JPH058154B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH058154B2 JPH058154B2 JP11925387A JP11925387A JPH058154B2 JP H058154 B2 JPH058154 B2 JP H058154B2 JP 11925387 A JP11925387 A JP 11925387A JP 11925387 A JP11925387 A JP 11925387A JP H058154 B2 JPH058154 B2 JP H058154B2
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- JP
- Japan
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- growth
- substrate
- solution
- temperature
- epitaxial growth
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 claims description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
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- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
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- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は液相エピタキシヤル成長方法、特にデ
イツピング法に関するものである。
イツピング法に関するものである。
［従来の技術］
液相エピタキシヤル法のうち、量産性のある方
法としてはGaPのエピタキシヤル成長において広
く用いられているデイツピング法が一般的であ
る。この方法は第２図に示すようにエピタキシヤ
ル成長炉内で基板１を縦に配列し、成長用溶液２
を、基板１をセツトした基板ホルダー３に上部よ
り落下するか（第３図参照）、又は下部より押し
上げる（第４図参照）等の方法により基板１と成
長用溶液２を接触させ成長を行うものである。
法としてはGaPのエピタキシヤル成長において広
く用いられているデイツピング法が一般的であ
る。この方法は第２図に示すようにエピタキシヤ
ル成長炉内で基板１を縦に配列し、成長用溶液２
を、基板１をセツトした基板ホルダー３に上部よ
り落下するか（第３図参照）、又は下部より押し
上げる（第４図参照）等の方法により基板１と成
長用溶液２を接触させ成長を行うものである。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、従来技術では第２図に示したよ
うに、基板ホルダー３内に基板１を２枚ずつ対面
させた形でセツトし、炉内温度を均一にして成長
させているため、成長用溶液２が双方の基板１に
同じ膜厚で成長してしまい、その結果十分に厚く
成長しないという問題があつた。
うに、基板ホルダー３内に基板１を２枚ずつ対面
させた形でセツトし、炉内温度を均一にして成長
させているため、成長用溶液２が双方の基板１に
同じ膜厚で成長してしまい、その結果十分に厚く
成長しないという問題があつた。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであ
つて、その目的とするところは前記した従来技術
の欠点を解消し、多数枚の基板に対して膜厚の厚
いエピタキシヤル層の成長を可能にする方法を提
供するとこにある。
つて、その目的とするところは前記した従来技術
の欠点を解消し、多数枚の基板に対して膜厚の厚
いエピタキシヤル層の成長を可能にする方法を提
供するとこにある。
［問題点を解決するための手段］
本発明の要旨は、エピタキシヤル成長炉内で基
板を縦に配列し、成長用溶液と基板を接触させて
成長を行う方法において、成長用溶液側の温度よ
りも基板側の温度が低い温度勾配を設けることを
特徴とする液相エピタキシヤル成長方法にある。
板を縦に配列し、成長用溶液と基板を接触させて
成長を行う方法において、成長用溶液側の温度よ
りも基板側の温度が低い温度勾配を設けることを
特徴とする液相エピタキシヤル成長方法にある。
［作用］
成長用溶液に基板側が温度が低い温度勾配を設
けたことにより、成長用溶液中の溶媒が基板上に
移送され、成長に有効に利用される。
けたことにより、成長用溶液中の溶媒が基板上に
移送され、成長に有効に利用される。
［実施例］
以下本発明の一実施例を図面に基づいて説明す
る。第１図は本発明の成長方法を示す説明図であ
つて、成長前に成長用溶液２を入れておく溶液ホ
ルダー４及び基板１を縦にセツトするための基板
ホルダー３と、成長終了後に成長用溶液２を受け
るための溶液収容部５と成長用溶液２と基板ホル
ダー３とを分離するためのシヤツター７と、基板
ホルダー３から成長用溶液２を分離するためのシ
ヤツター６とから構成されている。尚、本発明に
おいて、多数枚成長を行う場合は、夫々の基板１
の成長面を同一方向を向かせて配列することが望
ましい。
る。第１図は本発明の成長方法を示す説明図であ
つて、成長前に成長用溶液２を入れておく溶液ホ
ルダー４及び基板１を縦にセツトするための基板
ホルダー３と、成長終了後に成長用溶液２を受け
るための溶液収容部５と成長用溶液２と基板ホル
ダー３とを分離するためのシヤツター７と、基板
ホルダー３から成長用溶液２を分離するためのシ
ヤツター６とから構成されている。尚、本発明に
おいて、多数枚成長を行う場合は、夫々の基板１
の成長面を同一方向を向かせて配列することが望
ましい。
上記の成長治具を用い、Ga1-XAlXAs高混晶
（Ｘ＝0.65）のエピタキシヤル成長を行つた。上
部の溶液ホルダー４にはGa500ｇ、GaAs42ｇ及
びAl3.3ｇを入れ、基板ホルダー３には寸法50mm
×45mmの基板１を１枚ずつ４箇所にセツトした。
この状態で水平型エピタキシヤル成長炉内にセツ
トし、水素ガス置換後950℃まで昇温した、Ga中
でGaAsとAlが飽和状態まで溶けた時点でシヤツ
ター６を開き、成長用溶液２を基板ホルダー３内
部に落した後、基板ホルダー３の左側に配設した
ヒーター（図示せず）を１℃／minの割合で冷却
し、成長用溶液２中に１℃／cmの温度勾配をつけ
た。その後、全体を0.5℃／minの割合で５時間
にわたつて温度を下げた。次いで、シヤツター７
を開き、成長用溶液２を下部の溶液収容部５に落
した。このようにして成長させたエピキシヤルウ
エハの膜厚を調べてみたところ、約250μに成長
していた。
（Ｘ＝0.65）のエピタキシヤル成長を行つた。上
部の溶液ホルダー４にはGa500ｇ、GaAs42ｇ及
びAl3.3ｇを入れ、基板ホルダー３には寸法50mm
×45mmの基板１を１枚ずつ４箇所にセツトした。
この状態で水平型エピタキシヤル成長炉内にセツ
トし、水素ガス置換後950℃まで昇温した、Ga中
でGaAsとAlが飽和状態まで溶けた時点でシヤツ
ター６を開き、成長用溶液２を基板ホルダー３内
部に落した後、基板ホルダー３の左側に配設した
ヒーター（図示せず）を１℃／minの割合で冷却
し、成長用溶液２中に１℃／cmの温度勾配をつけ
た。その後、全体を0.5℃／minの割合で５時間
にわたつて温度を下げた。次いで、シヤツター７
を開き、成長用溶液２を下部の溶液収容部５に落
した。このようにして成長させたエピキシヤルウ
エハの膜厚を調べてみたところ、約250μに成長
していた。
［発明の効果］
以上説明したように、従来技術の如く均熱温度
分布で成長させた場合には膜厚があまり厚く成長
しなかつたが、成長用溶液に温度勾配を設けたこ
とにより成長用溶液中の溶媒（例えばAsとAl）
が基板上に移送され成長に有効に利用されるた
め、GaAlAsの十分な膜厚成長が可能となつた。
分布で成長させた場合には膜厚があまり厚く成長
しなかつたが、成長用溶液に温度勾配を設けたこ
とにより成長用溶液中の溶媒（例えばAsとAl）
が基板上に移送され成長に有効に利用されるた
め、GaAlAsの十分な膜厚成長が可能となつた。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２
図は従来例を示す説明図、第３〜４図は成長治具
の断面図である。 １：基板、２：成長用溶液、３：基板ホルダ
ー、４：溶液ホルダー、５：溶液収容部、６，
７：シヤツター、８：ピストン、９：水平型エピ
タキシヤル成長炉。
図は従来例を示す説明図、第３〜４図は成長治具
の断面図である。 １：基板、２：成長用溶液、３：基板ホルダ
ー、４：溶液ホルダー、５：溶液収容部、６，
７：シヤツター、８：ピストン、９：水平型エピ
タキシヤル成長炉。
Claims (1)
- １ エピタキシヤル成長炉内に基板を縦に配置
し、該基板の成長面に成長用溶液を接触させて液
相エピタキシヤル成長を行う方法において、前記
成長用溶液側よりも前記基板側の温度が低い温度
勾配を形成して成長させることを特徴とする液相
エピタキシヤル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11925387A JPS63285190A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11925387A JPS63285190A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63285190A JPS63285190A (ja) | 1988-11-22 |
| JPH058154B2 true JPH058154B2 (ja) | 1993-02-01 |
Family
ID=14756750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11925387A Granted JPS63285190A (ja) | 1987-05-15 | 1987-05-15 | 液相エピタキシャル成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63285190A (ja) |
-
1987
- 1987-05-15 JP JP11925387A patent/JPS63285190A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63285190A (ja) | 1988-11-22 |
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