JPH0260065B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260065B2 JPH0260065B2 JP18121185A JP18121185A JPH0260065B2 JP H0260065 B2 JPH0260065 B2 JP H0260065B2 JP 18121185 A JP18121185 A JP 18121185A JP 18121185 A JP18121185 A JP 18121185A JP H0260065 B2 JPH0260065 B2 JP H0260065B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- quartz
- jig
- holding
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
石英アンプル内に基板とメルト素材を入れ、石
英アンプルの回転により基板とメルトの接触、あ
るいは分離により基板上にエピタキシヤル成長を
行う閉管式チツピング（Tipping）成長装置にお
いて、基板の固定治具を、これを保持する保持治
具に挿入して保持するときに石英どうしのスリ合
わせにより生ずる石英破片の影響を除去した構造
を有する結晶成長装置を提案する。
英アンプルの回転により基板とメルトの接触、あ
るいは分離により基板上にエピタキシヤル成長を
行う閉管式チツピング（Tipping）成長装置にお
いて、基板の固定治具を、これを保持する保持治
具に挿入して保持するときに石英どうしのスリ合
わせにより生ずる石英破片の影響を除去した構造
を有する結晶成長装置を提案する。
本発明は基板を石英治具に装填する際に生ずる
石英破片の影響を除去した構造の閉管式チツピン
グ結晶成長装置に関する。
石英破片の影響を除去した構造の閉管式チツピン
グ結晶成長装置に関する。
カドミウムテルル（CdTe）基板上に、水銀カ
ドミウムテルル（HgCdTe）結晶を液相エピタキ
シヤル成長する場合、HgCdTeのメルトは水銀
（Hg）の蒸気圧が高いため、石英アンプルを用い
て閉管系で行つている。
ドミウムテルル（HgCdTe）結晶を液相エピタキ
シヤル成長する場合、HgCdTeのメルトは水銀
（Hg）の蒸気圧が高いため、石英アンプルを用い
て閉管系で行つている。
この場合、CdTe基板を石英治具に装填する際
に石英片がCdTe基板表面に付着し、結晶欠陥発
生の原因となつている。
に石英片がCdTe基板表面に付着し、結晶欠陥発
生の原因となつている。
石英片は石英治具のスリ合わせ部で発生するた
め、基板装填時に、この部分の影響が直接基板に
およばない構造が望まれている。
め、基板装填時に、この部分の影響が直接基板に
およばない構造が望まれている。
第２図１〜３は従来例による閉管式チツピング
結晶成長装置を説明する斜視図である。
結晶成長装置を説明する斜視図である。
第２図１，２は成長治具で、それぞれ保持治具
２１（部材２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃとよりなる）
と基板固定治具２２を、第２図３はこれらの成長
治具を石英アンプール２３に装填した結晶成長装
置全体を示している。
２１（部材２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃとよりなる）
と基板固定治具２２を、第２図３はこれらの成長
治具を石英アンプール２３に装填した結晶成長装
置全体を示している。
第２図１において、石英よりなる保持治具２１
の基板保持部２１Ａと２１Ｂとは、第２図２に示
される基板固定治具２２を支持するようにＢ部に
溝が切られている。
の基板保持部２１Ａと２１Ｂとは、第２図２に示
される基板固定治具２２を支持するようにＢ部に
溝が切られている。
第２図２において、石英よりなる基板固定治具
２２は、基板としてのCdTe基板２６を取り付け
固定する。
２２は、基板としてのCdTe基板２６を取り付け
固定する。
第２図３において、結晶基板２６を取り付けた
上記成長治具と、スペーサの役目をする石英内管
２４と、メルト２５とを石英アンプール２３に封
入し、横型の均熱炉に挿入する。
上記成長治具と、スペーサの役目をする石英内管
２４と、メルト２５とを石英アンプール２３に封
入し、横型の均熱炉に挿入する。
２７は炉のヒータである。
以上の構造の結晶成長装置においては、石英ど
うしがスリ合う個所は、基板保持部２１Ａと２１
Ｂが石英アンプール２３に嵌合するＡ部と、基板
固定治具２２を基板保持部２１Ａと２１Ｂに挿入
するＢ部である。
うしがスリ合う個所は、基板保持部２１Ａと２１
Ｂが石英アンプール２３に嵌合するＡ部と、基板
固定治具２２を基板保持部２１Ａと２１Ｂに挿入
するＢ部である。
この方法において、保持治具２１の外径を石英
アンプール２３の内径に合わせ、かつ注意して治
具を装填してＡ部における石英片の発生を抑制し
ても、Ｂ部において石英片を発生し、結晶基板表
面に付着する。
アンプール２３の内径に合わせ、かつ注意して治
具を装填してＡ部における石英片の発生を抑制し
ても、Ｂ部において石英片を発生し、結晶基板表
面に付着する。
また、成長治具は通常鏡面に仕上げ、面とりを
行つて欠けを生じないように留意しているが、成
長ごとに弗酸で清浄化するため、石英表面が腐食
されて欠けやすくなり、結晶片が発生しやすくな
る。
行つて欠けを生じないように留意しているが、成
長ごとに弗酸で清浄化するため、石英表面が腐食
されて欠けやすくなり、結晶片が発生しやすくな
る。
従来例による結晶成長装置においては基板固定
治具を保持治具に装填する際、石英片が基板上に
付着し、この部分が未成長等の結晶欠陥が発生
し、成長結晶の表面が凹凸になる。
治具を保持治具に装填する際、石英片が基板上に
付着し、この部分が未成長等の結晶欠陥が発生
し、成長結晶の表面が凹凸になる。
上記問題点の解決は、石英アンプル３内に嵌合
する２個の円筒形の基板保持部１Ａ，１Ｂと、両
者を接続し、かつメルト素材を保持するメルト保
持部１Ｃとよりなる保持治具１と、 表面に結晶を成長しようとする基板６を取り付
け、かつ該基板保持部１Ａと１Ｂ間に保持される
基板固定治具２とを有し、 該基板保持部１Ａ、および１Ｂがそれぞれ２分
割された部材１Ａ−１，１Ａ−２、および１Ｂ−
１，１Ｂ−２よりなり、各部材間に該基板固定治
具２を挟みこんで固定するようにした本発明によ
る結晶成長装置により達成される。
する２個の円筒形の基板保持部１Ａ，１Ｂと、両
者を接続し、かつメルト素材を保持するメルト保
持部１Ｃとよりなる保持治具１と、 表面に結晶を成長しようとする基板６を取り付
け、かつ該基板保持部１Ａと１Ｂ間に保持される
基板固定治具２とを有し、 該基板保持部１Ａ、および１Ｂがそれぞれ２分
割された部材１Ａ−１，１Ａ−２、および１Ｂ−
１，１Ｂ−２よりなり、各部材間に該基板固定治
具２を挟みこんで固定するようにした本発明によ
る結晶成長装置により達成される。
石英は欠けやすい材料であるが、閉管式エピタ
キシヤル成長治具の材質として純度の面から最適
である。従つて欠けやすい欠点は治具の構造で解
消する必要がある。
キシヤル成長治具の材質として純度の面から最適
である。従つて欠けやすい欠点は治具の構造で解
消する必要がある。
本発明の装置においては、基板固定治具を保持
治具に挿入する際、石英どうしが擦れ合うことの
ないように、保持治具を２分割して挟みこんで固
定するようにしたものである。
治具に挿入する際、石英どうしが擦れ合うことの
ないように、保持治具を２分割して挟みこんで固
定するようにしたものである。
２分割した保持治具の固定は、基板固定治具を
固定した状態で、内径が保持治具の外径に合つた
石英アンプルに入れるため問題はない。
固定した状態で、内径が保持治具の外径に合つた
石英アンプルに入れるため問題はない。
以上のようにして、基板上に石英片が付着する
ことを防止するものである。
ことを防止するものである。
第１図１，２は本発明による閉管式チツピング
結晶成長装置を説明する斜視図である。
結晶成長装置を説明する斜視図である。
第１図１は成長治具で、それぞれ保持治具１と
基板固定治具２を、第１図２はこれらの成長治具
を石英アンプール３に装填した結晶成長装置全体
を示す。
基板固定治具２を、第１図２はこれらの成長治具
を石英アンプール３に装填した結晶成長装置全体
を示す。
第１図１において、石英よりなる保持治具１
は、石英よりなる基板固定治具２を保持する基板
保持部１Ａ、および１Ｂと、メルト素材を保持す
るメルト保持部１Ｃとよりなる。基板保持部１
Ａ、および１Ｂはそれぞれ部材１Ａ−１，１Ａ−
２、および１Ｂ−１，１Ｂ−２に２分割される。
は、石英よりなる基板固定治具２を保持する基板
保持部１Ａ、および１Ｂと、メルト素材を保持す
るメルト保持部１Ｃとよりなる。基板保持部１
Ａ、および１Ｂはそれぞれ部材１Ａ−１，１Ａ−
２、および１Ｂ−１，１Ｂ−２に２分割される。
この場合の保持方法は、部材１Ａ−１，１Ａ−
２間、および１Ｂ−１，１Ｂ−２間に基板固定治
具２を挟みこんだ状態で第１図２に示される石英
アンプル３に挿入する。
２間、および１Ｂ−１，１Ｂ−２間に基板固定治
具２を挟みこんだ状態で第１図２に示される石英
アンプル３に挿入する。
基板固定治具２は基板としてのCdTe基板６を
取り付け固定する。
取り付け固定する。
第１図２において、基板６を取り付けた上記成
長治具と、スペーサの役目をする石英内管４と、
メルト５とを石英アンプール３に封入し、横型の
均熱炉に挿入する。
長治具と、スペーサの役目をする石英内管４と、
メルト５とを石英アンプール３に封入し、横型の
均熱炉に挿入する。
７は炉のヒータである。
以上の本発明による構造の結晶成長装置におい
ては、基板固定治具２を保持治具１に保持すると
きに石英どうしがスリ合うことはなく、従つて石
英片は結晶基板表面に付着することはない。
ては、基板固定治具２を保持治具１に保持すると
きに石英どうしがスリ合うことはなく、従つて石
英片は結晶基板表面に付着することはない。
実際の結晶成長は以下のように行う。
面指数（111）のCdTe基板の上にHg1-xCdxTe
（ｘは混晶比で0.2＜ｘ＜0.3）を成長する場合、
メルト（溶液）は溶媒をTe、溶質をHgCdとし、
その組成は（Hg1-xCdx）1-yTey（ｘ、ｙは混晶比）
であらわされ、約500℃で飽和濃度となる組成を
選ぶ。
（ｘは混晶比で0.2＜ｘ＜0.3）を成長する場合、
メルト（溶液）は溶媒をTe、溶質をHgCdとし、
その組成は（Hg1-xCdx）1-yTey（ｘ、ｙは混晶比）
であらわされ、約500℃で飽和濃度となる組成を
選ぶ。
メルトを飽和温度に保つて、石英アンプルを回
転してCdTe基板をメルトに浸漬した状態で炉温
を下げ、基板上にメルトからの析出を行う。
転してCdTe基板をメルトに浸漬した状態で炉温
を下げ、基板上にメルトからの析出を行う。
成長終了後は、さらに石英アンプルを回転して
基板をメルトから分離する。
基板をメルトから分離する。
〔発明の効果〕
以上詳細に説明したように本発明による結晶成
長装置においては、基板固定治具を保持治具に装
填する際、石英片が基板上に付着することはな
く、従つて石英片付着に起因する未成長等の結晶
欠陥の発生を防止できる。
長装置においては、基板固定治具を保持治具に装
填する際、石英片が基板上に付着することはな
く、従つて石英片付着に起因する未成長等の結晶
欠陥の発生を防止できる。
第１図１，２は本発明による閉管式チツピング
結晶成長装置を説明する斜視図、第２図１〜３は
従来例による閉管式チツピング結晶成長装置を説
明する斜視図である。 図において、１は保持治具、１Ａ，１Ｂは基板
保持部、１Ｃはメルト保持部、２は基板固定治
具、３は石英アンプール、４は石英内管、５はメ
ルト、６は基板でCdTe基板、７は炉のヒータで
ある。
結晶成長装置を説明する斜視図、第２図１〜３は
従来例による閉管式チツピング結晶成長装置を説
明する斜視図である。 図において、１は保持治具、１Ａ，１Ｂは基板
保持部、１Ｃはメルト保持部、２は基板固定治
具、３は石英アンプール、４は石英内管、５はメ
ルト、６は基板でCdTe基板、７は炉のヒータで
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 石英アンプル３内に嵌合する２個の円筒形の
基板保持部１Ａ，１Ｂと、両者を接続し、かつメ
ルト素材を保持するメルト保持部１Ｃとよりなる
保持治具１と、 表面に結晶を成長しようとする基板６を取り付
け、かつ該基板保持部１Ａと１Ｂ間に保持される
基板固定治具２とを有し、 該基板保持部１Ａ、および１Ｂがそれぞれ２分
割された部材１Ａ−１，１Ａ−２、および１Ｂ−
１，１Ｂ−２よりなり、前記部材１Ａ−１，１Ａ
−２間、および１Ｂ−１，１Ｂ−２間に該基板固
定治具２を挟みこんで固定するようにしたことを
特徴とする結晶成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18121185A JPS6242428A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 結晶成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18121185A JPS6242428A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 結晶成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6242428A JPS6242428A (ja) | 1987-02-24 |
| JPH0260065B2 true JPH0260065B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=16096769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18121185A Granted JPS6242428A (ja) | 1985-08-19 | 1985-08-19 | 結晶成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6242428A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01264377A (ja) * | 1988-04-15 | 1989-10-20 | Hitachi Ltd | ビデオプリンタ |
| JP2607641B2 (ja) * | 1988-10-03 | 1997-05-07 | 株式会社日立製作所 | ビデオプリンタ |
-
1985
- 1985-08-19 JP JP18121185A patent/JPS6242428A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242428A (ja) | 1987-02-24 |
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