気中で30分〜１時間に亘り400〜700
℃の温度で焼成すると、Snを含有する有機化合
物は熱分解しあわせてSnは酸化されて、ここに
SnO2薄膜が形成される。用いる試料溶液のSn濃
度によつて異なり一義的には定められないが、こ
の塗布一焼成の工程を１〜４回程度反復して所定
の膜厚のSnO2薄膜が形成される。 不純物としてNb，Sbを添加した薄膜３を作成
した場合、このとき、Nb，Sbはいずれもドナー
として機能する。Nb，Sbは、Snに対する原子比
（Nb／Sn又はSb／Sn）で0.005〜0.05の範囲内の
量であることが好ましい。 次に触媒層について述べる。 本発明においては、酸化アルミニウム
（Al2O3）に硫酸銅（CuSO4）が担持された触媒
層を用い、この触媒層は例えば次のようにして製
造される。 まず結晶硫酸銅（CuSO4・5H2O）の水溶液に
所定の割合でAl2O3を浸漬する。充分に撹拌混合
の後、１〜２時間減圧乾燥し、更に100℃で加熱
乾燥する。その後乳鉢で粉砕等の方法で粉末とし
て、石英ルツボに入れて400〜600℃の温度で焼成
する。このように調整された触媒をバインダとし
ての例えばアルミニウムヒドロキシクロライド等
の水溶液を用いて泥漿とし、この泥漿をガス感応
体上に所定の厚みで塗布乾燥し、その後400〜500
℃で焼成して触媒層を形成する。CuSO4の分解温
度は約650℃であるので、この温度以下、例えば
600℃以下で行なうことが好ましい。 この触媒（CuSO4）の担持量は銅（Cu）に換
算して、Al2O3担体に対し、0.1〜30重量％の範囲
が好ましい。この範囲をはずれると、感度向上に
あまり効果がない。 ここで、薄膜の膜厚は1000Å〜1μmの範囲にあ
ることが好ましく、該膜厚が1μmを超えるとその
還元性ガスに対する感度が低下し、また1000Åよ
り小さい場合には、感度が低下すると同時にその
バラツキが大きくなる。更に厚膜触媒層の厚みは
10〜50μmの範囲にあることが好ましく、この範
囲を外れると感度、選択性等の触媒効果が低下す
る。 本発明においては、このようにCuSO4がAl2O3
に担持された触媒層を用いることにより、感度が
増大するとともに、耐湿性が非常に向上する。 これは硫酸銅の触媒効果に加え、CuSO4は空気
中の水分を吸収し、５水塩となり、加熱すると無
水塩となる性質があるため、感ガス素子に対する
湿度の影響を抑えることができるためと考えられ
る。また担持層としてはSiO2等を用いることも
考えられるが耐湿性の面からAl2O3が最適であ
る。 また一般に感ガス素子は、ガス応答性改善、ガ
ス選択性を得るためヒータを具備し、動作温度を
制御するが、例えば円筒状の基板を用いた場合は
その内部にヒーターを配置してもよいし、平板状
の場合は、ガス感応体を形成した面の裏面、また
は絶縁体面を介してガス感応体の下層に配置する
こともできる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば感度、耐湿
性ともに向上し、特に耐湿性、CO感度にすぐれ
た感ガス素子を得ることができる。 〔発明の実施例〕 本発明の実施例を以下に説明する。第１図は本
発明の感ガス素子を示す断面図、第２図は本発明
の感ガス素子を示す斜視図である。 １） ガス感応体の形成 ２―エチルヘキサン酸スズをSnの含有量が
10重量％となるようにｎ―ブタノールに溶解し
て試料溶液を調製した。さらに、不純物として
用いたNb，Sbに関しては各々、Nb―レジネ
ート、アンチモニイｎ―ブチレート（（ｎ―
OC4H9）3Sb）を用い、Snに対する原子比で
各々0.1となるように溶液を調製した。 これを、第１図に示したような、一対の電極
２を予め設けた基板１の筒の外側表面に塗布し
て空気中に１時間放置した後、120℃に加熱し
てｎ―ブタノールを気化せしめた。ついで全体
を400℃１時間空気中で焼成した。この塗布―
焼成の工程を３回反復して厚み約0.3μmの
SnO2薄膜からなるガス感応体(3)を形成した。 ２） 触媒層の形成 CuSO4，5H2Oを水に溶解してCu，2.0重量
％の水溶液を調整した。ここに、表面積約100
m2／ｇのAl2O3微粉を浸漬し充分撹拌した。
Al2O3微粉を別し1.5時間減圧乾燥して水分を
除去した後、蒸発乾固した。ついで、乳鉢で粉
砕し、得られた粉末を石英ルツボの中に入れて
400℃で焼成した。この触媒の粉末をアルミニ
ウムヒドロキシクロライド水溶液（Al2O31％）
の中に入れて泥漿とした。この泥漿を、SnO2
薄膜の上に塗布した後、乾燥し、全体を400℃
で焼成した。厚み20μmのCuSO4担持Al2O3の
触媒層４が形成された。 このように構成された感ガス素子は、第２図
に示したように絶縁板５に立設されたピン６の
上に他と接触しない状態に取付けて保持されガ
ス検知装置を構成する。図中７は電極用のリー
ド線、８はヒータを表わし、該ヒータ８は、素
子の表面温度（動作温度）を調整するために用
いられる。 ３） 感度特性の測定 以上のようにして製造した本発明の感ガス素
子を用いて温度200ppmのCO・H2，C3H8のガ
スに対し、素子の動作温度に関する感度を
Rair／Rgasとして測定した。ここで、Rairは
測定ガスを含まない空気中において素子が示し
た抵抗値であり、Rgasは上記ガスをそれぞれ
の濃度含有する空気中において素子が示した抵
抗値である。Rair／Rgasが大きい程、高感度
であることを意味する。 その結果を第１表に示した。半導体組成が
SnO2，SnO2―Nb，SnO2―Sbの場合の感度特
性、さらに前記半導体に対して、Cu担持量が1.0，
10.0，20.0wt％のCuSO4―Al2O3触媒を用いた場
合の感度特性を示した。なお素子温度は350℃と
した。
ス素子に関する。 〔発明の技術的背景とその問題点〕 従来から、各種のガスに接触して抵抗値の変化
する例えばSnO2系酸化物半導体等のガス感応体
を用いた感ガス素子について各種の研究がなされ
ている。このような感ガス素子においては、ガス
に対する検出感度をあげるため等の目的で触媒を
用いるが、この触媒を用いる感ガス素子の１つの
構造として、ガス感応体上に触媒層を設けたもの
がある。 このような触媒層としては一般にAl2O3等の担
体にPt，Pd等の貴金属触媒金属を混入した厚膜
が用いられている。 このように触媒層を形成した場合、ガス感度は
向上するものの、測定雰囲気中の温度の影響をう
ける場合があり、特に高湿中に長時間放置した場
合使用動作温度によつては、感度が低下してしま
うという問題点がある。特にCO等低濃度で人体
に悪影響を及ぼすガスを測定対象とする場合には
大きな問題であり、耐湿性に優れた感ガス素子へ
の要求が高まつている。 〔発明の目的〕 本発明は以上の点を考慮してなされたもので、
耐湿性に優れ、かつCO高感度の感ガス素子を提
供することを目的とする。 〔発明の概要〕 本発明は、基板と、この基板上に設けられた測
定対象ガスに接触して抵抗値の変化するガス感応
体と、このガス感応体に設けられた一対の電極
と、このガス感応体表面に設けられた、酸化アル
ミニウムに硫酸銅が担持されてなる触媒層とを具
備したことを特徴とする感ガス素子である。 本発明において基板としてはAl2O3等のセラミ
ツク基板等の耐熱性かつ絶縁性の基板を用い、電
極としてはAu，Pt等を用い、スクリーン印刷法、
スパツタリング法、蒸着法等により形成する。こ
の電極はガス感応体上で対向して設けられ、ガス
感応体と基板との間、ガス感応体と触媒層との間
どちらに設けても良い。また基板は円筒状のもの
を用い、その外周面にガス感応体を形成しても良
いし、平板状のものでよい。 また測定対象ガスはCO等の還元性ガスであり
ガス感応体としては、一般に用いられるSnO2系、
In2O3系、Fe2O3系等の測定対象ガスに接触して
その抵抗値の変化する酸化物半導体を用いる。こ
のSnO2系、In2O3系、Fe2O3系酸化物半導体は、
それぞれSnO2，In2O3，Fe2O3を主成分とし、必
要に応じNb5+，Sb3+，Sb5+等の副成分が添加さ
れたものである。このガス感応体は、スパツタリ
ング法、蒸着法、塗布焼結、有機化合物の熱分解
等により形成される。しかしながら、ガス感度、
再現性、耐久性等から、スパツタリング法、熱分
解法等を用いた薄膜でガス感応体を構成すること
が好ましい。またガス感度等の点からSnO2系を
用いる方が好ましい。 さらに、熱分解法によれば基板の形状によらず
均一な薄膜を容易に得ることができ、この薄膜３
は例えば次のようにして作成される。 まず、スズの金属石鹸（例えば２―エチルヘキ
サン酸スズ）あるいは、Snを含有する樹脂塩、
スズのアルコキシド（ROSn；ただし、Ｒはアル
キル基）、さらにはスズの有機金属化合物
（RSn；ただし、Ｒはアルキル基あるいはアリー
ル基）などのSnを含有する有機化合物又は、こ
れにNbあるいはSbを含有する有機化合物を所定
量添加した混合物をトルエン、ベンゼン、ｎ―ブ
チルアルコールなどの適宜な溶剤を用いて溶解
し、Snの所定濃度の試料溶液を調製する。Sn濃
度は1.0〜20重量％の範囲にあることが好ましい。 つぎに、この試料容液を一対の電極を有する基
板に塗布し、空気中で所定時間（通常30分〜１時
間）放置した後、適宜な温度（通常約120℃）に
加熱して用いた溶剤を気化せしめる。しかる後
に、全体を空気中で30分〜１時間に亘り400〜700
℃の温度で焼成すると、Snを含有する有機化合
物は熱分解しあわせてSnは酸化されて、ここに
SnO2薄膜が形成される。用いる試料溶液のSn濃
度によつて異なり一義的には定められないが、こ
の塗布一焼成の工程を１〜４回程度反復して所定
の膜厚のSnO2薄膜が形成される。 不純物としてNb，Sbを添加した薄膜３を作成
した場合、このとき、Nb，Sbはいずれもドナー
として機能する。Nb，Sbは、Snに対する原子比
（Nb／Sn又はSb／Sn）で0.005〜0.05の範囲内の
量であることが好ましい。 次に触媒層について述べる。 本発明においては、酸化アルミニウム
（Al2O3）に硫酸銅（CuSO4）が担持された触媒
層を用い、この触媒層は例えば次のようにして製
造される。 まず結晶硫酸銅（CuSO4・5H2O）の水溶液に
所定の割合でAl2O3を浸漬する。充分に撹拌混合
の後、１〜２時間減圧乾燥し、更に100℃で加熱
乾燥する。その後乳鉢で粉砕等の方法で粉末とし
て、石英ルツボに入れて400〜600℃の温度で焼成
する。このように調整された触媒をバインダとし
ての例えばアルミニウムヒドロキシクロライド等
の水溶液を用いて泥漿とし、この泥漿をガス感応
体上に所定の厚みで塗布乾燥し、その後400〜500
℃で焼成して触媒層を形成する。CuSO4の分解温
度は約650℃であるので、この温度以下、例えば
600℃以下で行なうことが好ましい。 この触媒（CuSO4）の担持量は銅（Cu）に換
算して、Al2O3担体に対し、0.1〜30重量％の範囲
が好ましい。この範囲をはずれると、感度向上に
あまり効果がない。 ここで、薄膜の膜厚は1000Å〜1μmの範囲にあ
ることが好ましく、該膜厚が1μmを超えるとその
還元性ガスに対する感度が低下し、また1000Åよ
り小さい場合には、感度が低下すると同時にその
バラツキが大きくなる。更に厚膜触媒層の厚みは
10〜50μmの範囲にあることが好ましく、この範
囲を外れると感度、選択性等の触媒効果が低下す
る。 本発明においては、このようにCuSO4がAl2O3
に担持された触媒層を用いることにより、感度が
増大するとともに、耐湿性が非常に向上する。 これは硫酸銅の触媒効果に加え、CuSO4は空気
中の水分を吸収し、５水塩となり、加熱すると無
水塩となる性質があるため、感ガス素子に対する
湿度の影響を抑えることができるためと考えられ
る。また担持層としてはSiO2等を用いることも
考えられるが耐湿性の面からAl2O3が最適であ
る。 また一般に感ガス素子は、ガス応答性改善、ガ
ス選択性を得るためヒータを具備し、動作温度を
制御するが、例えば円筒状の基板を用いた場合は
その内部にヒーターを配置してもよいし、平板状
の場合は、ガス感応体を形成した面の裏面、また
は絶縁体面を介してガス感応体の下層に配置する
こともできる。 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば感度、耐湿
性ともに向上し、特に耐湿性、CO感度にすぐれ
た感ガス素子を得ることができる。 〔発明の実施例〕 本発明の実施例を以下に説明する。第１図は本
発明の感ガス素子を示す断面図、第２図は本発明
の感ガス素子を示す斜視図である。 １） ガス感応体の形成 ２―エチルヘキサン酸スズをSnの含有量が
10重量％となるようにｎ―ブタノールに溶解し
て試料溶液を調製した。さらに、不純物として
用いたNb，Sbに関しては各々、Nb―レジネ
ート、アンチモニイｎ―ブチレート（（ｎ―
OC4H9）3Sb）を用い、Snに対する原子比で
各々0.1となるように溶液を調製した。 これを、第１図に示したような、一対の電極
２を予め設けた基板１の筒の外側表面に塗布し
て空気中に１時間放置した後、120℃に加熱し
てｎ―ブタノールを気化せしめた。ついで全体
を400℃１時間空気中で焼成した。この塗布―
焼成の工程を３回反復して厚み約0.3μmの
SnO2薄膜からなるガス感応体(3)を形成した。 ２） 触媒層の形成 CuSO4，5H2Oを水に溶解してCu，2.0重量
％の水溶液を調整した。ここに、表面積約100
m2／ｇのAl2O3微粉を浸漬し充分撹拌した。
Al2O3微粉を別し1.5時間減圧乾燥して水分を
除去した後、蒸発乾固した。ついで、乳鉢で粉
砕し、得られた粉末を石英ルツボの中に入れて
400℃で焼成した。この触媒の粉末をアルミニ
ウムヒドロキシクロライド水溶液（Al2O31％）
の中に入れて泥漿とした。この泥漿を、SnO2
薄膜の上に塗布した後、乾燥し、全体を400℃
で焼成した。厚み20μmのCuSO4担持Al2O3の
触媒層４が形成された。 このように構成された感ガス素子は、第２図
に示したように絶縁板５に立設されたピン６の
上に他と接触しない状態に取付けて保持されガ
ス検知装置を構成する。図中７は電極用のリー
ド線、８はヒータを表わし、該ヒータ８は、素
子の表面温度（動作温度）を調整するために用
いられる。 ３） 感度特性の測定 以上のようにして製造した本発明の感ガス素
子を用いて温度200ppmのCO・H2，C3H8のガ
スに対し、素子の動作温度に関する感度を
Rair／Rgasとして測定した。ここで、Rairは
測定ガスを含まない空気中において素子が示し
た抵抗値であり、Rgasは上記ガスをそれぞれ
の濃度含有する空気中において素子が示した抵
抗値である。Rair／Rgasが大きい程、高感度
であることを意味する。 その結果を第１表に示した。半導体組成が
SnO2，SnO2―Nb，SnO2―Sbの場合の感度特
性、さらに前記半導体に対して、Cu担持量が1.0，
10.0，20.0wt％のCuSO4―Al2O3触媒を用いた場
合の感度特性を示した。なお素子温度は350℃と
した。
【表】
【表】
第１表より明らかなように、半導体のみを備え
た素子の感度は低く、本発明に係る触媒を用いた
場合には感度が増大する。また、本素子は、CO，
H2，iso―C4H10に対する感度がほぼ同程度であ
ることも特徴的である。Cu担持量が1.0wt％およ
び20wt％の場合は10wt％の場合より感度が低下
する傾向にある。 また、第３図には、SnO2―Nb系半導体と、
CuSO4―Al2O3（Cu；1.0wt％）触媒を用いた
SnO2―Nb系半導体素子を40℃―90RH％中に２
週間放置した場合の空気中の抵抗値およびCO，
200ppm中での抵抗値変化を示した。第３図から
明らかなように、半導体のみを備えた感ガス素子
（比較例１）は放置後高抵抗化しているが、本発
明におけるCuSO4―Al2O3触媒を用いた素子は全
く抵抗変化を示しておらず、高温高湿中放置によ
る影響を受けないことがわかる。 また比較例２としてRh（1.0wt％）−Al2O3触媒
を用いた以外は第３図に示した場合と同様にして
形成した感ガス素子の高温中放置試験の結果を第
４図に示した。動作温度350℃で感度測定を行な
つた場合第４図に示した如く、高温中に放置後、
抵抗値が高抵抗となり、かつCO感度が低下する
ことがわかる。 以上の説明のように、本発明に係るガス検知素
子は低濃度の還元性ガス（CO，H2，iso−
C4H10）に高感度をまし、高温高湿中に放置して
も、感度低下現象のないガス検知素子である。従
つて、連続的使用かつ断続的使用にも適応するガ
ス検知素子である。
た素子の感度は低く、本発明に係る触媒を用いた
場合には感度が増大する。また、本素子は、CO，
H2，iso―C4H10に対する感度がほぼ同程度であ
ることも特徴的である。Cu担持量が1.0wt％およ
び20wt％の場合は10wt％の場合より感度が低下
する傾向にある。 また、第３図には、SnO2―Nb系半導体と、
CuSO4―Al2O3（Cu；1.0wt％）触媒を用いた
SnO2―Nb系半導体素子を40℃―90RH％中に２
週間放置した場合の空気中の抵抗値およびCO，
200ppm中での抵抗値変化を示した。第３図から
明らかなように、半導体のみを備えた感ガス素子
（比較例１）は放置後高抵抗化しているが、本発
明におけるCuSO4―Al2O3触媒を用いた素子は全
く抵抗変化を示しておらず、高温高湿中放置によ
る影響を受けないことがわかる。 また比較例２としてRh（1.0wt％）−Al2O3触媒
を用いた以外は第３図に示した場合と同様にして
形成した感ガス素子の高温中放置試験の結果を第
４図に示した。動作温度350℃で感度測定を行な
つた場合第４図に示した如く、高温中に放置後、
抵抗値が高抵抗となり、かつCO感度が低下する
ことがわかる。 以上の説明のように、本発明に係るガス検知素
子は低濃度の還元性ガス（CO，H2，iso−
C4H10）に高感度をまし、高温高湿中に放置して
も、感度低下現象のないガス検知素子である。従
つて、連続的使用かつ断続的使用にも適応するガ
ス検知素子である。
第１図は、本発明感ガス素子の断面図、第２図
は、該素子を組立てて成るガス検知装置の斜視図
である。第３図及び第４図は、抵抗変化特性図。 １……基板、２……電極、３……ガス感応体、
４……触媒層。
は、該素子を組立てて成るガス検知装置の斜視図
である。第３図及び第４図は、抵抗変化特性図。 １……基板、２……電極、３……ガス感応体、
４……触媒層。
Claims (1)
- １ 基板と、この基板上に設けられ測定対象ガス
に接触して抵抗値の変化するガス感応体と、この
ガス感応体に設けられた一対の電極と、このガス
感応体表面に設けられた、酸化アルミニウムに硫
酸銅が担持されてなる触媒層とを具備したことを
特徴とする感ガス素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11423283A JPS607352A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子 |
| KR1019840003650A KR870001258B1 (ko) | 1983-06-27 | 1984-06-27 | 감가스소자 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11423283A JPS607352A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS607352A JPS607352A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH0259948B2 true JPH0259948B2 (ja) | 1990-12-13 |
Family
ID=14632553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11423283A Granted JPS607352A (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 感ガス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607352A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101974209B1 (ko) * | 2012-04-30 | 2019-04-30 | 카운슬 오브 사이언티픽 앤드 인더스트리얼 리서치 | 숨(breath) 중에서 아세톤 검출을 위한 센서 조성물 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP11423283A patent/JPS607352A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607352A (ja) | 1985-01-16 |
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